用于等离子体室的L形等离子体约束环的制作方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月7日申请的美国专利申请no.16/057,226的优先权。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。

本公开内容总体上涉及用于处理半导体衬底的等离子体室，更具体而言涉及用于等离子体室的l形等离子体约束环。

背景技术：

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

衬底处理系统用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的示例性处理包括但不限于化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、导体蚀刻、电介质蚀刻、快速热处理(rtp)、离子注入、物理气相沉积(pvd)和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上，衬底支撑件例如基座、静电卡盘(esc)等。在处理期间，可以将气体混合物引入处理室，并且可以使用等离子体来引发和维持化学反应。

处理室包括各种部件，包括但不限于衬底支撑件、气体分配装置(例如喷头，其也可以对应于上电极)、等离子体约束环或护罩等。衬底支撑件可包括配置成支撑晶片的陶瓷层。例如，可以在处理期间将晶片夹持到陶瓷层上。该衬底支撑件可包括边缘环，其围绕衬底支撑件的外部(例如在周边之外和/或与周边相邻)配置。可提供边缘环以修饰衬底上方的等离子体鞘、优化衬底边缘处理性能、保护衬底支撑件不受等离子体引起的腐蚀等影响。等离子体约束护罩可以配置在衬底支撑件和喷头中的每一个的周围，以将等离子体约束在衬底上方的容积内。

技术实现要素：

一种用于等离子体室的等离子体约束环包含环形元件和圆柱形元件。所述环形元件环绕所述等离子体室中的衬底支撑组件，并沿着被放置在所述等离子体室中的所述衬底支撑组件上的衬底所在的平面配置，所述环形元件包含多个孔洞。所述等离子体约束环的所述圆柱形元件从所述环形元件的外缘沿与被放置在所述等离子体室中的所述衬底支撑组件上的所述衬底所在的所述平面垂直的方向延伸。所述等离子体约束环为单件式的(monolithic)。

在其他特征中，所述等离子体约束环还包含位于所述圆柱形元件的远端的多个螺纹洞，以接收用于将所述圆柱形元件附接至所述等离子体室的部件的螺钉。

在另一特征中，所述部件包含所述等离子体室的电极(上部电极)。

在另一特征中，所述环形元件、所述衬底支撑组件以及耦合至所述圆柱形元件的远端的电极(上部电极)限定所述等离子体室中的容积，在所述衬底于所述等离子体室中进行处理期间，等离子体被约束在所述容积中。

在另一特征中，所述圆柱形元件和所述电极(所述上部电极)的外径相等。

在另一特征中，所述圆柱形元件是厚度3-30mm、高度10-100mm的圆柱形壁。

在还有的其他特征中，一种系统包含所述等离子体约束环和所述等离子体室的第一电极(下部电极)与第二电极(上部电极)。第一电极被置于所述衬底支撑组件中。所述第一电极被配置成平行于被放置在所述衬底支撑组件上的所述衬底所在的所述平面。所述环形元件环绕所述第一电极。所述第二电极被配置成与所述第一电极相距一定高度并且与所述第一电极平行。所述第二电极沿着所述平面朝向所述圆柱形元件径向向外延伸，并且能连接至所述圆柱形元件的远端。

