技术特征：
1.一种led外延结构，其特征在于，包括：衬底，及依次层叠于所述衬底表面的n型半导体层、保护层、mqw层、最后一个量子垒层以及p型半导体层；其中，所述mqw层包括沿第一方向交替层叠生长的量子垒和量子阱，所述量子垒包括若干组ingan/gan/algan层，以形成对电子的层级散射和反生长方向的极化电场；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述n型半导体层。2.根据权利要求1所述的led外延结构，其特征在于，所述量子垒的两接触面分别设有gan层。3.根据权利要求1所述的led外延结构，其特征在于，在所述n型半导体层和mqw层之间设有保护层，且所述保护层包括交替堆叠的第二n型gan层和ugan层。4.根据权利要求3所述的led外延结构，其特征在于，所述第二n型gan层的n型掺杂浓度小于所述n型半导体层的n型掺杂浓度。5.根据权利要求1所述的led外延结构，其特征在于，最后一个量子垒层包括gan-algan-aln复合层状结构。6.根据权利要求1所述的led外延结构，其特征在于，在所述最后一个量子垒层中，所述gan层的厚度不小于所述algan层的厚度。7.根据权利要求1所述的led外延结构，其特征在于，在所述最后一个量子垒层中，所述aln层的厚度不大于所述algan层的厚度。8.根据权利要求1所述的led外延结构，其特征在于，所述n型半导体层包括若干组n型掺杂的algan/gan层。9.一种led外延结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底表面依次生长n型半导体层、保护层、mqw层、最后一个量子垒层以及p型半导体层；其中，所述mqw层包括沿生长方向交替层叠生长的量子垒和量子阱，所述量子垒包括若干组ingan/gan/algan层，以形成对电子的层级散射和反生长方向的极化电场；所述量子垒的两接触面分别设有gan层。10.根据权利要求9所述的led外延结构的制备方法，其特征在于，所述保护层包括交替堆叠的第二n型gan层和ugan层；且所述第二n型gan层的n型掺杂浓度小于所述n型半导体层的n型掺杂浓度；所述n型半导体层包括若干组n型掺杂的algan/gan层；所述最后一个量子垒层包括gan-algan-aln复合层状结构。11.根据权利要求9所述的led外延结构的制备方法，其特征在于，在通过所述ingan/gan/algan层，实现量子垒中in组分间断式生长的过程中，保持h2的并入，且in和h2的并入呈相反的状态。12.一种led芯片，包括；权利要求1-8任一项所述的led外延结构；n型电极，所述n型电极与所述n型半导体层形成欧姆接触；p型电极，所述p型电极与所述p型半导体层形成欧姆接触。
技术总结
本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，其MQW层包括沿第一方向交替层叠生长的量子垒和量子阱，且所述量子垒包括若干组InGaN/GaN/AlGaN层，进一步地，所述量子垒的两接触面分别设有GaN层；通过InGaN/GaN/AlGaN层对电子产生多级散射，减小电子迁移速率，增加电子被MQW俘获的几率；同时，在InGaN/GaN/AlGaN的层与层之间形成反生长方向的极化电场(P
技术研发人员：万志 王莎莎 史成丹 卓祥景 程伟 金张育
受保护的技术使用者：厦门乾照光电股份有限公司
技术研发日：2022.11.25
技术公布日：2023/3/28