显示基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting diode，简称oled)和量子点发光二极管(quantum-dot light emitting diodes，简称qled)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。随着显示技术的不断发展，以oled或qled为发光器件、由薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)进行信号控制的柔性显示装置(flexible display)已成为目前显示领域的主流产品。
3.经本技术发明人研究发现，现有显示装置存在出光效率低的问题。


技术实现要素：

4.以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
5.本公开实施例所要解决的技术问题是，提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，以提高显示装置的出光效率。
6.本公开实施例提供一种显示基板，包括基底、设置在所述基底上的阳极导电层以及设置在所述阳极导电层远离所述基底一侧的像素定义层；所述阳极导电层至少包括阳极、第一电极和第二电极，所述像素定义层上设置有像素开口，所述像素开口暴露出所述阳极，所述第一电极和所述第二电极设置在相邻的像素开口之间，所述第一电极和所述第二电极用于在喷墨打印时对有机发光材料施加电场。
7.本公开实施例还提供一种显示装置，包括本公开示例性实施例的显示基板。
8.本公开还提供一种显示基板的制备方法，包括：
9.在基底上形成驱动电路层；
10.在所述驱动电路层远离所述基底一侧形成阳极导电层，所述阳极导电层至少包括阳极、第一电极和第二电极；
11.在所述阳极导电层远离所述基底一侧形成像素定义层，所述像素定义层上设有像素开口，所述像素开口暴露出所述阳极，所述第一电极和所述第二电极设置在相邻的像素开口之间，所述第一电极和所述第二电极用于在喷墨打印时对有机发光材料施加电场。
12.本公开实施例所提供的显示基板及其制造方法、显示装置，通过在阳极导电层中设置第一电极和第二电极，第一电极和第二电极可以在喷墨打印时对有机发光材料施加电场，使有机分子趋于水平排列分布，从而提高了显示装置的出光效率。
13.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
14.附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的
实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
15.图1为一种显示装置的结构示意图；
16.图2为一种显示基板的平面结构示意图；
17.图3为一种像素驱动电路的等效电路图；
18.图4为本公开示例性实施例一种显示基板的平面结构示意图；
19.图5为图4中a-a向的剖视图；
20.图6为本公开示例性实施例形成驱动电路层图案后的示意图；
21.图7为本公开示例性实施例形成阳极导电层图案后的示意图；
22.图8为本公开示例性实施例阳极导电层的平面结构示意图；
23.图9为本公开示例性实施例形成像素定义层图案后的示意图；
24.图10为本公开示例性实施例形成有机发光层图案后的示意图；
25.图11为本公开示例性实施例喷墨打印时控制电极施加的电场示意图；
26.图12为本公开示例性实施例形成阴极图案后的示意图；
27.图13为本公开示例性实施例另一种显示基板的平面结构示意图；
28.图14是本公开示例性实施例又一种显示基板的平面结构示意图；
29.图15为图14中a-a向的剖视图；
30.图16为本公开示例性实施例又一种显示基板的平面结构示意图；
31.图17为本公开示例性实施例又一种显示基板的平面结构示意图；
32.图18为本公开示例性实施例又一种显示基板的平面结构示意图。
33.附图标记说明:
34.10—基底；
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20—驱动电路层；
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20a—晶体管；
35.20b—存储电容；
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31—阳极；
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32—控制电极；
36.321—第一电极；
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322—第二电极；
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33—电极引脚；
37.331—第一引脚；
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332—第二引脚；
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34—第一连接线；
38.341—第一子线；
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342—第二子线；
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343—第三子线；
39.35—第二连接线；
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351—第四子线；
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352—第五子线；
40.353—第六子线；
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40—像素定义层；
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41—像素开口；
41.50—有机发光层；
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60—烘烤装置；
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70—阴极
具体实施方式
42.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
43.本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所
描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
44.本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
45.在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
46.在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。
