OLED显示面板及其制备方法与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种oled显示面板及其制备方法。

背景技术：

oled具有轻薄、功耗低等众多优点，逐渐成为目前的主流显示技术。oled显示装置的核心是显示面板，图1为oled显示面板10的膜层结构图，oled显示面板10包括阳极层11，第一公共层(空穴注入层)12，第二公共层(空穴传输层)13，发光材料层14，第三公共层(电子传输层)15，第四公共层(电子注入层)16，阴极层17。

oled面板的工作原理是阳极层11和阴极层17在电场的作用下，空穴通过空穴注入层12和空穴传输层13传输到发光材料层14，电子通过电子注入层16和电子传输层15传输到发光材料层14，空穴和电子在发光材料层14内复合而发光。其中，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层均由整面的掩膜板蒸镀形成，覆盖整个像素区。由于空穴注入层和空穴传输层具有良好的导电性，在控制某个发光像素发光时，空穴由阳极向阴极流动的同时也会产生横向的泄漏电流，经空穴传输层和空穴注入层到达相邻的发光子像素，从而造成其他颜色发光像素发光，从而引起发光不纯，降低了显示面板的显示效果，例如发光材料层14形成有r子像素、g子像素和b子像素，阳极层11包括阳极层11r、阳极层11g和阳极层11b，阳极层11r、阳极层11g和阳极层11b分别给r子像素、g子像素和b子像素提供不同电压的空穴，若不同电压值下空穴在对应的子像素下方发生横向流动，将影响r子像素、g子像素和b子像素出光的原始亮度和色彩，造成显示色偏。

综上所述，现有的oled显示面板中的空穴注入层和空穴传输层具有良好的导电性，在控制某个发光像素发光时，空穴由阳极向阴极流动的同时也会产生横向的泄漏电流，经空穴传输层和空穴注入层到达相邻的发光像素，从而造成其他颜色发光像素发光，从而引起发光不纯，降低了显示面板的显示效果，需要改进。

技术实现要素：

本发明提供一种oled显示面板，能够解决现有的oled显示面板中的空穴注入层和空穴传输层具有良好的导电性，在控制某个发光像素发光时，空穴由阳极向阴极流动的同时也会产生横向的泄漏电流，经空穴传输层和空穴注入层到达相邻的发光像素，从而造成其他颜色发光像素发光，从而引起发光不纯，降低了显示面板的显示效果的技术问题。

本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种oled显示面板，该oled显示面板至少包括像素定义层和位于所述像素定义层的像素开口内的发光器件，所述发光器件包括阳极、位于阳极之上的空穴注入层和空穴传输层、位于所述空穴注入层和所述空穴传输层之上的发光材料层、位于发光材料层之上的电子传输层和电子注入层、以及位于所述电子传输层和所述电子注入层之上的阴极层。

其中，所述像素定义层上还设置有光致形变层，所述光致形变层避开所述发光器件设置，所述光致形变层至少在形成所述空穴注入层和所述空穴传输层时发生形变以抬升部分所述空穴注入层和部分所述空穴传输层的高度，以使所述空穴注入层和所述空穴传输层在所述光致形变层与所述阳极层的连接处断开。

根据本发明一优选实施例，所述光致形变层的材料为偶氮苯基聚合物。

根据本发明一优选实施例，所述空穴注入层和所述空穴传输层均为同层制备，均形成有高度差的隔断结构，且所述隔断结构位于所述光致形变层两侧。

根据本发明一优选实施例，位于所述光致形变层上的所述空穴传输层贴合于所述电子传输层设置。

根据本发明一优选实施例，所述光致形变层还在形成所述电子传输层和所述电子注入层时发生形变，以阻断所述电子传输层和所述电子注入层的连续性。

依据上述oled显示面板，本发明还提供一种oled显示面板的制备方法，所述方法包括：

步骤s10，提供基底，在所述基底上制备阳极层，在所述阳极层上制备像素定义层，在所述像素定义层上制备光致形变层，其中，所述像素定义层间隔设置以形成像素区。

步骤s20，在所述阳极层和所述光致形变层上采用同一个的掩膜板形成整面的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和所述空穴传输层覆盖所述像素定义层和整个所述像素区，所述空穴注入层和所述空穴传输层在所述光致形变层与所述阳极层的连接处断开。

