发光装置和包括发光装置的显示面板的制作方法

相关申请的交叉引用本申请要求2019年7月12日提交的第10-2019-0084612号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。在本文中，本公开的实施例的一个或多个方面在于发光装置和包括发光装置的显示面板。更具体地，在本文中，本公开的方面涉及通过防止(或减少)对有机层的损害而具有改善的发光效率和装置寿命的发光装置以及包括该发光装置的显示面板。
背景技术：
：有机发光装置是具有短响应时间并且由低电压驱动的自发光装置。因此，包括有机发光装置的有机发光显示器可以不包括单独的光源，并且因此可以制造为轻质的和薄的并且具有许多优点，例如具有优良的亮度和/或无视角依赖性。有机发光装置可以包括位于阳极和阴极之间的、由有机物(有机材料)制成的发光层。从阳极提供的空穴和从阴极提供的电子在发光层中结合以形成激子，并且当激子从激发态跃迁到基态时，从激子产生与空穴和电子之间的能量相对应的光。串联有机发光装置具有这样的结构，该结构包括位于阳极和阴极之间的空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层(在每个堆叠体中)的两个或更多堆叠体(例如，由其构成)，并且在每个堆叠体之间存在有助于电荷的产生和移动的电荷产生层。技术实现要素：本公开的实施例的一个或多个方面涉及在于一种发光装置，其通过防止(或减少)对与发光层邻近的有机层的损害而具有改善的发光效率和装置寿命。本公开的方面还涉及一种显示装置，其通过包括具有改进的发光效率的发光装置而具有提高的光转换效率从而具有提高的总光效率。本公开的实施例提供了一种发光装置，其包括第一电极、位于第一电极上的第一堆叠体、位于第一堆叠体上的第一电荷产生层、位于第一电荷产生层上的第二堆叠体、以及位于第二堆叠体上的第二电极。在实施例中，第一堆叠体可以包括第一发光层和多个第一有机层，并且第二堆叠体可以包括第二发光层和多个第二有机层。在实施例中，在多个第一有机层和多个第二有机层中，与第一发光层和第二发光层邻近的有机层中的至少一个可以包括发光材料。在实施例中，第一堆叠体可以包括位于第一电极和第一发光层之间的第一空穴传输区以及位于第一发光层和第一电荷产生层之间的第一电子传输区。在实施例中，第二堆叠体可以包括位于第一电荷产生层和第二发光层之间的第二空穴传输区以及位于第二发光层和第二电极之间的第二电子传输区。在实施例中，第一空穴传输区、第一电子传输区、第二空穴传输区和第二电子传输区中的每个可以包括至少一个有机层。在实施例中，第一空穴传输区和第一电子传输区的有机层之中的、与第一发光层邻近的有机层可以包括发光材料；并且第二空穴传输区和第二电子传输区的有机层之中的、与第二发光层邻近的有机层可以包括发光材料。在实施例中，第一空穴传输区和第二空穴传输区中的每个可以包括选自空穴注入层和空穴传输层中的至少一个。在实施例中，第一电子传输区和第二电子传输区中的每个可以包括选自电子注入层和电子传输层中的至少一个。在实施例中，在空穴注入层、空穴传输层、电子注入层和电子传输层之中，与第一发光层或第二发光层邻近的至少一个层可以包括发光材料。在实施例中，第一空穴传输区可以包括第一空穴注入层和位于第一空穴注入层和第一发光层之间的第一空穴传输层。在实施例中，第一电子传输区可以包括第一电子注入层和位于第一电子注入层和第一发光层之间的第一电子传输层。在实施例中，第二空穴传输区可以包括第二空穴注入层和位于第二空穴注入层和第二发光层之间的第二空穴传输层。在实施例中，第二电子传输区可以包括第二电子注入层和位于第二电子注入层和第二发光层之间的第二电子传输层。在实施例中，选自第一空穴传输层、第一电子传输层、第二空穴传输层和第二电子传输层中的至少一个可以包括发光材料。在实施例中，第一空穴传输区可以包括第一空穴注入层、位于第一空穴注入层和第一发光层之间的第一空穴传输层、以及位于第一空穴传输层和第一发光层之间的第一电子阻挡层。在实施例中，第一电子传输区可以包括第一电子注入层、位于第一电子注入层和第一发光层之间的第一电子传输层、以及位于第一电子传输层和第一发光层之间的第一空穴阻挡层。在实施例中，第二空穴传输区可以包括第二空穴注入层、位于第二空穴注入层和第二发光层之间的第二空穴传输层、以及位于第二空穴传输层和第二发光层之间的第二电子阻挡层。在实施例中，第二电子传输区可以包括第二电子注入层、位于第二电子注入层和第二发光层之间的第二电子传输层、以及位于第二电子传输层和第二发光层之间的第二空穴阻挡层。在实施例中，选自第一电子阻挡层、第一空穴阻挡层、第二电子阻挡层和第二空穴阻挡层中的至少一个可以包括发光材料。在实施例中，第一电子阻挡层、第一空穴阻挡层、第二电子阻挡层和第二空穴阻挡层中的每个可以包括发光材料。在实施例中，发光装置还可以包括位于第二堆叠体上的第二电荷产生层和位于第二电荷产生层上的第三堆叠体。在实施例中，第一发光层和第二发光层可以产生蓝光。在实施例中，发光材料可以是能够产生绿光、红光和/或橙光的材料。在实施例中，包括发光材料的有机层可以包括基础物质和掺杂在基础物质中的发光材料。在实施例中，基础物质可以具有比发光材料的最低三重态激发能级更高的最低三重态激发能级。在实施例中，发光材料可以是磷光发光材料。在实施例中，第一电极可以是反射电极，且第二电极可以是透射电极或半透射半反射电极。在实施例中，发光装置还可以包括位于第二电极上的封盖层。在本公开的实施例中，发光装置包括第一电极、位于第一电极上并包括至少一个有机层的空穴传输区、位于空穴传输区上并包括第一发光材料的发光层、位于发光层上并包括至少一个有机层的电子传输区、以及位于电子传输区上的第二电极。在实施例中，选自空穴传输区和电子传输区的有机层的、与发光层接触的有机层可以包括不同于第一发光材料的第二发光材料。在实施例中，空穴传输区可以包括空穴注入层、位于空穴注入层和发光层之间的空穴传输层、以及位于空穴传输层和发光层之间的电子阻挡层。在实施例中，电子传输区可以包括电子注入层、位于电子注入层和发光层之间的电子传输层、以及位于电子传输层和发光层之间的空穴阻挡层，并且电子阻挡层和空穴阻挡层可以包括第二发光材料。在实施例中，第二发光材料所产生的光的波长可大于第一发光材料所产生的光的波长。在实施例中，包括第二发光材料的有机层可以由掺杂有第二发光材料的基础物质形成。在实施例中，电荷产生层、第二空穴传输区、第二发光层和第二电子传输区可以顺序地堆叠在电子传输区和第二电极之间。在实施例中，第二空穴传输区和第二电子传输区可以包括至少一个有机层。在实施例中，与第二发光层邻近的层可以包括不同于第一发光材料的第三发光材料。在实施例中，第三发光材料可以是与第二发光材料相同的材料。在本公开的实施例中，显示面板包括：基础衬底，具有像素区域和与像素区域邻近的周边区域；以及多个显示元件，位于基础衬底上，以在平面上与像素区域重叠。在实施例中，多个显示元件中的每个可以包括第一电极、位于第一电极上的第一堆叠体、位于第一堆叠体上的第一电荷产生层、位于第一电荷产生层上的第二堆叠体、以及位于第二堆叠体上的第二电极。在实施例中，第一堆叠体可以包括第一发光层和至少一个第一有机层，并且第二堆叠体可以包括第二发光层和至少一个第二有机层，并且选自第一有机层和第二有机层的、与第一发光层和第二发光层邻近的至少一个可以包括发光材料。在实施例中，显示面板还可以包括光控制层，该光控制层位于多个显示元件上并且在平面上与像素区域重叠。在实施例中，多个显示元件可以产生第一光，并且光控制层可以包括透射第一光的第一光控制单元、将第一光转换为第二光的第二光控制单元、以及将第一光转换为第三光的第三光控制单元。在实施例中，第一光可以是具有410nm至480nm的波长范围的光，第二光可以是具有500nm至570nm的波长范围的光，且第三光可以是具有625nm至675nm的波长范围的光。在实施例中，光控制层可以包括基础树脂和分散在基础树脂中的发光体。附图说明附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出本公开的示例性实施例，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中：图1是示意性示出根据本公开的实施例的发光装置的剖视图；图2是示意性示出根据本公开的实施例的发光装置的剖视图；图3是示意性示出根据本公开的实施例的发光装置的剖视图；图4是示意性示出根据本公开的实施例的发光装置的剖视图；图5是示意性示出根据本公开的实施例的发光装置的剖视图；图6a是根据本公开的实施例的显示面板的立体图；图6b是根据本公开的实施例的显示面板的剖视图；图7是根据本公开的实施例的显示面板的平面图；图8是根据本公开的实施例的显示面板的像素区域的平面图；图9是根据本公开的实施例的显示面板的一个像素区域的剖视图；图10是根据本公开的实施例的显示面板的剖视图；图11是示出示例和对比示例中的每个的电流效率根据(相对于)亮度的曲线图；图12是示出示例和对比示例中的每个的发光强度根据(相对)波长的曲线图；以及图13是示出示例和对比示例的亮度效率随时间的曲线图。具体实施方式在下文中，将参考附图更详细地描述本公开的实施例。本公开可以以许多替代形式进行修改，并且因此，将在附图中例示并更详细地描述特定的实施例。