一种侧面发光装置的制作方法

本实用新型属于发光二极管技术领域，具体涉及一种发光装置。

背景技术：

目前，发光二极管因其具有寿命长、响应时间短、节能环保等优点，正在逐渐取代各个领域的传统照明技术，成为新一代的照明工具，随着技术和应用的不断发展，为了迎合市场需求，发光二极管的尺寸愈来愈小、出光面愈来愈薄，这是必然趋势。

专利cn204834671u和cn104425701a公开了一种侧面发射型发光二极管支架，若以凹槽的开口侧为正面，凹槽底面和四个侧面为具有光反射性的基材，发光元件位于凹槽的底面，光转换层位于发光元件的正发光面上，发光元件和光转换层的各个侧面都包覆反光胶，来自发光元件的光经过光转换层后，由基材和反光胶反射，从凹槽的开口侧发出，此类型的侧面发光装置，出光面厚度约为0.2-0.4mm，其固焊、点胶工艺都需要在较为狭小的凹槽中完成，具有一定的困难，且出光面的厚度受到该因素和芯片尺寸的综合影响，很难进一步变薄。

技术实现要素：

为了克服上述技术缺陷，本实用新型提供了一种侧面发光装置，其能减小出光面的厚度。

为了解决上述问题，本实用新型按以下技术方案予以实现的：

一种侧面发光装置，包括：至少一个发光元件、基体、光转换层和光反射胶，所述基体设置有凹槽，所述凹槽的开口面位于所述基体的顶面，所述发光元件设置在所述凹槽内并与所述基体连接，所述光转换层填充在所述凹槽内并覆盖在所述发光元件的表面，所述光转换层上表面覆盖有所述光反射胶，所述基体有三个封闭侧面，将所述发光元件、所述光转换层和所述光反射胶包围，所述基体有一外露侧面使所述光转换层和光反射胶外露，外露所述光转换层作为所述侧面发光装置的出光面。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：凹槽的开口面位于基体的顶面(即发光装置的顶面)，而出光面位于侧面发光装置的其中一个侧面，固焊、点胶工艺在凹槽的开口面进行操作，使得制作工艺较为简单，发光装置的出光面不受固焊、点胶工艺要求的限制，可以减小出光面的厚度，从而使得发光装置的厚度进一步变薄。

所述基体包括基材和导电层，所述基材围成三个所述封闭侧面，所述导电层敷设在所述凹槽的底面，所述发光元件设置在所述导电层上表面并通过所述导电层与所述基体连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述基材具有反光性。

作为本实用新型的进一步改进，所述出光面的厚度为所述光转换层的厚度。

作为本实用新型的进一步改进，所述出光面的厚度为0.1-0.6mm。

作为本实用新型的进一步改进，所述光转换层包括至少一种荧光体和至少一种胶体。

作为本实用新型的进一步改进，所述发光元件包括正装芯片、倒装芯片、垂直芯片的至少一种。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明，其中：

图1为实施例所述侧面发光装置的侧面视图；

图2为实施例所述侧面发光装置的整体结构示意图；

图3为实施例所述制作方法步骤s1所述侧面发光装置的结构示意图；

图4为实施例所述制作方法步骤s2所述侧面发光装置的结构示意图；

图5为实施例所述制作方法步骤s3所述侧面发光装置的结构示意图；

图6为实施例所述制作方法步骤s4所述侧面发光装置的结构示意图.

标记说明：1-发光元件；2-基体；21-凹槽；22-封闭侧面；23-外露侧面(出光面/切割面)；24-基材；25-导电层；3-光转换层；31-荧光体；32-胶体；4-光反射胶；5-导线

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例一

本实施例提供了一种侧面发光装置，如图1和图2所示，包括：至少一个发光元件1、基体2、光转换层3和光反射胶4，基体2设置有凹槽21，凹槽21的开口面位于基体2的顶面，发光元件1设置在凹槽21内并与基体2连接，光转换层3填充在凹槽内并覆盖在所述发光元件的表面，光转换层3上表面覆盖有光反射胶4，使得开口面26成为一封闭的顶面，凹槽21有三个封闭侧面22，将发光元件1、光转换层3和光反射胶4包围，凹槽21有一外露侧面使光转换层3和光反射胶4外露，外露的光转换层3作为侧面发光装置的出光面23，即外露面共有四层，从发光装置的顶面依次往下分别为：光反射胶4、光转换层3、导电层25和基材24，导电层25为金属导电层。

凹槽21的开口面位于基体2的顶面(即发光装置的顶面)，而出光面23位于发光装置的其中一个侧面，使得制作工艺较为简单，发光装置的出光面23不受固焊、点胶工艺要求的限制，可以减小出光面23的厚度，从而使得发光装置的厚度进一步变薄，光反射胶可防止发光元件的光从侧面发光装置的顶面出射，提高了侧面发光装置的单侧面出光量，可实现超薄型单侧面发光装置的出光效果。

具体的，光转换层3覆盖在发光元件1的上表面、四个侧面和除发光元件1覆盖面以外的整个凹槽21的底面，光反射胶4覆盖在光转换层3的上表面，并将整个凹槽21填充满，发光元件1之间的连接方式包括：串联、并联或者串联并联共存的方式。

基体2包括基材24和导电层25，基材24围绕在三个封闭侧面22的外侧，导电层25敷设在凹槽21的底面，发光元件1设置在导电层25上表面并通过导电层25与基体2连接，具体的，发光元件1通过导线5与导电层25连接。

在上述实施例中，凹槽21具有反光性，使得来自发光元件1的光经过光转换层后，由光反射胶4和基材24反射，从出光面23发出。

在上述实施例中，基材24可采用反光材料，从而使得凹槽21具有反光性。

在上述实施例中，出光面23的厚度为0.1-0.6mm，该厚度可根据实际需求设计，通过上述结构的设置，使得本实施例的侧面发光装置的出光面厚度减小，从而压缩了发光装置尺寸，更能适应市场的需求。

在上述实施例中，光转换层3包括至少一种荧光体31和至少一种胶体32，荧光体31包含现已公开的荧光粉和量子点的任意一种或多种组合，如：氮氧化物荧光粉、yag系列荧光粉、氮化物荧光粉、铝硅酸盐荧光粉等；胶体32包含现有的发光二极管的封装工艺中常用的胶类，如：环氧树脂、硅胶等。

接下来结合具体制作过程对本实施例做进一步解释，如图3所示，包括如下步骤：

s1、如图3所示，将至少一个发光元件1固定在基体2的凹槽21内，将发光元件1与基体2连接。基体2包括有导电层25，导电层25敷设在凹槽1的底面，发光元件1通过导线5与导电层25连接，使得发光元件1与基体2连接。

s2、如图4所示，在凹槽21内填充光转换层3将发光元件1覆盖在光转换层3内，即光转换层3覆盖在发光元件1的上表面、四个侧面和除发光元件1覆盖面以外的整个凹槽21的底面。

s3、如图5所示，在光转换层3的上表面覆盖光反射胶4，即光反射胶4覆盖在光转换层3的上表面，并将整个凹槽21填充满，此时，基体2具有四个封闭侧面，基体包括基材24，封闭侧面22由基材24围成，基材24具有反光性，导电层25设置在基材24上。

s4、如图6所示，沿发光元件1的方向且垂直于光反射胶4表面进行切割，得到侧面发光装置，此时，基体2有一外露侧面22，使光转换层3和光反射胶4外露，外露的光转换层3作为发光装置的出光面23，而其余三个侧面均为封闭侧面22，切割位置位于光转换层3平行于发光元件1的两侧边缘之间。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，故凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。