47.在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、第二级以及第一极这三个端子的元件。晶体管在第二级(第二级端子、漏区域或第二级)与第一极(第一极端子、源区域或第一极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过第二级、沟道区域以及第一极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
48.在本说明书中，第一极可以为第二级、第二极可以为第一极，或者第一极可以为第一极、第二极可以为第二级。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“第一极”及“第二级”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“第一极”和“第二级”可以互相调换。
49.在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的授受，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有各种功能的元件等。
50.在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10
°
以上且10
°
以下的状态，因此，也包括该角度为-5
°
以上且5
°
以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80
°
以上且100
°
以下的状态，因此，也包括85
°
以上且95
°
以下的角度的状态。
51.在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。
52.本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。
53.本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
54.图1为一种显示装置的结构示意图。如图1所示，显示装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器连接，数据驱动器分别与多个数据信号线(d1到dn)连接，扫描驱动器分别与多个扫描信号线(s1到sm)连接，发光驱动器分别与多个发光信号线(e1到eo)连接。像素阵列可以包括多个子像素pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素pxij可以包括电路单
元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括至少一个扫描信号线、至少一个数据信号线、至少一个发光信号线和像素驱动电路。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线d1、d2、d3、
……
和dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线d1至dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线s1、s2、s3、
……
和sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线s1至sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线e1、e2、e3、
……
和eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线e1至eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。
55.图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元p，多个像素单元p的至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素p1、出射第二颜色光线的第二子像素p2和出射第三颜色光线的第三子像素p3，第一子像素p1、第二子像素p2和第三子像素p3均包括像素驱动电路和发光器件。第一子像素p1、第二子像素p2和第三子像素p3中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。第一子像素p1、第二子像素p2和第三子像素p3中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。
56.在示例性实施方式中，第一子像素p1可以是出射红色(r)光线的红色子像素、第二子像素p2可以是出射蓝色(b)光线的蓝色子像素，第三子像素p3可以是出射绿色(g)光线的绿色子像素。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形等，可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列。
57.在示例性实施方式中，像素单元可以包括四个子像素，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列、正方形或钻石形等方式排列，本公开在此不做限定。
58.图3为一种像素驱动电路的等效电路图。在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3t1c、4t1c、5t1c、5t2c、6t1c或7t1c结构。如图3所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管(第一晶体管t1到第七晶体管t7)和1个存储电容c，像素驱动电路可以与7个信号线(数据信号线d、第一扫描信号线s1、第二扫描信号线s2、发光信号线e、初始信号线init、第一电源线vdd和第二电源线vss)连接。
59.在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括第一节点n1、第二节点n2和第三节点n3。其中，第一节点n1分别与第三晶体管t3的第一极、第四晶体管t4的第二极和第五晶体
管t5的第二极连接，第二节点n2分别与第一晶体管的第二极、第二晶体管t2的第一极、第三晶体管t3的控制极和存储电容c的第二端连接，第三节点n3分别与第二晶体管t2的第二极、第三晶体管t3的第二极和第六晶体管t6的第一极连接。
60.在示例性实施方式中，存储电容c的第一端与第一电源线vdd连接，存储电容c的第二端与第二节点n2连接，即存储电容c的第二端与第三晶体管t3的控制极连接。
61.第一晶体管t1的控制极与第二扫描信号线s2连接，第一晶体管t1的第一极与初始信号线init连接，第一晶体管的第二极与第二节点n2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线s2时，第一晶体管t1将初始化电压传输到第三晶体管t3的控制极，以使第三晶体管t3的控制极的电荷量初始化。