步骤s30，在所述空穴传输层上制备发光材料层，在所述发光材料层上制备电子传输层和电子注入层、在所述电子注入层上制备阴极层。

根据本发明一优选实施例，步骤s10的光致形变层采用化学气相沉积成膜后进行刻蚀、采用蒸镀或转印的方式制备。

根据本发明一优选实施例，步骤s20具体包括：

步骤s201，采用紫外光源照射光致形变层，待所述光致形变层向上突出至预设高度后，以使所述光致形变层与所述阳极层形成预设高度差，继续保持所述紫外光源光照。

步骤s202，在所述阳极层和所述光致形变层上采用同一个掩膜板依次形成整面的空穴注入层和空穴传输层。

步骤s203，去除所述紫外光源光照，更换绿光源照射光照光致形变层，使其恢复至原状，完成所述空穴注入层和所述空穴传输层的制备。

根据本发明一优选实施例，所述绿光源的波长为380nm至460nm范围内，所述紫外光源的波长为172nm至190nm范围内。

根据本发明一优选实施例，所述空穴注入层的材料为酞菁铜(cupc)，所述空穴传输层的材料为联萘二苯基磷(c44h32n2)，所述电子注入层和所述电子传输层的材料为氟化锂(lif)。

本发明的有益效果：本发明实施例提供一种oled显示面板，该oled显示面板包括：基底；形成于基板上的阳极层，阳极层具有多个阳极电极；形成于阳极层上的像素定义层，像素定义层间隔设置以形成像素区；形成于像素定义层上的形变层，形变层的材料为偶氮苯基聚合物，形变层在特定波长范围的光照射下可以发生形态伸缩的动态变化；在阳极层背离基底的表面依次形成的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层和阴极层；发光材料层对应于像素区设置，空穴注入层和空穴传输层均覆盖像素定义层和整个像素区，空穴注入层和空穴传输层在光致形变层与阳极层的连接处断开。本发明通过形变层在特定波长光的照射下发生伸缩的动态变化，从而在制备空穴注入层和空穴传输层的过程中阻断其连续性，从而使相邻的像素不会通过空穴注入和空穴传输层连接，进而在点亮某一子像素时，其相邻子像素不会因为空穴的泄漏而产生漏光的现象，从而提高了oled显示面板显示的均一性。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的oled显示面板的膜层结构示意图。

图2为本发明提供一种oled显示面板的一种膜层结构示意图。

图3为本发明提供一种oled显示面板的另一种膜层结构示意图。

图4为本发明提供一种oled显示面板的又一种膜层结构示意图。

图5为本发明提供一种oled显示面板的制备流程示意图。

图6至图10为本发明提供一种oled显示面板的制备流程中的结构示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示，图中虚线表示在结构中并不存在的，仅仅说明结构的形状和位置。

本发明针对现有的oled显示面板的中的空穴注入层和空穴传输层具有良好的导电性，在控制某个发光像素发光时，空穴由阳极向阴极流动的同时也会产生横向的泄漏电流，经空穴传输层和空穴注入层到达相邻的发光像素，从而造成其他颜色发光像素发光，从而引起发光不纯，降低了显示面板的显示效果的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。

