1.量子比特元件(1)，包括
2.根据前述权利要求中任一项所述的量子比特元件(1)，还包括由应变硅形成的基层(6)，所述基层布置在所述量子阱结构(2)和所述背栅(14)之间。
3.根据权利要求2所述的量子比特元件(1)，还包括由二氧化硅构成的绝缘层(7)，所述绝缘层在所述基层(6)的与所述量子阱结构(2)相反的一侧上与所述基层(6)毗邻。
4.根据前述权利要求中任一项所述的量子比特元件(1)，还包括具有凹槽(13)的晶片(11)，其中，所述背栅(14)布置在所述凹槽(13)内。
5.根据前述权利要求中任一项所述的量子比特元件(1)，其中，所述量子阱结构(2)沿所述第一方向(x)具有三个连续层(8，9，10)，其中中间层(9)由应变硅形成，且其中剩余两层(8，10)分别由硅和锗形成。
6.根据前述权利要求中任一项所述的量子比特元件(1)，还包括磁体(12)，所述磁体逆所述第一方向(x)与所述量子阱结构(2)间隔布置。
7.根据前述权利要求中任一项所述的量子比特元件(1)，其中，所述背栅(14)至少部分被磁化。
8.根据前述权利要求中任一项所述的量子比特元件(1)的应用，其中，对所述电极布置(4)如此施加电压，使得在所述量子阱结构(2)的所述量子阱(3)中形成量子点(5)。
9.根据权利要求8所述的应用，其中，所述量子点(5)中的电荷载流子的自旋用于实现量子比特。
10.用于制造量子比特元件(1)的方法，包括：