显示面板及其制作方法、显示装置与流程

显示面板及其制作方法、显示装置
【技术领域】
1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。


背景技术：

2.相对于液晶显示(liquid crystal display，lcd)面板，有机电致发光显示(organic light emitting diode，oled)面板具有自发光、发光效率高、功耗低、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被广泛应用在各类电子设备中。
3.在现有技术中，oled显示面板进行画面显示时，如果仅需要部分像素区域被点亮，理想状态下，不应被点亮的像素区域应处于完全的不发光状态。但由于被点亮的像素区域和与其相邻的像素区域之间存在较强的漏电流，因而会导致原本相邻的不应被点亮的像素区域在漏电流的作用下微微发亮，进而出现子像素偷亮的问题，影响显示效果。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板及其制作方法、显示装置，用以改善子像素偷亮的问题。
5.一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括多个像素区域和至少位于相邻两个所述像素区域之间的非像素区域；
6.所述显示面板还包括：
7.衬底；
8.位于衬底一侧的发光器件层，所述发光器件层包括有机公共层；
9.位于所述非像素区域的第一开口，所述第一开口包括第一侧壁和第二侧壁，其中，所述第一侧壁来自第一膜层，所述第二侧壁来自第二膜层，所述第一膜层和所述第二膜层分别位于所述有机公共层朝向所述衬底的一侧，所述有机公共层在所述第一开口内凹陷。
10.另一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，用于制作上述显示面板，包括：
11.在衬底上形成第一膜层和第二膜层，其中，所述第一膜层的第一侧壁和所述第二膜层的第二侧壁形成位于非像素区域的第一开口；
12.在所述第一膜层和所述第二膜层背向所述衬底的一侧形成发光器件层，所述发光器件层包括有机公共层，所述有机公共层在所述第一开口内凹陷。
13.再一方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
14.上述技术方案中的一个技术方案具有如下有益效果：
15.面板结构中传统的开口是通过对单个膜层刻蚀而成的，这类开口的侧壁均来自同一膜层。受限于当前的工艺能力，该类开口的形貌存在较大限制，例如，该类开口多为底部宽度和顶部宽度均较大的倒梯形开口，相应的体积也较大。
16.而本发明实施例中的第一开口则与上述开口不同，本发明实施例中的第一开口的侧壁来自两个不同的膜层，此时，通过调整两个膜层的侧壁与底面之间的倾斜角度、两个膜
层的相对位置关系以及两个膜层的刻蚀面积等，可以灵活调整第一开口中第一侧壁和第二侧壁的倾斜程度和第一侧壁与第二侧壁之间的距离等，从而实现对第一开口的形状、体积等参数的灵活调控。例如，本发明实施例可以利用两个膜层去形成一个体积很小的、趋于呈v型结构的狭缝状第一开口。如此一来，当有机公共层在该第一开口内凹陷时，第一开口底部的这部分膜层会存在应力集中点，使这部分膜层在膜层本征应力、高温、外力作用下发生自然断裂，进而形成断开区，将相邻两个像素区域之间的有机公共层隔断，有效避免了相邻像素区域中空穴和电子的相互流动。这样，当仅需要控制部分像素区域点亮时，被点亮的这部分像素区域就不会再向相邻的像素区域传输空穴和电子，从而避免相邻的像素区域出现偷亮的问题。换句话说，本发明实施例中可以基于目前的工艺能力，利用开口去隔断相邻像素区域间的有机公共层，对相邻像素区域间的空穴和电子的流动进行有效阻隔。
17.此外，发光器件层还包括位于有机公共层背向衬底一侧的阴极，由于本发明实施例可以形成体积更小的第一开口，因此，随着多个有机公共层在第一开口内凹陷，有机公共层可以对第一开口进行较大程度的填充，后续形成阴极时，可以保证阴极在第一开口处是连续的，从而避免阴极断开，提高阴极的连续性。
【附图说明】
18.为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
19.图1为现有技术中显示面板的一种剖视图；
20.图2为本发明实施例所提供的显示面板的一种剖视图；
21.图3为本发明实施例所提供的显示面板的一种俯视图；
22.图4为本发明实施例所提供的显示面板的另一种剖视图；
23.图5为本发明实施例所提供的第一开口的一种结构示意图；
24.图6为本发明实施例所提供的有机公共层中断开区的一种俯视图；
25.图7为本发明实施例所提供的第一开口的另一种结构示意图；