如图2所示，本发明实施例提供一种oled显示面板的一种膜层结构示意图。该oled显示面板100包括基底101以及位于基底101上的像素定义层103，像素定义层103间隔设置以形成像素开口，像素开口内的发光器件包括阳极102、位于阳极102之上的空穴注入层105和空穴传输层106、位于空穴注入层105和空穴传输层106之上的发光材料层107、位于发光材料层107之上的电子传输层108和电子注入层109、以及位于电子传输层108和电子注入层109之上的阴极层201。本实施例的发光器件优选为顶发光器件，阳极102优选为遮光金属，例如铜和钼；阴极201优选为透明金属，例如ito电极。

其中，像素定义层103上还设置有光致形变层104，光致形变层104避开发光器件设置，光致形变层104至少在形成空穴注入层105和空穴传输层106时发生形变、用于抬升位于光致形变层104上的空穴注入层105和空穴传输层106的高度，以使空穴注入层105和空穴传输层106在光致形变层104与阳极层102的连接处断开。其中，光致形变层104的材料优选为偶氮苯基聚合物，在其他实施例中的光致形变层104的材料还可以为三苯基甲烷衍生物、肉桂酸-丙烯酯类共聚物和偶氮苯累化合物中的一种或一种以上材料。

本实施例的像素定义层103形成于阳极层102上，像素定义层103间隔设置以形成多个像素区，发光器件设置在像素区内，相邻的两个像素区通过像素定义层103间隔开。阳极层102包括多个阳极电极，例如第一阳极电极1021和第二阳极电极1022。像素定义层103包括第一像素定义层1031、第二像素定义层1032和第三像素定义层1033，第一像素定义层1031和第二像素定义层1032之间形成第一像素区(图中未标记)，第二像素定义层1032和第三像素定义层1033之间形成第二像素区(图中未标记)，第一阳极电极1021位于第一像素区内，第二阳极电极1022位于第二像素区内。光致形变层104截面形状优选为四边形。光致形变层104包括第一子形变层1041、第二子形变层1042和第三子形变层1043。第一子形变层1041位于第一像素定义层1031表面，第二子形变层1042位于第二像素定义层1032表面，第三子形变层1043位于第三像素定义层1033表面。

本实施例的空穴注入层105和空穴传输层106均同层制备，采用同一个掩膜板同一道光罩制备而成，可节约oled显示面板100的制造成本。由于光致变形层104与阳极层102形成有段差，空穴注入层105和空穴传输层106制备完成之后，形成有高度差的隔断结构，且隔断结构位于光致形变层104两侧，从而在制备空穴注入层105和空穴传输层106的过程中阻断其连续性，以此阻止相邻的不同颜色像素的空穴通过空穴注入层和空穴传输层横向流动的现象发生，进而在点亮某一子像素时，其相邻子像素不会因为空穴的泄漏而产生漏光的现象，从而提高了oled显示面板100显示的均一性。

具体地，空穴注入层105包括第一空穴注入层1051、第二空穴注入层1052、第三空穴注入层1053、第四空穴注入层1054以及第五空穴注入层1055，空穴传输层106包括第一空穴传输层1061、第二空穴传输层1062、第三空穴传输层1063、第四空穴传输层1064以及第五空穴传输层1065，第一空穴注入层1051位于第一阳极电极1021上，第一空穴传输层1061位于第一空穴注入层1051上，第二空穴注入层1052位于第二阳极电极1022上，第二空穴传输层1062位于第二空穴注入层1052上，第三空穴注入层1053位于第一子形变层1041上，第三空穴传输层1063位于第三空穴注入层1053上，第四空穴注入层1054位于第二子形变层1042上，第四空穴传输层1064位于第四空穴注入层1054上，第五空穴注入层1055位于第三子形变层1043上，第五空穴传输层1065位于第五空穴注入层1055上，第三空穴注入层1053和第三空穴传输层1063与第一空穴注入层1051和第一空穴传输层1061均在第一子形变层1041与第一阳极电极1021的侧面断开，其他的膜层叠加和断开关系在图2可以清晰看出，跟上述断开截面类似，此处不再赘述。

