有针对性的加热控制系统的制作方法

有针对性的加热控制系统
相关申请的交叉引用
1.本技术要求于2019年12月27日提交的美国专利申请第16/728,552号的优先权权益，该申请的全部内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
2.本技术涉及用于半导体制造的部件和设备。更具体地，本技术涉及处理腔室部件和其他半导体处理装备。


背景技术：

3.通过在基板表面上产生复杂图案化的材料层的工艺使得集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于形成和移除材料的受控方法。前驱物通常被输送到处理区域并被分布以在基板上均匀地沉积或蚀刻材料。处理腔室的许多方面可能会影响处理的均匀性，诸如腔室内的工艺条件的均匀性、通过部件的流的均匀性以及其他工艺和部件参数。即使整个基板上的微小差异也可能影响形成或移除工艺。
4.因此，存在对可用于生产高质量器件和结构的改进的系统和方法的需求。这些和其他需求通过本技术解决。


技术实现要素：

5.示例性半导体处理腔室可包括腔室主体，所述腔室主体包括侧壁和底座。腔室可包括延伸穿过腔室主体的底座的基板支撑件。基板支撑件可包括配置成支撑半导体基板的支撑台板。基板支撑件可包括与支撑台板耦接的轴。基板支撑件可包括与基板支撑件的轴耦接的屏蔽件。屏蔽件可包括穿过屏蔽件限定的多个孔口。基板支撑件可包括安置在屏蔽件的孔口中的块。
6.在一些实施例中，屏蔽件可以是或包括陶瓷材料。基板支撑件可包括净化通道，所述净化通道定位成在支撑台板和屏蔽件之间的区域内输送净化气体。多个孔口中的每个孔口的特征可在于直径为小于或约10mm。多个孔口可沿梯度而设计尺寸，并且靠近轴的孔口的特征可在于直径比远离轴的孔口的直径更大。多个孔口可被限定在由屏蔽件的半径的80％或更小的径向距离所限定的区域内。屏蔽件可沿着支撑台板的背侧的轴定位在30mm内。块可以是或包括对于红外辐射基本上不透明的材料。块可包括第一块，所述第一块安置于其中的屏蔽件的孔口可以是第一孔口，并且半导体处理系统可包括安置于屏蔽件的第二孔口中的第二块。第二块可以是或包括对红外辐射基本上透明的材料。
7.本技术的一些实施例可涵盖半导体处理腔室基座辐射屏蔽件。屏蔽件可包括陶瓷材料和块。屏蔽件可限定与屏蔽件的中心轴线同轴的中心孔口。屏蔽件可限定围绕中心孔口均匀间隔的多个孔口。块可延伸跨越多个孔口中的至少一个孔口。多个孔口可限定在由屏蔽件的半径的90％或更小的径向距离所限定的区域内。块可以是或包括对于红外辐射基本上不透明的材料。块可延伸跨越多个孔口的多个孔口。块可以是第一块，所述第一块延伸
跨越的至少一个孔口可以是第一孔口，并且屏蔽件可包括跨越屏蔽件的第二孔口延伸的第二块。第二块可以是对红外辐射基本上透明的材料。第二块可以是或包括石英或蓝宝石。
8.本技术的一些实施例可涵盖半导体处理的方法。方法可包括以下步骤：使含碳前驱物流入处理腔室中。处理腔室可包括面板和基板支撑件，基板设置于基板支撑件上。基板支撑件可延伸穿过处理腔室的底座。基板支撑件可包括支撑台板，基板设置于支撑台板上。基板支撑件可包括与支撑台板耦接的轴。基板支撑件可包括与基板支撑件的轴耦接的屏蔽件。屏蔽件可具有穿过屏蔽件限定的多个孔口。基板支撑件可包括覆盖多个孔口中的至少一个孔口的块。方法可包括以下步骤：在处理腔室内生成含碳前驱物的等离子体。方法可包括以下步骤：在基板上沉积含碳材料。
