半导体装置的制作方法

技术特征：

1.一种半导体装置，其具有设置在半导体衬底上的高压电路区域、晶体管元件区域、对所述晶体管元件区域和所述高压电路区域进行元件分离的分离区域、以及场板，其中，所述晶体管元件区域具有第1主电极、第2主电极和控制电极，所述第2主电极的电位比第1主电极低，该半导体装置的特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求2～8中的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

技术总结
本发明的目的在于提供半导体装置，能够抑制分离区域的反转层的形成，抑制从高压电路区域向分离区域、晶体管元件区域的漏电流。一种半导体装置，其具有设置在半导体衬底上的高压电路区域、具有第1主电极、电位比第1主电极低的第2主电极和控制电极的晶体管元件区域、对所述晶体管元件区域和所述高压电路区域进行元件分离的分离区域、以及场板，其中，所述场板与所述第1主电极电连接，并且，在俯视观察所述半导体装置时，所述场板以从所述第1主电极越过所述分离区域的上方而到达所述高压电路区域上的方式延伸。

技术研发人员：青木宏宪
受保护的技术使用者：三垦电气株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14