然而，应该理解的是，并不旨在将本公开限制于所公开的特定形式，而是旨在覆盖落入本发明的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。在描述每张图时，相同的附图标记用于表示相同的元件。在附图中，为了使本公开清楚，可能放大元件的尺寸。应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开的示例性实施例的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的术语可以包括复数含义。在本公开中，应当理解，术语“包括”或“具有”旨在列举存在本公开中所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件或其组合。在本公开中，如果例如层、膜、区域或板的部分被称为在另一部分上或上方，则其不仅包括该部分直接在该另一部分上的情况，而且包括该部分和该另一部分之间设置有又一部分的情况。类似地，当例如层、膜、区域或板的部分被称为在另一部分下方或下面时，其不仅包括该部分直接在该另一部分的下方的情况，而且包括该部分和该另一部分之间设置有又一部分的情况。此外，在本公开中，“设置在……上”不仅包括设置在上方的情况，而且包括设置在下方的情况。另一方面，在本公开中，“直接接触”(当与两个或更多个元件结合使用时)是指在两个或更多个元件之间不添加层、膜、区域、板等。例如，“直接接触”可以指设置两个层或两个构件，而不在它们之间设置另外的构件，例如粘合构件。在下文中，将参考附图描述根据本公开的实施例的发光装置和显示面板。图1是示意性示出根据本公开的实施例的发光装置的剖视图。参照图1，根据本公开的实施例的发光装置led包括第一电极el1、设置在第一电极el1上的第一堆叠体st1、以及设置在第一堆叠体st1上的第二电极el2。发光装置led可以设置在基础衬底上。在根据本公开的实施例的发光装置led中，第一电极el1对应于反射电极。第一电极el1例如可以是阳极。当第一电极el1是阳极时，第一电极el1可以由例如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr等的具有高功函数的金属形成，或者可以包括它们的混合物。在一些实施例中，第一电极el1可以是金属单层，该金属单层包括例如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr等的金属或其混合物；或者，第一电极el1可以具有金属层(该金属层包括例如ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr等的金属或其混合物)和透明导电氧化物层(包括透明导电氧化物)的多层结构。透明导电氧化物可以包括例如铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、锌氧化物(zno)、铟锡锌氧化物(itzo)等。在实施例中，第一电极el1可以具有ito/ag/ito的三层结构。然而，本公开的实施例不限于此。第一电极el1例如可以是阴极。当第一电极el1是阴极时，第一电极el1可以包括例如li、ca、lif/ca、lif/al、al、mg、baf、ba、ag、yb等的具有低功函数的镧系金属或化合物，或者其混合物。在实施例中，第一电极el1可以是ag/mg或ag/yb，但是本公开的实施例不限于此。第一电极el1可以形成为足够厚以反射光。在根据本公开的实施例的发光装置led中，第二电极el2可以对应于透射电极或半透射半反射电极。第二电极el2例如可以是阴极。当第二电极el2是阴极时，第二电极el2可以包括例如li、ca、lif/ca、lif/al、al、mg、baf、ba、ag、yb等的具有低功函数的镧系金属或化合物，或者其混合物。在实施例中，第二电极el2可以是ag/mg或ag/yb，但是本公开的实施例不限于此。第二电极el2可以形成得足够薄以透射光。第二电极el2例如可以是阳极。第二电极el2可以包括具有高功函数的透明导电氧化物。例如，第二电极el2可以包括铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、锌氧化物(zno)、铟锡锌氧化物(itzo)等。在实施例中，第二电极el2可以具有ito/ag/ito的三层结构。然而，本公开的实施例不限于此。根据本公开的实施例的发光装置led可以是顶部发射型发光装置。在这种情况下，第一电极el1可以是阳极，而第二电极el2可以是阴极。根据本公开的另一个实施例的发光装置led可以是底部发射型发光装置。在这种情况下，第一电极el1可以是阴极，而第二电极el2可以是阳极。在根据本公开的实施例的发光装置led中，第一电极el1可以是反射电极，而第二电极el2可以是透射电极或半透射半反射电极，使得发光装置led在从第一电极el1到第二电极el2的方向上发光。在下文中，将描述发光装置led是顶部发射型发光装置的情况。第一堆叠体st1可以包括空穴传输区htr、设置(定位)在空穴传输区htr上的发光层eml1、以及设置在发光层eml1上的电子传输区etr。空穴传输区htr可以包括有机层htr-ol1和htr-ol2中的至少一个。空穴传输区htr可以具有多层结构，该多层结构具有各自由多种不同的材料形成的多个层。图1示出第一堆叠体st1的包括多个有机层htr-ol1和htr-ol2的空穴传输区htr，但是本公开的实施例不限于此。空穴传输区htr可以包括一个有机层。电子传输区etr可以包括有机层etr-ol1和etr-ol2中的至少一个。电子传输区etr可以具有多层结构，该多层结构具有各自由多种不同的材料形成的多个层。图1示出第一堆叠体st1的包括多个有机层etr-ol1和etr-ol2的电子传输区etr，但是本公开的实施例不限于此。电子传输区etr可以包括一个有机层。发光层eml1可具有约至约或约至约的厚度。发光层eml1可以包括作为发光材料的低分子有机物(有机材料)或聚合物有机物(聚合物有机材料)。发光层eml1可以包括宿主材料和掺杂物材料。发光层eml1可以通过使用磷光和/或荧光发光材料作为宿主材料中的掺杂物来形成。发光层eml1可以通过在宿主材料中包括热激活延迟荧光(tadf)掺杂物来形成。在一些实施例中，发光层eml1可以包括量子点材料作为发光材料。量子点的核可以选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物及其组合。可以基于宿主材料和掺杂物材料的组合、量子点材料的类型和核的尺寸等来确定从发光层eml1发射的光的颜色。在实施例中，发光层eml1可以产生蓝光，并且蓝光可以是具有410nm至480nm的波长的光。蓝光的光发射光谱可以具有在440nm至460nm内的最大峰值。作为发光层eml1的宿主材料，可以使用任何合适的材料，并且虽然没有特别限制，但是宿主材料可以选自荧蒽衍生物、芘衍生物、芳基乙炔衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、菊环衍生物等。在一些实施例中，可以选择芘衍生物、苝衍生物和/或蒽衍生物。作为发光层eml1的掺杂物材料，可以使用任何合适的材料，并且尽管没有特别限制，但是掺杂物材料可以包括苯乙烯基衍生物(例如，1,4-双[2-(3-n-乙基咔唑基)乙烯基]苯(bczvb)、4-(二-对甲苯基氨基)-4'-[(二-对-甲苯胺)苯乙烯基]二苯乙烯(dpavb)、和/或n-(4-((e)-2-(6-((e)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-n-苯基苯甲胺(n-bdavbi))、苝和/或其衍生物(例如2,5,8,8,11-四叔丁基苝(tbp))、芘和/或其衍生物(例如，1,1-二芘、1,4-二芘基苯、1,4-双(n,n-二苯基氨基)芘、和/或n1,n6-二(萘-2-基)-n1,n6-二苯基芘-1,6-二胺等。在包括在空穴传输区htr和电子传输区etr中的多个有机层中，与发光层eml1邻近的有机层htr-ol2和etr-ol2中的至少一个包括发光材料。在实施例中，邻近的有机层htr-ol2和etr-ol2中的至少一个可以是(例如，可以包括)掺杂有发光掺杂物的基础物质。基础物质可以具有比发光材料的最低三重态激发能级(t1)更高的最低三重态激发能级(t1)。包括在邻近的有机层htr-ol2和/或etr-ol2中的发光材料可以是与包括在发光层eml1中的发光掺杂物不同的材料。在实施例中，发光层eml1包括第一发光材料，并且邻近的有机层htr-ol2和/或etr-ol2可以包括第二发光材料。在实施例中，当与第一发光材料相比时，第二发光材料可以是产生较长波长的光的材料。在实施例中，第一发光材料可以是产生蓝光的材料，且第二发光材料可以是产生绿光、红光或橙光的材料。包括在邻近的有机层htr-ol2和/或etr-ol2中的发光材料可以是磷光发光掺杂物。包括在邻近的有机层htr-ol2和/或etr-ol2中的发光材料可以是产生绿光的磷光发光材料。例如，发光材料可以包括有机金属复合物，例如铱(ppy3)(三[2-苯基吡啶]铱(iii))。根据本公开的实施例的发光装置可以在与发光层邻近的有机层中包括发光材料。