9.在一些实施例中，在方法期间，可将基板支撑件维持在至少约600℃的温度下。块可以是或包括对红外线基本上不透明的材料。块可在与块垂直偏移且轴向对准的位置处增加基板支撑件的局部温度。块可以是第一块，被第一块覆盖的至少一个孔口可以是第一孔口，基板支撑件可包括覆盖屏蔽件的第二孔口的第二块，并且第二块可以是对红外辐射基本上透明的材料。第二块可在与第二块垂直偏移且轴向对准的位置处降低基板支撑件的局部温度。
10.这样的技术可提供优于常规系统和技术的许多益处。例如，本技术的实施例可改善在整个基板上的温度均匀性。另外，部件可允许修改以适应任何数量的腔室或工艺。结合以下描述和附图更详细地描述了这些和其他实施例以及它们的许多优点和特征。
附图说明
11.可通过参考说明书的其余部分和附图来实现对所公开技术的本质和优点的进一步理解。
12.图1显示了根据本技术的一些实施例的示例性处理系统的俯视平面图。
13.图2显示了根据本技术的一些实施例的示例性等离子体系统的示意性横截面图。
14.图3显示了根据本技术的一些实施例的示例性处理腔室的示意性横截面图。
15.图4显示了根据本技术的一些实施例的腔室部件的示意性局部横截面图。
16.图5a至图5b显示了根据本技术的一些实施例的示例性辐射屏蔽件的示意性俯视平面图。
17.图5c至图5d显示了根据本技术的一些实施例的示例性屏蔽件块的示意性正视图。
18.图6显示了根据本技术的一些实施例的半导体处理的示例性方法的操作。
19.附图中的几个附图被包括作为示意图。应当理解，附图仅用于说明目的，且除非特别说明是按比例绘制的，否则不应视为按比例绘制的。另外，作为示意图，提供了附图以帮助理解，并且与实际表示相比，附图可能不包括所有方面或信息，并且出于说明目的，附图可能包括夸大的材料。
20.在附图中，相似的部件和/或特征可具有相同的附图标记。此外，相同类型的各种部件可通过在附图标记后面加上在相似部件之间进行区分的字母来进行区分。如果在说明书中仅使用第一附图标记，则描述适用于具有相同的第一附图标记的任何类似部件，而与字母无关。
f)以在基板上沉积介电材料，并且可使用第三对处理腔室(例如，108a-b)以蚀刻沉积的电介质。在另一种配置中，所有三对腔室(例如，108a-f)可配置成在基板上沉积交替的介电膜的堆叠。所描述的工艺中的任何一者或多者可在与不同实施例中所示的制造系统分开的腔室中进行。应当理解，系统100可构想用于介电膜的沉积、蚀刻、退火和固化腔室的另外的配置。
28.图2显示了根据本技术的一些实施例的示例性等离子体系统200的示意性横截面图。等离子体系统200可示出一对处理腔室108，这对处理腔室108可装配在上述的串联区段109中的一个或多个中，并且可包括根据本技术的实施例的面板或其他部件或组件。等离子体系统200通常可包括腔室主体202，腔室主体202具有限定一对处理区域220a和220b的侧壁212、底壁216和内侧壁201。处理区域220a-220b中的每一个可类似地配置，并且可包括相同的部件。
29.例如，处理区域220b的部件也可被包括在处理区域220a中，处理区域220b可包括通过形成在等离子体系统200的底壁216中的通道222而设置在处理区域中的基座228。基座228可提供加热器，所述加热器适配成将基板229支撑在基座的暴露表面(诸如，主体部分)上。基座228可包括加热元件232(例如电阻加热元件)，加热元件232可在期望的处理温度下加热并控制基板温度。基座228也可由远程加热元件(诸如灯组件)或任何其他加热装置加热。
