1.一种具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底正面的发光结构、设于发光结构上的第一dbr反射层、以及设于衬底背面的第二dbr反射层；
所述第一dbr反射层为单堆结构，所述第二dbr反射层为多堆结构；
所述第一dbr反射层的反射光谱中，反射率大于80％的波长宽度范围为150～350nm；
所述第二dbr反射层的反射光谱中，反射率大于95％的波长宽度范围为200～450nm；
发光结构发出的光经过第一dbr反射层和第二dbr反射层反射后，芯片正向及侧向发光强度趋于相同。
2.如权利要求1所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片，其特征在于，所述第二dbr反射层为三堆结构，依次包括第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构，其中，第一堆结构的单堆光学厚度＞第二堆结构的单堆光学厚度＞第三堆结构的单堆光学厚度，其中，入射光线依次经过第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构。
3.如权利要求2所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片，其特征在于，第一堆结构的各层光学厚度为(1.0～1.4)*λ，第二堆结构的各层光学厚度为(0.9～1.0)*λ，第三堆结构的各层光学厚度为(0.7～0.9)*λ，其中，λ为发光结构发出的光的中心波长的四分之一。
4.如权利要求3所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片，其特征在于，所述第一dbr反射层的各层光学厚度为λ。
5.如权利要求1～4任一项所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片，其特征在于，所述第一dbr反射层和第二dbr反射层由若干个周期的反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，其中，第一膜层的折射率与第二膜层的折射率不同。
6.如权利要求5所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片，其特征在于，所述第一膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氧化铪、氟化镁、氧化钇、硫化锌、氧化锆和氮化硅中的一种，所述第二膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氧化铪、氟化镁、氧化钇、硫化锌、氧化锆和氮化硅中的一种。
7.一种具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片的制作方法，其特征在于，包括：
在芯片的正面形成发光结构；
在发光结构上形成第一dbr反射层，所述第一dbr反射层为单堆结构，其反射率大于80％的波长宽度范围为150～350nm；
在衬底的背面形成第二dbr反射层，所述第二dbr反射层为多堆结构，其反射率大于95％的波长宽度范围为200～450nm；
发光结构发出的光经过第一dbr反射层和第二dbr反射层反射后，芯片正向及侧向发光强度趋于相同。
8.如权利要求7所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片的制作方法，其特征在于，所述第二dbr反射层为三堆结构，依次包括第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构，其中，第一堆结构的单堆光学厚度＞第二堆结构的单堆光学厚度＞第三堆结构的单堆光学厚度，其中，入射光线依次经过第一堆结构、第二堆结构和第三堆结构。
9.如权利要求7所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片的制作方法，其特征在于，所述第一dbr反射层和第二dbr反射层由若干个周期的反射膜组组成，所述反射膜组由第一膜层和第二膜层组成，其中，第一膜层的折射率与第二膜层的折射率不同；
所述第一膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氧化铪、氟化镁、氧化钇、硫化锌、氧化锆和氮化硅中的一种，所述第二膜层的材料为氧化硅、氧化钛、氧化铪、氟化镁、氧化钇、硫化锌、氧化锆和氮化硅中的一种。
10.如权利要求9所述的具有dbr绝缘保护的出光均匀led芯片的制作方法，其特征在于，采用离子源辅助真空镀膜技术形成第一dbr反射层和第二dbr反射层，其中，以5～15埃/秒的沉积速度沉积形成氧化硅层，以2～6埃/秒的沉积速度形成氧化钛层，以一层氧化硅层和一层氧化钛层为一对反射膜组；
沉积氧化硅所用离子源的电压为300～800v，电流为400～1100ma，沉积氧化钛所用离子源的电压为300～800v，电流为400～1100ma。