26.图8为本发明实施例所提供的第一开口的尺寸示意图；
27.图9为本发明实施例所提供的第一膜层和第二膜层的一种结构示意图；
28.图10为本发明实施例所提供的显示面板的再一种剖视图；
29.图11为本发明实施例所提供的第一膜层和第二膜层的另一种结构示意图；
30.图12为本发明实施例所提供的显示面板的又一种剖视图；
31.图13为本发明实施例所提供的像素区域和第一开口的一种俯视图；
32.图14为图13沿a1-a2方向的剖视图；
33.图15为本发明实施例所提供的像素区域和第一开口的另一种俯视图；
34.图16为图15沿b1-b2方向的剖视图；
35.图17为本发明实施例所提供的像素区域的另一种排布示意图；
36.图18为本发明实施例所提供的填充层的一种结构示意图；
37.图19为本发明实施例所提供的第一开口的一种俯视图；
38.图20为本发明实施例所提供的第一开口的另一种俯视图；
39.图21为本发明实施例所提供的第一开口的再一种俯视图；
40.图22为本发明实施例所提供的台阶结构的一种结构示意图；
41.图23为本发明实施例所提供的台阶结构的另一种结构示意图；
42.图24为本发明实施例所提供的有机公共层的一种结构示意图；
43.图25为本发明实施例所提供的制作方法的一种流程图；
44.图26为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图；
45.图27为图26对应的一种工艺流程图；
46.图28为图26对应的另一种工艺流程图；
47.图29为本发明实施例所提供的另一种工艺流程图；
48.图30为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构示意图。
【具体实施方式】
49.为了更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明实施例进行详细描述。
50.应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
51.在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
52.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
53.在阐述本发明实施例所提供的技术方案之前，本发明首先对现有技术中导致子像素偷亮的原因进行阐述：
54.如图1所示，图1为现有技术中显示面板的一种剖视图，显示面板包括衬底101、位于衬底101一侧的发光器件层102，发光器件层102包括：阳极103；位于阳极103背向衬底101一侧的像素定义层104，像素定义层104包括用于限定像素区域110的开口；位于像素定义层104背向衬底101一侧的空穴传输层105；位于开口内的发光层106；位于发光层106背向衬底101一侧的电子传输层107和位于电子传输层107背向衬底101一侧的阴极108。其中，空穴传输层105和电子传输层107为整层覆盖的膜层，即覆盖像素区域110还覆盖非像素区域111。
55.在控制像素区域110点亮时，该像素区域110内的阳极103和阴极108分别接收相应的驱动电压，此时，空穴经由空穴传输层105迁移至发光层106，电子经由电子传输层107也迁移至该像素区域110内的发光层106，空穴和电子在发光层106中相遇形成激子，激子使发光层106中的发光分子激发进而发出可见光。
56.然而，由于空穴传输层105和电子传输层107是整层覆盖的，即，相邻像素区域110之间的有机公共层也是连接在一起的，那么，当仅需控制部分像素区域110被点亮时，被点亮的像素区域110内注入到空穴传输层105中的空穴和注入到电子传输层107中的电子会分别沿着空穴传输层105和电子传输层107迁移至相邻的、不应被点亮的像素区域110的发光
层106中，进而使不应被点亮的像素区域110发亮，导致出现子像素偷亮的现象。
57.为改善偷亮问题，发明人在研究过程中发现，如图2所示，图2为本发明实施例所提供的显示面板的一种剖视图，可以在像素定义层104上设置凹槽109，从而使空穴传输层105和电子传输层107在凹槽109内凹陷，增大相邻像素区域110之间的这部分有机公共层的延伸长度，进而增大这部分有机公共层的阻抗，抑制相邻像素区域110间的电子/空穴的迁移能力。
58.但经发明人进一步研究，仅增大有机公共层阻抗，虽然能够在一定程度上改善漏流问题，但改善效果并不显著。
59.对此，本发明实施例进一步提供了一种显示面板，如图3所示，图3为本发明实施例所提供的显示面板的一种俯视图，显示面板包括多个像素区域1和至少位于相邻两个像素区域1之间的非像素区域2。其中，像素区域1可理解为子像素的开口区，即发光层所在的区域，非像素区域2则理解为子像素的非开口区。