30.基座228的主体可通过凸缘233耦接到杆226。杆226可将基座228与功率出口或功率箱203电耦合。功率箱203可包括驱动系统，所述驱动系统控制处理区域220b内的基座228的升高和移动。杆226还可包括用于向基座228提供电功率的电功率接口。功率箱203还可包括用于电功率和温度指示器的接口，诸如热电偶接口。杆226可包括适配成与功率箱203可拆卸地耦接的底座组件238。在功率箱203上方显示了周向环235。在一些实施例中，周向环235可为适配成用作机械止动件或平台的肩部，被配置成在底座组件238和功率箱203的上表面之间提供机械接口。
31.杆230可通过形成在处理区域220b的底壁216中的通道224而被包括在内，并且可用于定位穿过基座228的主体而设置的基板升降杆261。基板升降杆261可选择性地将基板229与基座间隔开，以促进利用机器人进行基板229的交换，所述机器人用于通过基板传送端口260将基板229移入和移出处理区域220b。
32.腔室盖204可与腔室主体202的顶部部分耦接。盖204可容纳耦接至其的一个或多个前驱物分配系统208。前驱物分配系统208可包括前驱物入口通道240，前驱物入口通道240可将反应物和清洁前驱物通过气体输送组件218输送到处理区域220b中。气体输送组件218可包括气体箱248，气体箱248具有设置在面板246中间的阻挡板244。射频(“rf”)源265可与气体输送组件218耦合，射频(“rf”)源265可为气体输送组件218提供功率，以促进在气体输送组件218的面板246和基座228之间产生等离子体区域，所述等离子体区域可以是腔室的处理区域。在一些实施例中，rf源可与腔室主体202的其他部分(诸如基座228)耦合，以促进等离子体的产生。介电隔离器258可设置在盖204和气体输送组件218之间，以防止向盖204传导rf功率。阴影环206可设置在与基座228接合的基座228的周边上。
33.可在气体分配系统208的气体箱248中形成可选的冷却通道247，以在操作期间冷却气体箱248。传热流体(诸如水、乙二醇、气体等)可循环通过冷却通道247，使得气体箱248
可维持在预定义的温度下。衬套组件227可紧邻腔室主体202的侧壁201、212设置在处理区域220b内，以防止侧壁201、212暴露于处理区域220b内的处理环境。衬套组件227可包括周向泵送腔225，周向泵送腔225可耦接至泵送系统264，泵送系统264配置成从处理区域220b排出气体和副产物并控制处理区域220b内的压力。多个排气端口231可形成在衬套组件227上。排气端口231可配置成允许气体以促进系统200内的处理的方式从处理区域220b流向周向泵送腔225。
34.图3显示了根据本技术的一些实施例的示例性处理系统300的示意性局部横截面图。图3可显示与系统200中的部件有关(诸如对于基座228)的进一步的细节。系统300应理解为包括先前在一些实施例中讨论的系统200的任何特征或方面。系统300可用于执行半导体处理操作，包括如前所述的硬掩模材料的沉积，以及其他沉积、移除和清洁操作。系统300可显示所讨论的腔室部件的局部视图并且可并入半导体处理系统中，并且可示出跨面板的中心的视图，所述面板在其他方面可为任何尺寸，并且包括任何数量的孔口。如本领域技术人员将容易理解的，系统300的任何方面也可与其他处理腔室或系统结合。
35.系统300可包括处理腔室，所述处理腔室包括面板305，前驱物可通过面板305输送以进行处理，并且面板305可与功率源耦合以在腔室的处理区域内产生等离子体。腔室还可包括腔室主体310，如图所示的腔室主体310可包括侧壁和底座。如先前讨论的，基座或基板支撑件315可延伸穿过腔室的底座。基板支撑件可包括支撑台板320，支撑台板320可支撑半导体基板322。支撑台板320可与轴325耦接，轴325可延伸穿过腔室的底座。系统300还可包括屏蔽件330(诸如热屏蔽件或辐射屏蔽件)，屏蔽件330可围绕基板支撑件315的轴325耦接或与基板支撑件315的轴325耦接。
