一种发光面板及发光装置的制作方法

1.本发明实施例涉及发光技术领域，尤其涉及一种发光面板及发光装置。


背景技术：

2.随着发光技术的发展，人们对发光面板的要求越来越高。现有的发光面板在制造、使用和运输的过程中容易因摩擦等导致静电荷集中，静电荷集中到一定程度一旦释放会产生较大的静电电压，较大的静电电压会影响发光面板的正常使用，甚至破坏发光面板。


技术实现要素：

3.本发明实施例提供一种发光面板及发光装置，以解决发光面板在应用中存在静电，较大的静电电压会影响发光面板的安全的问题。
4.为实现上述技术问题，本发明采用以下技术方案：
5.根据本发明的一方面，本发明实施例提供了一种发光面板，包括：
6.基板；
7.发光单元，设置于基板的一侧，发光单元用于发出光线；
8.防静电单元，设置于发光单元的一侧，防静电单元用于存储发光面板的静电信号，以缓释静电信号；
9.发光单元包括至少一电极层，防静电单元至少复用一层发光单元的电极层。
10.可选的，防静电单元与发光单元共用的电极层图形化设置；
11.防静电单元与图形化设置的电极层一一对应设置。
12.可选的，防静电单元，包括：
13.至少一层介质层和至少一层导电层，且介质层与导电层一一对应；
14.介质层设置于电极层与导电层之间，和/或，介质层设置于相邻两层导电层之间；
15.介质层用于调整光线的出射路径；
16.导电层用于通过介质层与电极层形成第一电容，或通过介质层与相邻的另一导电层形成第二电容；
17.其中，第一电容和第二电容用于存储静电信号。
18.可选的，介质层的介质材料的相对介电常数大于4；
19.介质层的厚度范围包括：0.02um-0.65um；
20.介质层的厚度范围包括：0.5um-0.6um；
21.介质层的材料包括：sno2、zno、sio2、sic、sin或in2o3中的至少一种。
22.可选的，导电层为半透半反光层；
23.优选的，导电层的材料包括ag、au、cu、al或mg中的至少一种；
24.优选的，每层导电层的厚度限制在2nm-20nm。
25.可选的，发光单元包括相对设置的出光侧和非出光侧；
26.防静电单元设置于发光单元的出光侧的一侧；其中介质层为透明介质层，导电层
为半透半反光层，防静电单元用于防静电，且用于调节发光单元的色偏；和/或，防静电单元设置于发光单元的非出光侧。
27.可选的，防静电单元，还包括：
28.润湿层，润湿层设于导电层邻近基板的一侧；润湿层起平坦化作用，便于导电层成膜。
29.可选的，发光面板，还包括：
30.封装层，封装层设置于发光单元远离基板的一侧；
31.防静电单元设置于发光单元邻近封装层的一侧，防静电单元用于防静电，且用于防水氧入侵；
32.防静电单元的介质层在基板的正投影覆盖导电层在基板的正投影；防静电单元的介质层的覆盖面积大于导电层的覆盖面积。
33.可选的，防静电单元包括至少两层介质层和至少两层导电层，介质层和导电层依次交替设置；
34.发光单元，包括：第一电极层、第二电极层和设置于所述第一电极层和第二电极层之间的发光层；第一电极层和第二电极层用于响应于驱动信号，驱动发光层产生光线；
35.防静电单元复用发光单元的第一电极层和/或第二电极层。
36.根据本发明的另一方面，本发明实提供一种发光装置，包括：第一方面任意项提出的发光面板。
37.本发明实施例提供的发光面板通过在发光单元的一侧设置防静电单元，防静电单元将发光单元聚集的静电电荷导引至自身，以存储静电信号，并将静电信号进行缓释，发光单元包括至少一电极层，防静电单元至少复用一层发光单元的电极层。这样设置使得防静电单元可以通过与相邻的发光单元之间形成补偿电容，以调节发光面板的静电电荷的分布，较好的将发光单元的静电信号引导至防静电单元，使得发光单元不易发生静电电荷集中，从而改善发光面板防静电能力，进而改善发光面板的使用寿命。
附图说明
38.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本发明实施例的内容和这些附图获得其他的附图。
39.图1是本发明实施例提供的一种发光面板的结构示意图；
40.图2a是本发明实施例提供的另一种发光面板的结构示意图；
41.图2b是本发明实施例提供的又一种发光面板的结构示意图；
42.图3是本发明实施例提供的又一种发光面板的结构示意图；
