技术特征：
1.一种三维芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供至少两片晶圆；在所述至少两片晶圆之间形成真实混合键合部以及虚拟混合键合部；所述至少两片晶圆通过所述真实混合键合部及所述虚拟混合键合部连接；所述真实混合键合部用于所述两片晶圆之间的信号传输，所述虚拟混合键合部无任何信号传输。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述至少两片晶圆之间形成虚拟混合键合部，包括：在所述三维芯片中一晶圆的介质层与另一晶圆的介质层之间形成所述虚拟混合键合部。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述至少两片晶圆之间形成虚拟混合键合部，包括：根据所述真实混合键合部的分布间距，确定所述虚拟混合键合部的分布位置；基于所述虚拟混合键合部的分布位置在所述至少两片晶圆之间形成虚拟混合键合部。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述真实混合键合部的分布间距，确定所述虚拟混合键合部的分布位置，包括：若确定相邻两个真实混合键合部之间的分布间距满足预设的第一距离阈值时，在相邻两个真实混合部之间设置相应数量的所述虚拟混合键合部的分布位置。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述真实混合键合部的分布间距，确定所述虚拟混合键合部的分布位置，包括：若确定相邻两个真实混合键合部区域之间的分布间距为第二距离阈值时，在相邻两个真实混合键合部区域之间的非真实混合键合部区域中，按照预设的虚拟混合键合部的分布间距确定所述虚拟混合键合部的分布位置。6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，虚拟混合键合部间距大于真实混合键合部间距；所述虚拟混合键合部间距包括两个相邻的所述虚拟混合键合部之间的分布间距，所述真实混合键合部间距包括两个相邻的所述真实混合键合部之间的分布间距。7.一种三维芯片，其特征在于，所述三维芯片包括：至少两片晶圆；所述晶圆之间设置有真实混合键合部以及虚拟混合键合部；所述真实混合键合部用于实现所述晶圆之间的电性连接；所述真实混合键合部用于所述两片晶圆之间的信号传输，所述虚拟混合键合部无任何信号传输。8.根据权利要求7所述的三维芯片，其特征在于，所述虚拟混合键合部位于所述三维芯片中一晶圆的介质层与另一晶圆的介质层之间。9.根据权利要求7所述的三维芯片，其特征在于，若相邻两个真实混合键合部之间的分布间距满足预设的第一距离阈值时，相邻真实混合键合部之间设置有相应数量的所述虚拟混合键合部。10.根据权利要求7所述的三维芯片，其特征在于，若确定相邻两个真实混合键合部区域之间的分布间距为第二距离阈值时，相邻两个真实混合键合部区域之间的非真实混合键合部区域中设置有多个所述虚拟混合键合部。11.根据权利要求7所述的三维芯片，其特征在于，虚拟混合键合部间距大于真实混合
键合部间距；所述虚拟混合键合部间距包括两个相邻的所述虚拟混合键合部之间的分布间距，所述真实混合键合部间距包括两个相邻的所述真实混合键合部之间的分布间距。
技术总结
本发明提供一种三维芯片的制备方法及三维芯片，方法包括：提供至少两片晶圆；在至少两片晶圆之间形成真实混合键合部及虚拟混合键合部；至少两片晶圆通过真实混合键合部及混合键合部连接；真实混合键合部用于两片晶圆之间的信号传输，虚拟混合键合部无任何信号传输；如此，两片晶圆之间的热量可通过虚拟键合部传输至基板，基板再通过球栅阵列式封装BGA将热量传递至基板外部，提高三维芯片的散热效果；因虚拟混合键合部可同时分散应力，减轻单个真实混合键合部承受的应力，避免真实混合键合部对应的介质层开裂；另外，多个虚拟混合键合部可提高混合键合部分布的均匀性，在向两片晶圆之间填充SiO2时，避免填充空洞，确保器件的整体性能。体性能。体性能。
技术研发人员：王慧梅
受保护的技术使用者：西安紫光国芯半导体有限公司
技术研发日：2021.08.27
技术公布日：2023/3/2