在另一特征中，所述圆柱形元件和所述第二电极的外径相等。

在另一特征中，所述孔洞是径向延伸的缝隙。所述缝隙从所述环形元件的内缘附近的内部区域延伸到所述环形元件的外缘附近的外部区域。

在另一特征中，所述孔洞是利用研磨水刀切割处理制成的。

根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。

附图说明

根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：

图1显示了等离子体处理室的局部截面图；

图2a和2b显示了图1的等离子体处理室内所使用的c形等离子体约束环或护罩的示例；

图3a显示了根据本公开内容的用于图1的等离子体处理室内的l形约束环；

图3b显示了利用根据本公开内容的用于图1的等离子体处理室内的l形约束环所形成的c形护罩；

图4a和4b显示实施方案的示例，其根据本公开内容而使用图1的等离子体处理室内的l形约束环；

图5显示了该l形约束环的截面图和俯视图以及根据本公开内容的利用研磨水刀喷嘴来切割该l形约束环中的缝隙或孔的方法；以及

图6a和6b显示了图3及3b中所示的l形约束环的更多视图，而该l形约束环是根据本公开内容利用图5所显示的方法制成的。

在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。

具体实施方式

衬底处理系统的处理室可包括等离子体约束环或护罩。护罩可以被配置成将等离子体和其他反应物约束在处理室中的期望区域内。例如，护罩可以被定位成围绕衬底支撑件和上部电极，以将等离子体约束在衬底上方和上部电极下方的容积内。

典型地，等离子体约束护罩是c形的，并且是由大块的多晶硅加工而成的。在c形等离子体约束护罩的下部中制造出缝隙或孔(以下统称为孔洞)，以将气体从c形护罩内的等离子体约束区域排出。在制造过程中，需要加倍小心以保护c形等离子体约束护罩的上部和竖直侧壁。

本公开内容提出了一种l形约束环或护罩，以用于取代c形等离子体约束护罩。l形约束环中没有上部。因此，可以使用任何合适的方法且不需任何保护措施而在l形约束环的下部中制造孔洞。

因此，如下文进一步详细说明的，l形约束环在选择可用于制造孔(例如径向缝隙)的工艺中提供了灵活性。此外，l形约束环提供了容易的维修性(即l形约束环当因使用而磨损时可以轻易地更换)。l形(相对于c形)因工艺选择的灵活性及易于维修性使得在制造l形约束环及在l形约束环中制造孔洞所需的时间和材料方面可节省大量的成本。

本公开内容被组织如下。参照图1描述利用c形约束护罩的等离子体处理室的示例。参照图2a和2b来进一步显示和描述c形约束护罩。参照图3a和3b来显示并说明根据本公开内容的l形约束环。参照图4a和4b来说明在图1的等离子体处理室中利用l形约束环的实施方案的示例。参照图5来显示并描述了根据本公开内容的用于在l形约束环中制造孔洞的方法。在图6a和6b中显示根据本公开内容的l形约束环的不同视图的示例。在整个本公开内容中，术语护罩和约束被同义且可互换地使用。

图1显示了等离子体处理室(等离子体室)100的局部截面图。等离子体室100可以用于执行使用rf等离子体的蚀刻、沉积和/或其他合适的衬底处理。等离子体室100包括衬底支撑组件102、包括中心电极板(中心电极或内部电极)104和环形外部电极(外部电极)106的上部电极、以及约束环108。外部电极106环绕内部电极104的外缘。为简单起见，在整个本公开内容中，所有附图中所示的内部电极和外部电极统称为上部电极。例如，等离子体室100的上部电极包括内部电极104和外部电极106，因此被统称为上部电极104、106。在处理期间，半导体衬底(未显示)被支撑在衬底支撑组件102上。

约束环108从外部电极106向外延伸。约束环108包括朝外部电极106向内延伸的水平上区段(上部)108a、以及从上部108a的外端向下延伸的竖直区段(侧部)108b、以及从侧部108b的下端向内延伸的水平下区段(下部)108c。下部108c包括多个径向延伸的缝隙，处理气体和反应副产物通过这些径向延伸的缝隙而从等离子体室100被排出。约束环108可包括在下部108c下方的缝隙环110。缝隙环110可相对于下部108c旋转并且竖直移动，以调节通过径向延伸的狭槽的处理气体和反应副产物的流动。