62.第二晶体管t2的控制极与第一扫描信号线s1连接，第二晶体管t2的第一极与第二节点n2连接，第二晶体管t2的第二极与第三节点n3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线s1时，第二晶体管t2使第三晶体管t3的控制极与第二极连接。
63.第三晶体管t3的控制极与第二节点n2连接，即第三晶体管t3的控制极与存储电容c的第二端连接，第三晶体管t3的第一极与第一节点n1连接，第三晶体管t3的第二极与第三节点n3连接。第三晶体管t3可以称为驱动晶体管，第三晶体管t3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线vdd与第二电源线vss之间流动的驱动电流的量。
64.第四晶体管t4的控制极与第一扫描信号线s1连接，第四晶体管t4的第一极与数据信号线d连接，第四晶体管t4的第二极与第一节点n1连接。第四晶体管t4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线s1时，第四晶体管t4使数据信号线d的数据电压输入到像素驱动电路。
65.第五晶体管t5的控制极与发光信号线e连接，第五晶体管t5的第一极与第一电源线vdd连接，第五晶体管t5的第二极与第一节点n1连接。第六晶体管t6的控制极与发光信号线e连接，第六晶体管t6的第一极与第三节点n3连接，第六晶体管t6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管t5和第六晶体管t6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线e时，第五晶体管t5和第六晶体管t6通过在第一电源线vdd与第二电源线vss之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。
66.第七晶体管t7的控制极与第一扫描信号线s1连接，第七晶体管t7的第一极与初始信号线init连接，第七晶体管t7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线s1时，第七晶体管t7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。
67.在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线vss连接，第二电源线vss的信号为低电平信号，第一电源线vdd的信号为持续提供高电平信号。
68.在示例性实施方式中，第一晶体管t1到第七晶体管t7可以是p型晶体管，或者可以是n型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管t1到第七晶体管t7可以包括p型晶体管和n型晶体管。
69.在示例性实施方式中，第一扫描信号线s1、第二扫描信号线s2、发光信号线e和初始信号线init沿水平方向延伸，第二电源线vss、第一电源线vdd和数据信号线d沿竖直方向延伸。
70.在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(oled)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。
71.以图3示例的像素驱动电路中7个晶体管均为p型晶体管为例，像素驱动电路的工作过程可以包括：
72.第一阶段a1，称为复位阶段，第二扫描信号线s2的信号为低电平信号，第一扫描信号线s1和发光信号线e的信号为高电平信号。第二扫描信号线s2的信号为低电平信号，使第一晶体管t1导通，初始信号线init的信号提供至第二节点n2，对存储电容c进行初始化，清除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号线s1和发光信号线e的信号为高电平信号，使第二晶体管t2、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7断开，此阶段oled不发光。
73.第二阶段a2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线s1的信号为低电平信号，第二扫描信号线s2和发光信号线e的信号为高电平信号，数据信号线d输出数据电压。此阶段由于存储电容c的第二端为低电平，因此第三晶体管t3导通。第一扫描信号线s1的信号为低电平信号使第二晶体管t2、第四晶体管t4和第七晶体管t7导通。第二晶体管t2和第四晶体管t4导通使得数据信号线d输出的数据电压经过第一节点n1、导通的第三晶体管t3、第三节点n3、导通的第二晶体管t2提供至第二节点n2，并将数据信号线d输出的数据电压与第三晶体管t3的阈值电压之差充入存储电容c，存储电容c的第二端(第二节点n2)的电压为vd-|vth|，vd为数据信号线d输出的数据电压，vth为第三晶体管t3的阈值电压。第七晶体管t7导通使得初始信号线init的初始电压提供至oled的第一极，对oled的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保oled不发光。第二扫描信号线s2的信号为高电平信号，使第一晶体管t1断开。发光信号线e的信号为高电平信号，使第五晶体管t5和第六晶体管t6断开。
74.第三阶段a3、称为发光阶段，发光信号线e的信号为低电平信号，第一扫描信号线s1和第二扫描信号线s2的信号为高电平信号。发光信号线e的信号为低电平信号，使第五晶体管t5和第六晶体管t6导通，第一电源线vdd输出的电源电压通过导通的第五晶体管t5、第三晶体管t3和第六晶体管t6向oled的第一极提供驱动电压，驱动oled发光。
75.在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管t3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点n2的电压为vdata-|vth|，因而第三晶体管t3的驱动电流为：
76.i＝k*(vgs-vth)2＝k*[(vdd-vd+|vth|)-vth]2＝k*[(vdd-vd]2[0077]
其中，i为流过第三晶体管t3的驱动电流，也就是驱动oled的驱动电流，k为常数，vgs为第三晶体管t3的栅电极和第一极之间的电压差，vth为第三晶体管t3的阈值电压，vd为数据信号线d输出的数据电压，vdd为第一电源线vdd输出的电源电压。
[0078]
图4为本公开示例性实施例一种显示基板的平面结构示意图。图5为图4中a-a向的剖视图。
[0079]
在示例性实施方式中，显示基板可以至少包括基底、设置在基底上的驱动电路层20、设置在驱动电路层20远离基底一侧的阳极导电层以及设置在阳极导电层远离基底一侧的像素定义层，阳极导电层可以至少包括阳极31、第一电极321和第二电极322，像素定义层上设置有像素开口41，像素开口41暴露出阳极31，像素开口41形成像素发光区pa，相邻的像
素发光区pa之间形成像素空白区pk，第一电极321和第二电极322用于在喷墨打印时对有机发光材料施加电场。
[0080]
在示例性实施方式中，像素开口41可以在第一方向x上具有第一长度l1，在第二方向y上具有第二长度l2，第二长度l2可以大于或等于第一长度l1。
[0081]