60.如图4和图5所示，图4为本发明实施例所提供的显示面板的另一种剖视图，图5为本发明实施例所提供的第一开口的一种结构示意图，显示面板还包括：衬底3；位于衬底3一侧的发光器件层4，发光器件层4包括有机公共层5；位于非像素区域2的第一开口6，第一开口6包括第一侧壁7和第二侧壁8，其中，第一侧壁7来自第一膜层9，第二侧壁8来自第二膜层10，第一膜层9和第二膜层10分别位于有机公共层5朝向衬底3的一侧。
61.需要强调的是，本发明实施例中第一开口6是由第一膜层9和第二膜层10这两个不同膜层的侧壁限定出来的。第一膜层9和第二膜层10为分别利用不同成膜工艺形成的两个膜层，例如，可以先利用第一次成膜工艺形成第一膜层9，再利用第二次成膜工艺形成第二膜层10，或者，也可以先利用第一次成膜工艺形成第二膜层10，再利用第二次成膜工艺形成第一膜层9。
62.如若从另一个角度来阐述第一开口6，可以为：显示面板还包括位于衬底3朝向有机公共层5一侧的辅助膜层，辅助膜层包括第一膜层9和第二膜层10，辅助膜层还包括位于非像素区的第一开口6，第一开口6的第一侧壁7属于第一膜层9，第一开口6的第二侧壁8属于第二膜层10。
63.面板结构中传统的开口，例如图2所示的凹槽109通常是通过对单个膜层刻蚀而成的，这类开口的侧壁均来自同一膜层。受限于当前的工艺能力，该类开口的形貌存在较大限制，例如，该类开口多为底部宽度和顶部宽度均较大的倒梯形开口，相应的体积也较大。
64.而本发明实施例中的第一开口6则与上述开口不同，本发明实施例中的第一开口6的侧壁来自两个不同的膜层，此时，通过调整两个膜层的侧壁与底面之间的倾斜角度、两个膜层的相对位置关系以及两个膜层的刻蚀面积等，可以灵活调整第一开口6中第一侧壁7和第二侧壁8的倾斜程度、第一侧壁7与第二侧壁8之间的距离等，从而实现对第一开口6的形状、体积等参数的灵活调控。例如，本发明实施例可以利用两个膜层去形成一个体积很小的、趋于呈v型结构的狭缝状第一开口6。如此一来，当有机公共层5在该第一开口6内凹陷时，第一开口6底部的这部分膜层会存在应力集中点，使这部分膜层在膜层本征应力、高温、外力作用下发生自然断裂，进而形成断开区11，将相邻两个像素区域1之间的有机公共层5隔断，有效避免了相邻像素区域1中空穴和电子的相互流动。
65.这样，当仅需要控制部分像素区域1点亮时，被点亮的这部分像素区域1就不会再
向相邻的像素区域1传输空穴和电子，从而避免相邻的像素区域1出现偷亮的问题。换句话说，本发明实施例中可以基于目前的工艺能力，利用开口去隔断相邻像素区域1间的有机公共层5，对相邻像素区域1间的空穴和电子的流动进行有效阻隔。
66.此外，再次参见图4，发光器件层4还包括位于有机公共层5背向衬底3一侧的阴极34，由于本发明实施例可以利用第一膜层9和第二膜层10去形成体积更小的第一开口6，因此，随着多个有机公共层5在第一开口6内凹陷，有机公共层5可以对第一开口6进行较大程度的填充，后续形成阴极34时，可以保证阴极34在第一开口6处是连续的，从而避免阴极34断开，提高阴极34的连续性。
67.在一种可行的实施方式中，再次参见图5，有机公共层5包括断开区11，在垂直于衬底3所在平面的方向上，断开区11与第一开口6交叠，以有效隔断相邻像素区域1内的有机公共层5，避免不同像素区域1之间的空穴和电子的相互流动。
68.在一种可行的实施方式中，再次参见图5，第一侧壁7和第二侧壁8为第一开口6相对的两个侧壁，从而能够利用第一侧壁7和第二侧壁8对第一开口6的形貌进行更好的限定，更利于形成狭缝状的第一开口6，使有机公共层5在第一开口6的底部更易存在应力集中点。
69.进一步地，第一开口6至少位于相邻两个像素区域1之间。第一侧壁7和第二侧壁8为第一开口6在第一方向x上相对的两个侧壁，且第一侧壁7和第二侧壁8至少在第一方向x上交叠，第一方向x为第一开口6所在非像素区域2两侧的像素区域1的排列方向。此时，如图6所示，图6为本发明实施例所提供的有机公共层5中断开区11的一种俯视图，有机公共层5在第一开口6底部断开时，有机公共层5在第一开口6底部所形成的断开区11是沿着与第一方向x相交的第二方向y延伸的，从而更利于阻隔第一方向x上相邻两个像素区域1之间的空穴和电子的相互流动。
70.进一步地，再次参见图5，沿有机公共层5指向衬底3的方向：第一侧壁7朝向第二侧壁8倾斜，第二侧壁8朝向第一侧壁7倾斜。换句话说，沿有机公共层5指向衬底3的方向，第一侧壁7与第二侧壁8在第一方向x上的距离递减，即，第一开口6的宽度递减，从而有助于减小第一开口6的底部宽度，当有机公共层5在第一开口6内凹陷时，有机公共层5在第一开口6底部所受应力较大，发生断裂的可能性就更高。
