技术特征：
1.一种宽带可重构天线馈电系统，其特征在于，包括：功分器，用于将输入信号分成两路子信号；定向耦合器组件，包括第一定向耦合器和第二定向耦合器，所述第一定向耦合器与第二定向耦合器均与所述功分器的两个信号输出端相连，以用于接收对应的所述子信号，所述第一定向耦合器与第二定向耦合器同时与信号输出端口相连，用于输出信号；分支线式加载型移相器，用于产生宽带微带线45
°
相位差，与定向耦合器组合使用；二极管组件，其包括多个二极管，所述多个二极管至少与所述第一定向耦合器和第二定向耦合器相连；以及控制器，其至少与所述多个二极管相连，以通过控制所述多个二极管的导通或断开至少调整所述第一定向耦合器和第二定向耦合器的端口反射系数，使所述第一定向耦合器和第二定向耦合器分别形成目标移相器。2.根据权利要求1所述的宽带可重构天线馈电系统，其特征在于，所述第一定向耦合器及第二定向耦合器均具有用于增加带宽的矩形缺陷地结构。3.根据权利要求1所述的宽带可重构天线馈电系统，其特征在于，所述第一定向耦合器包括第一端口、第二端口、第三端口及第四端口，所述第一端口与第二端口位于所述第一定向耦合器的第一侧，所述第一端口与所述功分器的一所述信号输出端相连，所述第二端口与网络信号输出端口相连，所述第三端口与第四端口位于所述第一定向耦合器的第二侧，并分别与所述多个二极管和分支线式加载型移相器连接，以具有相同反射系数，所述第一定向耦合器的反射功率在所述第一端口相抵消，并在所述第二端口处叠加输出；所述第二定向耦合器与所述第一定向耦合器的设置结构及连接关系相同，所述第二定向耦合器与所述第一定向耦合器镜像对称设置。4.根据权利要求3所述的宽带可重构天线馈电系统，其特征在于，所述第一定向耦合器与第二定向耦合器的第三端口的引出线上均连有第一二极管组件，其包括依次连接的第一二极管、第二二极管及第三二极管，所述第四端口的引出线上均连有第二二极管组件，其包括依次连接的第四二极管、第五二极管及第六二极管，所述第一定向耦合器与第二耦合器的第二端口分别通过一引线引出，形成所述信号输出端口。5.根据权利要求3所述的宽带可重构天线馈电系统，其特征在于，所述控制器通过控制所述多个二极管组件全部处于断开状态时，所述第一定向耦合器与第二定向耦合器的第三端口与第四端口的反射系数均为1，相位差均为0
°
；当所述控制器通过控制第一二极管处于导通状态而其余二极管处于断开状态时，所述第三端口与第四端口的反射系数均为
‑
1，相位差均为180
°
，所述第一定向耦合器与第二定向耦合器在所述控制器的控制下分别形成0
°
/180
°
移相器。6.根据权利要求5所述的宽带可重构天线馈电系统，其特征在于，所述第二二极管及第三二极管间、第五二极管及第六二极管间均连有分支线式加载型移相器，连有所述分支线移相器的所述第一定向耦合器与第二定向耦合器的第三端口与第四端口的相位差为45
°
；所述控制器通过控制所述第一二极管及第三二极管处于断开状态而第二二极管处于导通状态，使得所述分支线移相器两端口的反射系数为1，相位差为90
°
，并通过控制所述第一二极管处于断开状态而第二二极管及第三二极管处于导通状态，使得所述分支线移相器两端口的反射系数为
‑
1，相位差为
‑
90
°
，进而使所述分支线移相器形成
±
90
°
移相器。
7.根据权利要求5所述的宽带可重构天线馈电系统，其特征在于，所述控制器控制所有所述二极管处于断开状态时，所述第一定向耦合器与第二耦合器的第二端口分别与一所述信号输出端口相连，所述信号输出端口形成水平极化端口；所述控制器控制各所述第二二极管、第三二极管、第五二极管及第六二极管处于断开状态，并控制各所述第一二极管及第四二极管处于导通状态时，所述信号输出端口形成垂直极化端口。8.根据权利要求5所述的宽带可重构天线馈电系统，其特征在于，所述控制器控制各所述第一二极管、第三二极管、第四二极管及第六二极管处于断开状态，并控制各所述第二二极管及第五二极管处于导通状态时，所述信号输出端口形成左旋圆极化端口；所述控制器控制各所述第一二极管及第四二极管处于断开状态，并控制各所述第二二极管、第三二极管、第五二极管及第六二极管处于导通状态时，所述信号输出端口形成右旋圆极化端口。9.根据权利要求1所述的宽带可重构天线馈电系统，其特征在于，所述信号输出端口与双极化天线相连。10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1
‑
9中任一项所述的宽带可重构天线馈电系统。
技术总结
本发明提供一种宽带可重构天线馈电系统，包括：功分器，用于将输入信号分成两路子信号；定向耦合器组件，包括第一定向耦合器和第二定向耦合器，第一定向耦合器与第二定向耦合器均与功分器的两个信号输出端相连，以用于接收对应的子信号，第一定向耦合器与第二定向耦合器同时与信号输出端口相连，用于输出信号；分支线式加载型移相器，用于产生宽带微带线45
技术研发人员：袁文韬 张德平 许庆华 黄昭宇 江云 熊哲 赵方伟 钱雯涛 罗桃红 李濛
受保护的技术使用者：湖南国科雷电子科技有限公司
技术研发日：2021.08.30
技术公布日：2021/11/28