在示例性实施方式中，第一电极321和第二电极322的形状可以为沿着第二方向y延伸的条形状，第一电极321和第二电极322可以设置在第一方向x相邻的像素开口41之间。第一电极321和第二电极322可以设置在不同的像素空白区pk，在第一方向x上，第一电极321和第二电极32交替设置。第一电极321和第二电极322在基底上的正投影位于像素空白区pk在基底上的正投影的范围之内。
[0082]
在示例性实施方式中，显示基板可以至少包括显示区域d和位于显示区域d至少一侧的边框区域m。第一电极321和第二电极322可以设置在显示区域d。在示例性实施方式中，阳极导电层还可以包括电极引脚33、第一连接线34和第二连接线35，电极引脚33、第一连接线34和第二连接线35可以设置在边框区域m，电极引脚33可以被配置为向第一电极321和第二电极322提供电压信号。
[0083]
在示例性实施方式中，电极引脚33可以至少包括第一引脚331和第二引脚332。第一引脚331和第二引脚332可以设置在第一方向x一侧或两侧的边框区域m，例如，第一引脚331和第二引脚332可以设置在第一方向x的反方向一侧的边框区域m。
[0084]
在示例性实施方式中，第一引脚331通过第一连接线34与多个第一电极321连接，第一引脚331被配置为向多个第一电极321提供第一电压信号，第二引脚332通过第二连接线35与多个第二电极322连接，第二引脚332被配置为向多个第二电极322提供第二电压信号。
[0085]
在示例性实施方式中，第一连接线34的第一端与第一引脚331连接，第一连接线34的第二端与第一电极321连接，第二连接线35的第一端与第二引脚332连接，第二连接线35的第二端与第二电极322连接。
[0086]
在示例性实施方式中，第一连接线34的形状可以为折线状，第一连接线34可以至少包括第一子线341和第二子线342，第一子线341可以设置在第一方向x的反方向一侧的边框区域m，第二子线342可以设置在第二方向y的反方向一侧的边框区域m。
[0087]
在示例性实施方式中，第一子线341的形状可以为沿着第二方向y延伸的线形状，第二子线342的形状可以为沿着第一方向x延伸的线形状，第一子线341的第一端与第一引脚331连接，第一子线341的第二端沿着第二方向y的反方向延伸后，与第二子线342的第一端连接，第二子线342的第二端沿着第一方向x延伸。
[0088]
在示例性实施方式中，第二连接线35的形状可以为折线状，第二连接线35可以至少包括第四子线351和第五子线352，第四子线351可以设置在第一方向x的反方向一侧的边框区域m，第五子线352可以设置在第二方向y一侧的边框区域m。
[0089]
在示例性实施方式中，第四子线351的形状可以为沿着第二方向y延伸的线形状，第五子线352的形状可以为沿着第一方向x延伸的线形状，第四子线351的第一端与第二引脚332连接，第四子线351的第二端沿着第二方向y延伸后，与第五子线352的第一端连接，第五子线352的第二端沿着第一方向x延伸。
[0090]
在示例性实施方式中，第一电极321的形状可以为沿着第二方向y延伸的条形状，
第一电极321的第一端与第一连接线34的第二子线342连接，第一电极321的第二端沿着第二方向y延伸。第二电极322的形状可以为沿着第二方向y延伸的条形状，第二电极322的第一端与第二连接线35的第五子线352连接，第二电极322的第二端沿着第二方向y的反方向延伸。
[0091]
本实施例显示基板通过在阳极导电层中设置第一电极321和第二电极322，第一电极321和第二电极322可以在喷墨打印时对有机发光材料施加电场，在该电场对有机发光材料中的有机分子的偶极矩施加的电场力的作用下，有机分子可以趋于水平排列分布，从而提高了显示装置的出光效率。
[0092]
下面通过显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“a和b同层设置”是指，a和b通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“b的正投影位于a的正投影的范围之内”或者“a的正投影包含b的正投影”，是指b的正投影的边界落入a的正投影的边界范围内，或者a的正投影的边界与b的正投影的边界重叠。
[0093]
在示例性实施方式中，以显示基板的三个子像素为例，显示基板的制备过程可以包括如下操作。
[0094]
(1)形成驱动电路层图案。在示例性实施方式中，形成驱动电路层图案可以包括：
[0095]
在基底上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖基底的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的半导体层图案，半导体层图案至少包括位于每个子像素中的有源层。
[0096]
随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一金属层图案，第一金属层图案至少包括位于每个子像素中的栅电极和第一极板。
[0097]
随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一金属层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二金属层图案，第二金属层图案至少包括位于每个子像素中的第二极板，第二极板在基底上的正投影与第一极板在基底上的正投影至少部分重叠。
[0098]
随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺形成覆盖第二金属层的第四绝缘层图案，第四绝缘层上形成有多个第一过孔，第一过孔内的第四绝缘层、第三绝缘层和第二绝缘层被刻蚀掉，暴露出有源层的两端。
[0099]
随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，在第四绝缘层上形成第三金属层图案，第三金属层图案至少包括位于每个子像素中的第一极和第二
级，第一极和第二级分别通过第一过孔与有源层连接。
[0100]
随后，涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第三金属层的平坦层，平坦层上形成有第二过孔，第二过孔内的平坦薄膜被刻蚀掉，暴露出每个子像素中的第二级。
[0101]
至此，在基底10上制备完成驱动电路层20图案，如图6所示。在示例性实施方式中，每个子像素的驱动电路层20可以包括构成像素驱动电路的多个晶体管和存储电容，图6中仅以像素驱动电路包括一个晶体管20a和一个存储电容20b作为示例。在示例性实施方式中，晶体管20a可以包括有源层、栅电极、第一极和第二级，存储电容20b可以包括第一极板和第二极板。在示例性实施方式中，晶体管可以是像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(thin film transistor，简称tft)。
[0102]
在示例性实施方式中，基底可以是刚性基底，或者可以是柔性基底，或者可以是硅片(wafer)。在示例性实施方式中，刚性基底可以采用玻璃或石英等材料，柔性基底可以采用聚酰亚胺(pi)或者聚对苯二甲酸乙二脂(pet)等材料，柔性基底可以是单层结构，或者可以是无机材料层和柔性材料层构成的叠层结构，本公开在此不做限定。
