结型场效应器件及其制造方法与流程

1.本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种结型场效应器件及其制造方法。


背景技术：

2.基于现代化bifet双极工艺制造的高精度结型场效应晶体管(jfet)输入运算放大器具有噪音低、输入阻抗高、温漂和输入偏置电流小等特点，在整机电子系统中用于信号的放大处理，针对高精度结型场效应晶体管输入运算放大器的生产，在现代化bifet双极工艺中最为重要的就是结型场效应器件的开发。
3.结型场效应晶体管具有高输入阻抗、低偏置电流等一系列优点，其适用范围很广，但是随着双极工艺集成技术的不断发展以及集成密度的不断提高，结型场效应晶体管在输入阻抗、漏电流、阈值电压、耐压等各个方面受到的挑战越来越多，其漏电流偏高，且漏电流与阈值电压等关键参数的一致性越来越差，越来越不适用于小型化、高密度集成化、精细化的整机电子系统。
4.因此，如何降低结型场效应器件的漏电流并提升其关键参数的一致性是目前亟需解决的技术问题。


技术实现要素：

5.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种结型场效应器件的技术方案，用于解决上述技术问题。
6.为了实现上述目的及其他相关目的，本发明提供的技术方案如下。
7.一种结型场效应器件，包括：
8.衬底；
9.外延层，具有第一类型掺杂，设置在所述衬底上；
10.沟道区，具有第二类型掺杂，设置在所述外延层中；
11.第一层栅区，具有第一类型掺杂，设置在所述沟道区内；
12.第二层多晶硅栅区，具有第一类型掺杂，设置在所述第一层栅区内且位于所述第一层栅区的顶部；
13.多晶硅重掺杂源区，具有第二类型掺杂，设置在所述沟道区内，位于所述第一层栅区的一侧；
14.多晶硅重掺杂漏区，具有第二类型掺杂，设置在所述沟道区内，位于所述第一层栅区的另一侧；
15.场氧层，设置在所述外延层上，且暴露出所述第二层多晶硅栅区、所述多晶硅重掺杂源区及所述多晶硅重掺杂漏区；
16.栅区多晶硅，设置在所述外延层上，穿过所述场氧层与所述第二层多晶硅栅区接触；
17.源区多晶硅，设置在所述外延层上，穿过所述场氧层与所述多晶硅重掺杂源区接
触；
18.漏区多晶硅，设置在所述外延层上，穿过所述场氧层与所述多晶硅重掺杂漏区接触；
19.介质层，设置在所述场氧层、所述栅区多晶硅、所述源区多晶硅及所述漏区多晶硅上，且暴露出所述栅区多晶硅、所述源区多晶硅及所述漏区多晶硅；
20.栅极金属，设置在所述介质层上，穿过所述介质层与所述栅区多晶硅接触；
21.源极金属，设置在所述介质层上，穿过所述介质层与所述源区多晶硅接触；
22.漏极金属，设置在所述介质层上，穿过所述介质层与所述漏区多晶硅接触。
23.可选地，所述结型场效应器件还包括：
24.埋层，设置在所述衬底中且位于所述衬底顶部的边缘；
25.隔离穿透区，设置在所述外延层中并环绕所述沟道区设置，位于所述外延层的边缘且与所述埋层接触。
26.可选地，所述衬底具有p型掺杂，所述埋层具有n型掺杂，所述隔离穿透区具有n型掺杂。
27.可选地，所述第一类型掺杂与所述第二类型掺杂是相反的类型掺杂，若所述第一类型掺杂为p型掺杂，则所述第二类型掺杂为n型掺杂；若所述第一类型掺杂为n型掺杂，则所述第二类型掺杂为p型掺杂。
28.可选地，所述衬底或者所述外延层的材料至少包括体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟及锗硅中的一种。
29.一种结型场效应器件的制造方法，包括：
30.提供衬底；
31.在所述衬底中形成埋层，所述埋层位于所述衬底顶部的边缘；
32.在所述衬底上形成外延层，所述外延层具有第一类型掺杂；
33.在所述外延层中形成隔离穿透区，所述隔离穿透区位于所述外延层的边缘且与所述埋层接触；
34.在所述外延层中形成沟道区，所述沟道区具有第二类型掺杂；