例如，根据实施例的发光装置可以在发光层中包括发光材料，并且还可以在形成为与发光层接触的有机层中包括不同的发光材料。因此，防止(或保护)了有机层的基础物质材料由于空穴、电子等泄漏到与发光层邻近的有机层中而劣化和损坏，并且取代使基础物质劣化，泄漏的激子可以通过邻近有机层的发光材料产生光。因此，可以提高包括有机层的发光装置的耐久性，从而可以提高装置寿命，并且可以由于泄漏电流而进行额外的发光，从而可以提高发光效率。图2是示意性示出根据本公开的实施例的发光装置的剖视图。在下文中，在描述图2的实施例的发光装置时，对上述部件给出相同的附图标记，并且省略对其的描述。参照图2，根据本公开的实施例的发光装置led可以包括第一堆叠体st1和第二堆叠体st2。在第一堆叠体st1和第二堆叠体st2之间，可以设置第一电荷产生层cgl1。第一发光层eml1和第二发光层eml2可以包括但不限于上述发光材料。第一发光层eml1和第二发光层eml2中的每个可以产生蓝光，并且蓝光可以是具有410nm至480nm的波长的光。蓝光的光发射光谱可以具有在440nm至460nm内的最大峰值。第一堆叠体st1可以包括用于发光的第一发光层eml1、用于将从第一电极el1提供的空穴传输到第一发光层eml1的第一空穴传输区htr1、以及用于将从第一电荷产生层cgl1产生的电子传输到第一发光层eml1的第一电子传输区etr1。图2示出包括第一空穴注入层hil1和第一空穴传输层htl1的第一空穴传输区htr1，但是本公开的实施例不限于此。可以省略第一空穴传输层htl1和第一空穴注入层hil1中的任何一个。在实施例中，第一空穴传输区htr1可以仅包括第一空穴注入层hil1，并且第一空穴注入层hil1可以与第一发光层eml1接触。第一电子传输区etr1示出为包括第一电子注入层eil1和第一电子传输层etl1，但是本公开的实施例不限于此。可以省略第一电子注入层eil1和第一电子传输层etl1中的任何一个。在实施例中，第一电子传输区etr1可以仅包括第一电子传输层etl1，并且第一电子传输层etl1可以与第一发光层eml1和第一电荷产生层cgl1接触。第一电子传输层etl1可以提供为多个。第二堆叠体st2可以包括用于发光的第二发光层eml2、用于将从第一电荷产生层cgl1提供的空穴传输到第二发光层eml2的第二空穴传输区htr2、以及用于将从第二电极el2产生的电子传输到第二发光层eml2的第二电子传输区etr2。图2示出包括第二空穴注入层hil2和第二空穴传输层htl2的第二空穴传输区htr2，但是本公开的实施例不限于此。可以省略第二空穴传输层htl2和第二空穴注入层hil2中的任何一个。在实施例中，第二空穴传输区htr2可以仅包括第二空穴注入层hil2，并且第二空穴注入层hil2可以与第二发光层eml2接触。第二电子传输区etr2示出为包括第二电子注入层eil2和第二电子传输层etl2，但是本公开的实施例不限于此。可以省略第二电子注入层eil2和第二电子传输层etl2中的任何一个。在实施例中，第二电子传输区etr2可以仅包括第二电子传输层etl2，并且第二电子传输层etl2可以与第二发光层eml2接触。第二电子传输层etl2可以提供为多个。可使用任何合适的方法形成第一空穴传输区htr1和第二空穴传输区htr2的每一层。例如，第一空穴传输区htr1和第二空穴传输区htr2可以通过一种或多种合适的方法形成，例如，真空沉积法、旋涂法、流延法、langmuir-blodgett(lb)法、喷墨印刷法、激光印刷法和/或激光诱导热成像(liti)法。第一空穴注入层hil1和第二空穴注入层hil2可以包括空穴注入材料。空穴注入材料可以包括酞菁化合物(例如，铜酞菁)、n,n'-二苯基-n，n'-双-[4-(苯基-间甲苯基氨基)-苯基]-联苯-4,4'-二胺(dntpd)、4,4',4”-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-mtdata)、4,4',4”-三(n,n-二苯氨基)三苯胺(tdata)、4,4',4”-三{n-(2-萘基)-n-苯氨基}-三苯胺(2-tnata)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺(npb)、n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(npd)、含三苯胺的聚醚酮(tpapek)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘[四(五氟苯基)硼酸酯]、双吡嗪[2,3-f:2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-己腈(hat-cn)等。第一空穴传输层htl1和第二空穴传输层htl2可以各自独立地包括空穴传输材料。空穴传输材料可以包括咔唑基衍生物(例如n-苯基咔唑和/或聚乙烯基咔唑)、芴基衍生物、三苯胺基衍生物(例如，n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(tpd)和/或4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta))、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二叉烯基-联苯胺(npb)、4,4'-亚环己基双[n，n-双(4-甲基苯基)苯甲胺](tapc)、4,4'-双[n,n'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(hmtpd)、1,3-双(n-咔唑基)苯(mcp)、9-(4-叔丁基苯基)-3,6-双(三苯基甲硅烷基)-9h-咔唑(czsi)等。第一空穴传输区htr1和第二空穴传输区htr2中的每个的厚度可以为约至约例如约至约空穴注入层hil1和hil2的厚度例如可以是约至约并且空穴传输层htl1和htl2的厚度可以是约至约当空穴传输区htr、空穴注入层hil1和hil2和空穴传输层htl1和htl2的厚度满足上述范围中的任一个时，可以在不显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的(或合适的)空穴传输特性。除了上述材料之外，第一空穴传输区htr1和第二空穴传输区htr2还可以包括电荷产生材料，以提高导电性。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在第一空穴传输区htr1和第二空穴传输区htr2中。电荷产生材料例如可以是p型掺杂物。p型掺杂物可以是醌衍生物、金属氧化物和含有氰基的化合物中的一种，但本公开的实施例不限于此。p型掺杂物的非限制性示例可包括醌衍生物(例如，四氰基醌二甲烷(tcnq)和/或2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰基喹二甲烷(f4-tcnq))、金属氧化物(例如钨氧化物和/或钼氧化物)等，但本公开的实施例不限于此。可使用任何合适的方法形成第一电子传输区etr1和第二电子传输区etr2的每一层。例如，第一电子传输区etr1和第二电子传输区etr2可以各自独立地通过一种或多种合适的方法形成，例如真空沉积法、旋涂法、流延法、langmuir-blodgett(lb)法、喷墨印刷法、激光印刷法和/或激光诱导热成像(liti)法。第一电子注入层eil1和第二电子注入层eil2可以包括电子注入材料。可以使用卤化金属(例如，lif、nacl、csf、rbcl、rbi和/或cui)、镧系金属(例如yb)、金属氧化物(例如li2o和/或bao)、喹啉锂(liq)等作为电子注入材料，但是本公开的实施例不限于此。第一电子注入层eil1和第二电子注入层eil2可以各自独立地由电子注入材料和绝缘有机金属盐的混合物组成。有机金属盐可以是具有约4ev或更大的能带隙的材料。例如，有机金属盐可以包括金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐和/或金属硬脂酸盐。第一电子注入层eil1和第二电子注入层eil2中的每个的厚度可以为约至约或约至约当第一电子注入层eil1和第二电子注入层eil2的厚度满足上述范围中的任何一个时，可以在不显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的(或合适的)电子注入特性。第一电子传输层etl1和第二电子传输层etl2可以各自独立地包括电子传输材料。电子传输材料可以包括蒽基化合物。然而，本公开的实施例不限于此。电子传输材料例如可以是：三(8-羟基喹啉)铝(alq3)、1,3,5-三[(3-吡啶基)-苯-3-基]苯、2,4,6-三(3'-(吡啶-3-基)联苯-3-基)-1,3,5-三嗪、2-(4-(n-苯基苯并咪唑-1-基苯基)-9,10-二萘基蒽、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并[d]咪唑-2-基)苯(tpbi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(tbu-pbd)、双(2-甲基-8-喹啉基-n1,o8)-(1,1'-联苯-4-醇基)铝(balq)、铍(苯并喹啉-10-醇盐)(bebq2)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)氧化膦(tspo1)、及其任何混合物。