[0103]
在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用氧化硅(siox)、氮化硅(sinx)和氮氧化硅(sion)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层称为缓冲(buffer)层，用于提高基底的抗水氧能力，第二绝缘层和第三绝缘层称为栅绝缘(gi)层，第四绝缘层称为层间绝缘(ild)层。平坦层可以采用有机材料，如树脂等。第一金属层、第二金属层和第三金属层可以采用金属材料，如银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和钼(mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(alnd)或钼铌合金(monb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如ti/al/ti等。半导体层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-igzo)、氮氧化锌(znon)、氧化铟锌锡(izto)、非晶硅(a-si)、多晶硅(p-si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管。
[0104]
在示例性实施方式中，驱动电路层20还可以包括电源线、连接电极等结构，本公开在此不做限定。
[0105]
(2)形成阳极导电层图案。在示例性实施方式中，形成阳极导电层图案可以包括：在形成前述图案的基底上沉积阳极导电薄膜，通过图案化工艺对阳极导电薄膜进行图案化，形成阳极导电层图案，阳极导电层图案至少包括阳极31和控制电极32，如图7和图8所示，图8为本公开示例性实施例阳极导电层的平面结构示意图。
[0106]
在示例性实施方式中，阳极导电层可以采用金属材料或者透明导电材料，金属材料可以包括银(ag)、铜(cu)、铝(al)、钛(ti)和钼(mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。在示例性实施方式中，阳极导电层可以是单层结构，或者是多层复合结构，如ito/al/ito等。
[0107]
在示例性实施方式中，阳极31可以设置在每个子像素中，阳极31可以通过第二过孔与晶体管20a的第二级连接，控制电极32可以设置在相邻的阳极31之间，控制电极32可以至少包括第一电极321和第二电极322。
[0108]
在示例性实施方式中，阳极31可以在第一方向x上具有第一长度l1，在第二方向y上具有第二长度l2，第二长度l2可以大于或等于第一长度l1。
[0109]
在示例性实施方式中，第一电极321和第二电极322的形状可以为沿着第二方向y延伸的条形状，第一电极321和第二电极322可以设置在第一方向x相邻的阳极31之间，在第一方向x上，第一电极321和第二电极322交替设置。
[0110]
在示例性实施方式中，显示基板可以至少包括显示区域d和位于显示区域d至少一侧的边框区域m。第一电极321和第二电极322可以设置在显示区域d。在示例性实施方式中，阳极导电层还可以包括电极引脚33、第一连接线34和第二连接线35，电极引脚33、第一连接线34和第二连接线35可以设置在边框区域m，电极引脚33可以被配置为向第一电极321和第二电极322提供电压信号。
[0111]
在示例性实施方式中，电极引脚33可以至少包括第一引脚331和第二引脚332。第一引脚331和第二引脚332可以设置在第一方向x一侧或两侧的边框区域m，例如，第一引脚331和第二引脚332可以设置在第一方向x的反方向一侧的边框区域m。
[0112]
在示例性实施方式中，第一引脚331通过第一连接线34与多个第一电极321连接，第一引脚331被配置为向多个第一电极321提供第一电压信号，第二引脚332通过第二连接线35与多个第二电极322连接，第二引脚332被配置为向多个第二电极322提供第二电压信号。
[0113]
在示例性实施方式中，第一电压信号可以大于第二电压信号，或者，第一电压信号可以小于第二电压信号，本公开在此不做限定。
[0114]
在示例性实施方式中，第一连接线34的第一端与第一引脚331连接，第一连接线34的第二端与第一电极321连接，第二连接线35的第一端与第二引脚332连接，第二连接线35的第二端与第二电极322连接。
[0115]
在示例性实施方式中，第一连接线34的形状可以为折线状，第一连接线34可以至少包括第一子线341和第二子线342，第一子线341可以设置在第一方向x的反方向一侧的边框区域m，第二子线342可以设置在第二方向y的反方向一侧的边框区域m。
[0116]
在示例性实施方式中，第一子线341的形状可以为沿着第二方向y延伸的线形状，第二子线342的形状可以为沿着第一方向x延伸的线形状，第一子线341的第一端与第一引脚331连接，第一子线341的第二端沿着第二方向y的反方向延伸后，与第二子线342的第一端连接，第二子线342的第二端沿着第一方向x延伸。
[0117]
在示例性实施方式中，第二连接线35的形状可以为折线状，第二连接线35可以至少包括第四子线351和第五子线352，第四子线351可以设置在第一方向x的反方向一侧的边框区域m，第五子线352可以设置在第二方向y一侧的边框区域m。
[0118]
在示例性实施方式中，第四子线351的形状可以为沿着第二方向y延伸的线形状，第五子线352的形状可以为沿着第一方向x延伸的线形状，第四子线351的第一端与第二引脚332连接，第四子线351的第二端沿着第二方向y延伸后，与第五子线352的第一端连接，第五子线352的第二端沿着第一方向x延伸。
[0119]
在示例性实施方式中，第一电极321的形状可以为沿着第二方向y延伸的条形状，第一电极321的第一端与第一连接线34的第二子线342连接，第一电极321的第二端沿着第二方向y延伸。第二电极322的形状可以为沿着第二方向y延伸的条形状，第二电极322的第一端与第二连接线35的第五子线352连接，第二电极322的第二端沿着第二方向y的反方向延伸。
[0120]
在示例性实施方式中，在第一方向x上，第一电极321和第二电极322交替设置在相邻的阳极31之间，形成“叉指状”结构。对于一个阳极31，第一电极321和第二电极322可以分别设置在该阳极31在第一方向x上的两侧，例如，第一电极321可以设置在该阳极31第一方向x的反方向一侧，第二电极322可以设置在该阳极31第一方向x的一侧，或者，第一电极321可以设置在该阳极31第一方向x的一侧，第二电极322可以设置在该阳极31第一方向x的反方向一侧。
[0121]
(3)形成像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成像素定义层图案可以包括：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层40，如图9所示。
[0122]
在示例性实施方式中，像素定义层40可以包括位于每个子像素内的像素开口41，像素开口41内全部厚度的像素定义层被去掉，暴露出阳极31的表面。
[0123]