35.在所述外延层上形成场氧层，所述场氧层上预设有栅区窗口、源区窗口及漏区窗口；
36.通过所述栅区窗口，在所述沟道区中形成第一层栅区，所述第一层栅区具有第一类型掺杂；
37.在所述栅区窗口处形成栅区多晶硅，在所述源区窗口处形成源区多晶硅，在所述漏区窗口处形成漏区多晶硅，所述栅区多晶硅与所述第一层栅区接触，所述源区多晶硅及所述漏区多晶硅分别与所述沟道区接触；
38.通过所述栅区多晶硅，在所述第一层栅区内形成第二层多晶硅栅区，所述第二层多晶硅栅区具有第一类型掺杂且位于所述第一层栅区的顶部；
39.通过所述源区多晶硅，在所述沟道区内形成多晶硅重掺杂源区，通过所述漏区多晶硅，在所述沟道区内形成多晶硅重掺杂漏区，所述多晶硅重掺杂源区具有第二类型掺杂且位于所述第一层栅区的一侧，所述多晶硅重掺杂漏区具有第二类型掺杂且位于所述第一层栅区的另一侧。
40.可选地，在形成所述多晶硅重掺杂源区及所述多晶硅重掺杂漏区后，所述结型场效应器件的制造方法还包括：
41.在所述场氧层、所述栅区多晶硅、所述源区多晶硅及所述漏区多晶硅上形成第一介质层并刻蚀，暴露出所述栅区多晶硅、所述源区多晶硅及所述漏区多晶硅；
42.在残留的所述第一介质层、所述栅区多晶硅、所述源区多晶硅及所述漏区多晶硅上形成第一金属层并刻蚀，得到相互独立的栅极金属、源极金属及漏极金属，所述栅极金属穿过残留的所述第一介质层与所述栅区多晶硅接触，所述源极金属穿过残留的所述第一介质层与所述源区多晶硅接触，所述漏极金属穿过残留的所述第一介质层与所述漏区多晶硅接触。
43.可选地，在形成所述栅极金属、所述源极金属及所述漏极金属后，所述结型场效应器件的制造方法还包括：
44.在所述栅极金属、所述源极金属及所述漏极金属上形成第二介质层并刻蚀，暴露出所述栅极金属、所述源极金属及所述漏极金属；
45.在残留的所述第二介质层、所述栅极金属、所述源极金属及所述漏极金属上形成第二金属层并刻蚀，得到相互独立的栅极附加金属、源极附加金属及漏极附加金属，所述栅极附加金属穿过残留的所述第二介质层与所述栅极金属接触，所述源极附加金属穿过残留的所述第二介质层与所述源极金属接触，所述漏极附加金属穿过残留的所述第二介质层与所述漏极金属接触；
46.形成钝化层，所述钝化层覆盖所述栅极附加金属、所述源极附加金属及所述漏极附加金属；
47.刻蚀所述钝化层，暴露出所述栅极附加金属、所述源极附加金属及所述漏极附加金属。
48.可选地，所述第二金属层包括合金层。
49.可选地，在刻蚀所述钝化层，暴露出所述栅极附加金属、所述源极附加金属及所述漏极附加金属后，所述结型场效应器件的制造方法还包括：
50.进行低温退火处理；
51.依次进行测试、切割、装架、烧结、封装及封装后测试处理。
52.如上所述，本发明的结型场效应器件及其制造方法具有以下有益效果：
53.沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区，即栅区结构为双层结构，在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成了第二层多晶硅栅区，相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触，对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂，改善了栅极接触区域的导电性能，能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流降低，器件的阈值电压同样也得以降低，有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性；基于结构的规范设计，对应工艺可以采用全多晶自对准工艺，流程简单，且可以与多晶硅集成电路工艺高度兼容。
附图说明
54.图1显示为本发明中结型场效应器件的结构示意图。
55.图2显示为本发明中结型场效应器件的制造方法的步骤示意图。