第一电子传输层etl1和第二电子传输层etl2中的每个的厚度可以为约至约例如约至约当第一电子传输层etl1和第二电子传输层etl2的厚度满足上述范围中的任一个时，可以在不显著增加驱动电压的情况下获得令人满意的(或合适的)电子注入特性。在根据实施例的发光装置led中，与第一发光层eml1和第二发光层eml2中的每个邻近的层可以包括发光材料。在一些实施例中，与第一发光层eml1和第二发光层eml2中的任一个邻近的第一空穴传输层htl1、第一电子传输层etl1、第二空穴传输层htl2和第二电子传输层etl2中的至少一个可以包括发光材料。在实施例中，与第一发光层eml1和第二发光层eml2中的任一个邻近的第一空穴传输层htl1、第一电子传输层etl1、第二空穴传输层htl2和第二电子传输层etl2中的全部可以包括发光材料。包括在第一空穴传输层htl1、第一电子传输层etl1、第二空穴传输层htl2和第二电子传输层etl2中的发光材料可以都是相同的材料。第一空穴传输层htl1、第一电子传输层etl1、第二空穴传输层htl2和第二电子传输层etl2中的每个可以包括空穴传输材料或电子传输材料作为基础物质，并且可以掺杂有发光材料。例如，第一空穴传输层htl1、第一电子传输层etl1、第二空穴传输层htl2和第二电子传输层etl2中的每个可以包括空穴传输材料或电子传输材料作为基础物质，并且可以掺杂有磷光发光掺杂物。包括在第一空穴传输层htl1、第一电子传输层etl1、第二空穴传输层htl2和第二电子传输层etl2中的每个中的发光材料可以掺杂至每层的总质量的小于10％。掺杂在第一空穴传输层htl1、第一电子传输层etl1、第二空穴传输层htl2和第二电子传输层etl2中的每个中的发光材料可以是具有比形成相应层的基础物质的空穴传输材料或电子传输材料的最低三重态激发能级(t1)更低的最低三重态激发能级(t1)的材料。在第一堆叠体st1与第二堆叠体st2之间，可提供第一电荷产生层cgl1。当施加电压时，第一电荷产生层cgl1可以通过经由氧化-还原反应形成复合物来产生电荷(电子和空穴)。然后，第一电荷产生层cgl1可向邻近堆叠体st1和st2中的每一者提供所产生的电荷。第一电荷产生层cgl1可使在一个堆叠体st1或st2中产生的电流的效率加倍，并且可用于控制第一堆叠体st1与第二堆叠体st2之间的电荷平衡。第一电荷产生层cgl1可以具有其中第一子电荷产生层cgl1-1和第二子电荷产生层cgl1-2彼此结合的分层结构。作为示例，第一子电荷产生层cgl1-1可以是n型电荷产生层，其可以通过邻近第一堆叠体st1设置而向第一堆叠体st1提供电子。第二子电荷产生层cgl1-2可以是p型电荷产生层，其可以通过邻近第二堆叠体st2设置而向第二堆叠体st2提供空穴。在第一子电荷产生层cgl1-1和第二子电荷产生层cgl1-2之间，可以进一步设置缓冲层。图3是示意性示出根据本公开的实施例的发光装置的剖视图。在下文中，在参照图3描述实施例的发光装置时，对上述部件给出相同的附图标记，并且将不提供对其的重复描述。参照图3，根据本公开的实施例的发光装置led-1还可以包括设置在第一堆叠体st1和第二堆叠体st2上的第三堆叠体st3。在第二堆叠体st2和第三堆叠体st3之间，可以设置第二电荷产生层cgl2。第三堆叠体st3可以设置在第二电荷产生层cgl2和第二电极el2之间。第三堆叠体st3可以具有类似于第一堆叠体st1和第二堆叠体st2的堆叠结构。例如，第三堆叠体st3可以是其中顺序地堆叠有第三空穴传输区htr3、第三发光层eml3和第三电子传输区etr3的堆叠体。第三发光层eml3可以包括上述发光材料，但不限于此。第三发光层eml3可以产生蓝光，并且蓝光可以是具有410nm至480nm的波长的光。蓝光的光发射光谱可以具有在440nm至460nm内的最大峰值。第三空穴传输区htr3可以包括第三空穴注入层hil3和第三空穴传输层htl3。第三电子传输区etr3可以包括第三电子注入层eil3和第三电子传输层etl3。第三空穴传输区htr3可以包括上述的空穴注入材料和空穴传输材料。第三电子传输区etr3可以包括上述的电子注入材料和电子传输材料。图3示出包括第三空穴注入层hil3和第三空穴传输层htl3的第三空穴传输区htr3，但是本公开的实施例不限于此。可以省略第三空穴传输层htl3和第三空穴注入层hil3中的任何一个。在实施例中，第三空穴传输区htr3可以仅包括第三空穴注入层hil3，并且第三空穴注入层hil3可以是与第三发光层eml3邻近的层。图3示出包括第三电子注入层eil3和第三电子传输层etl3的第三电子传输区etr3，但是本公开的实施例不限于此。可以省略第三电子注入层eil3和第三电子传输层etl3中的任何一个。在实施例中，第三电子传输区etr3可以仅包括第三电子传输层etl3，并且第三电子传输层etl3可以是与第三发光层eml3邻近的层。第三电子传输层etl3可以提供为多个。在根据实施例的发光装置led-1中，与第三发光层eml3邻近的层可以包括发光材料。例如，在第三空穴传输区htr3和第三电子传输区etr3中，与第三发光层eml3邻近的层可以包括发光材料。在实施例中，与第三发光层eml3邻近的第三空穴传输层htl3和第三电子传输层etl3中的至少一个可以包括发光材料。在实施例中，第三空穴传输层htl3和第三电子传输层etl3中的每个可以包括发光材料。在实施例中，第一空穴传输层htl1、第一电子传输层etl1、第二空穴传输层htl2、第二电子传输层etl2、第三空穴传输层htl3和第三电子传输层etl3中的全部均可以包括发光材料。包括在第三空穴传输层htl3和第三电子传输层etl3中的每个中的发光材料可以是相同的材料。包括在第三空穴传输层htl3和第三电子传输层etl3中的每个中的发光材料可以不同于包括在第三发光层eml3中的发光材料。第三空穴传输层htl3和第三电子传输层etl3中的每个可以包括空穴传输材料或电子传输材料(分别)作为基础物质，并且可以掺杂有发光材料。例如，第三空穴传输层htl3和第三电子传输层etl3中的每个可以包括空穴传输材料或电子传输材料(分别)作为基础物质，并且可以掺杂有磷光发光掺杂物。包括在第三空穴传输层htl3和第三电子传输层etl3中的每个中的发光材料可以被掺杂至每层的总质量的小于10％。掺杂在第三空穴传输层htl3和第三电子传输层etl3中的每个中的发光材料可以是具有比形成相应层的基础物质的空穴传输材料或电子传输材料的最低三重态激发能级(t1)更低的最低三重态激发能级(t1)的材料。在第二堆叠体st2与第三堆叠体st3之间，可提供第二电荷产生层cgl2。当施加电压时，第二电荷产生层cgl2可以通过经由氧化-还原反应形成复合物来产生电荷(电子和空穴)。接着，第二电荷产生层cgl2可将所产生的电荷提供到邻近堆叠体st2和st3中的每一者。第二电荷产生层cgl2可使在一个堆叠体st2或st3中产生电流的效率加倍，且可用于控制第二堆叠体st2与第三堆叠体st3之间的电荷平衡。第二电荷产生层cgl2可以具有其中第一子电荷产生层cgl2-1和第二子电荷产生层cgl2-2彼此结合的分层结构。作为示例，第一子电荷产生层cgl2-1可以是n型电荷产生层，其通过邻近第二堆叠体st2设置而向第二堆叠体st2提供电子。第二子电荷产生层cgl2-2可以是p型电荷产生层，其通过邻近第三堆叠体st3设置而向第三堆叠体st3提供空穴。在第一子电荷产生层cgl2-1和第二子电荷产生层cgl2-2之间，可以进一步设置缓冲层。图4是示意性示出根据本公开的实施例的发光装置的剖视图。在下文中，在参照图4描述实施例的发光装置时，对上述部件给出相同的附图标记，并且将不提供对其的重复描述。参照图4，在根据实施例的发光装置led-2中，第一空穴传输区htr1还可以包括设置在第一发光层eml1和第一空穴传输层htl1之间的第一电子阻挡层ebl1。第一电子传输区etr1还可以包括设置在第一发光层eml1和第一电子传输层etl1之间的第一空穴阻挡层hbl1。第二空穴传输区htr2还可以包括设置在第二发光层eml2和第二空穴传输层htl2之间的第二电子阻挡层ebl2。第二电子传输区etr2还可以包括设置在第二发光层eml2和第二电子传输层etl2之间的第二空穴阻挡层hbl2。第三空穴传输区htr3还可以包括设置在第三发光层eml3和第三空穴传输层htl3之间的第三电子阻挡层ebl3。第三电子传输区etr3还可以包括设置在第三发光层eml3和第三电子传输层etl3之间的第三空穴阻挡层hbl3。电子阻挡层是用于防止或减少电子从电子传输区泄漏到空穴传输区的层。