71.进一步地，如图7所示，图7为本发明实施例所提供的第一开口6的另一种结构示意图，第一侧壁7和第二侧壁8相交，也就是第一侧壁7和第二侧壁8的底侧相接触，此时，第一开口6为v型的狭缝结构，第一开口6底部为尖角，有机公共层5更易在第一开口6底部断裂。
72.需要说明的是，有机公共层5的厚度很薄，一般都在纳米级别，在显示面板的工艺制程中，受到工艺能力的影响，在膜层侧壁上沉积的有机公共层5还会进一步减薄，尤其是越往第一开口6底部，有机公共层5的厚度越小，这样不仅使第一开口6底部的有机公共层5更容易在应力作用下发生断裂，而且有机公共层5断裂之后，第一侧壁7和第二侧壁8上延伸的有机公共层5也不会发生接触，使有机公共层5被有效断开。
73.在一种可行的实施方式中，如图8所示，图8为本发明实施例所提供的第一开口6的尺寸示意图，第一膜层9包括靠近衬底3的第一底面13，第一侧壁7与第一底面13之间的夹角为a1，60
°
＜a1＜90
°
，第二膜层10包括靠近衬底3一侧的第二底面14，第二侧壁8与第二底面14之间的夹角为a2，60
°
＜a2＜90
°
。
74.发光器件层4还包括位于有机公共层5背向衬底3一侧的阴极34，在第一方向x上，
第一侧壁7与第二侧壁8之间的最大距离为l1，l1＜2
×
d1，d1为阴极34和有机公共层5的膜厚之和，第一方向x为第一开口6所在非像素区域2两侧像素区域1的排列方向。
75.需要说明的是，本发明实施例中所述的阴极34和有机公共层5的膜厚可以理解为像素区域1内的这部分阴极34和有机公共层5的膜厚，若有机公共层5有多个，d1为阴极34和多个有机公共层5的膜厚之和。
76.本发明实施例通过将l1设定在2
×
d1以内，在a1和a2在60
°
～90
°
范围内的前提下，第一开口6的顶部宽度l1和l2均不会很大，此时可以将第一开口6的形貌被限定为一个趋于v型结构的一个很窄的狭缝，使第一开口6底部的有机公共层5更容易存在应力集中点，从而更易断开。
77.此外，通过将第一开口顶部宽度l1设计为小于两倍的阴极34和有机公共层5的膜厚之和，可以避免第一开口6的顶部过宽，当一个或多个有机公共层5在第一开口6内凹陷时，第一侧壁7和第二侧壁8上延伸的有机公共层5可以将第一开口6基本填平，后续形成阴极34时，阴极34不会在第一开口6内发生较深的凹陷，从而可以减小阴极34在第一开口6处的起伏，更大程度的保证阴极34的连续性，避免34阴极断开。
78.进一步地，请再次参见图8，在第一方向x上，第一侧壁7与第二侧壁8之间的最小距离为l2，l2＞2
×
d2，d2为有机公共层5的膜厚，若有机公共层5有多个，d2为多个有机公共层5的膜厚之和。此时，有机公共层5在第一开口6底部断开时，可以避免第一侧壁7和第二侧壁8上延伸的有机公共层5在底部相接触，更有利于实现对空穴和电子的阻隔。
79.在一种可行的实施方式中，如图9所示，图9为本发明实施例所提供的第一膜层9和第二膜层10的一种结构示意图，第二膜层10位于第一膜层9背向衬底3的一侧。第一膜层9包括第一凹槽15，第二膜层10包括第二凹槽16，在垂直衬底3所在平面的方向上，第二凹槽16的部分与第一凹槽15的部分交叠，且部分第二膜层10在第一凹槽15内凹陷。其中，在第一凹槽15内凹陷的第二膜层10的侧壁为第二侧壁8，第一膜层9中与第二侧壁8相对的侧壁为第一侧壁7。
80.在上述设置方式中，第一膜层9和第二膜层10为异层设置的两个膜层，通过使第一开口6由两个膜层中的凹槽错位形成，除了可以更好的形成v型狭缝状的第一开口6以使有机公共层5发生断裂以外，暴露在第二凹槽16内的这部分第一膜层9和位于其上方的第二膜层10之间会形成具有起伏的台阶状表面，相较于在单个膜层中设置凹槽的方式，本发明实施例可以更大程度的增大在非像素区域2内延伸的这部分有机公共层5的长度，进而更大程度的增大这部分有机公共层5的阻抗，更有效的抑制像素区域1的空穴和电子向四周流动。
81.在一种可行的实施方式中，请再次参见图4，发光器件层4还包括位于有机公共层5朝向衬底3一侧的像素定义层17，像素定义层17包括第二开口18，第二开口18用于限定像素区域1。显示面板还包括位于像素定义层17朝向衬底3一侧的平坦化层19，其中，第一膜层9为平坦化层19，第二膜层10为像素定义层17。
82.在面板结构中，平坦化层19用于实现膜层的平坦化，因而通常具有较大厚度，通过将平坦化层19复用为第一膜层9，可以利用平坦化层19形成具有更大深度的第一开口6，有机公共层5除了在第一开口6底部发生断裂以外，还容易在平坦化层19的顶面和第一侧壁7的交界处也发生断裂，将有机公共层5进行多处断开，更大程度地阻隔相邻像素区域1间空穴和电子的流动。而且，由于在非像素区域2内，有机公共层5与像素定义层17直接接触，因
此平坦化层19复用为第一膜层9、像素定义层17复用为第二膜层10时，有机公共层5可直接在二者所形成的第一开口6内凹陷，有机公共层5下方没有其它膜层，因此有机公共层5在第一开口6底部更易具有尖角，应力更加集中，因而也更易发生断裂。