在示例性实施方式中，像素开口41形成像素发光区pa，相邻像素发光区pa之间形成像素空白区pk，像素开口41被配置为使后续形成的有机发光层在该区域出射光线，因而像素定义层40可以在子像素内形成像素发光区pa和像素空白区pk，像素发光区pa为发光区域，像素空白区pk为非发光区域，像素空白区pk位于像素发光区pa的外围。例如，第一子像素的像素发光区pa与第二子像素的像素发光区pa之间的区域为像素空白区pk。这样，显示基板可以包括周期性排布的多个像素发光区pa，以及位于相邻像素发光区pa之间的多个像素空白区pk。
[0124]
在示例性实施方式中，第一电极321和第二电极322可以设置在不同的像素空白区pk，在第一方向x上，第一电极321和第二电极322交替设置，第一电极321和第二电极322被像素定义层40覆盖，第一电极321和第二电极322在基底上的正投影位于像素空白区pk在基底上的正投影的范围之内。
[0125]
(4)形成有机发光层图案。在示例性实施方式中，形成有机发光层图案可以包括：先通过喷墨打印方式形成有机发光层50图案，每个子像素的有机发光层50通过像素开口41与所在子像素的阳极31连接，如图10所示。
[0126]
在示例性实施方式中，有机发光层50可以包括发光层(eml)，以及如下任意一种或多种：空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子阻挡层(ebl)、空穴阻挡层(hbl)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)。
[0127]
在示例性实施方式中，以形成发光层为例，喷墨打印形成发光层的工艺可以包括：
[0128]
在显示基板下方设置有烘烤装置60，烘烤装置60可以对显示基板进行烘烤；
[0129]
通过喷墨打印方式喷涂有机发光材料后，向第一引脚331施加第一电压信号，向第二引脚332施加第二电压信号。
[0130]
本实施例显示基板通过在阳极导电层中设置第一电极321和第二电极322，第一电极321和第二电极322可以在喷墨打印时对有机发光材料施加电场，在该电场对有机发光材料中的有机分子的偶极矩施加的电场力的作用下，有机分子可以趋于水平排列分布，从而提高了显示装置的出光效率。
[0131]
图11为本公开示例性实施例喷墨打印时控制电极施加的电场示意图。
[0132]
在示例性实施方式中，第一电极321和第二电极322设置在不同的像素空白区pk，在第一方向x上，第一电极321和第二电极322交替设置。
[0133]
在示例性实施方式中，对于一个像素开口41，第一电极321和第二电极322可以分别设置在该像素开口41的两侧，例如，第一电极321可以设置在该像素开口41的第一方向x的反方向一侧，第二电极322可以设置在该像素开口41的第一方向x的一侧，或者，第一电极321可以设置在该像素开口41的第一方向x的一侧，第二电极322可以设置在该像素开口41的第一方向x的反方向一侧。
[0134]
在示例性实施方式中，电场方向可以由第一电极321指向与该第一电极321相邻的第二电极322，或者，电场方向可以由第二电极322指向与该第二电极322相邻的第一电极321。
[0135]
本实施例显示基板通过在阳极导电层中设置第一电极321和第二电极322，第一电极321和第二电极322可以在喷墨打印时对有机发光材料施加电场，在该电场对有机发光材料中的有机分子的偶极矩施加的电场力的作用下，有机分子可以在第一方向x上即像素开口41的短轴方向趋于水平排列分布，从而提高了显示装置的出光效率。
[0136]
在示例性实施方式中，第一电极321和第二电极322在第一方向x上交替设置在相邻的像素开口41之间的像素空白区pk，通过喷墨打印方式形成发光层时，在第一电极321和第二电极322之间施加几十伏的电压就能产生0.5～5kv/cm的电场强度，可以确保安全生产，且操作便捷。
[0137]
第一方向x上相邻的像素开口41共用一个第一电极321或第二电极322，可以在满足对有机发光材料施加电场的基础上，简化显示基板的结构，节约成本。
[0138]
在示例性实施方式中，发光层可以包括主体(host)材料和掺杂在主体材料中的客体(dopant)材料，发光层客体材料的掺杂比例为1％至20％。在该掺杂比例范围内，一方面发光层主体材料可将激子能量有效转移给发光层客体材料来激发发光层客体材料发光，另一方面发光层主体材料对发光层客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。在示例性实施方式中，掺杂比例是指客体材料的质量与发光层的质量之比，即质量百分比。在示例性实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。在示例性实施方式中，发光层的厚度可以约为10nm至50nm。
[0139]
在示例性实施方式中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物。在示例性实施方式中，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。
[0140]
在示例性实施方式中，在示例性实施方式中，空穴传输层可以采用空穴迁移率较高的材料，如芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑、甲基芴、螺芴、二苯并噻吩或呋喃等。在示例性实施方式中，空穴传输层的厚度可以约为40nm至150nm。
[0141]
在示例性实施方式中，空穴阻挡层和电子传输层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。在示例性实施方式中，空
穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。
[0142]
在示例性实施方式中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化锂(lif)、镱(yb)、镁(mg)或钙(ca)等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等。在示例性实施方式中，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。
[0143]
(5)形成阴极图案。在示例性实施方式中，形成阴极图案可以包括：通过蒸镀或者沉积等方式形成阴极70图案，阴极70与有机发光层50连接，如图12所示。
[0144]
在示例性实施方式中，阴极可以采用金属材料或者透明导电材料，金属材料可以包括镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铜(cu)和锂(li)中的任意一种或多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锌(izo)。在示例性实施方式中，阴极可以是单层结构，或者是多层复合结构，如mg/ag等。
[0145]
在一些可能的示例性实施方式中，可以在形成阴极图案后形成光学耦合层图案，光学耦合层设置在阴极上，光学耦合层的折射率可以大于阴极的折射率，有利于光取出并增加出光效率，光学耦合层的材料可以采用有机材料，或者采用无机材料，或者采用有机材料和无机材料，可以是单层、多层或复合层，本公开在此不做限定。
[0146]