衬底支撑组件102包括可移动的接地环112、下部电极114、静电卡盘(esc)116，半导体衬底被静电夹持在该静电卡盘上。衬底支撑组件102包括环绕esc116的边缘环118，边缘环118具有暴露于等离子体的表面。衬底支撑组件102包括环绕边缘环118的介电环120，介电环120具有暴露于等离子体的表面。衬底支撑组件102包括位于边缘环118下方的绝缘环122。衬底支撑组件102包含位于介电环120下方的由导电材料制成的固定接地环124。固定接地环124的一部分124a环绕绝缘环122。可移动的接地环112被支撑在可压柱塞126上，而可压柱塞126被支撑在固定接地环124的一部分124b上。可移动接地环112相对于固定接地环124竖直移动，以便与约束环108电接触。衬底支撑组件102被支撑在电接地偏置外壳128上。

在等离子体室100中，约束环108为c形，并以护罩的形式环绕上部电极104、106和衬底支撑组件102配置，以将等离子体约束在处理容积或等离子体区域130内。因此，约束环108也称为c形约束环108或c形护罩108。在某些示例中，约束环108包括半导体材料，例如硅(si)或多晶硅。约束环108可以包括一或多个孔洞(例如径向缝隙)，其被配置成使得气体能从等离子体区域130流出以从等离子体室100排出。

图2a显示了约束环108的截面。约束环108包括面向等离子体的内表面108d和非面向等离子体的外表面108e。约束环108可包括一或多个孔洞108f(例如孔或径向缝隙)，以使得气体能从约束环108内的等离子体区域130排出。

图2b更详细地显示了约束环108。约束环108是环形的。约束环108是c形的，并且包括上部108a、侧部108b和下部108c。下部108c包括孔洞108f。上部108a延伸至图1所示的上部电极104、106。

约束环108的c形带来各种问题。例如，约束环108难以制造。具体而言，由于制造约束环108需要非常大的晶体，非常昂贵且需要对非常硬的材料进行大量加工，所以难以由单晶的硅制成约束环108。

此外，由于需要保护约束环108的上部108a不受制造孔108f的处理影响，因此很难在约束环108的下部108c中制造孔洞108f。在没有保护措施的情况下，当在下部108c中制造孔洞108f时，约束环108的上部108a(在108g所示的区域中)会受到损坏。

实施保护措施所需的时间和费用限制了可用于在约束环108的下部108c上制造孔洞108f的处理类型。对保护措施的需求以及对可用过程的约束使得约束环108中的孔洞形成过程非常复杂、费时、昂贵，因此从制造的角度来看吸引力较小。另外，约束环108在因使用而发生磨损之后难以更换。

图3a显示了根据本公开内容的l形约束环400。l形约束环400包括侧面部分(或圆柱形壁)400-1和下部(环形)部分400-2。l形约束环400不包括类似于c形约束环108的上部108a的上部。

在l形约束环400中，不具有与c形约束环108的上部108a相似的上部具有许多优点。例如，制造l形约束环400所需的硅少于制造c形约束环108所需的量。另外，l形约束环400允许使用几乎任何工艺来制造下部(环形)部分400-2中的多个孔洞402。此外，l形约束环400比c形约束环108更容易更换(如下文所阐述的)。

因此，由于l形约束环400不包括类似于c形约束环108的上部108a的上部，因此l形约束环400在制造上既灵活又易于维护。这些优点大大节省了制造和维修所需的时间、材料和成本。

图3b显示了根据本公开内容，使用l形约束环400和具有延伸外部的上部电极所形成的c形护罩。该c形护罩包括上部(即包括内部电极404和外部电极406的扩大的上部电极)以及l形的下部(即l形约束环400)。内部电极404和外部电极406的组合通常可以被称为上部电极或具有外部的上部电极。

l形约束环400包括下部环(即具有多个孔洞402的下部400-2)和圆柱形壁(即侧面部分400-1)。下部环400-2和圆柱形壁400-1是一体成型的。即l形约束环400是单件式的。圆柱形壁400-1是从下部环400-2的外缘竖直或者垂直向上延伸。在等离子体室(例如等离子体室100)中，下部环400-2沿着平面401布置，在该平面401中，将衬底布置在等离子体室中的衬底支撑组件上。