第一空穴传输层1061上设置有第一发光层1071，第二空穴传输层1062上设置有第二发光层1072，第一发光层1071和第二发光层1072上依次整层平铺有电子传输层108、电子注入层109和阴极层201，阴极层201上制备有封装层202。位于光致形变层104上的空穴传输层贴合于电子传输层108设置，例如第三空穴传输层1063、第四空穴传输层1064以及第五空穴传输层1065分别与电子传输层108贴合设置。封装层202为无机层与有机层叠加膜层。

本实施例中的基底101优选为薄膜晶体管基板，其他实施例还可以为无薄膜晶体管的驱动电路层，本实施例的薄膜晶体管阵列基板包括衬底、位于衬底上的缓冲层、设置于缓冲层上的多个驱动薄膜晶体管、以及设置于多个驱动薄膜晶体管上的平坦化层，平坦化层上设置有过孔，衬底优选为黄色和透明聚酰亚胺叠加膜层，该驱动薄膜晶体管的源极与外接电源的正极相连。阳极层102位于基底101表面，阳极层102具有第一阳极电极1021和第二阳极电极1022，第一阳极电极1021和第二阳极电极1022分别与一个驱动薄膜晶体管的漏极电性连接，由于第一阳极电极1021和第二阳极电极1022对应的不同颜色的子像素，两个驱动薄膜晶体管的漏极对第一阳极电极1021和第二阳极电极1022时间不同的电压值。柔性印刷电路板贴附有相应驱动芯片，外接电源的负极通过绑定区，将相应电性号传递到电源走线层，最后电源走线层将相应电性号传递到阴极层201上，外接电源为阴极层201和阳极层102提供所需要的电压，产生对应发光材料层所需要电压下的空穴和电子。

如图3所示，本发明实施例提供一种oled显示面板的另一种膜层结构示意图。本实施例中的光致形变层104包括第一子形变层1041、第二子形变层1042和第三子形变层1043，第一子形变层1041、第二子形变层1042和第三子形变层1043上均未设置空穴层，空穴层包括空穴注入层105和空穴传输层106，空穴注入层105仅包括第一像素区的第一子空穴注入层1051和第二像素区的第二子空穴注入层1052，空穴传输层106仅包括第一像素区的第一子空穴传输层1061和第二像素区的第二子空穴传输层1062，空穴注入层105和空穴传输层106直接在光致形变层104上隔断，其他的结构跟图2类似，此处不再赘述。

如图4所示，本发明实施例提供一种oled显示面板的又一种膜层结构示意图。图4在图3的基础上进一步延伸光致形变层104，以使光致形变层104贯穿电子传输层108和电子注入层109，即光致形变层104还在形成电子传输层108和电子注入层109时发生形变，以阻断电子传输层108和电子注入层109的连续性。本实施例中的光致形变层104包括第一子形变层1041、第二子形变层1042和第三子形变层1043，空穴层包括空穴注入层105和空穴传输层106，空穴注入层105仅包括第一像素区的第一子空穴注入层1051和第二像素区的第二子空穴注入层1052，空穴传输层106仅包括第一像素区的第一子空穴传输层1061和第二像素区的第二子空穴传输层1062，电子传输层108包括第一像素区的第一子电子传输层1081和第二像素区的第二子电子传输层1082，电子注入层109包括第一像素区的第一子电子注入层1091和第二像素区的第二子电子注入层1092，光致形变层104贯穿空穴注入层105、空穴传输层106、电子传输层108和电子注入层109，具体细节在图4可以清晰看出，其他的结构跟图2类似，此处不再赘述。本实施例中的相邻的子像素不会通过空穴注入和空穴传输层连接，且不会通过电子注入和电子传输层连接，进一步提高子像素的独立性，提高oled显示面板100出射光的均一性。