至此，制备完成发光结构层图案，发光结构层可以包括像素定义层40和发光器件，发光器件可以包括阳极31、有机发光层50和阴极70，有机发光层50设置在阳极31和阴极70之间，有机发光层50在阳极31和阴极70的驱动下出射光线。
[0147]
后续制备中，可以包括形成封装结构层、形成保护层和贴合盖板等工艺，这里不再赘述。
[0148]
图13为本公开示例性实施例另一种显示基板的平面结构示意图。
[0149]
本示例性实施例显示基板的结构与图4示例性实施例显示基板的结构基本上相同，所不同的是，第一电极321和第二电极322的形状可以为沿着第一方向x延伸的条形状，第一电极321和第二电极322可以设置在第二方向y相邻的像素开口41间，第一电极321和第二电极322可以设置在不同的像素空白区pk，第一电极321和第二电极322在第二方向y上交替设置。
[0150]
在示例性实施方式中，第一连接线34可以至少包括第一子线341、第二子线342和第三子线343，第一子线341、第二子线342和第三子线343可以设置在第一方向x的反方向一侧的边框区域m。
[0151]
在示例性实施方式中，第一子线341的形状可以为沿着第二方向y延伸的线形状，第二子线342的形状可以为沿着第一方向x延伸的线形状，第三子线343的形状可以为沿着第二方向y延伸的线形状。第一子线341的第一端与第一引脚331连接，第一子线341的第二端沿着第二方向y的反方向延伸后，与第二子线342的第一端连接，第二子线342的第二端沿着第一方向x延伸后，与至少一个第一电极331的第一端连接，第三子线343沿着第二方向y延伸，与多个第一电极331的第一端连接。
[0152]
在示例性实施方式中，第二连接线35可以至少包括第四子线351、第五子线352和第六子线353，第四子线351和第五子线352可以设置在第一方向x的反方向一侧的边框区域m，第六子线353可以设置在第一方向x一侧的边框区域m。
[0153]
在示例性实施方式中，第四子线351的形状可以为沿着第二方向y延伸的线形状，第五子线352的形状可以为沿着第一方向x延伸的线形状，第六子线353的形状可以为沿着
第二方向y延伸的线形状。第四子线351的第一端与第二引脚332连接，第四子线351的第二端沿着第二方向y延伸后，与第五子线352的第一端连接，第五子线352的第二端沿着第一方向x延伸后，与至少一个第二电极332的第二端连接，第六子线353沿着第二方向y延伸，与多个第二电极332的第一端连接。
[0154]
在示例性实施方式中，第一电极321的形状可以为沿着第一方向x延伸的条形状，第一电极321的第一端与第一连接线34的第三子线343连接，且至少一个第一电极321的第一端与第一连接线34的第二子线342连接，第一电极321的第二端沿着第一方向x延伸。
[0155]
在示例性实施方式中，第二电极322的形状可以为沿着第一方向x延伸的条形状，第二电极322的第一端与第二连接线35的第六子线353连接，第二电极322的第二端沿着第一方向x的反方向延伸，且至少一个第二电极322的第二端与第二连接线35的第五子线352连接。
[0156]
在示例性实施方式中，在第二方向y上，第一电极321和第二电极322交替设置在相邻的像素开口41之间，形成“叉指状”结构。对于一个像素开口41，第一电极321和第二电极322可以分别设置在该像素开口41在第二方向y上的两侧，例如，第一电极321可以设置在该像素开口41第二方向y的反方向一侧，第二电极322可以设置在该像素开口41第二方向y的一侧，或者，第一电极321可以设置在该像素开口41第二方向y的一侧，第二电极322可以设置在该像素开口41第二方向y的反方向一侧。
[0157]
本实施例显示基板通过在阳极导电层中设置第一电极321和第二电极322，第一电极321和第二电极322可以在喷墨打印时对有机发光材料施加电场，在该电场对有机发光材料中的有机分子的偶极矩施加的电场力的作用下，有机分子可以在第二方向y上即像素开口41的长轴方向趋于水平排列分布，从而提高了显示装置的出光效率。
[0158]
在示例性实施方式中，第一电极321和第二电极322在第二方向y上交替设置在相邻的像素开口41之间的像素空白区pk，通过喷墨打印方式形成发光层时，在第一电极321和第二电极322之间施加几十伏的电压就能产生0.5～5kv/cm的电场强度，可以确保安全生产，且操作便捷。
[0159]
第二方向y上相邻的像素开口41共用一个第一电极321或第二电极322，可以在满足对有机发光材料施加电场的基础上，简化显示基板的结构，节约成本。
[0160]
图14是本公开示例性实施例又一种显示基板的平面结构示意图。图15为图14中a-a向的剖视图。
[0161]
本示例性实施例显示基板的结构与图4示例性实施例的显示基板的结构基本上相同，所不同的是，至少一个像素空白区pk可以设置有第一电极321和第二电极322，第一电极321和第二电极322在第一方向x上并排设置。
[0162]
在示例性实施方式中，在一个像素空白区pk以及第一方向x相邻的另一个像素空白区pk中，第一电极321和第二电极322可以沿着第一方向x依次设置，例如，在一个像素空白区pk中，第一电极321可以设置在第二电极322第一方向x的反方向一侧，如图14所示，或者，第一电极321可以设置在第二电极322第一方向x的一侧，如图15所示。
[0163]
本实施例显示基板通过在阳极导电层中设置第一电极321和第二电极322，第一电极321和第二电极322可以在喷墨打印时对有机发光材料施加电场，在该电场对有机发光材料中的有机分子的偶极矩施加的电场力的作用下，有机分子可以在第一方向x上即像素开
口41的短轴方向趋于水平排列分布，从而提高了显示装置的出光效率。
[0164]
在示例性实施方式中，第一电极321和第二电极322设置在第一方向x上相邻的像素开口41之间的像素空白区pk，通过喷墨打印方式形成发光层时，在第一电极321和第二电极322之间施加几十伏的电压就能产生0.5～5kv/cm的电场强度，可以确保安全生产，且操作便捷。
[0165]
在一个像素空白区pk中，第一电极321和第二电极322沿着第一方向x并排设置，第一方向x上相邻的像素开口41对应着不同的第一电极321和第二电极322，不仅可以减小像素开口41内的有机发光层与对应的第一电极321和第二电极322之间的距离，而且可以对不同像素开口41内的有机发光层施加不同的电场，提高有机发光层排列分布效率，还可以在满足对有机发光材料施加电场的基础上，降低施加在第一电极321和第二电极322上的电压，降低生产成本。
[0166]
图16为本公开示例性实施例又一种显示基板的平面结构示意图。
[0167]
本示例性实施例显示基板的结构与图13示例性实施例显示基板的结构基本上相同，所不同的是，至少一个像素空白区pk可以设置有第一电极321和第二电极322，第一电极321和第二电极322在第二方向y上并排设置。
[0168]
在示例性实施方式中，在一个像素空白区pk以及第二方向y相邻的另一个像素空白区pk中，第一电极321和第二电极322可以沿着第二方向y依次设置，例如，在一个像素空白区pk中，第一电极321可以设置在第二电极322第二方向y的反方向一侧，或者，第一电极321可以设置在第二电极322第二方向y的一侧。
[0169]