电子阻挡层的厚度可以为约至约电子阻挡层可包括例如咔唑基衍生物(例如，n-苯基咔唑和/或聚乙烯基咔唑)、芴基衍生物、三苯胺基衍生物(例如，n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1-联苯]-4,4'-二胺(tpd)和/或4,4',4”-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta))、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二叉烯基-联苯胺(npd)、4,4'-亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc)、4,4'-双[n,n'-(3-甲苯基)氨基]-3,3'-二甲基联苯(hmtpd)、mcp等。空穴阻挡层是用于防止或减少空穴从空穴传输区泄漏到电子传输区的层。空穴阻挡层的厚度可以为约至约空穴阻挡层例如可包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)和2,4,6-三([1,1'-联苯]-3-基)-1,3,5-三嗪(t2t)中的至少一种，但本公开的实施例不限于此。在根据实施例的发光装置led-2中，与第一至第三发光层eml1、eml2和eml3邻近的层是第一至第三电子阻挡层ebl1、ebl2和ebl3以及第一至第三空穴阻挡层hbl1、hbl2和hbl3，并且第一至第三电子阻挡层ebl1、ebl2和ebl3和第一至第三空穴阻挡层hbl1、hbl2和hbl3中的至少一个可以包括发光材料。在实施例中，第一至第三电子阻挡层ebl1、ebl2和ebl3以及第一至第三空穴阻挡层hbl1、hbl2和hbl3中的每个可以包括发光材料。包括在第一至第三电子阻挡层ebl1、ebl2和ebl3以及第一至第三空穴阻挡层hbl1、hbl2和hbl3中的每个中的发光材料可以是相同的材料。包括在第一至第三电子阻挡层ebl1、ebl2和ebl3以及第一至第三空穴阻挡层hbl1、hbl2和hbl3中的每个中的发光材料可以不同于包括在第一至第三发光层eml1、eml2和eml3中的发光材料。图5是示意性示出根据本公开的实施例的发光装置的剖视图。在下文中，在参照图5描述实施例的发光装置时，对上述部件给出相同的附图标记，并且将不提供对其的重复描述。根据实施例的发光装置led-3还可以包括设置在第二电极el2上的封盖层cpl。封盖层cpl例如可以包括α-npd、npb、tpd、m-mtdata、alq3、cupc、n4,n4,n4',n4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(tpd15)、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯胺、n,n'-双(萘)-1-基(tcta)等。封盖层cpl用于帮助从发光装置led-3的发光层eml1和eml2发射的光有效地(或适当地)发射到发光装置led-3的外部。当实施例的发光装置led-3还包括薄膜封装层时，封盖层cpl可以设置在第二电极el2和薄膜封装层之间。图6a是根据本发明的实施例的显示面板的立体图。图6b是根据本发明的实施例的显示面板的剖视图。图7是根据本公开的实施例的显示面板的平面图。参照图6a至图7，显示面板dp可以是液晶显示面板、电泳显示面板、微机电系统显示面板(mems)、电润湿显示面板、有机发光显示面板、微型led显示面板、量子点显示面板和量子棒显示面板中的任一种，但是本公开的实施例不限于此。显示面板dp还可以包括机壳构件和/或模制构件，并且还可以根据显示面板dp的类型(种类)包括背光单元。显示面板dp可以包括下部显示衬底100(或第一显示衬底)和面对下部显示衬底100并与其隔开的上部显示衬底200(或第二显示衬底)。在下部显示衬底100和上部显示衬底200之间，可以填充有填充层bfl。此外，在根据实施例的显示面板dp中，可以省略填充层bfl，并且在下部显示衬底100和上部显示衬底200之间，可以限定预定的或设定的单元间隙。在根据实施例的显示面板dp中，非显示区域nda可以包括将下部显示衬底100和上部显示衬底200结合的密封剂slm。密封剂slm可以包括有机粘合剂构件和/或无机粘合剂构件。例如，密封剂slm可以包括玻璃料。如图6a中所示，显示面板dp可以通过显示表面dp-is显示图像。显示表面dp-is平行于由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面。显示表面dp-is可以包括显示区域da和非显示区域nda。在显示区域da中，设置有像素px。非显示区域nda沿着显示表面dp-is的边缘限定。显示区域da可以被非显示区域nda包围。显示表面dp-is的法线方向(即显示面板dp的厚度方向)由第三方向dr3表示。下面描述的每一层或单元的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)沿着第三方向dr3定位并且通过第三方向dr3区分开。然而，本实施例中所示的第一至第三方向dr1、dr2和dr3仅是示例性的(示例)。在本公开的实施例中，示出具有平坦的显示表面dp-is的显示面板dp，但是本公开的实施例不限于此。显示面板dp可以包括弯曲显示表面和/或三维显示表面。三维显示表面可以包括指示不同方向的多个显示区域。图7示出信号线gl1至gln和dl1至dlm以及像素px11至pxnm的平面布置关系。信号线gl1至gln和dl1至dlm可以包括多条栅极线gl1至gln和多条数据线dl1至dlm。像素px11至pxnm中的每一个连接到多条栅极线gl1至gln中的对应栅极线以及多条数据线dl1至dlm中的对应数据线。像素px11至pxnm中的每个可以包括像素驱动电路和发光装置。根据像素驱动电路的配置，可以在显示面板dp中提供更多类型(或种类)的信号线。像素px11至pxnm可以以矩阵形式设置，但是本公开的实施例不限于此。例如，像素px11至pxnm可以以pentile形式设置。在一些实施例中，像素px11至pxnm可以以菱形形式设置。栅极驱动电路gdc可以设置在非显示区域nda中。栅极驱动电路gdc可以通过氧化硅栅极驱动电路(osg)工艺和/或非晶硅栅极驱动电路(asg)工艺集成到显示面板dp中。图8是根据本发明的实施例的显示面板的像素区域的平面图。图9是根据本发明的实施例的显示面板的一个像素区域的剖视图。图9是对应于图8的线i-i'的剖视图。图8是图6a中所示的显示区域da的一部分的放大视图。图8主要示出三个像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r。图8中所示的三个像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r可以重复地遍布显示区域da设置。图8示出其中像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r沿着同一条线顺序地和交替地设置的条纹结构。然而，像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r的布置结构不限于此，并且可以存在各种布置形式。在实施例中，像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r可以具有菱形布置结构或pentile型布置结构。参照图8，周边区域npxa设置成围绕第一至第三像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r。周边区域npxa设定第一至第三像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r的边界，以防止(或减少)第一至第三像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r之间的混色。此外，周边区域npxa阻挡(或减少)源光，使得不向用户提供源光。在本实施例中，示出具有相同平面面积的第一至第三像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r，但是本公开的实施例不限于此。第一至第三像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r可以具有不同的面积，或者其中至少两个的面积可以彼此不同。示出了具有平面圆角区域的矩形形状的第一至第三像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r，但是本公开的实施例不限于此。当在平面上(例如，在平面图中)观看时，第一至第三像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r可以具有另一多边形形状，和/或可以具有具备圆角区域的规则多边形形状。第一至第三像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r中的一个可以向用户提供第一光，其另一个可以提供不同于第一光的第二光，且其其余一个可以提供不同于第一光和第二光的第三光。在实施例中，第一像素区域pxa-b可以提供蓝光，第二像素区域pxa-g可以提供绿光，并且第三像素区域pxa-r可以提供红光。在本实施例中，源光可以是作为第一光的蓝光。源光可以从与背光单元的光源相同的光源产生，或者可以从例如发光装置的显示器件产生。