1.一种半导体存储装置，具备：
积层体，将多个导电层隔着绝缘层在第1方向上积层而成；
半导体层，贯通所述积层体，在所述第1方向上延伸，且含有金属原子；及
存储器膜，包含设置在所述积层体与所述半导体层之间的第1绝缘膜、电荷储存层及第2绝缘膜；
所述半导体层包围将所述积层体贯通且在所述第1方向上延伸的第3绝缘膜，
所述半导体层内的至少1个晶粒具有包围所述第3绝缘膜的形状。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述半导体层具有由所述绝缘层与所述多个导电层中的1个导电层包围而成的区域，且在所述区域中不存在晶界，或者只存在2个晶粒之间的晶界。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述半导体层的与所述第1方向垂直的方向的膜厚为15nm以下。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述半导体层包含在与所述第1方向垂直的方向上具有＜100＞取向性的晶粒。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述半导体层内的晶粒的粒径为80nm以上且1600nm以下。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述半导体层内的所述金属原子的浓度为4.0×1017[个/cm3]以下。
7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述金属原子包含au(金)、al(铝)、cu(铜)、ag(银)、pd(钯)、ni(镍)及pt(铂)中的至少任一种原子。
8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述金属原子包含mn(锰)、rh(铑)、co(钴)、fe(铁)、cr(铬)、ti(钛)、nb(铌)、ir(铱)、ta(钽)、re(铼)、mo(钼)、v(钒)、hf(铪)、ru(钌)、zr(锆)及w(钨)中的至少任一种原子。
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述半导体层包含1.0×1016[个/cm3]以上且1.0×1019[个/cm3]以下的浓度的硼原子、磷原子或砷原子。
10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1绝缘膜的与所述第1方向垂直的方向的膜厚为5nm以上且10nm以下。
11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备设置在所述半导体层的上端上且电性连接于所述半导体层的布线层。
12.一种半导体存储装置，具备：
积层体，将多个导电层隔着绝缘层在第1方向上积层而成；
半导体层，贯通所述积层体，在所述第1方向上延伸，且含有金属原子；及
存储器膜，包含设置在所述积层体与所述半导体层之间的第1绝缘膜、电荷储存层及第2绝缘膜；
所述半导体层的与所述第1方向垂直的方向的膜厚为10nm以下，
所述半导体层包含在与所述第1方向垂直的方向上具有＜100＞取向性的晶粒。
13.一种半导体存储装置，具备：
积层体，将多个导电层隔着绝缘层在第1方向上积层而成；
半导体层，贯通所述积层体，在所述第1方向上延伸，且含有金属原子；及
存储器膜，包含设置在所述积层体与所述半导体层之间的第1绝缘膜、电荷储存层及第2绝缘膜；
所述半导体层包围着将所述积层体贯通且在所述第1方向上延伸的第3绝缘膜，且
所述半导体层包含具有比所述第3绝缘膜与所述半导体层的界面处的所述金属原子的浓度更低的所述金属原子的浓度的部分。
14.一种半导体存储装置的制造方法，包括：
形成将多个导电层隔着绝缘层在第1方向上积层而成的积层体；
在所述积层体内隔着包含第1绝缘膜、电荷储存层及第2绝缘膜的存储器膜，形成将所述积层体贯通且在所述第1方向上延伸的第1半导体层；
使金属原子附着在所述第1半导体层的表面；
将所述第1半导体层进行退火，使所述第1半导体层结晶化；
在所述第1半导体层结晶化后，在所述第1半导体层的表面形成第2半导体层；及
将所述第1半导体层与所述第2半导体层进行退火，使所述第1半导体层内的所述金属原子的数量降低。
15.根据权利要求14所述的半导体存储装置的制造方法，其还包括形成将所述积层体贯通，在所述第1方向上延伸，且被所述第1半导体层包围的第3绝缘膜，且
所述第3绝缘膜以被所述第1半导体层内的至少1个晶粒包围的方式形成。
16.根据权利要求14所述的半导体存储装置的制造方法，其中所述第1半导体层形成为在与所述第1方向垂直的方向上具有10nm以下的膜厚，且
所述第1半导体层形成为包含在与所述第1方向垂直的方向上具有＜100＞取向性的晶粒。
17.根据权利要求14所述的半导体存储装置的制造方法，其还包括形成将所述积层体贯通，在所述第1方向上延伸，且被所述第1半导体层包围的第3绝缘膜，且
所述第1半导体层与所述第3绝缘膜形成为所述第1半导体层包含具有比所述第3绝缘膜与所述第1半导体层的界面处的所述金属原子的浓度更低的所述金属原子的浓度的部分。
18.根据权利要求14所述的半导体存储装置的制造方法，其中所述第2半导体层为非晶层。
19.根据权利要求14所述的半导体存储装置的制造方法，其中通过将包含所述金属原子的液体供给至所述第1半导体层的表面、在所述第1半导体层的表面形成包含所述金属原子的金属层、或将包含所述金属原子的气体供给至所述第1半导体层的表面，使所述金属原子附着在所述第1半导体层的表面。
20.根据权利要求14所述的半导体存储装置的制造方法，其中所述第2半导体层形成在所述第1半导体层的上端上。