技术特征：
1.一种双极结晶体管的控制方法，用于控制所述双极结晶体管的共发射极电流增益，其中，所述双极结晶体管为垂直型晶体管，包括第一导电类型的基极区、第二导电类型的发射极区和第二导电类型的集电极区，所述基极区环绕于所述发射极区周围，所述集电极区环绕于所述基极区周围，且所述基极区与所述发射极区的底部直接或者间接相连，其特征在于，所述控制方法包括：通过调整所述基极区上的接触孔的尺寸和数量，来调整填充在接触孔中的导电接触插塞与所述基极区的接触电阻，以调整所述双极结晶体管的共发射极电流增益。2.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，通过同时减小所述基极区上的接触孔的尺寸和数量，以增大填充在接触孔中的导电接触插塞与所述基极区的接触电阻，进而降低所述双极结晶体管的共发射极电流增益。3.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述基极区上的接触孔的尺寸为工艺所允许的最大接触孔尺寸，所述基极区上的接触孔的数量为工艺所允许的最小数量。4.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述基极区包围所述发射极区的侧壁和底部，所述集电极区包围所述基极区的侧壁和底部。5.如权利要求1所述的控制方法，其特征在于，所述双极结晶体管包括基底以及依次形成在基底上的第一外延层、第二外延层、第三外延层，所述第一外延层和所述第三外延层均为第二导电类型，所述第二外延层为第一导电类型，所述第三外延层具有暴露出部分所述第二外延层的开口，所述基极区形成在所述开口处的所述第二外延层中，所述发射极区和所述集电极区分别形成在所述开口两侧的所述第三外延层中。6.如权利要求1-5中任一项所述的控制方法，其特征在于，通过调整所述双极结晶体管的版图布局和/或制造工艺条件，来调整所述基极区上的接触孔的尺寸和数量。7.一种双极结晶体管的制造方法，其特征在于，用于实现权利要求1-6中任一项所述的双极结晶体管的控制方法，所述制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底中和/或所述衬底上，制作出第一导电类型的基极区、第二导电类型的发射极区和第二导电类型的集电极区，所述基极区环绕于所述发射极区周围，所述集电极区环绕于所述基极区周围，且所述基极区与所述发射极区的底部直接或者间接相连；制作所述发射区、所述基极区以及所述集电极区的接触孔，且在制作接触孔时，调整所述基极区上的接触孔的尺寸和数量；在各个所述接触孔中填充导电材料，以形成导电接触插塞。8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底中制作出第一导电类型的基极区、第二导电类型的发射极区和第二导电类型的集电极区的步骤包括：在衬底中形成第二导电类型的第一阱；在所述第一阱的中央区域的顶部部分厚度中形成第一导电类型的第二阱；在所述第二阱的中央区域的顶部部分厚度中形成第二导电类型的第三阱，所述第三阱作为发射极区，所述第三阱周围的第二阱为基极区，所述第三阱周围的第一阱为集电极区；在所述衬底上制作出第一导电类型的基极区、第二导电类型的发射极区和第二导电类型的集电极区的步骤包括：在所述衬底上依次形成第一外延层、第二外延层、第三外延层，且所述第一外延层和所述第三外延层均为第二导电类型，所述第二外延层为第一导电类
型；刻蚀所述第三外延层，以形成暴露出部分所述第二外延层的开口，并在所述开口处的所述第二外延层中形成基极区，所述开口两侧的所述第三外延层分别作为所述发射极区和所述集电极区。9.一种双极结晶体管，其特征在于，通过权利要求7或8所述的双极结晶体管的制造方法获得，所述双极结晶体管包括第一导电类型的基极区、第二导电类型的发射极区和第二导电类型的集电极区，所述基极区环绕于所述发射极区周围，所述集电极区环绕于所述基极区周围，且所述基极区与所述发射极区的底部直接或者间接相连。10.一种信号放大电路，其特征在于，包括权利要求9所述的双极结晶体管。