36.如前所述，在任何处理腔室中都可能受到热均匀性的挑战，并且对于更高温度的工艺而言，辐射损失可能显著更大。继续前面解释的非限制性示例，一些碳膜沉积可在高于600℃或更高的温度下进行，这可促进碳自由基在基板表面上的吸附。为了维持这些处理温度，基板支撑件(诸如基板支撑件315)可包括一个或多个加热元件，这些加热元件可被启用以产生可以是高于或约500℃，并且可以是高于或约525℃、高于或约550℃、高于或约575℃、高于或约600℃、高于或约625℃、高于或约650℃、高于或约675℃、高于或约700℃、高于或约725℃、高于或约750℃、高于或约775℃、高于或约800℃或更高的基板或台板温度。
37.在可将基板和支撑件的各方面维持在较高的温度下的同时，可将腔室主体310维持在较低的温度，诸如低于或约100℃或更低。这可能会产生热沉(heat sink)，热沉可能影响在整个基板上的温度分布。例如，基板或支撑件的边缘区域可能对腔室的侧壁具有更高的损失，这可能会绕着基板径向地降低基板温度。这种径向带中的较低温度可能会产生第一种不均匀性，不均匀性可能存在于绕着基板的带中。类似地，如图所示，狭缝阀或腔室通路可通过腔室主体的一部分定位或限定。这个通路的特征可在于比腔室主体的其他方面更低的温度，这可能产生局部的热沉。这种区域中的较低温度可能产生平面不均匀性，其中基板的区段的特征可在于较低的温度。
38.基板处的温度可与膜的消光系数紧密相关，因此，在整个膜上的温度波动可能导致厚度变化，也可能导致在整个膜上的消光系数变化，这可能影响随后的光刻或蚀刻操作。结合在基板支撑件下方的屏蔽件330可至少部分地防止来自辐射热损失的热变化。通过利用对于辐射热损失可能更不透明的屏蔽件材料，屏蔽件也可保护对于腔室底座的损失。然
而，实心屏蔽件可能会引起温度均匀性的其他问题。
39.图4显示了根据本技术的一些实施例的腔室部件400的示意性局部横截面图，并且可显示上述基板支撑件315的局部视图。例如，附图显示了基板支撑件的支撑台板320的一部分，以及基座的杆或轴的一部分。基板322可设置在台板上，并且屏蔽件330可与轴325耦接。另外示出了流动路径402。流动路径402可以是通过轴325而被包括的通道，并且可在支撑台板的底部和屏蔽件之间输送净化气体。这可能会限制可能沉积在屏蔽件上并且可能难以清洁的沉积前驱物的侵入。如上所述，屏蔽件可提供热保护，以防止狭缝阀损失以及可能靠近底座的泵送区域的损失。然而，实心屏蔽件可能会受限于影响不均匀性的能力，并可能导致其他损失。在基板上方的是示出来自一些示例性沉积的膜沉积不均匀性的线段。如图所示，在晶片的中心处，沉积可能由于第一温度影响而降低，如区段405所示。例如，轴可能产生传导性热损失，这可能会降低中心温度。
40.另外，在边缘区域处，可能对于冷却器腔室壁发生较大的视界因子(view factor)，这可能会导致较大的辐射热损失，以及甚至降低的沉积，如区段415所示。尽管屏蔽件330可部分地减少这些影响，但相同的屏蔽件可能会在中间区域引起问题，如区段410所示。在基板的中间区域中，可能发生最少量的损失，并且与辐射屏蔽件的耦合最佳。因此，这个区域的温度可能最高，膜厚度也可能最高。这也可能影响膜的消光系数，随后消光系数可能会在整个膜上在中央、中间和边缘区域之间变化。第三和随机的影响可能包括腔室标志，其也可能影响腔室内温度轮廓和分布的任何方面。为了补偿所有这些影响，本技术的一些实施例可修改辐射屏蔽件以影响在整个基板上的温度分布。
