技术特征：
1.一种变掺杂sic外延结构，其特征在于，包括，第一导电类型衬底；形成于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型缓冲层；形成于所述第一导电类型缓冲层上的第一导电类型漂移层；所述第一导电类型漂移层进一步包括，形成于所述第一导电类型缓冲层上的第一导电类型耐压层；形成于所述第一导电类型耐压层上的第一导电类型过渡层；形成于所述第一导电类型过渡层上的第一导电类型补偿层。2.根据权利要求1所述变掺杂sic外延结构，其特征在于，所述第一导电类型缓冲层的厚度为0.5μm～30μm，所述第一导电类型缓冲层为均匀掺杂或非均匀掺杂，所述第一导电类型缓冲层的平均掺杂浓度为2e15cm-3
～1e19cm-3
。3.根据权利要求1所述变掺杂sic外延结构，其特征在于，所述第一导电类型耐压层为均匀掺杂或非均匀掺杂，所述第一导电类型耐压层的平均掺杂浓度为1e15cm-3
～1e17cm-3
，所述第一导电类型耐压层的厚度为5μm～20μm，所述第一导电类型耐压层靠近所述第一导电类型过渡层位置的掺杂浓度不高于所述第一导电类型耐压层靠近所述第一导电类型缓冲层位置的掺杂浓度，所述第一导电类型耐压层的最高掺杂浓度与最低掺杂浓度的比值不超过10。4.根据权利要求1所述变掺杂sic外延结构，其特征在于，所述第一导电类型过渡层为均匀掺杂或非均匀掺杂，所述第一导电类型过渡层的平均掺杂浓度为5e14cm-3
～1e16cm-3
，所述第一导电类型过渡层的厚度为0.5μm～5μm，所述第一导电类型过渡层的最高掺杂浓度与最低掺杂浓度的比值不超过2，所述第一导电类型过渡层包含所述外延结构中最低掺杂浓度的区域。5.根据权利要求1所述变掺杂sic外延结构，其特征在于，所述第一导电类型补偿层为非均匀掺杂，所述第一导电类型补偿层的平均掺杂浓度为1e15cm-3
～2e16cm-3
，所述第一导电类型补偿层的厚度为0.5μm～5μm，所述第一导电类型补偿层靠近外延层表面位置的掺杂浓度与所述第一导电类型补偿层靠近所述第一导电类型过渡层位置的掺杂浓度的比值不低于1.2。
技术总结
本发明提供一种变掺杂SiC外延结构，包括缓冲层和漂移层，所述漂移层又包括耐压层、过渡层和补偿层。本发明通过设置过渡层和补偿层，可以提高后续第二导电类型注入后形成的阱区结深，降低所述第二导电类型阱区在靠近PN结附近的纵向浓度梯度变化，同时抑制由于轻掺杂漂移层导致的导通电阻过大问题，能有效提升SiC功率器件的抗辐照加固能力。SiC功率器件的抗辐照加固能力。SiC功率器件的抗辐照加固能力。
技术研发人员：张腾 赵志飞 杨晓磊 叶云 黄润华 柏松
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第五十五研究所
技术研发日：2022.08.10
技术公布日：2022/11/11