技术特征：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成包括多个电子集成电路(eic)的第一晶圆；形成包括多个光子集成电路(pic)的第二晶圆；以及将所述第一晶圆接合至所述第二晶圆以形成第一堆叠晶圆，其中，将所述第一晶圆接合至所述第二晶圆包括将所述多个电子集成电路的每个与所述多个光子集成电路中的一个垂直对准。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个光子集成电路的每个包括光电二极管、波导和调制器。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个电子集成电路没有光电二极管、波导和调制器。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接合包括通过混合接合将所述第一晶圆接合至所述第二晶圆。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述第一晶圆接合至所述第二晶圆之后，所述第一晶圆上的所述多个电子集成电路的每个电耦接至所述第二晶圆上的所述多个光子集成电路中的一个以形成光学引擎。6.根据权利要求5所述的方法，还包括：实施管芯切割工艺以将所述第一堆叠晶圆切割成多个管芯，所述多个管芯的每个包括多个光学引擎。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成包括多个高性能计算(hpc)集成电路的第三晶圆；将所述第三晶圆接合至所述第一堆叠晶圆以形成第二堆叠晶圆，从而使得所述多个高性能计算集成电路的每个电耦接至所述多个电子集成电路的若干电子集成电路；以及实施管芯切割工艺以将所述第二堆叠晶圆切割成多个管芯。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述多个管芯的每个包括：一个高性能计算集成电路；若干所述电子集成电路；以及若干所述光子集成电路。9.一种形成半导体器件的方法，包括：形成包括多个电子集成电路(eic)的第一晶圆；形成包括多个光子集成电路(pic)的第二晶圆；形成包括多个高性能计算(hpc)集成电路的第三晶圆；将所述第一晶圆接合至所述第二晶圆以形成第一堆叠晶圆；将所述第一堆叠晶圆接合至所述第三晶圆以形成第二堆叠晶圆；以及蚀刻所述第二堆叠晶圆以在所述多个光子集成电路的每个上方形成光信号开口。10.一种半导体器件，包括：第一衬底，包括一个高性能计算集成电路(hpcic)；第二衬底，包括多个电子集成电路(eic)并且直接接合至所述第一衬底；以及第三衬底，包括多个光子集成电路(pic)并且直接接合至所述第二衬底。
技术总结
提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的方法包括：形成包括多个电子集成电路(EIC)的第一晶圆；形成包括多个光子集成电路(PIC)的第二晶圆；将第一晶圆接合至第二晶圆以形成第一堆叠晶圆。将第一晶圆接合至第二晶圆包括将多个EIC的每个与多个PIC中的一个垂直对准。直对准。直对准。
技术研发人员：林志旻 徐宏仁 杨敦年
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.01.29
技术公布日：2022/9/30