83.此外，通过令平坦化层19复用为第一膜层9，像素定义层17复用为第二膜层10，仅需改变像素定义层17和平坦化层19对应的掩模板图案即可在平坦化层19上刻蚀出第一凹槽15以及在像素定义层17上刻蚀出第二凹槽16，不仅无需增设新的工艺流程，工艺成本较低。而且还不会导致面板整体厚度的增加，更利于实现显示面板的轻薄化设计。
84.或者，在另一种可行的实施方式中，如图10和图11所示，图10为本发明实施例所提供的显示面板的再一种剖视图，图11为本发明实施例所提供的第一膜层9和第二膜层10的另一种结构示意图，发光器件层4还包括位于有机公共层5朝向衬底3一侧的像素定义层17，像素定义层17包括第二开口18，第二开口18用于限定像素区域1。显示面板还包括平坦化层19和第一绝缘层20，平坦化层19位于像素定义层17朝向衬底3的一侧，第一绝缘层20位于平坦化层19朝向衬底3的一侧；其中，第一膜层9为第一绝缘层20，第二膜层10为平坦化层19。
85.需要说明的是，再次参见图10，显示面板还包括电路器件层21，电路器件层21包括沿远离衬底3方向依次设置的半导体层22、第一金属层23、第二金属层24和第三金属层25。其中，半导体层22用于形成晶体管的有源层，第一金属层23用于形成晶体管的栅极，第二金属层24用于形成晶体管的第一极和第二极，第三金属层25用于形成与晶体管电连接的电源信号线。平坦化层19位于第三金属层25背向衬底3的一侧，第一绝缘层20可以为第二金属层24与第三金属层25之间的绝缘层。
86.由于平坦化层19厚度较大，因而将平坦化层19复用为第二膜层10时，第二侧壁8的延伸长度较大，有机公共层5除了在第一开口6底部发生断裂以外，还容易在平坦化层19的顶面和第二侧壁8的交界处也发生断裂，从而更大程度的阻隔相邻像素区域1间空穴和电子的流动。
87.此外，通过令第一绝缘层20复用为第一膜层9，平坦化层19复用为第二膜层10，仅需改变第一绝缘层20和平坦化层19对应的掩模板图案，即可在第一绝缘层20上刻蚀出第一凹槽15以及在平坦化层19上刻蚀出第二凹槽16，不仅无需增设新的工艺流程，工艺成本较低，而且还不会导致面板整体厚度的增加，更利于实现显示面板的轻薄化设计。
88.进一步地，再次参见图11，像素定义层17还包括第三开口26，在垂直于衬底3所在平面的方向上，第三开口26至少暴露第一开口6。此时，像素定义层17不会在平坦化层19和第一绝缘层20所形成的第一开口6内凹陷，在形成有机公共层5之间，可以避免像素定义层17对第一开口6进行填充，使有机公共层5在第一开口6底部更易发生断裂。而且，上述三个膜层所构成的整体的凹槽深度更大，因此非像素区域2之间的有机公共层5的延伸长度更大，阻抗更高。
89.进一步地，再次参见图11，在垂直于衬底3所在平面的方向上，第二凹槽16位于第三开口26内，此时，像素定义层17和平坦化层19之间可形成台阶状，从而进一步增大非像素区域2内有机公共层5的阻抗，更大程度的抑制像素区域1的空穴和电子向四周流动。
90.进一步地，再次参见图9和图11，第一凹槽15贯穿第一膜层9，第二凹槽16贯穿第二膜层10，以进一步增大第一开口6的深度，使有机公共层5更易在第一开口6底部断裂。
91.在一种可行的实施方式中，如图12所示，图12为本发明实施例所提供的显示面板
的又一种剖视图，发光器件层4还包括位于有机公共层5朝向衬底3一侧的像素定义层17，像素定义层17包括第二开口18，第二开口18用于限定像素区域1。
92.第一膜层9和第二膜层10分别位于像素定义层17与有机公共层5之间，且第一膜层9和第二膜层10同层设置。需要说明的是，虽然第一膜层9和第二膜层10同层设置，但第一膜层9和第二膜层10仍通过两次构图工艺分别形成。
93.在该种设置方式中，第一膜层9和第二膜层10位于像素定义层17上侧且二者同层设置，此时可以直接通过调整第一膜层9和第二膜层10的膜厚以及调整第一膜层9和第二膜层10之间的距离对第一开口6的形貌进行灵活调控，第一开口6的设计更为简单。
94.在一种可行的实施方式中，如图13和图14所示，图13为本发明实施例所提供的像素区域1和第一开口6的一种俯视图，图14为图13沿a1-a2方向的剖视图，像素区域1包括用于出射红光的红色像素区域27、用于出射绿光的绿色像素区域28和用于出射蓝光的蓝色像素区域29，其中，第二膜层10位于第一膜层9背向衬底3的一侧，且蓝色像素区域29位于第一开口6中第二侧壁8的一侧。
95.第二膜层10位于第一膜层9背向衬底3的一侧时，第二侧壁8处层高更大，有机公共层5除了在第一开口6底部发生断裂以外，还容易在第二侧壁8的顶边位置处也发生断裂，因此第二侧壁8处有机公共层5的断开可靠性更高。此外，第二侧壁8延伸长度更大，第二侧壁8上延伸的有机公共层5的阻抗也更大，因此，第二侧壁8一侧的像素区域1的空穴和电子更不容易向第二侧壁8流动，即，第二侧壁8一侧抑制漏流的效果更优。
