通讯用半导体整流桥的制作方法

1.本实用新型涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种通讯用半导体整流桥。


背景技术：

2.近年来电源类产品小型化、轻量化发展的趋势越来越显著，对贴片式整流桥产品的功率密度也提出了更高的要求。现有封装结构受限于产品内部空间，难以封装更大尺寸的芯片，限制了整流桥产品功率密度的提升。现有封装结构主要存在以下缺陷：封装大尺寸芯片时，芯片间距不足，有芯片碰撞到一起导致产品失效的风险。


技术实现要素：

3.本实用新型目的是提供一种通讯用半导体整流桥，该通讯用半导体整流桥既可以避免芯片之间、芯片与基板之间碰撞引起的产品失效问题，又可以改善注塑成型时环氧对基板的冲击力。
4.为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种通讯用半导体整流桥，包括：包覆于环氧封装体内的第一芯片基板、第二芯片基板和一端自环氧封装体中伸出的第一引脚、第二引脚，所述第一芯片基板包括第一支撑区和垂直于第一支撑区一端的第一引线区，所述第二芯片基板包括与第一支撑区平行间隔设置的第二支撑区和垂直于第二支撑区一端并位于第一支撑区远离第一引线区一端外侧的第二引线区，所述第二引线区靠近第二支撑区的一端具有一向下的第一折弯部，从而在第一折弯部两侧形成上水平部和下水平部，且位于第一支撑区外侧的所述下水平部的上表面在竖直方向上低于第一支撑区的下表面，所述第一支撑区的上表面间隔设置有第三芯片、第四芯片，所述第一支撑区上位于第三芯片、第四芯片之间的区域开有一通孔。
5.上述技术方案中进一步改进的方案如下：
6.1. 上述方案中，所述第三芯片位于第一支撑区靠近第二引线区的一端。
7.2. 上述方案中，所述第三芯片靠近第二引线区一侧向外延伸出第一支撑区。
8.3. 上述方案中，所述第三芯片延伸至第二引线区靠近第一支撑区一侧边缘处的上方。
9.4. 上述方案中，所述下水平部靠近环氧封装体边缘区域具有一向下的第二折弯部，使得下水平部伸出环氧封装体区域的下表面与环氧封装体的下表面齐平。
10.由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：
11.本实用新型通讯用半导体整流桥，其通过第二芯片基板与第一芯片基板邻近部分，即第二引线区上的第一折弯部的设置，将在水平方向上相互靠近的两个芯片基板在竖直方向上做了空间分离，使得芯片可以设置于芯片基板的边缘处，在不增大产品结构的同时增加第三芯片、第四芯片之间的距离并可以在其之间开设通孔，既可以避免芯片之间、芯片与基板之间碰撞引起的产品失效问题，又可以改善注塑成型时环氧对基板的冲击力，避免对环氧内壁结构以及芯片的损伤，从而提高产品整体的加工良率和长期使用过程中的稳
定性。
附图说明
12.附图1为本实用新型通讯用半导体整流桥的结构示意图；
13.附图2为图1中a-a向剖视图。
14.以上附图中：1、环氧封装体；2、第一芯片基板；21、第一支撑区；22、第一引线区；3、第二芯片基板；31、第二支撑区；32、第二引线区；4、第一引脚；5、第二引脚；61、第一芯片；62、第二芯片；63、第三芯片；64、第四芯片；7、连接片；8、第一折弯部；91、上水平部；92、下水平部；10、第二折弯部；13、通孔。
具体实施方式
15.下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
16.实施例1：一种通讯用半导体整流桥，包括：包覆于环氧封装体1内的第一芯片基板2、第二芯片基板3和一端自环氧封装体1中伸出的第一引脚4、第二引脚5，所述第一芯片基板2包括第一支撑区21和垂直于第一支撑区21一端的第一引线区22，所述第二芯片基板3包括与第一支撑区21平行间隔设置的第二支撑区31和垂直于第二支撑区31一端并位于第一支撑区21远离第一引线区22一端外侧的第二引线区32，所述第二引线区32靠近第二支撑区31的一端具有一向下的第一折弯部8，从而在第一折弯部8两侧形成上水平部91和下水平部92，且位于第一支撑区21外侧的所述下水平部92的上表面在竖直方向上低于第一支撑区21的下表面，上、下水平部之间的高差为0.1cm；
17.所述第一支撑区21的上表面间隔设置有第三芯片63、第四芯片64，所述第一支撑区21上位于第三芯片63、第四芯片64之间的区域开有一通孔13；上述第三芯片63位于第一支撑区21靠近第二引线区32的一端；上述第三芯片63靠近第二引线区32一侧向外延伸出第一支撑区21；
18.上述下水平部92靠近环氧封装体1边缘区域具有一向下的第二折弯部10，使得下水平部92伸出环氧封装体1区域的下表面与环氧封装体1的下表面齐平，第二折弯部两侧的高差为0.2cm；上述第一芯片基板2、第二芯片基板3为铜基板。
19.实施例2：一种通讯用半导体整流桥，包括：包覆于环氧封装体1内的第一芯片基板2、第二芯片基板3和一端自环氧封装体1中伸出的第一引脚4、第二引脚5，所述第一芯片基板2包括第一支撑区21和垂直于第一支撑区21一端的第一引线区22，所述第二芯片基板3包括与第一支撑区21平行间隔设置的第二支撑区31和垂直于第二支撑区31一端并位于第一支撑区21远离第一引线区22一端外侧的第二引线区32，所述第二引线区32靠近第二支撑区31的一端具有一向下的第一折弯部8，从而在第一折弯部8两侧形成上水平部91和下水平部92，且位于第一支撑区21外侧的所述下水平部92的上表面在竖直方向上低于第一支撑区21的下表面，上、下水平部之间的高差为0.1cm；
20.所述第一支撑区21的上表面间隔设置有第三芯片63、第四芯片64，所述第一支撑区21上位于第三芯片63、第四芯片64之间的区域开有一通孔13，上述第三芯片63延伸至第二引线区32靠近第一支撑区21一侧边缘处的上方；
21.上述第二芯片基板3的上表面上间隔设置有第一芯片61、第二芯片62且该第一芯
片61、第二芯片62各自的正极与第一芯片基板2电导通，上述第一芯片基板2的上表面上间隔设置有第三芯片63、第四芯片64且该第三芯片63、第四芯片64各自的负极与第二芯片基板3电导通，上述第一芯片61的负极、第三芯片63的正极通过一连接片7与第一引脚4位于环氧封装体1内的一端电连接，上述第二芯片62的负极、第四芯片64的正极通过另一连接片7与第二引脚5位于环氧封装体1内的一端电连接。
22.采用上述通讯用半导体整流桥时，其通过第二芯片基板与第一芯片基板邻近部分，即第二引线区上的第一折弯部的设置，将在水平方向上相互靠近的两个芯片基板在竖直方向上做了空间分离，使得芯片可以设置于芯片基板的边缘处，在不增大产品结构的同时增加第三芯片、第四芯片之间的距离并可以在其之间开设通孔，既可以避免芯片之间、芯片与基板之间碰撞引起的产品失效问题，又可以改善注塑成型时环氧对基板的冲击力，避免对环氧内壁结构以及芯片的损伤，从而提高产品整体的加工良率和长期使用过程中的稳定性。
23.上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。