在圆柱形壁400-1的远程(上端)，约束环400包括洞408以连接到从内部电极404径向向外延伸的外部电极406。洞408可以包括用于通过外部电极406中的洞409接收螺钉的螺纹，外部电极406通过螺钉固定到l形约束环400上。

注意，l形约束环400不包括类似于c形约束环108的上部108a的上部，该上部如图1所示延伸到上部电极104、106。而是如图3b所示，外部电极406(类似于图1的元件106)从内部电极404(类似于图1的元件104)延伸至l形约束环400的侧部(即圆柱形壁)400-1的上端。因此，本公开内容提出使用内部电极404、外部电极406和l形约束环400取代图1的等离子体室100中的上部电极104、106和c形约束环。

图4a和4b显示了根据本公开内容而在图1的等离子体室100中使用l形约束环的实施方案的示例。注意，这些图不是正式的机械图。而是，这些附图是简化的局部示意图，其用于根据本公开内容说明在图1的等离子体室100中使用l形约束环。为了进一步简化图示，部分示意图仅提供了等离子体室100左侧的视图。尽管未显示，但应理解，等离子体室100右侧的结构是相似的。

在图4a所示的第一实施方案中，水平上部108a与l形约束环400是分离的(即不同)，并且可如图所示地附接到l形约束环400上。此外，水平上部108a朝向外部电极106而向内突出，但不到l形约束环400的下部水平部分那么远(即y<x)，并且与外部电极106的外缘接触。

在图4b所示的第二实施方案中，水平上部(显示为元件108a+106)是包括元件108a和106两者的单个组件。也就是说，元件108a是元件106整体的一部分或其与组件106整合在一起。元件(108a+106)可以被称为上部电极104、106的外部电极部分。元件(即外部电极)108a+106与l形约束环400是分离的(即不同)并且可如图所示地附接到l形约束环400上。此外，元件108a+106比l形约束环400的下部水平部分朝内部电极104更远地向内突出(即z>x)，并与内部电极104的外缘接触。

约束环400的l形具有以下优点。首先，l形约束环400比c形约束环108便宜并且易于制造。具体而言，由于是l形，l形约束环400比c形约束环108使用更少的硅，从而相对于c形约束环108，l形约束环400的成本便降低了。此外，由于是l形，可以通过水刀切割来切割孔洞402，这比其他处理(例如激光切割)快速多了。

注意，由于不存在与水刀水流相对的任何部件(例如c形约束环108的上部108a)，因此可以使用研磨水刀切割处理来制作孔洞402，否则会有如上所述的损害。此外，由于不存在与水刀水流相对的任何部件，因此在制造l形约束环400的孔洞402时，不需要昂贵且费时的保护措施，而该保护措施在c形约束环108中形成孔108f时是需要的。

其次，l形约束环400是等离子体室中磨损最大的部分。可以更换l形约束环400而无需也更换上部(例如图3b所示的外部电极406或图4a和4b所示的元件108a或108a+106)。替代地，外部电极406(或元件108a或108a+106)可以在更换l形约束环400的同时从l形约束环400移除，且可以重新附接到替换的l形约束环400上，并且在等离子体室100中重复使用。

具有用于等离子体约束及排放的多个孔洞402的l形约束环400可以用螺栓穿过螺纹洞408而固定到上部电极(即外部电极406，也就是内部电极404的延伸部分)(或固定至元件108a或108a+106)。孔洞402(其可以包括洞或径向缝隙)可以用高速及高精准水刀工艺制成，这比使用激光或放电加工工艺的传统方法要快得多。

可以使用cnc制造l形约束环400。孔洞402可以使用研磨水刀制造。由于为l形，所以在下部部分400-2上制造孔洞时，没有上部(例如c形约束环108的上部108a)需要保护。当在下部108c中制造孔洞108f时，c形约束环108的上部108a的底表面108g需要保护，而l形约束环400不具有与上部108a类似的上部。因此，l形设计消除了对使用c形约束环108时通常会使用的保护措施的需要，并且l形实现了更简单、更快速且更便宜的缝隙或制造孔洞的工艺。