96.由于蓝色像素区域29的起亮电压高于红色像素区域27和绿色像素区域28，在蓝色像素区域29被点亮时，更容易因为漏流的原因导致红色像素区域27和绿色像素区域28发生子像素偷亮，本发明实施例通过将蓝色像素区域29设置在抑制漏流的效果更优的第二侧壁8的一侧，能够更好地阻断蓝色像素区域29被点亮时红色像素区域27和绿色像素区域28偷亮的问题。
97.在一种可行的实施方式中，如图15和图16所示，图15为本发明实施例所提供的像素区域1和第一开口6的另一种俯视图，图16为图15沿b1-b2方向的剖视图，第一侧壁7包括靠近衬底3一侧的第一底边30和远离衬底3一侧的第一顶边31，第二侧壁8包括靠近衬底3一侧的第二底边32和远离衬底3一侧的第二顶边33，第二侧壁8中第二顶边33与第二底边32之间的距离h2大于第一侧壁7中第一顶边31与第一底边30之间的距离h1。
98.像素区域1包括用于出射红光的红色像素区域27、用于出射绿光的绿色像素区域28和用于出射蓝光的蓝色像素区域29，蓝色像素区域29位于第一开口6中第二侧壁8的一侧。
99.由于第二侧壁8处层高更大，一方面，有机公共层5除了在第一开口6底部发生断裂以外，还容易在第二膜层10的第二侧壁8和顶面的相交位置处也发生断裂，另一方面，第二侧壁8上延伸的有机公共层5的阻抗也更大，因此，第二侧壁8一侧抑制漏流的效果更优。通过将蓝色像素区域29设置在抑制漏流的效果更优的第二侧壁8的一侧，能够更好地阻断蓝色像素区域29被点亮时红色像素区域27和绿色像素区域28偷亮的问题。
100.需要说明的是，在本发明实施例中，像素区域1可以采用图13和图15所示的常规排布方式，或者，如图17所示，图17为本发明实施例所提供的像素区域1的另一种排布示意图，像素区域1也可以采用图17所示的风车排布，当然，像素区域1也可以采用其它的排布方式，
本发明实施例对此不做具体限定。
101.需要说明的是，由于本发明实施例所形成的第一开口6体积较小，因此，随着该第一开口6内所沉积的有机公共层5的膜层数量的增加，第一开口6更易被填平。在一种可行的实施方式中，再次参见图4，发光器件层4还包括位于有机公共层5背向衬底3一侧的阴极34，阴极34在像素区域1和非像素区域2中连通设置，即，在垂直于衬底3所在平面的方向上，阴极34与有机公共层5的断开区11交叠，从而保证阴极34无论是在像素区域1还是非像素区域2都是连续的。
102.进一步地，如图18所示，图18为本发明实施例所提供的填充层35的一种结构示意图，发光器件层4还包括位于有机公共层5背向衬底3一侧的阴极34。显示面板还包括填充层35，填充层35位于第一开口6，且位于有机公共层5与阴极34之间。如果第一开口6较深，可以利用填充层35将第一开口6填平，避免阴极34在第一开口6内凹陷，更大程度的保证阴极34的连续性。
103.在一种可行的实施方式中，如图19所示，图19为本发明实施例所提供的第一开口6的一种俯视图，第一开口6包括条状开口36，条状开口36的延伸方向与条状开口36所在非像素区域2两侧像素区域1的排列方向相交，此时，有机公共层5中的断开区11的延伸方向也和两侧像素区域1的排列方向相交，从而更利于阻隔相邻两个像素区域1之间的空穴和电子的相互流动。
104.在一种可行的实施方式中，如图20所示，图20为本发明实施例所提供的第一开口6的另一种俯视图，第一开口6包括环状开口37，环状开口37环绕像素区域1，此时，有机公共层5中的断开区11也环绕像素区域1设置，可以全方位抑制像素区域1的空穴和电子向四周流动。
105.在一种可行的实施方式中，如图21所示，图21为本发明实施例所提供的第一开口6的再一种俯视图，第一开口6呈网格状，在垂直于衬底3所在平面的方向上，像素区域1暴露在第一开口6的网孔内。该种设置方式在全方位抑制像素区域1的空穴和电子向四周流动的同时，更适用于像素区域1排布更加紧凑的高像素密度的显示面板。
106.在一种可行的实施方式中，如图22和图23所示，图22为本发明实施例所提供的台阶结构38的一种结构示意图，图23为本发明实施例所提供的台阶结构38的另一种结构示意图，显示面板还包括台阶结构38，台阶结构38位于非像素区域2且位于有机公共层5朝向衬底3的一侧，从而利用台阶结构38进一步增大非像素区域2内延伸的有机公共层5的阻抗，进一步抑制像素区域1中的空穴和电子向四周流动。
107.需要说明的是，台阶结构38可由第一膜层9形成，也可以由第二膜层10形成，或是也可以由其它的位于有机公共层5朝向衬底3一侧的其它膜层形成。以第一膜层9为平坦化层19，第二膜层10为像素定义层17为例，台阶结构38可以由像素定义层17形成。