本实施例显示基板通过在阳极导电层中设置第一电极321和第二电极322，第一电极321和第二电极322可以在喷墨打印时对有机发光材料施加电场，在该电场对有机发光材料中的有机分子的偶极矩施加的电场力的作用下，有机分子可以在第二方向y上即像素开口41的长轴方向趋于水平排列分布，从而提高了显示装置的出光效率。
[0170]
在示例性实施方式中，第一电极321和第二电极322设置在第二方向y上相邻的像素开口41之间的像素空白区pk，通过喷墨打印方式形成发光层时，在第一电极321和第二电极322之间施加几十伏的电压就能产生0.5～5kv/cm的电场强度，可以确保安全生产，且操作便捷。
[0171]
在一个像素空白区pk中，第一电极321和第二电极322沿着第二方向y并排设置，第二方向y上相邻的像素开口41对应着不同的第一电极321和第二电极322，不仅可以减小像素开口41内的有机发光层与对应的第一电极321和第二电极322之间的距离，而且可以对不同像素开口41内的有机发光层施加不同的电场，提高有机发光层排列分布效率，还可以在满足对有机发光材料施加电场的基础上，降低施加在第一电极321和第二电极322上的电压，降低生产成本。
[0172]
图17为本公开示例性实施例又一种显示基板的平面结构示意图。
[0173]
本示例性实施例显示基板的结构与图14示例性实施例显示基板的结构基本上相同，所不同的是，第一电极321和第二电极322中的至少一个的形状可以为沿着第二方向y延伸的折线状。
[0174]
在示例性实施方式中，第一电极321的形状可以为沿着第二方向y延伸的折线状，第一电极321可以至少包括多个直线部和多个弯折部，多个直线部和多个弯折部在第二方
向y上交替设置且互相连接。
[0175]
在示例性实施方式中，直线部的形状可以为沿着第二方向y延伸的条形状，直线部可以设置在第一方向x相邻的像素开口41之间，弯折部的形状可以为与像素开口41的边缘形状相适应的折线状或弧线状。
[0176]
在示例性实施方式中，第二电极322的形状可以为沿着第二方向y延伸的折线状，第二电极322可以至少包括多个直线部和多个弯折部，多个直线部和多个弯折部在第二方向y上交替设置且互相连接。
[0177]
在示例性实施方式中，直线部的形状可以为沿着第二方向y延伸的条形状，直线部可以设置在第一方向x相邻的像素开口41之间，弯折部的形状可以为与像素开口41的边缘形状相适应的折线状或弧线状。
[0178]
本实施例显示基板通过将第一电极321和第二电极322中的至少一个的形状设置为沿着第二方向y延伸的折线状，该折线状中的弯折部可以与像素开口41的边缘形状相适应，从而第一电极321和第二电极322在对有机发光材料施加电场时，可以提高电场的均匀性，可以提高有机分子在第一方向x上的水平排列分布的效果，由此进一步提高显示装置的出光效率。
[0179]
图18为本公开示例性实施例又一种显示基板的平面结构示意图。
[0180]
本示例性实施例显示基板的结构与图16示例性实施例显示基板的结构基本上相同，所不同的是，第一电极321和第二电极322中的至少一个的形状可以为沿着第一方向x延伸的折线状。
[0181]
在示例性实施方式中，第一电极321的形状可以为沿着第一方向x延伸的折线状，第一电极321可以至少包括多个直线部和多个弯折部，多个直线部和多个弯折部在第一方向x上交替设置且互相连接。
[0182]
在示例性实施方式中，直线部的形状可以为沿着第一方向x延伸的条形状，直线部可以设置在第二方向y相邻的像素开口41之间，弯折部的形状可以为与像素开口41的边缘形状相适应的折线状或弧线状。
[0183]
在示例性实施方式中，第二电极322的形状可以为沿着第一方向x延伸的折线状，第二电极322可以至少包括多个直线部和多个弯折部，多个直线部和多个弯折部在第一方向x上交替设置且互相连接。
[0184]
在示例性实施方式中，直线部的形状可以为沿着第一方向x延伸的条形状，直线部可以设置在第二方向y相邻的像素开口41之间，弯折部的形状可以为与像素开口41的边缘形状相适应的折线状或弧线状。
[0185]
本实施例显示基板通过将第一电极321和第二电极322中的至少一个的形状设置为沿着第一方向x延伸的折线状，该折线状中的弯折部可以与像素开口41的边缘形状相适应，从而第一电极321和第二电极322在对有机发光材料施加电场时，可以提高电场的均匀性，可以提高有机分子在第二方向y上的水平排列分布的效果，由此进一步提高显示装置的出光效率。
[0186]
本公开实施例还提供另一种喷墨打印时控制电极施加的电场。
[0187]
形成本实施例电场的显示基板的结构与形成图11示例性实施例电场的显示基板的结构基本上相同，所不同的是，至少一个像素空白区pk可以设置有第一电极321和第二电
极322，第一电极321和第二电极322在第一方向x上并排设置。
[0188]
在示例性实施方式中，在一个像素空白区pk以及第一方向x相邻的另一个像素空白区pk中，第一电极321和第二电极322可以沿着第一方向x依次设置，例如，在一个像素空白区pk中，第一电极321可以设置在第二电极322第一方向x的反方向一侧，或者，第一电极321可以设置在第二电极322第一方向x的一侧。
[0189]
本实施例显示基板通过在阳极导电层中设置第一电极321和第二电极322，第一电极321和第二电极322可以在喷墨打印时对有机发光材料施加电场，在该电场对有机发光材料中的有机分子的偶极矩施加的电场力的作用下，有机分子可以在第一方向x上即像素开口41的短轴方向趋于水平排列分布，从而提高了显示装置的出光效率。
[0190]
在示例性实施方式中，第一电极321和第二电极322设置在第一方向x上相邻的像素开口41之间的像素空白区pk，通过喷墨打印方式形成发光层时，在第一电极321和第二电极322之间施加几十伏的电压就能产生0.5～5kv/cm的电场强度，可以确保安全生产，且操作便捷。
[0191]
在一个像素空白区pk中，第一电极321和第二电极322沿着第一方向x并排设置，第一方向x上相邻的像素开口41对应着不同的第一电极321和第二电极322，不仅可以减小像素开口41内的有机发光层与对应的第一电极321和第二电极322之间的距离，而且可以对不同像素开口41内的有机发光层施加不同的电场，提高有机发光层排列分布效率，还可以在满足对有机发光材料施加电场的基础上，降低施加在第一电极321和第二电极322上的电压，降低生产成本。
[0192]
本公开实施例还提供一种显示装置，包括本公开示例性实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本发明实施例并不以此为限。
[0193]
本公开实施例还提供一种显示基板的制备方法，包括：
[0194]
在基底上形成驱动电路层；
[0195]
在所述驱动电路层远离所述基底一侧形成阳极导电层，所述阳极导电层至少包括阳极、第一电极和第二电极；
[0196]
在所述阳极导电层远离所述基底一侧形成像素定义层，所述像素定义层上设有像素开口，所述像素开口暴露出所述阳极，所述第一电极和所述第二电极设置在相邻的像素开口之间，所述第一电极和所述第二电极用于在喷墨打印时对有机发光材料施加电场。
[0197]
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何本公开所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本技术的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。