41.图5a至图5b显示了根据本技术的一些实施例的示例性辐射屏蔽件的示意性俯视平面图。辐射屏蔽件可被包括在先前描述的任何腔室或系统以及可从屏蔽受益的任何其他腔室或系统中。辐射屏蔽件可包括穿过屏蔽件限定的多个孔口。孔口可控制来自基座的热分布，并且可提供受控的热损失，这可有助于改善在整个基板上的温度均匀性。孔口可向冷却器腔室底座提供视界因子，这可提供一定量的辐射冷却。虽然在较低的处理温度下这种冷却可能相对较小(尽管仍然存在)，但受控的发射路径可能有助于在较高温度的处理下进行温度控制。辐射屏蔽件可定位成与台板的底部相距约2mm与约30mm之间，并且可制造孔口图案以提供从较高温度区域的散热。热屏蔽件可为多种材料，并且在一些实施例中可以是或包括陶瓷材料。
42.如图5a所示，辐射屏蔽件505可具有中心孔口507，在中心孔口507处，屏蔽件可如前所述与基座轴耦接。应当理解，根据实施例的屏蔽件可包括任何数量的孔口，并且附图包括非限制性的孔口图案。例如，本技术所涵盖的屏蔽件可限定或包括大于或约25个孔口，并且可包括大于或约50个孔口、大于或约75个孔口、大于或约100个孔口、大于或约125个孔口、大于或约150个孔口、大于或约175个孔口、大于或约200个孔口、大于或约225个孔口、大于或约250个孔口、大于或约275个孔口、大于或约300个孔口、大于或约325个孔口、大于或约350个孔口、大于或约375个孔口、大于或约400个孔口或更多。屏蔽件可包括第一孔口图案，其中孔口510可在整个热屏蔽件上具有类似的尺寸。孔口可以均匀的图案分布在屏蔽件505的中间区域内。例如，孔口510可从中心孔口507径向向外开始第一距离。如图所示，其中屏蔽件可为实心的或没有限定孔口的第一径向距离可在最里面的孔口和中心孔口之间延伸，这可适应可能从轴发生的热损失。类似地，最外面的孔口可不朝着屏蔽件的端部区域延
伸，在端部区域处，屏蔽件可维持实心或不限定任何孔口，这可适应可能从侧壁发生的热损失。
43.相应地，最里面的孔口可维持与中心孔口的外径相距向外距离，所述向外距离为大于或约屏蔽件的半径的1％，并且可以是大于或约屏蔽件的半径的2％、大于或约所述半径的3％、大于或约所述半径的4％、大于或约所述半径的5％、大于或约所述半径的6％、大于或约所述半径的7％、大于或约所述半径的8％、大于或约所述半径的9％、大于或约所述半径的10％或更大。
44.另外，最外面的孔口可维持与屏蔽件的外边缘相距向内距离，所述向内距离为大于或约屏蔽件的半径的1％，并且可以是大于或约屏蔽件的半径的2％、大于或约所述半径的3％、大于或约所述半径的4％、大于或约所述半径的5％、大于或约所述半径的6％、大于或约所述半径的7％、大于或约所述半径的8％、大于或约所述半径的9％、大于或约所述半径的10％、大于或约所述半径的12％、大于或约所述半径的14％、大于或约所述半径的16％、大于或约所述半径的18％、大于或约所述半径的20％、大于或约所述半径的25％、大于或约所述半径的30％、大于或约所述半径的35％、大于或约所述半径的40％、大于或约所述半径的45％、大于或约所述半径的50％或更大。因此，多个孔口可限定在围绕屏蔽件的环形区域内，所述环形区域由小于或约为屏蔽件的半径的95％的径向距离限定，并且可由小于或约为半径的90％、小于或约85％、小于或约80％、小于或约75％、小于或约70％、小于或约65％、小于或约60％、小于或约55％、小于或约50％、小于或约45％、小于或约40％、小于或约35％、小于或约30％、小于或约25％、小于或约20％、小于或约15％或更小的径向距离限定。