图9示出显示面板dp的对应于第二像素区域pxa-g的截面。图9示出对应于驱动晶体管t-d和发光装置led的截面。在图9中，简单地(示意性地)示出上部显示衬底200。如图9中所示，显示面板dp可以包括第一基础衬底bs1、设置在第一基础衬底bs1上的电路元件层cl、以及设置在电路元件层cl上的显示器件层。第一基础衬底bs1可以包括合成树脂衬底和/或玻璃衬底。电路元件层cl包括至少一个绝缘层和一个电路元件。电路元件包括信号线和像素的驱动电路等。电路元件层cl可以经由通过涂布、沉积等进行的绝缘层、半导体层和/或导电层的形成工艺和/或通过光刻工艺进行的绝缘层、半导体层和/或导电层的图案化工艺来形成。在本实施例中，电路元件层cl可以包括缓冲膜bl、第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30。第一绝缘层10和第二绝缘层20可以各自是无机膜，且第三绝缘层30可以是有机膜。第三绝缘层30可以包括聚酰亚胺(pi)。图9示出构成驱动晶体管t-d的半导体图案osp、控制电极ge、输入电极de和输出电极se的布置关系。还示出第一通孔ch1、第二通孔ch2和第三通孔ch3。显示器件层包括多个发光装置led。对于包括在显示器件层中的根据实施例的发光装置led，可以应用参考图1至图5提供的对根据实施例的发光装置的描述。发光装置led可以产生上述的源光。由发光装置led产生的源光可以是蓝光。发光装置led包括第一电极el1、第二电极el2和设置在它们之间的发光层。在本实施例中，发光装置led可以包括有机发光装置。然而，本公开的实施例不限于此。包括在显示器件层中的发光装置led可以是包括各种合适的显示器件的发光装置等，该显示器件例如为lcd、led、微型led、纳米led、量子点和/或量子棒，它们是非限制性的示例。显示器件层包括像素限定膜pdl。像素限定膜pdl具有对应于第二像素区域pxa-g的开口op。像素限定膜pdl可以具有分别对应于第一至第三像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r的多个开口。像素限定膜pdl可以包括阻挡(或减少)光的材料。在实施例中，像素限定膜pdl可以包括黑色材料。像素限定膜pdl可以包括黑色有机染料/颜料，例如炭黑和/或苯胺黑。像素限定膜pdl还可以包括疏液的有机物。在根据实施例的显示面板dp中，第一电极el1可以设置在第三绝缘层30上。第一电极el1可以通过穿过第三绝缘层30的第三通孔ch3连接到输出电极se。图9示出第一电极el1设置在第三绝缘层30上，但是本公开的实施例不限于此。第一电极el1可嵌入第三绝缘层30内并设置成暴露其上表面。在这种情况下，第一电极el1的上表面和第三绝缘层30的上表面可以构成相同的平面。像素限定膜pdl的开口op暴露第一电极el1的至少一部分。在平面上，像素限定膜pdl可以与第一电极el1的至少一部分重叠。例如，像素限定膜pdl可以在平面上与第一电极el1的外部重叠。在第一电极el1上，可以顺序设置第一堆叠体st1、第一电荷产生层cgl1、第二堆叠体st2、第二电荷产生层cgl2、第三堆叠体st3和第二电极el2。第一堆叠体st1、第一电荷产生层cgl1、第二堆叠体st2、第二电荷产生层cgl2、第三堆叠体st3和第二电极el2可以共同设置在第一电极el1和像素限定膜pdl上。第一堆叠体st1、第一电荷产生层cgl1、第二堆叠体st2、第二电荷产生层cgl2、第三堆叠体st3和第二电极el2可以共同设置在第一至第三像素区域pxa-b、pxa-g和pxa-r上方。然而，本公开的实施例不限于此。第一堆叠体st1、第一电荷产生层cgl1、第二堆叠体st2、第二电荷产生层cgl2、第三堆叠体st3和第二电极el2可以被图案化并仅设置在像素限定膜pdl的开口op中。作为关于第一电极el1、第一堆叠体st1、第一电荷产生层cgl1、第二堆叠体st2、第二电荷产生层cgl2、第三堆叠体st3和第二电极el2的详细描述，可以应用参考图1至图5提供的对根据实施例的发光装置的描述。尽管图9示出包括具有三个堆叠体st1、st2和st3的发光装置led的显示面板dp，但是本公开的实施例不限于此。显示面板dp可以包括不具有串联结构的单个堆叠体的发光装置，或者可以包括包含两个堆叠体的发光装置。在一些实施例中，第二电极el2可以连接到辅助电极。当第二电极el2连接到辅助电极时，可以减小第二电极el2的电阻。封装构件tfe可以设置在显示器件层上并且可以封装发光装置led。封装构件tfe可以包括设置在其最外周上的无机膜。封装构件tfe还可以包括有机膜，和/或可以具有其中无机膜和有机膜交替重复的结构。封装构件tfe保护发光装置led不受湿气/氧气的影响，并且可以用于保护发光装置led不受外来物质的影响。在实施例中，无机膜可以包括任何合适的材料而没有任何特别的限制，只要它是能够保护下部的发光装置led的材料即可，并且可以包括例如硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sioynx)、硅氧化物(sioy)、钛氧化物(tioy)、铝氧化物(aloy)等。有机膜可以包括任何合适的材料而没有任何特别的限制，只要它是能够使发光装置led的上部平坦化的材料即可，并且可以包括例如丙烯酸酯基有机物(材料)。无机膜可以通过沉积方法等形成，并且有机膜可以通过沉积方法、涂布方法等形成。在封装构件tfe上，可以设置填充层bfl。填充层bfl设置在下部显示衬底100和上部显示衬底200之间，以防止(或保护)上部显示衬底200中所包括的例如光控制层的部件与下部显示衬底100的封装构件tfe接触，并且可以提高显示面板dp的光提取效率。填充层bfl可以覆盖封装构件tfe的上表面。图9示出填充在下部显示衬底100和上部显示衬底200之间的填充层bfl，但是本公开的实施例不限于此。在根据本公开的实施例的显示面板dp中，可以省略填充层bfl。在这种情况下，在下部显示衬底100和上部显示衬底200之间，可以限定预定的(或设定的)单元间隙。图10是根据本公开的实施例的显示面板的剖视图。图10是对应于图8的线ii-ii'的剖视图。参照图10，实施例的显示面板dp包括设置在第一基础衬底bs1上的电路元件层cl、设置在电路元件层cl上的显示器件层、设置在显示器件层上的封装构件tfe、以及设置在封装构件tfe上的填充层bfl。显示面板dp的上部显示衬底200(参见图9)可以包括第二基础衬底bs2、设置在第二基础衬底bs2下方的滤色器层cfl、以及设置在滤色器层cfl下方的光控制层ccl。在实施例中，显示面板dp可以包括与第一像素区域pxa-b重叠的第一发光装置led、与第二像素区域pxa-g重叠的第二发光装置led、以及与第三像素区域pxa-r重叠的第三发光装置led。对于每个发光装置led，可以应用参照图1至图5提供的对根据实施例的发光装置的描述。封装构件tfe可以设置在发光装置led上并且可以封装发光装置led。封装构件tfe可以包括设置在其最外周上的无机膜il。封装构件tfe还可以包括有机膜ol，或者可以具有其中无机膜il和有机膜ol交替重复的结构。封装构件tfe保护发光装置led不受湿气/氧气的影响，并且可以用于保护发光装置led不受例如灰尘颗粒的掺杂物的影响。在实施例中，无机膜il可以包括任何合适的材料而没有任何特别的限制，只要它是能够保护下部的发光装置led的材料即可，并且可以包括例如硅氮化物(sinx)、硅氮氧化物(sioynx)、硅氧化物(sioy)、钛氧化物(tioy)、铝氧化物(aloy)等。有机膜ol可以包括丙烯酸酯基有机物(材料)，但是本公开的实施例不特别限于此。无机膜il可以通过沉积方法等形成，并且有机膜ol可以通过沉积方法、涂覆方法等形成。根据实施例的显示面板dp可以包括光控制层ccl。光控制层ccl可以设置在显示器件层上。光控制层ccl可以设置在多个发光装置led上，并且可以通过设置在其间的填充层bfl与封装构件tfe隔开。光控制层ccl可以包括透射第一光的第一光控制单元ccp1、将第一光转换为第二光的第二光控制单元ccp2、以及将第一光转换为第三光的第三光控制单元ccp3。例如，第二光可以是绿光，并且绿光可以是与波长范围为500nm至570nm的光对应的光。第三光可以是红光，并且可以是与波长范围为625nm至675nm的光对应的光。第二光控制单元ccp2和第三光控制单元ccp3可以各自独立地包括发光体。发光体可以是能够改变光的波长的颗粒。在实施例中，包括在第二光控制单元ccp2和第三光控制单元ccp3中的发光体可以各自是量子点。量子点是具有几纳米大小的晶体结构的材料，并且由数百至数千个原子组成。由于其小尺寸，量子点表现出量子限制效应，在该量子限制效应中能带隙增加。当具有比带隙更高的能量的波长的光入射到量子点上时，量子点通过吸收光而被激发，并且通过发射特定波长的光而落入基态。特定波长的发射光具有对应于带隙的值。当控制量子点的尺寸和组成时，可以控制由量子限制效应引起的发光特性。量子点的核可以选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物及其组合。