56.图3-图26显示为本发明一可选实施例中结型场效应器件的制造方法的工艺流程图。
具体实施方式
57.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
58.请参阅图1至图26。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。本说明书所附图示所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
59.如前述在背景技术中所述的，发明人研究发现：随着双极工艺集成技术的不断发展以及集成密度的不断提高，对结型场效应晶体管在输入阻抗、漏电流、阈值电压、耐压等各个方面的要求越来越高，其漏电流偏高，且漏电流与阈值电压等关键参数的一致性越来越差，越来越不适用于小型化、高密度集成化、精细化的整机电子系统。
60.基于此，本发明提出一种结型场效应器件的技术方案：在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成第二层多晶硅栅区，得到双层结构的栅区结构，以改善栅极接触区域的导电性能，降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流及阈值电压降低，提升漏电流与阈值电压等关键参数的一致性。
61.如图1所示，本发明提供一种结型场效应器件，其包括：
62.衬底100；
63.外延层102，具有第一类型掺杂，设置在衬底100上；
64.沟道区106，具有第二类型掺杂，设置在外延层102中；
65.第一层栅区108，具有第一类型掺杂，设置在沟道区106内；
66.第二层多晶硅栅区112，具有第一类型掺杂，设置在第一层栅区108内且位于第一层栅区108的顶部；
67.多晶硅重掺杂源区113，具有第二类型掺杂，设置在沟道区106内，位于第一层栅区108的一侧；
68.多晶硅重掺杂漏区114，具有第二类型掺杂，设置在沟道区106内，位于第一层栅区108的另一侧；
69.场氧层107，设置在外延层102上，且暴露出第二层多晶硅栅区112、多晶硅重掺杂源区113及多晶硅重掺杂漏区114；
70.栅区多晶硅109，设置在外延层102上，穿过场氧层107与第二层多晶硅栅区112接触；
71.源区多晶硅110，设置在外延层102上，穿过场氧层107与多晶硅重掺杂源区113接触；
72.漏区多晶硅111，设置在外延层102上，穿过场氧层107与多晶硅重掺杂漏区114接触；
73.介质层115，设置在场氧层107、栅区多晶硅109、源区多晶硅110及漏区多晶硅111上，且暴露出栅区多晶硅109、源区多晶硅110及漏区多晶硅111；
74.栅极金属116，设置在介质层115上，穿过介质层115与栅区多晶硅109接触；
75.源极金属117，设置在介质层115上，穿过介质层115与源区多晶硅110接触；
76.漏极金属118，设置在介质层115上，穿过介质层115与漏区多晶硅111接触。
77.其中，第一类型掺杂与第二类型掺杂是相反的类型掺杂，若第一类型掺杂为p型掺杂，则第二类型掺杂为n型掺杂；若第一类型掺杂为n型掺杂，则第二类型掺杂为p型掺杂。
78.详细地，如图1所示，所述结型场效应器件还包括：
79.埋层101，设置在衬底100中且位于衬底100顶部的边缘；
80.隔离穿透区103，设置在外延层102中并环绕沟道区106设置，位于外延层102的边缘且与埋层101接触。
81.更详细地，衬底100具有p型掺杂，埋层101具有n型掺杂，隔离穿透区103具有n型掺杂。可以理解的是，衬底100还可以具有n型掺杂，对应的埋层101和隔离穿透区103分别具有p型掺杂。相比较于n型掺杂衬底，由p型掺杂衬底制作的结型场效应器件的电学性能更好，对应的经济效益更高，衬底100一般选择p型掺杂。