45.孔口的特征可在于任何直径，并且可具有相似的尺寸，或者特征可在于不同的尺寸，如图5b所示，其中屏蔽件550可具有沿着梯度而设计尺寸的孔口555。可使用任何梯度，并且在一些实施例中，靠近轴的孔口的特征可在于具有比远离轴的孔口更大的直径，尽管也可使用相反的梯度。另外，靠近中心孔口并且靠近屏蔽件边缘的孔口的特征可在于直径小于沿屏蔽件的半径靠近中点的孔口的直径。
46.如所指出的，在一些实施例中，孔口的特征可在于任何直径，并且孔口中的任何孔口的特征可在于大于或约2mm的直径。孔口的特征可在于直径为大于或约2.5mm、大于或约3.0mm、大于或约3.5mm、大于或约4.0mm、大于或约4.5mm、大于或约5.0mm、大于或约5.5mm、大于或约6.0mm、大于或约6.5mm、大于或约7.0mm、大于或约7.5mm、大于或约8.0mm、大于或约8.5mm、大于或约9.0mm或更大。然而，随着孔口增加超过阈值，损失的量可能在基板上产生影响，诸如在膜形成中表现出的孔口的阴影。因此，在一些实施例中，孔口的特征可在于直径为小于或约10.0mm，并且特征可在于直径为小于或约9.5mm、小于或约9.0mm、小于或约8.5mm、小于或约8.0mm、小于或约7.5mm、小于或约7.0mm或更小。在一些实施例中，孔的尺寸和分布都可限制对晶片的影响。
47.如先前所解释的，一些不均匀性方面可以是平面的而不是径向的，并且腔室标志也可能提供围绕基板的不均匀性。因此，在一些实施例中，根据本技术的一些实施例的屏蔽件的特征可在于掩模(诸如一个或多个块512)，所述掩模可安置在屏蔽件的孔口中，可延伸跨越屏蔽件的孔口，或可覆盖屏蔽件的孔口。块可允许进一步微调从屏蔽件而分布的辐射损失。例如，在可能发生平面损失的地方(诸如靠近腔室壳体中的狭缝阀)，可在屏蔽件中包
括一个或多个块以限制损失，这可克服或至少部分地校正平面影响。块可为对红外辐射基本上不透明的材料(诸如氧化铝)，或可阻挡红外辐射损失的一些其他材料。例如，块512a对于辐射发射可为不透明的。
48.块也可对辐射发射部分地或基本上透明，诸如块512b。例如，可在一些孔口中使用石英、蓝宝石或可允许红外透射的其他材料。如先前所解释的，净化气体可在辐射屏蔽件和台板之间流动。当在辐射屏蔽件内包括孔口时，净化气体可能流过孔口，并且可能无法将沉积前驱物从区域充分阻挡，并且可能沉积难以清洁的材料。通过包括更多透明的块，可仍然提供针对性的热损失，同时维持通过区域的净化。如块512c所示，较大的块可以任何布置跨越多个孔口延伸，并且可包括延伸到被覆盖的一些或全部孔口中的插塞。屏蔽件505和550不旨在是限制性的，而仅示出了许多所涵盖的屏蔽件设计和配置的一些，这些设计和配置可提供用于处理腔室中的针对性的热损失的微调能力。
49.图5c至图5d显示了根据本技术的一些实施例的示例性屏蔽件块的示意性正视图。块可为所讨论的透明或不透明块的任一种。块不被认为限于任何特定的形状，而是可包括可在热屏蔽件的孔口内延伸的栓钉或插塞部分。例如，图5c中所示的块575可定位在单个孔口中，而图5d中所示的块575可跨越多个孔口延伸。块575可包括延伸到块可覆盖或延伸跨越的一些或全部孔口中的插塞。
50.图6显示了根据本技术的一些实施例的半导体处理的示例性方法600的操作。方法可在各种处理腔室(包括上述处理系统200)中执行，处理腔室可包括根据本技术的实施例的辐射屏蔽件，诸如先前讨论的任何屏蔽件。方法600可包括多个可选的操作，其可与或可不与根据本技术的方法的一些实施例具体相关联。