ii-vi族化合物可以选自二元化合物(选自cdse、cdte、cds、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs及其混合物)、三元化合物(选自agins、cuins、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns及其混合物)、以及四元化合物(选自hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste及其混合物)。iii-v族化合物可以选自二元化合物(选自gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb及其混合物)、三元化合物(选自ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、inalp、innp、innas、innsb、inpas、inpsb及其混合物)、以及四元化合物(选自gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb及其混合物)。iv-vi族化合物可以选自二元化合物(选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte及其混合物)、三元化合物(选自snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte及其混合物)、以及四元化合物(选自snpbsse、snpbsete、snpbste及其混合物)。iv族元素可以选自si、ge及其混合物。iv族化合物可以是选自sic、sige及其混合物的二元化合物。在一些实施例中，二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以以均匀的浓度分布存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度存在于相同的颗粒中。在一些实施例中，量子点可以具有核-壳结构，其中一个量子点围绕另一个量子点。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心变得更低。在一些实施例中，量子点可以具有核-壳结构，其包括具有上述纳米晶体的核和围绕核的壳。具有核-壳结构的量子点的壳可以用作用于防止(或减少)核的化学变形以保持半导体特性的保护层和/或用作用于赋予量子点电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心变得更低。具有核-壳结构的量子点的壳的非限制性示例可以包括金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物及其组合。例如，金属氧化物或非金属氧化物可以是二元化合物(例如，sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和/或nio)和/或三元化合物(例如，mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和/或comn2o4)。然而，本公开的实施例不限于此。此外，半导体化合物例如可以是cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb等。然而，本公开的实施例不限于此。量子点可以具有约45nm或更小，例如约40nm或更小，或约30nm或更小的光发射波长光谱的半高全宽(fwhm)，并且在上述范围内颜色纯度或颜色再现性可以被改善。通过这种量子点发射的光可以在所有方向上发射，从而可以改善光视角。尽管量子点的形式没有特别限制，只要它是用于预期目的的合适形式即可，但是可以使用例如球形、金字塔形、多臂形和/或立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米颗粒等形式的量子点。量子点可以根据发射光的粒度来控制发射光的颜色。因此，量子点可以具有各种发光颜色，例如蓝色、红色、绿色等。量子点的粒度越小，可以发射的光的波长范围越短。例如，发射绿光的量子点的粒度可以小于发射红光的量子点的粒度。例如，发射蓝光的量子点的粒度可以小于发射绿光的量子点的粒度。例如，包括在第二光控制单元ccp2中的量子点的粒度可以小于包括在第三光控制单元ccp3中的量子点的粒度。这里，包括在第二光控制单元ccp2中的量子点可以发射波长比包括在第三光控制单元ccp3中的量子点的波长更短的光。在实施例中，光控制层ccl可以包括基础树脂。光控制层ccl还可以包括散射颗粒。发光体和散射颗粒可以仅包括在光控制层ccl的一部分中。在实施例中，第一光控制单元ccp1可以仅包括散射颗粒，而不包括发光体。第二光控制单元ccp2和第三光控制单元ccp3可以各自独立地包括发光体和散射颗粒二者。基础树脂是其中分散有发光体的介质，并且可以由一种或多种合适的树脂组合物形成，树脂组合物通常可以被称为粘合剂。然而，本公开的实施例不限于此。在本说明书中，可以将任何介质称为基础树脂，而不管其名称、附加功能、组成材料等，只要该介质可以分散和布置发光体即可。基础树脂可以是聚合物树脂。例如，基础树脂可以是丙烯酸树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、有机硅基树脂、环氧树脂等。基础树脂可以是透明树脂。散射颗粒可以是tio2和/或基于二氧化硅的纳米颗粒。散射颗粒可以散射光。在本公开的另一个实施例中，可以省略散射颗粒。光控制层ccl可以包括多个光控制单元ccp1、ccp2和ccp3。在实施例中，第一光控制单元ccp1、第二光控制单元ccp2和第三光控制单元ccp3中的每个可以在平面上彼此间隔开地设置。第一光控制单元ccp1、第二光控制单元ccp2和第三光控制单元ccp3中的每个可以布置成在由第一方向dr1的轴和第三方向dr3的轴限定的平面上彼此间隔开。第一光控制单元ccp1可以设置为与第一像素区域pxa-b相对应，第二光控制单元ccp2可以设置为与第二像素区域pxa-g相对应，并且第三光控制单元ccp3可以设置为与第三像素区域pxa-r相对应。在图10中，第一光控制单元ccp1、第二光控制单元ccp2和第三光控制单元ccp3示为具有基本上相同的面积和/或相同的厚度。然而，本公开的实施例不限于此。第一光控制单元ccp1、第二光控制单元ccp2和第三光控制单元ccp3可以具有不同的面积和/或不同的厚度。例如，第三光控制单元ccp3可以具有比第一光控制单元ccp1和第二光控制单元ccp2的面积更大的面积。第一光控制单元ccp1的面积可以小于第二光控制单元ccp2和第三光控制单元ccp3的面积。在彼此间隔开的第一光控制单元ccp1和第二光控制单元ccp2之间以及在第二光控制单元ccp2和第三光控制单元ccp3之间，可以设置分隔壁部分bp。分隔壁部分bp在平面上与周边区域npxa重叠。分隔壁部分bp可以防止(或减少)光泄漏现象，并且可以区分邻近光控制单元ccp1、ccp2和ccp3之间的边界。分隔壁部分bp可以包括含有黑色颜料和/或黑色染料的有机光阻挡材料。分隔壁部分bp可以包括具有疏水性的有机材料。在实施例中，可以省略分隔壁部分bp。在实施例中，显示面板dp可以包括滤色器层cfl。滤色器层cfl设置在光控制层ccl上，并且可以包括第一至第三滤色器单元cf-b、cf-g和cf-r以及光阻挡构件bm。在实施例中，第一至第三滤色器单元cf-b、cf-g和cf-r可以设置成在平面上彼此间隔开地。参照图10，第一至第三滤色器单元cf-b、cf-g和cf-r可以沿着第一方向dr1彼此间隔开地布置。第一至第三滤色器单元cf-b、cf-g和cf-r可以透射具有不同波长的光。第一滤色器单元cf-b可以与第一光控制单元ccp1相对应地设置，并且可以透射第一光。第二滤色器单元cf-g可以与第二光控制单元ccp2相对应地设置，并且可以阻挡(或减少)第一光并透射第二光。第三滤色器单元cf-r可以与第三光控制单元ccp3相对应地设置，并且可以阻挡(或减少)第一光并透射第三光。通过在显示面板dp中包括滤色器层cfl，可以有效地减少外部光反射，并且可以防止(或减少)混色。光阻挡构件bm对应于周边区域npxa设置。光阻挡构件bm可以通过包括有机光阻挡材料和/或无机光阻挡材料来形成，两者都包括黑色颜料和/或黑色染料。光阻挡构件bm可以防止(或减少)光泄漏现象，并且可以区分邻近滤色器单元之间的边界。光阻挡构件bm的至少一部分可以设置成与邻近的滤色器单元重叠。例如，在由第一方向dr1的轴线和第三方向dr3的轴线限定的平面上，光阻挡构件bm可以设置成使得其至少一部分在厚度方向(第三方向dr3)上与邻近的滤色器单元重叠。在图10中，光阻挡构件bm示为在厚度方向上完全与滤色器单元重叠，使得光阻挡构件bm的厚度与整个滤色器层cfl的厚度相同。然而，本公开的实施例不限于此。光阻挡构件bm的厚度可以小于整个滤色器层cfl的厚度。在本公开的实施例中，光阻挡构件bm示出为包括在滤色器层cfl中。然而，本公开的实施例不限于此。光阻挡构件bm可以省略。在实施例中，填充层bfl可以填充封装构件tfe和光控制层ccl之间的空间。