一种可控硅模块的制作方法

本实用新型涉及可控硅模块技术领域，具体是一种可控硅模块。

背景技术：

功率模块是现代电力电子向集成化、微型化发展所必须的电子器件，是电力电子技术发展的一个方向，近年来每年都以20%的速度递增,而且发展趋势仍在继续上升。功率模块是电力电子线路和控制系统的核心器件，它的性能参数直接决定着电力电子系统的效率和可靠性。可控硅功率模块属于功率半导体产品，如果在制造过程中由于制作工艺过于复杂，将造成产品性能下降可靠性降低，而可控硅模块生产过程中焊接工艺的把控和gk极引线如何处理是行业的一个难点，所以改善了焊接工艺和gk极引线的引出方式便可生产出高可靠性的可控硅模块产品。

国内to-240aa功率模块目前一直采用两种模式：(一)组件式芯片焊接：买现成的已烧结好上下钼片的芯片作为组件，与其他金属件通过涂覆焊锡膏的方式用热板或其它加热工具将其焊接在一起，gk极引线用高温绝缘线用电烙铁与芯片上gk极焊接。此工工艺芯片通过多次焊接，多次热应力影响会造成可靠性降低。焊锡膏工艺，产品空洞率增加，热阻大，同时阻焊剂残留需使用清洗剂清洗，由此又会带来相应的环境问题。（二）铝丝键合工艺：裸片与dbc板焊接后，用绑定机打铝线，gk线用长的细引线引出，需要多次焊接，工艺复杂且铝丝过载能力差，影响产品品质。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种可控硅模块，以解决现有技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种可控硅模块，包括底座，所述底座上固定有模块内组件，所述模块内组件上焊接有gk极引线，所述底座上安装有壳体，所述壳体内设置有外部gk电极和连接头，所述gk极引线穿过连接头的通孔与外部gk电极连接。

优选的，所述模块内组件上共焊接有4根gk极引线，所述gk极引线采用细铜线。

优选的，所述外部gk电极共设置有4个，4个外部gk电极分别对应4根gk极引线。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：一次真空高温共晶工艺，产品空洞小，热阻低；内部gk电极内部无需人工焊引出线，可靠性高；产品制作工序少，过程控制简单，人工成本低；整个产品焊接工艺先进，装配工序简单，成本低，品质可靠。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型壳体和外部gk电极处的结构示意图。

图中：1、底座；2、模块内组件；3、gk极引线；4、壳体；5、外部gk电极；6、连接头。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1和图2，本实用新型实施例中，一种可控硅模块，包括底座1，所述底座1上固定有模块内组件2，所述模块内组件2上焊接有gk极引线3，所述底座1上安装有壳体4，所述壳体4内设置有外部gk电极5和连接头6，所述gk极引线3穿过连接头6的通孔与外部gk电极5连接，所述模块内组件2上共焊接有4根gk极引线3，所述gk极引线3采用细铜线，所述外部gk电极5共设置有4个，4个外部gk电极5分别对应4根gk极引线3。

本实用新型的工作原理是：通过模具将可控硅模块的零件装配在一起，通过国际领先的真空共晶工艺将零件功率模块零件组合在一起，且焊接件引出gk细铜线与外部gk电极连接，制成可控硅功率模块。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.一种可控硅模块，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）上固定有模块内组件（2），所述模块内组件（2）上焊接有gk极引线（3），所述底座（1）上安装有壳体（4），所述壳体（4）内设置有外部gk电极（5）和连接头（6），所述gk极引线（3）穿过连接头（6）的通孔与外部gk电极（5）连接。

2.根据权利要求1所述的一种可控硅模块，其特征在于：所述模块内组件（2）上共焊接有4根gk极引线（3），所述gk极引线（3）采用细铜线。

3.根据权利要求2所述的一种可控硅模块，其特征在于：所述外部gk电极（5）共设置有4个，4个外部gk电极（5）分别对应4根gk极引线（3）。

技术总结
本实用新型公开了一种可控硅模块，包括底座，所述底座上固定有模块内组件，所述模块内组件上焊接有GK极引线，所述底座上安装有壳体，所述壳体内设置有外部GK电极和连接头，所述GK极引线穿过连接头的通孔与外部GK电极连接。本实用新型，一次真空高温共晶工艺，产品空洞小，热阻低；内部GK电极内部无需人工焊引出线，可靠性高；产品制作工序少，过程控制简单，人工成本低；整个产品焊接工艺先进，装配工序简单，成本低，品质可靠。

技术研发人员：罗文华;陈华军
受保护的技术使用者：昆山晶佰源半导体科技有限公司
技术研发日：2019.12.29
技术公布日：2020.07.24