可以直接切割高精度孔洞402，这与放电加工相比，大大缩短了切割时间约83％以上，而与激光加工相比，缩短了约75％以上。可以使用螺纹洞408和螺栓将l形约束环400轻易地安装(并在磨损后与的分离)到上部电极(此处为外部电极406或元件108a或108a+106)上。

图5显示了l形约束环400的截面图500和俯视图502，以及研磨水刀喷嘴可以从具有枢纽部(hub)的侧面切割孔洞402所使用的方法。在所示的特别设计的两路径切割法中，在两个笔直部分的喷嘴力矩方向远离l形约束环400的中心。因此，射流差(jetlag)朝向l形约束环400的中心，使得l通道壁不受射流差的损害。另外，可以将水压设置为最大(例如60ksi)，以获得孔壁的最佳表面光洁度。

具体而言，研磨水刀切割从l形约束环400的下部(环形)部分400-2上的导向孔处开始，并且包括两路径切割处理。两路径切割处理的切割路径顺序系藉由图5中的编号1至4来标识。

编号1显示了从导向孔开始的两路径切割处理的起点，切割路径朝枢纽部内径(id)稍微前进。编号2表示在枢纽部id处切割一半圆的北部(上部)，然后笔直切割，最后切割终止于笔直部分与枢纽部外径(od)处的半圆之间的相交处。编号3表示在断水的情况下(即不进行切割)返回到导向孔。编号4显示了在枢纽部id处切割一半圆的南部(下部)，接着笔直切割，然后在枢纽部od处切割半圆。

在每个孔洞的切割期间，随着喷射水流在孔洞402周围移动，中心部会被隔离。当在每个孔洞的切割在切割处理的第二个终点(即编号4的结尾)完成时，被隔离的中心部便会自动掉落到研磨水刀机的水箱中。这简化了孔洞402的水刀喷射后处理，其包括cnc机加工和孔洞402的清洁，进而增加了产量。

图6a和6b显示了使用图5所示的方法所制造的l形约束环400的额外视图。这些视图显示出l形约束环400为环形结构或部件。

实质上，l形约束环400是可用于将等离子体约束在等离子体室100中的衬底支撑组件和上部电极之间的等离子体区域130中的结构。换言之，l形约束环400、衬底支撑组件以及上部电极在等离子体室100中限定了等离子体区域130。

所述结构(即l形约束环400)包括含有多个孔洞(即元件402)的环形元件(即元件400-2)以及从环形元件竖直向上延伸的圆柱形元件(即元件400-1)。环形元件400-2围绕等离子体室100的衬底支撑组件(例如图1中所示的元件102)。环形元件400-2沿着与配置在衬底支撑组件上的衬底所在的平面相同的平面来配置。圆柱形元件400-1从环形元件400-2的外缘以垂直于配置在衬底支撑组件上的衬底所在的平面的方向延伸。该结构(即l形约束环400)是由多晶体(例如硅)一体成型的。即，该结构为单件式的。

圆柱形元件400-1的远端(上端)包括多个螺纹洞408，以接收螺钉，通过该螺钉，上部电极的外部部分(例如沿着内部电极404从平面径向向外延伸的外部电极406，或者，元件108a或元件108a+106的外部)被拧紧到圆柱形元件400-1上。圆柱形元件400-1和外部电极406的外径相等。圆柱形元件400-1是例如具有3-30mm的厚度和10-100mm的高度的圆柱形壁。

前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。

使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“a、b和c中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(or)的逻辑(a或b或c)，并且不应被解释为表示“a中的至少一个、b中的至少一个和c中的至少一个”。

在一些实现方式中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)产生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。

概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。

在一些实现方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、设置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户界面，然后将该参数和/或设置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。

示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。

如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。