填充封装构件tfe和光控制层ccl之间的空间可以意味着封装构件tfe和光控制层ccl之间的空间填充有填充层bfl，使得在封装构件tfe和光控制层ccl之间没有内部空间，并且使得填充层bfl完全覆盖分隔壁部分bp并接触封装构件tfe的上表面和光控制层ccl的下表面中的每个的一部分。填充层bfl可以防止(或减少)光控制层ccl中所包括的发光体、散射颗粒等被内部空气氧化，并且因此，可以在不被显著(实质上)改变的情况下保持显示面板dp的光提取效率。在实施例中，填充层bfl可以直接设置在设于封装构件tfe的最外周上的无机膜il上。填充层bfl可以包括无机粘合剂、有机粘合剂和/或液晶化合物，但是本公开的实施例不特别限于此。根据本公开的实施例的显示面板包括其中堆叠有多个堆叠体的发光装置，其中，根据本公开的实施例的发光装置可以在与发光层邻近的有机层中包括发光材料。例如，根据实施例的发光装置可以在发光层中包括发光材料，并且还可以在形成为与发光层接触的有机层中包括不同的发光材料。因此，可以提高发光装置的发光效率，并且可以减小由发光装置发射的光的波长。例如，发光装置的发光层可以发射蓝光，并且因为形成为与发光层接触的有机层包括不同的发光材料，所以由发光装置产生的光可以是蓝色的光。因此，可以提高包括在显示面板的光控制层中的例如量子点的发光体的光转换效率，并且可以提高显示面板的总发光效率。在下文中，将参考示例和对比示例更详细地描述本公开。以下示例仅用于说明目的以促进对本公开的理解，并且因此，本公开的范围不限于此。装置的堆叠结构第一电极、第一堆叠体、第一电荷产生层、第二堆叠体、第二电荷产生层、第三堆叠体、第二电极和封盖层依次堆叠，以制造根据实施例的发光装置。第一电极形成为的厚度。第一堆叠体被制造为具有其中依次堆叠的空穴注入层、的空穴传输层、电子阻挡层、的发光层、的空穴阻挡层和的电子传输层的结构。第一电荷产生层被制造为具有其中的n型电荷产生层和的p型电荷产生层被顺序堆叠的结构。第二堆叠体被制造为具有其中的空穴传输层、的电子阻挡层、的发光层、的空穴阻挡层和的电子传输层依次堆叠的结构。第二电荷产生层被制造为具有其中依次堆叠的n型电荷产生层和的p型电荷产生层的结构。第三堆叠体被制造为具有其中的空穴传输层、的电子阻挡层、的发光层、的空穴阻挡层、的电子传输层和的电子注入层依次堆叠的结构。第二电极形成为的厚度。封盖层形成为的厚度。用于形成每个层的材料如下。分别通过将ito/ag/ito堆叠成的厚度来形成第一电极。空穴注入层和p型电荷产生层各自通过(由)双吡嗪并[2,3-f：2',3'-h]喹喔啉-2,3,6,7,10,11-己腈(hat-cn)形成。空穴传输层通过(由)n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺(npb)形成。电子阻挡层通过(由)4,4',4”-三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)形成。发光层通过以3％的蓝色掺杂物(n1,n6-二(萘-2-基)-n1,n6-二苯基py-1,6-二胺)对4-(10-苯基蒽-9-基)二苯并[b,d]呋喃进行掺杂来形成。空穴阻挡层通过(由)2,4,6-三([1,1'-联苯]-3-基)-1,3,5-三嗪(t2t)形成。电子传输层通过以5:5的比率混合tpm-taz(2,4,6-三(3-(嘧啶-5-基)苯基)-1,3,5-三嗪)和liq来形成。n型电荷产生层通过以1％的yb对((1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(苯-3,1-二基))三(二苯基氧化膦)(po-t2t)进行掺杂来形成。电子注入层通过(由)yb形成。第二电极通过以10:1的比率混合ag和mg来形成。封盖层通过(由)n4,n4'-二苯基-n4,n4'-双(9-苯基-9h-咔唑-3-基)-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺形成。示例1当在上述装置堆叠结构中形成每个堆叠体的电子阻挡层时，以5％掺杂绿色掺杂物ir(ppy3)(三[2-苯基吡啶]铱(iii))。示例2当在上述装置堆叠结构中形成每个堆叠体的空穴阻挡层时，以5％掺杂绿色掺杂物ir(ppy3)(三[2-苯基吡啶]铱(iii))。示例3当在上述装置堆叠结构中形成每个堆叠体的电子阻挡层和空穴阻挡层时，以5％掺杂绿色掺杂物ir(ppy3)(三[2-苯基吡啶]铱(iii))。对比示例1排除不掺杂绿色掺杂物之外，根据上述装置堆叠结构形成每个堆叠体的电子阻挡层和空穴阻挡层。实验示例1测量根据示例1至3中的每个的发光装置和根据对比示例1的发光装置的驱动电压、电流效率和亮度寿命，并且将结果示于表1中。在1500nit亮度下测量电流效率。亮度寿命表示显示初始发光亮度的95％的发光亮度所花费的时间，即发光装置的95％寿命时间(t95)。表1驱动电压(v)电流效率(cd/a)亮度寿命(t95，hr)示例110.226.8460示例210.227.8540示例310.230.4620对比示例110.223.1260参考表1，在包括蓝色掺杂物的三堆叠体串联装置中，示例1至3中的每个的发光装置在保持相同的驱动电压的情况下显示出增加的电流效率和亮度寿命。在不受任何特定理论束缚的情况下，据信该有益效果至少部分是由于本实施例的空穴阻挡层和/或电子阻挡层与发光层邻近并且掺杂有绿色掺杂物。特别地，与其余示例和对比示例相比，其中与发光层邻近的空穴阻挡层和电子阻挡层两者均掺杂有绿色掺杂物的示例3的电流效率和亮度寿命极大地提高。测量根据示例1至3中的每个的发光装置和根据对比示例1的发光装置的根据亮度的电流效率，并且将其在图11的曲线图中示出。参照图11的结果，在包括蓝色掺杂物的三堆叠体串联装置中，当与发光层邻近的空穴阻挡层和/或电子阻挡层掺杂有绿色掺杂物时，电流效率增加。测量根据示例1至3中的每个的发光装置和根据对比示例1的发光装置的根据波长的发光强度，并且将其在图12的曲线图中示出。参照图12的结果，可以看出，当与发光层邻近的空穴阻挡层和/或电子阻挡层掺杂有发光掺杂物时，发光装置的发光强度增加。此外，在包括蓝色掺杂物的三堆叠体串联装置中，可以看出，示例1至3中的每个的发光波长减小成具有蓝色的发光波长。测量根据示例1至3中的每个的发光装置和根据对比示例1的发光装置的随时间的亮度效率，并且将其在图13的曲线图中示出。参照图13的结果，可以看出，当与发光层邻近的空穴阻挡层和/或电子阻挡层掺杂有发光掺杂物时，装置的亮度效率的降低程度随时间减小。在包括蓝色掺杂物的三堆叠体串联装置中，因为与发光层邻近的空穴阻挡层和/或电子阻挡层掺杂有绿色掺杂物以防止(或保护)邻近层(例如，邻近发光层的空穴阻挡层和电子阻挡层)的材料由于空穴和/或电子泄漏到邻近层中而劣化，所以示例中的每个的发光装置可以具有增加的装置寿命。此外，通过由包括在邻近层(例如发光层)中的掺杂物产生光，可以提高装置的发光效率。根据本公开的实施例，与发光装置的发光层邻近的有机层包括发光材料，从而可以防止(或减少)由于从发光层泄漏的电流而对有机层造成的损坏。因此，可以提高发光装置的发光效率和装置寿命。当在元素列表之前/之后时，例如“……中的至少一个”、“……中的一个”和“选自”的表述修饰整个元素列表，并且不修饰列表中的单个元素。此外，当描述本发明的实施例时，“可”的使用是指“本发明的一个或多个实施例”。如本文所使用，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可分别被认为与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。此外，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语而不是用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，本文记载的任何数值范围旨在包括包含在所记载的范围内的、具有相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所记载的最小值1.0和所记载的最大值10.0之间(并且包括本数)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，例如，以2.4至7.6为例。本文记载的任何最大数值极限旨在包括包含于其中的所有较低数值极限，并且本说明书中记载的任何最小数值极限旨在包括包含于其中的所有较高数值极限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地记载包括在本文明确记载的范围内的任何子范围。尽管本文已经描述了本发明的示例性实施例，但是应当理解，本发明不应限于这些示例性实施例，而是本领域普通技术人员可以在由所附权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围内进行各种改变和修改。尽管已经参考本公开的示例性实施例描述了本公开，但是本领域技术人员将理解，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。因此，本公开的技术范围不旨在限于说明书的具体实施方式中所阐述的内容，而是旨在由所附权利要求书及其等效物限定。当前第1页12