82.详细地，衬底100或者外延层102的材料至少包括体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟及锗硅中的一种。
83.同时，如图2所示，本发明还提供一种结型场效应器件的制造方法，用于制造上述结型场效应器件，其包括步骤：
84.s1、提供衬底；
85.s2、在衬底中形成埋层，埋层位于衬底顶部的边缘；
86.s3、在衬底上形成外延层，外延层具有第一类型掺杂；
87.s4、在外延层中形成隔离穿透区，隔离穿透区位于外延层的边缘且与所述埋层接触，隔离穿透区环绕沟道区设置；
88.s5、在外延层中形成沟道区，沟道区具有第二类型掺杂；
89.s6、在外延层上形成场氧层，场氧层上预设有栅区窗口、源区窗口及漏区窗口；
90.s7、通过栅区窗口，在沟道区中形成第一层栅区，第一层栅区具有第一类型掺杂；
91.s8、在栅区窗口处形成栅区多晶硅，在源区窗口处形成源区多晶硅，在漏区窗口处形成漏区多晶硅，栅区多晶硅与第一层栅区接触，源区多晶硅及漏区多晶硅分别与沟道区接触；
92.s9、通过栅区多晶硅，在第一层栅区内形成第二层多晶硅栅区，第二层多晶硅栅区具有第一类型掺杂且位于第一层栅区的顶部；
93.s10、通过源区多晶硅，在沟道区内形成多晶硅重掺杂源区，通过漏区多晶硅，在沟道区内形成多晶硅重掺杂漏区，多晶硅重掺杂源区具有第二类型掺杂且位于第一层栅区的一侧，多晶硅重掺杂漏区具有第二类型掺杂且位于第一层栅区的另一侧。
94.详细地，如图3所示，在本发明的一可选实施例中，于步骤s1中，选择缺陷较少的p《111》单晶片作为衬底100，即衬底100具有p型掺杂，其片厚约500～700μm，电阻率5～30ω
·
cm，打标清洗、烘干待用。
95.详细地，如图3所示，在本发明的一可选实施例中，在步骤s1之后，在步骤s2之前，所述结型场效应器件的制造方法还包括步骤：
96.stp1、采用干加湿氧化工艺，生长一层厚度为的厚氧化层001，生长温度为1100～1150℃、生长时间为100min～120min；
97.stp2、进行第一次光刻，光刻刻蚀去胶后，采用纯干法氧化工艺，生长一层厚度为的薄氧化层002，生长温度为1000～1020℃、生长时间为30min～40min。
98.详细地，如图4-图5所示，在本发明的一可选实施例中，于步骤s2中，在衬底100中形成具有n型掺杂的埋层101，先进行离子注入后退火再分布，最后去除厚氧化层001和薄氧化层002，在衬底100的顶端外围一圈形成埋层101。其中，离子注入的条件为：剂量为4e15～8e15cm-2
、能量为60～100kev。退火再分布的条件为：纯n2氛围退火、温度为1100～1150℃、时间为100min～120min。
99.详细地，如图6所示，在本发明的一可选实施例中，于步骤s3中，采用外延生长工艺，在衬底100上形成具有p型掺杂的外延层102，生长温度为1100℃～1150℃，形成的外延层102的厚度为5～30μm，形成的外延层102的电阻率为4～40ω
·
cm。
100.详细地，如图7所示，在本发明的一可选实施例中，在步骤s3之后，在步骤s4之前，所述结型场效应器件的制造方法还包括步骤：
101.stp3、采用纯干法氧化工艺，生长一层厚度为的薄氧化层104，生长温度为1000～1020℃、生长时间为30min～40min。
102.详细地，如图8-图9所示，在本发明的一可选实施例中，于步骤s4中，进行第二次光刻，光刻后对外延层102的顶部外围一圈进行离子注入，在外延层102中形成具有n型掺杂的隔离穿透区103，隔离穿透区103位于外延层102的边缘且与衬底100中的埋层101接触。其中，离子注入的条件为：剂量为1e15～8e15cm-2
、能量为60～100kev。
103.详细地，如图10-图11所示，在本发明的一可选实施例中，于步骤s5中，进行第三次光刻，光刻后对外延层102的中间区域先进行离子注入后退火再分布，在外延层102的中间形成具有n型掺杂的沟道区106。其中，离子注入的条件为：剂量为1e13～5e13cm-2