108.其中，台阶结构38可以为凸起。进一步地，显示面板还可以包括位于非像素区域2的支撑柱，在显示面板的工艺制程中，支撑柱用于支撑形成发光层的掩膜板，当台阶结构为凸起时，台阶结构可以与支撑柱进行复用，因而无需再增设额外的形成台阶结构的流程。
109.或者，台阶结构38也可以为凹槽。再次参见图23，发光器件层4还包括位于有机公共层5背向衬底3的一侧的阴极34。台阶结构38包括第三凹槽39，在垂直于衬底3所在平面的方向上，第三凹槽39的深度大于有机公共层5的膜厚，且第三凹槽39的深度小于或等于有机
公共层5与阴极34的膜厚之和。
110.如此设置，有机公共层5在第三凹槽39内凹陷，在利用第三凹槽39增大有机公共层5延伸长度的同时，第三凹槽39深度较小，凹陷的有机公共层5可以将第三凹槽39基本填平，从而使后续的阴极34不会在第三凹槽39内发生较大程度凹陷，更好的保证阴极34的连续性。
111.需要说明的是，与第一开口6不同，第三凹槽39为由单个膜层刻蚀形成的凹槽，第三凹槽39的侧壁均来自同一膜层，因此，第三凹槽39与第一开口6具有不同的形貌，第三凹槽39可以为体积较大的倒梯形凹槽，用于形成第三凹槽39的这个膜层的侧壁和底面之间的夹角可以在60
°
～70
°
之间。
112.在一种可行的实施方式中，如图24所示，图24为本发明实施例所提供的有机公共层5的一种结构示意图，发光器件层4还包括：位于衬底3一侧的阳极40；位于阳极40背向衬底3一侧的发光层41；位于发光层41背向衬底3一侧的阴极34。
113.再次参见图24，有机公共层5包括位于阳极40与发光层41之间的空穴传输层42和空穴注入层43，和/或，有机公共层5包括位于发光层41与阴极34之间的电子传输层44和电子注入层45，和/或，发光层41包括第一发光层46和第二发光层47，在垂直于衬底3所在平面的方向上，第一发光层46与第一发光层47交叠，有机公共层5包括位于第一发光层46和第二发光层47之间的电荷产生层48，以有效隔断不同像素区域1间空穴和电子的相互流动。
114.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，该用于制作上述显示面板，结合图3～图5，如图25所示，图25为本发明实施例所提供的制作方法的一种流程图，该制作方法包括：
115.步骤s1：在衬底3上形成第一膜层9和第二膜层10，其中，第一膜层9的第一侧壁7和第二膜层10的第二侧壁8形成位于非像素区域2的第一开口6。
116.步骤s2：在第一膜层9和第二膜层10背向衬底3的一侧形成发光器件层4，发光器件层4包括有机公共层5，有机公共层5在第一开口6内凹陷。
117.与面板结构中传统的开口不同，本发明实施例中的第一开口6的侧壁来自两个不同的膜层，此时，通过调整两个膜层的侧壁与底面之间的倾斜角度、两个膜层的相对位置关系以及两个膜层的刻蚀面积等，可以灵活调整第一开口6中第一侧壁7和第二侧壁8的倾斜程度和第一侧壁7与第二侧壁8之间的距离等，从而实现对第一开口6的形状、体积等参数的灵活调控。例如，本发明实施例可以利用两个膜层去形成一个体积很小的、趋于呈v型的狭缝状结构的第一开口6。如此一来，当有机公共层5在该第一开口6内凹陷时，第一开口6底部的这部分膜层会存在应力集中点，使这部分膜层在膜层本征应力、高温、外力作用下发生自然断裂，进而形成断开区11，将相邻两个像素区域1之间的有机公共层5隔断，有效避免了相邻像素区域1中空穴和电子的相互流动。这样，当仅需要控制部分像素区域1点亮时，被点亮的这部分像素区域1就不会再向相邻的像素区域1传输空穴和电子，从而避免相邻的像素区域1出现偷亮的问题。
118.此外，发光器件层4还包括位于有机公共层5背向衬底3一侧的阴极34，由于本发明实施例可以利用第一膜层9和第二膜层10去形成体积更小的第一开口6，因此，随着多个有机公共层5在第一开口6内凹陷，可以对第一开口6进行更大程度的填充，后续形成阴极34时，可以保证阴极34在第一开口6处是连续的，避免阴极34断开，提高阴极34的可靠性。
119.在一种可行的实施方式中，如图26所示，图26为本发明实施例所提供的制作方法的另一种流程图，步骤s1的过程具体可包括：
120.步骤s11：在衬底3上形成第一膜层9，第一膜层9包括第一凹槽15。
121.步骤s12：在第一膜层9背向第二膜层10的一侧形成第二膜层10，第二膜层10包括第二凹槽16，在垂直衬底3所在平面的方向上，第二凹槽16的部分与第一凹槽15的部分交叠，且部分第二膜层10在第一凹槽15内凹陷；其中，在第一凹槽15内凹陷的第二膜层10的侧壁为第二侧壁8，第一膜层9中与第二侧壁8相对的侧壁为第一侧壁7。