如图5所示，依据上述图2中的oled显示面板结构，本发明还提供一种oled显示面板的制备方法，所述方法包括：

步骤s10，提供基底，在所述基底上制备阳极层，在所述阳极层上制备像素定义层，在所述像素定义层上制备光致形变层，其中，所述像素定义层间隔设置以形成像素区。

步骤s20，在所述阳极和所述光致形变层上采用同一个的掩膜板形成整面的空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层和所述空穴传输层覆盖所述像素定义层和整个所述像素区，所述空穴注入层和所述空穴传输层在所述光致形变层与所述阳极层的连接处断开。

步骤s30，在所述空穴传输层上制备发光材料层，在所述发光材料层上制备电子传输层和电子注入层、在所述电子注入层上制备阴极层。

优选地，步骤s10的光致形变层采用化学气相沉积成膜后进行刻蚀、采用蒸镀或转印的方式制备。

优选地，步骤s20具体包括：步骤s201，采用紫外光源照射光致形变层，待所述光致形变层向上突出至预设高度后，以使所述光致形变层与所述阳极层形成预设高度差，继续保持所述紫外光源光照。步骤s202，在所述阳极层和所述光致形变层上采用同一个掩膜板依次形成整面的空穴注入层和空穴传输层。步骤s203，去除所述紫外光源光照，更换绿光源照射光照形变层，使其恢复至原状，完成空穴层的制备。

优选地，所述绿光源的波长为380nm至460nm范围内，所述紫外光源的波长为172nm至190nm范围内。优选地，所述空穴注入层的材料为酞菁铜(cupc)，所述空穴传输层的材料为联萘二苯基磷(c44h32n2)，所述电子注入层和所述电子传输层的材料为氟化锂(lif)的材料为氟化锂(lif)。

具体地，图6至9和图2为本发明还提供一种oled显示面板的制备方法的流程中结构示意图。如图6所示，提供基底101，在基底101上制备阳极层102，在阳极层102上制备像素定义层103，基底101优选为薄膜晶体管基板，阳极层102包括第一阳极电极1021和第二阳极电极1022，像素定义层103包括第一像素定义层1031、第二像素定义层1032和第三像素定义层1033，第一像素定义层1031和第二像素定义层1032之间形成有第一像素区10211，第二像素定义层1032和第三像素定义层1033之间形成有第二像素区10221。

如图7所示，采用化学气相沉积成膜后进行刻蚀、采用蒸镀或转印的方式制备光致形变层104，光致形变层104包括第一子形变层1041、第二子形变层1042和第三子形变层1043，第一子形变层1041、第二子形变层1042和第三子形变层1043分别位于第一像素定义层1031、第二像素定义层1032和第三像素定义层1033上。如图8和9所示，采用紫外光源s1照射光致形变层104，待光致形变层104向上突出至预设高度后，以使光致形变层104与阳极层102形成预设高度差，继续保持紫外光源s1光照，在阳极层102和光致形变层104上采用同一个掩膜板依次整面形成空穴注入层105和空穴传输层106。如图10所示，去除紫外光源s1光照，更换绿光源s2照射光照形变层，使其恢复至原状，完成空穴注入层105和空穴传输层106的制备。如图2所示，在空穴层上制备发光材料层107，在发光材料层107上制备电子传输层108和电子注入层109、在电子注入层109上制备阴极层201，在阴极层201上制备封装层202。

本发明实施例提供一种oled显示面板及其制备方法，该oled显示面板包括基底、位于基底上的阳极层、位于阳极层上的像素定义层、位于像素定义层上的光致变形层、位于阳极层和光致形变层上的空穴注入层和空穴传输层、位于空穴注入层和空穴传输层上的发光材料层、位于发光材料层上的电子传输层和电子注入层、以及位于电子传输层和电子注入层上的阴极层；其中，空穴层在光致形变层与阳极层的连接处断开。从而使相邻的像素不会通过空穴注入和空穴传输层连接，进而在点亮某一子像素时，其相邻子像素不会因为空穴的泄漏而产生漏光的现象，从而提高了oled显示面板显示的均一性。

综上，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。