技术特征：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一侧和第二侧；所述衬底中设置有光电二极管组和浮动扩散部；所述光电二极管组中包含多个光电二极管，所述光电二极管从所述衬底第一侧延伸到所述衬底中；所述浮动扩散部从所述衬底第二侧延伸至所述衬底中；所述光电二极管组中包含的所述多个光电二极管在所述衬底上的投影包围所述浮动扩散部在所述衬底上的投影；组内深沟槽隔离，所述组内深沟槽隔离设置在所述光电二极管组内的相邻的所述光电二极管之间并且从所述衬底第一侧表面延伸至所述衬底中或所述第二侧表面；所述组内深沟槽隔离包括沿第一方向设置的第一线沟槽隔离与沿第二方向设置的第二线沟槽隔离交叉形成的结构去除交叉区域得到的线性图形结构；所述交叉区域在所述衬底上的投影覆盖所述浮动扩散部在所述衬底上的投影。2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管组中的所述多个光电二极管包括以2
×
2图案排列的四个所述光电二极管或者以3
×
3图案排列的九个所述光电二极管。3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管组和所述浮动扩散部以规则的重复方式排列，相邻的所述光电二极管组之间设置有组间深沟槽隔离，所述组间深沟槽隔离从所述衬底第一侧表面延伸至所述衬底中或所述第二侧表面。4.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管组为红光光电二极管组、绿光光电二极管组和蓝光光电二极管组中的任意一种。5.如权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述组间深沟槽隔离包括沿所述第一方向设置的第一组间深沟槽隔离和沿所述第二方向设置的第二组间深沟槽隔离，所述第一组间深沟槽隔离与其两侧分别位于两个所述光电二极管组内的所述第二线沟槽隔离交叉形成第一交叉区域，所述第一组间深沟槽隔离与所述第二组间深沟槽隔离交叉形成第二交叉区域，所述第二组间深沟槽隔离与其两侧分别位于两个所述光电二极管组内的所述第一线沟槽隔离交叉形成第三交叉区域；所述第一交叉区域、所述第二交叉区域和所述第三交叉区域在所述衬底的投影范围内不设置所述浮动扩散部。6.如权利要求1至5任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括转移晶体管，所述转移晶体管从所述衬底第二侧表面延伸至所述衬底中，且所述转移晶体管至少部分环绕所述浮动扩散部。7.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一侧和第二侧；所述衬底中设置有光电二极管组和浮动扩散部；所述光电二极管组中包含多个光电二极管，所述光电二极管从衬底第一侧延伸到衬底中；所述浮动扩散部从所述衬底第二侧延伸至所述衬底中；所述光电二极管组中包含的所述多个光电二极管在所述衬底上的投影包围所述浮动扩散部在所述衬底上的投影；形成深沟槽，所述深沟槽包括设置在所述光电二极管组内相邻的所述光电二极管之间的组内深沟槽；所述组内深沟槽从所述衬底第一侧表面延伸至所述衬底中或所述第二侧表面；所述组内深沟槽包括沿第一方向设置的第一线沟槽与沿第二方向设置的第二线沟槽交叉形成的结构去除交叉区域得到的线性图形结构；所述交叉区域在所述衬底上的投影覆盖
所述浮动扩散部在所述衬底上的投影；形成隔离层，所述隔离层填充所述组内深沟槽形成组内深沟槽隔离。8.如权利要求7所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述光电二极管组和所述浮动扩散部以规则的重复方式排列，所述深沟槽还包括设置在相邻的所述光电二极管组之间的组间深沟槽，以及围绕若干所述光电二极管组的外圈深沟槽。9.如权利要求8所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述组间深沟槽隔离包括沿所述第一方向设置的第一组间深沟槽隔离和沿所述第二方向设置的第二组间深沟槽隔离。10.如权利要求7所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述深沟槽采用干法刻蚀工艺，刻蚀的反应气体包括含氟基气体，o2和ar。
技术总结
本发明提供一种图像传感器及其制作方法。本发明光电二极管组中包含的多个光电二极管在衬底上的投影包围浮动扩散部在衬底上的投影。组内深沟槽隔离设置在光电二极管组内的相邻的光电二极管之间。组内深沟槽隔离包括沿第一方向设置的第一线沟槽隔离与沿第二方向设置的第二线沟槽隔离交叉形成的结构去除交叉区域得到的线性图形结构。组内深沟槽隔离去除交叉区域部分，且交叉区域在衬底上的投影覆盖浮动扩散部在衬底上的投影，亦即浮动扩散部上方的衬底的线沟槽隔离交叉区域不设置组内深沟槽隔离，以避免损伤浮动扩散部引起白像素问题，提高了像素质量。组内深沟槽隔离的深度更深，减少或避免光电二极管之间的串扰和溢出。减少或避免光电二极管之间的串扰和溢出。减少或避免光电二极管之间的串扰和溢出。
技术研发人员：邢家明 戴辛志 高喜峰 肖海波 叶菁 施喆天
受保护的技术使用者：豪威科技（上海）有限公司
技术研发日：2022.11.08
技术公布日：2023/1/13