122.在上述设置方式中，第一膜层9和第二膜层10为异层设置的两个膜层，通过使第一开口6由两个膜层中的凹槽错位形成，除了可以利用第一开口6使有机公共层5发生断裂以外，暴露在第二凹槽16内的这部分第一膜层9和位于其上方的第二膜层10之间会形成具有起伏的台阶状表面，相较于在单个膜层中设置凹槽的方式，本发明实施例可以更大程度的增大在非像素区域2内延伸的这部分有机公共层5的长度，进而更大程度的增大这部分有机公共层5的阻抗，更有效的抑制像素区域1的空穴和电子向四周流动。
123.进一步地，如图27所示，图27为图26对应的一种工艺流程图，步骤s11具体可以包括：在衬底3上形成平坦化层19，在平坦化层19上形成第一凹槽15，平坦化层19复用为第一膜层9。
124.步骤s12具体可以包括：在平坦化层19背向衬底3的一侧形成像素定义层17，在像素定义层17上形成第二凹槽16和第二开口18，第二开口18用于限定像素区域1，像素定义层17复用为第二膜层10。
125.在面板结构中，平坦化层19用于实现膜层的平坦化，因而通常具有较大厚度，通过将平坦化层19复用为第一膜层9，可以利用平坦化层19形成具有更大深度的第一开口6，有机公共层5除了在第一开口6底部发生断裂以外，还容易使有机公共层5在平坦化层19的顶面和第一侧壁7的交界处也发生断裂，从而更大程度的阻隔相邻像素区域1间空穴和电子的流动。而且，由于在非像素区域2内，有机公共层5与像素定义层17直接接触，因此平坦化层19复用为第一膜层9、像素定义层17复用为第二膜层10时，有机公共层5可直接在二者所形成的第一开口6内凹陷，有机公共层5下方没有其它膜层，因此有机公共层5在第一开口6底部更易具有尖角，应力更加集中，因而更易发生断裂。
126.此外，通过令平坦化层19复用为第一膜层9，像素定义层17复用为第二膜层10，仅需改变像素定义层17和平坦化层19对应的掩模板图案即可在平坦化层19上刻蚀出第一凹槽15以及在像素定义层17上刻蚀出第二凹槽16，不仅无需增设新的工艺流程，工艺成本较低，而且还不会导致面板整体厚度的增加，更利于实现显示面板的轻薄化设计。
127.或者，如图28所示，图28为图26对应的另一种工艺流程图，步骤s11具体可以包括：在衬底3上形成第一绝缘层20，在第一绝缘层20上形成第一凹槽15，第一绝缘层20复用为第一膜层9。
128.步骤s12具体可以包括：在第一绝缘层20背向衬底3的一侧形成平坦化层19，在平坦化层19上形成第二凹槽16，平坦化层19复用为第二膜层10。
129.由于平坦化层19厚度较大，因而将平坦化层19复用为第二膜层10时，第二侧壁8的延伸长度较大，有机公共层5除了在第一开口6底部发生断裂以外，还容易使有机公共层5在平坦化层19的顶面和第一侧壁7的交界处也发生断裂，从而更大程度的阻隔相邻像素区域1
间空穴和电子的流动。
130.此外，通过令第一绝缘层20复用为第一膜层9，平坦化层19复用为第二膜层10，仅需改变第一绝缘层20和平坦化层19对应的掩模板图案，即可在第一绝缘层20上刻蚀出第一凹槽15以及在平坦化层19上刻蚀出第二凹槽16，不仅无需增设新的工艺流程，工艺成本较低，而且还不会导致面板整体厚度的增加，更利于实现显示面板的轻薄化设计。
131.进一步地，结合图11，如图29所示，图29为本发明实施例所提供的另一种工艺流程图，在形成平坦化层19后，制作方法还包括：
132.步骤s13：在平坦化层19背向衬底3的一侧形成像素定义层17，在像素定义层17上形成第二开口18和第三开口26，其中，第二开口18用于限定像素区域1，在垂直于衬底3所在平面的方向上，第三开口26至少暴露第一开口6。
133.此时，像素定义层17不会在平坦化层19和第一绝缘层20所形成的第一开口6内凹陷，在形成有机公共层5之间，可以避免像素定义层17对第一开口6进行填充，使有机公共层5在第一开口6底部更易发生断裂。而且，上述三个膜层所构成的整体的凹槽深度更大，因此非像素区域2之间的有机公共层5的延伸长度更大，阻抗更高。
134.基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，如图30所示，图30为本发明实施例所提供的显示装置的一种结构示意图，该显示装置包括上述显示面板100。其中，显示面板100的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，图30所示的显示装置仅仅为示意说明，该显示装置可以是例如手机、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等任何具有显示功能的电子设备。
135.以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。
136.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。