、能量为60～100kev。退火再分布的条件为：无氧退火、温度为1100～1150℃、时间为100min～200min。
104.详细地，如图12-图13所示，在本发明的一可选实施例中，在步骤s5之后，在步骤s6之前，所述结型场效应器件的制造方法还包括步骤：
105.stp4、如图12所示，采用低压化学气相沉积工艺(lpcvd)，在薄氧化层104上形成氮化层105，氮化层105的厚度为
106.stp5、如图13所示，进行第四次光刻，光刻刻蚀氮化层105后，按照如图13所示的窗口进行n型杂质的离子注入，离子注入的剂量为1e11-5e11cm-2
、能量为60-100kev，对沟道区106中的掺杂进行加固，防止后续掺杂时的过渡掺杂使得局部区域反型。
107.详细地，如图14所示，在本发明的一可选实施例中，于步骤s6中，以残留的氮化层105为掩膜，采用干加湿氧化工艺，在外延层102上生长形成场氧层107，场氧层107的厚度为
生长温度为1000～1050℃、生长时间为200min～400min，最后进行退火再分布，退火再分布的条件为：纯n2氛围退火、温度为1100～1150℃、时间为100min～120min。
108.更详细地，如图14所示，残留的氮化层105所示的区域，既没有形成场氧层107的区域，为预设的栅区窗口、源区窗口及漏区窗口。
109.详细地，如图15-图16所示，在本发明的一可选实施例中，于步骤s7中，先剥离残余的氮化层105，进行第五次光刻，光刻后，通过栅区窗口，在沟道区106的中间区域进行离子注入，形成具有p型掺杂的第一层栅区108。其中，离子注入的条件为：剂量为3e15～8e15cm-2
、能量为60～100kev。
110.详细地，如图17-图18所示，在本发明的一可选实施例中，形成栅区多晶硅、源区多晶硅及漏区多晶硅的步骤s8进一步包括：
111.s81、先剥离残留的薄氧化层104，以暴露出沟道区106中与栅区窗口、源区窗口及漏区窗口对应的的局部区域；
112.s82、沉积形成多晶硅膜层，多晶硅膜层覆盖场氧层107，以及沟道区106中与栅区窗口、源区窗口及漏区窗口对应的区域，多晶硅膜层的厚度为
113.s83、进行第六次光刻，光刻后刻蚀多余的多晶硅膜层，在栅区窗口处形成栅区多晶硅109，在源区窗口处形成源区多晶硅110，在漏区窗口处形成漏区多晶硅111，栅区多晶硅109与第一层栅区108接触，源区多晶硅110及漏区多晶硅111分别与沟道区106接触。
114.详细地，如图19-图20所示，在本发明的一可选实施例中，在步骤s9中，进行第七次光刻，光刻后采用穿过栅区多晶硅109的离子注入工艺，在第一层栅区108内形成第二层多晶硅栅区112，第二层多晶硅栅区112具有p型掺杂且位于第一层栅区108的顶部。其中，离子注入的条件为：剂量为1e15～5e15cm-2
、能量为20～40kev。
115.详细地，如图21-图22所示，在本发明的一可选实施例中，在步骤s10中，进行第八次光刻，光刻后先执行离子注入工艺后执行退火再分布工艺，通过源区多晶硅110，在沟道区106内形成多晶硅重掺杂源区113，通过漏区多晶硅111，在沟道区106内形成多晶硅重掺杂漏区114，多晶硅重掺杂源区113具有n型掺杂且位于第一层栅区108的一侧，多晶硅重掺杂漏区114具有n型掺杂且位于第一层栅区108的另一侧。其中，离子注入的条件为：剂量为1e15～5e15cm-2
、能量为20～40kev。退火再分布工艺采用rta退火方式，rta再分布的条件为：无氧环境，温度为800～900℃、时间为30sec～60sec。
116.详细地，如图2所示，在形成多晶硅重掺杂源区及多晶硅重掺杂漏区后，所述结型场效应器件的制造方法还包括步骤：
117.s11、在场氧层、栅区多晶硅、源区多晶硅及漏区多晶硅上形成第一介质层并刻蚀，暴露出栅区多晶硅、源区多晶硅及漏区多晶硅；
