技术特征：
1.一种用于生产光学装置(200)的方法(400)，其中，该方法(400)具有以下步骤：提供(410)衬底(210)，在该衬底的第一主表面(212)上布置有用于发射电磁辐射(250，255)的多个发射器件(220)，其中，该衬底(210)被设计为发光二极管晶片和/或由蓝宝石或氮化镓形成，并且至少对于由这些发射器件(220)发射的辐射(250，255)的一个发射波长是透明的；在该衬底(210)的第一主表面(212)的一侧上施加(420)吸收材料(230)，其中，该吸收材料(230)具有至少吸收该发射波长的可光致结构化抗蚀剂；处理(430)该吸收材料(230)，以便裸露每个发射器件(220)的至少一个发射表面(227)，其中，从该衬底(210)的与该第一主表面(212)相反的第二主表面(214)实施要裸露表面的位置确定；以及借助于分离制造工艺将该衬底(210)分割(440)成多个光学装置(200)，其中，每个光学装置(200)具有至少一个发射器件(220)。2.如权利要求1所述的方法(400)，其特征在于，在该处理步骤(430)中，该吸收材料(230)使用光掩模曝光、使用显影剂材料显影、并且至少在该至少一个发射表面(227)的区域中被去除。3.如前述权利要求中任一项所述的方法(400)，其特征在于，在该处理步骤(430)中，处理该吸收材料(230)以便裸露每个发射器件(220)的电连接表面(224，229)和/或至少一个分割边界。4.如前述权利要求中任一项所述的方法(400)，其特征在于，在该提供步骤(410)中，提供在其第二主表面(214)上创建有用于该位置确定的调整标记的衬底(210)，或者其特征为在该衬底(210)的第二主表面(214)上创建用于该位置确定的调整标记的步骤(402)。5.如前述权利要求中任一项所述的方法(400)，其特征在于，在该提供步骤(410)中，提供其第二主表面(214)被抛光的衬底(210)，或者其特征为抛光该衬底(210)的第二主表面(214)的步骤(404)。6.如前述权利要求中任一项所述的方法(400)，其特征为在分割该衬底(210)的步骤(440)之后使用灌封材料灌封每个光学装置(200)的衬底(210)的侧边缘的步骤(450)，其中，该灌封材料至少吸收该发射波长。7.如前述权利要求中任一项所述的方法(400)，其特征在于，在该提供步骤(410)中，提供具有借助于半导体技术工艺制造的发射器件(220)的衬底(210)，或者其特征为借助于半导体技术工艺在该衬底(210)上加工发射器件(220)的步骤(406)，其中，在该半导体技术工艺中，n掺杂外延层(222)布置在该衬底(210)的第一主表面(212)上，作为第一电连接表面(224)的n接触金属(223)、以及有源发射层(225)布置在该n掺杂外延层(222)上，该有源发射层(225)被p掺杂外延层(226)覆盖，并且p接触金属(228)布置在该p掺杂外延层(226)上作为第二电连接表面(229)。8.一种光学装置(200)，该光学装置具有以下特征：至少一个发射器件(220)，用于发射电磁辐射(250，255)；衬底(210)，在该衬底的第一主表面(212)上布置有该至少一个发射器件(220)，其中，该衬底(210)被设计为发光二极管晶片和/或由蓝宝石或氮化镓形成，并且至少对于由该至少一个发射器件(220)发射的辐射(250，255)的一个发射波长是透明的；以及
吸收材料(230)，该吸收材料被施加在该衬底(210)的第一主表面(212)的一侧上，其中，该吸收材料(230)具有至少吸收该发射波长的可光致结构化抗蚀剂，其中，该至少一个发射器件(220)的至少一个发射表面(227)从该吸收材料(230)裸露出。
技术总结
用于生产光学装置(200)的方法，提供衬底(210)，在该衬底的第一主表面(212)布置用于发射电磁辐射(250，255)的多个发射器件(220)。衬底(210)设计为发光二极管晶片和/或由蓝宝石或氮化镓形成，且至少对由发射器件(220)发射的辐射(250，255)的一个发射波长为透明。该方法在衬底(210)的第一主表面(212)一侧施加吸收材料(230)，其具有至少吸收发射波长的可光致结构化抗蚀剂。该方法处理吸收材料(230)以裸露各发射器件(220)至少一发射表面(227)，由此从衬底(210)与第一主表面(212)相反的第二主表面(214)实施要裸露表面的位置确定。该方法借助分离制造法将衬底(210)分割成多个光学装置(200)，该各装置(200)具有至少一发射器件(220)。(220)。(220)。
技术研发人员：丹尼尔
受保护的技术使用者：业纳光学系统有限公司
技术研发日：2021.07.07
技术公布日：2023/3/17