51.方法600可包括处理方法，所述处理方法可包括用于形成硬掩模膜的操作或其他沉积操作。方法可包括在方法600开始之前的可选操作，或者方法可包括另外的操作。例如，方法600可包括以与所示的顺序不同的顺序执行的操作。在一些实施例中，方法600可包括在操作605处使一种或多种前驱物流到处理腔室中。例如，前驱物可流进(诸如被包括在系统200中的)腔室中，并且可在将前驱物输送到腔室的处理区域中之前，使前驱物流过气体箱、阻挡板或面板中的一个或多个。在一些实施例中，前驱物可以是或包括含碳前驱物。
52.在一些实施例中，辐射屏蔽件可围绕基板支撑件(诸如围绕轴部分)而被包括在系统中，其中基板定位在屏蔽件上方的台板上。也可包括先前描述的辐射屏蔽件(包括屏蔽件505或550的任何方面)的其他特征中的任一者，诸如一个或多个块可被包括在穿过屏蔽件限定的孔口中。在操作610处，可(诸如通过向面板提供rf功率以产生等离子体)在处理区域内产生前驱物的等离子体。在操作615处，可将在等离子体中形成的材料(诸如，含碳材料)沉积在基板上。
53.在一些实施例中，可在处理之后在基板上进行测试。基于对基板的影响，在处理后续基板之前，可在辐射屏蔽件上调整一个或多个块。这可提供处理的前馈控制，这可限制由于腔室影响而导致的不均匀性造成的损失。基板支撑件可维持在高于或约600℃的温度下，或者在处理期间先前讨论的任何其他温度下。通过如上所述利用辐射屏蔽件和/或屏蔽件块，本技术可提供可微调的热屏蔽件，其可利用块进行修改以产生各种针对性的温度损失配置。如果需要的话，这些配置可允许对工艺的选择性微调，以及基于在工艺之间的对块放置的调整的重新配置。
54.在前面的描述中，出于解释的目的，已经阐述了许多细节以便提供对本技术的各种实施例的理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，可在没有这些细节的一些或具有另外的细节的情况下实施某些实施例。
55.已经公开了几个实施例，本领域技术人员将认识到，在不背离实施例的精神的情况下，可使用各种修改、替代配置和等效物。另外，为了避免不必要地混淆本技术，没有描述许多公知的工艺和元件。因此，以上描述不应被视为限制本技术的范围。
56.在提供值的范围的情况下，应理解的是，除非上下文另外明确指出，否则也特别地公开了在此范围的上限和下限之间的每个中间值，直至下限单位的最小分数。涵盖了在阐明的范围中的任何阐明的值或未阐明的中间值与此阐明的范围中的任何其他阐明的值或中间值之间的任何较窄范围。那些较小范围的上限和下限可独立地在此范围中被包括或排除，并且在较小范围中的上下限中的任一者、两者都不或两者都被包括的每个范围也涵盖在本技术内，受限于阐明的范围中任何明确排除的限值。在阐明的范围包括限值中的一者或两者的情况下，还包括排除那些包括的限值中的任一者或两者的范围。
57.如本文中和所附权利要求中所使用的，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”包括复数引用，除非上下文另外明确指出。因此，例如，对“一加热器”的引用包括多个这样的加热器，而对“所述孔口”的引用包括对一个或多个孔口及其本领域技术人员已知的等效物的引用等等。
58.而且，当在本说明书和所附权利要求中使用时，词语“包含(comprise(s))”、“包含(comprising)”、“含有(contain(s))”、“含有(containing)”、“包括(include(s))”和“包括(including)”旨在指定所阐明的特征、整数、部件或操作的存在，但是它们不排除一个或多个其他特征、整数、部件、操作、动作或群组的存在或增加。