118.s12、在残留的第一介质层、栅区多晶硅、源区多晶硅及漏区多晶硅上形成第一金属层并刻蚀，得到相互独立的栅极金属、源极金属及漏极金属，栅极金属穿过残留的第一介质层与栅区多晶硅接触，源极金属穿过残留的第一介质层与源区多晶硅接触，漏极金属穿过残留的第一介质层与漏区多晶硅接触。
119.更详细地，如图23-图24所示，在本发明的一可选实施例中，于步骤s11中，采用低压化学气相沉积工艺沉积第一介质层(如氧化层)，第一介质层的厚度为再进
行八次光刻，光刻后刻蚀第一介质层，在残留的第一介质层(记为介质层105)中形成三个接触孔，三个接触孔分别位于栅区多晶硅109之内、源区多晶硅110之内及漏区多晶硅111之内，进而三个接触孔分别暴露出栅区多晶硅109、源区多晶硅110及漏区多晶硅111。
120.更详细地，如图23-图24所示，在本发明的一可选实施例中，于步骤s12中，先采用沉积工艺形成第一层金属，如金属al，再进行第九次光刻，光刻后刻蚀第一层金属，形成栅极金属116、源极金属117及漏极金属118，栅极金属116穿过介质层15与栅区多晶硅109接触，源极金属117穿过介质层105与源区多晶硅110接触，漏极金属118穿过介质层105与漏区多晶硅111接触。
121.需要说明的是，栅极、源极及漏极还包括除了第一层金属之外的第二层金属或者第三层金属，以强化各个电极的结构并便于后续引出压焊点(焊盘)。
122.因此，如图2所示，在本发明的一可选实施例中，在形成栅极金属、源极金属及漏极金属后，所述结型场效应器件的制造方法还包括：
123.s13、在栅极金属、源极金属及漏极金属上形成第二介质层并刻蚀，暴露出栅极金属、源极金属及漏极金属；
124.s14、在残留的第二介质层、栅极金属、源极金属及漏极金属上形成第二金属层并刻蚀，得到相互独立的栅极附加金属、源极附加金属及漏极附加金属，栅极附加金属穿过残留的第二介质层与栅极金属接触，源极附加金属穿过残留的第二介质层与源极金属接触，漏极附加金属穿过残留的第二介质层与漏极金属接触；
125.s15、形成钝化层，钝化层覆盖栅极附加金属、源极附加金属及漏极附加金属；
126.s16、刻蚀钝化层，暴露出栅极附加金属、源极附加金属及漏极附加金属。
127.其中，步骤s13～s14与步骤s11～s12类似，在此不再赘述，第二金属层可以包括金属层或者合金层；在步骤s15中，生长形成钝化层，如炉温为550℃、时间为10min～30min的生长工艺条件；在步骤s16中，光刻后刻蚀钝化层，形成压焊点。
128.可选地，在刻蚀钝化层，暴露出栅极附加金属、源极附加金属及漏极附加金属后，所述结型场效应器件的制造方法还包括：
129.s17、对器件整体进行低温退火处理，如温度为500℃～510℃，恒温30min，强化器件的结构稳定性；
130.s18、依次进行测试、切割、装架、烧结、封装及封装后测试处理。
131.其中，步骤s17～s18为常规技术手段，可参考现有技术，在此不再赘述。
132.需要说明的是，在上述可选实施例中介绍的是n型结型场效应器件的制造流程，在其他可选实例中还可以按照上述方法流程制造p型结型场效应器件，只需要将部分结构层的掺杂类型进行反型替换，在此不再赘述。
133.最终，得到如图25或者图1所示的结型场效应器件，在本发明的结型场效应器件中，沟道区内的栅区结构包括第一层栅区及第二层多晶硅栅区，即栅区结构为双层结构，在第一层栅区与栅区多晶硅的接触区域进行掺杂，形成了第二层多晶硅栅区，相比于第一层栅区与栅区多晶硅的直接接触，对栅区多晶硅及第一层栅区的局部均进行了掺杂，改善了栅极接触区域的导电性能，能有效降低栅极接触区域的电位面积电阻，使得器件的漏电流降低，器件的阈值电压同样也得以降低，有效提升了漏电流与阈值电压等关键参数的一致性；基于结构的规范设计，对应工艺可以采用全多晶自对准工艺，流程简单，且可以与多晶
硅集成电路工艺高度兼容。
134.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。