43.图4是本发明实施例提供的又一种发光面板的结构示意图；
44.图5是本发明实施例提供的又一种发光面板的结构示意图；
45.图6是本发明实施例提供的又一种发光面板的结构示意图；
46.图7是本发明实施例提供的一种发光装置的结构示意图。
具体实施方式
47.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
48.基于上述技术问题，本实施例提出了以下解决方案：
49.图1是本发明实施例提供的一种发光面板的结构示意图。图2a是本发明实施例提供的另一种发光面板的结构示意图。结合图1和图2a，本发明实施例提供的发光面板10包括：基板1，发光单元2，设置于基板1的一侧，发光单元2用于发出光线；防静电单元3，设置于发光单元2的一侧，防静电单元3用于存储发光面板10的静电信号，以缓释静电信号；发光单元2包括至少一电极层21，防静电单元3至少复用一层发光单元2的电极层21。
50.具体的，发光单元2可以包括发光器件，例如oled(organic light emitting diodes，有机发光二极管)、led(发光二极管)等发光器件。发光面板10可以设置为顶发光的方式或者设置为底发光的方式，在此不作任何限定。发光单元可以形成微腔结构，将产生的光线出射，以使发光面板10发光画面。
51.由于在发光面板10的应用过程中，容易因为摩擦产生静电，因此通过在发光单元2的一侧设置防静电单元3，防静电单元3用于存储发光面板10的静电信号，以缓释静电信号，避免静电信号击穿发光单元2，进而改善发光面板10的发光效果。
52.由于防静电单元3设置于在发光单元2的一侧，防静电单元3至少复用一层发光单元2的电极层21，使得发光单元2的电极与防静电单元3相邻设置，防静电单元3与发光单元2之间可以形成补偿电容，使得防静电单元3为静电信号提供了存储路径。发光单元2上过多的静电电荷会移动至补偿电容。这样设置增大了存储静电信号的空间，避免第一电容上过多的静电信号击穿发光单元2。
53.另一方面，补偿电容为静电信号提供了释放的路径，使得静电信号通过防静电单元3缓慢释放，较好的避免发光面板10的静电信号的聚集，提高了发光面板10的防静电能力，从而延长了发光面板10的使用寿命。
54.本实施例提供的发光面板10通过在发光单元2的一侧设置防静电单元3，防静电单元3至少复用一层发光单元2的电极层21，使得防静电单元3将发光单元2聚集的静电电荷导引至自身，以存储静电信号，并将静电信号进行缓释。这样设置使得防静电单元3可以通过与相邻的发光单元之间形成补偿电容，以调节发光面板10的静电电荷的分布，较好的将发光单元2的静电信号引导至防静电单元，使得发光单元2不易发生静电电荷集中，从而改善发光面板10防静电能力，进而改善发光面板的使用寿命。
55.可选的，图2b是本发明实施例提供的又一种发光面板的结构示意图。在上述实施例的基础上，参见图2b，本实施例提供的防静电单元3与发光单元2共用的电极层21图形化设置；防静电单元3与图形化设置的电极层21一一对应设置。
56.具体的，防静电单元3与发光单元2共用的电极层21图形化设置，可以将发光单元2进行分区域划分为多个子发光部件，每个区域由其走线单独提供驱动信号，使得驱动信号对每个子发光部件的驱动能力均较强，提高了发光面板10的发光效果。通过设置防静电单元3与图形化设置的电极层21一一对应设置，使得电极层21可以形成多个电极块201，每个子发光部件对应一个电极块201，每个电极块201可以一一对应设置一个防静电单元3，使得
防静电单元3分别对与之对应的发光单元2的静电电荷进行分别存储，提高了防静电单元3对发光面板10的防静电作用。这样设置进一步改善了发光面板10防静电能力，进一步延长了发光面板10的使用寿命。
57.可选的，可以进一步将介电层31和/或导电层32根据发光单元2对应进行分区域划分成多个子介电层和/或子导电层，使得每个电极块201可以一一对应设置一个子介电层和/或子导电层。
58.可选的，图3是本发明实施例提供的又一种发光面板的结构示意图。图4是本发明实施例提供的又一种发光面板的结构示意图。图5是本发明实施例提供的又一种发光面板的结构示意图。图6是本发明实施例提供的又一种发光面板的结构示意图。在上述实施例的基础上，结合图3至图6，本发明实施例提供的防静电单元3，包括：至少一层介质层31和至少一层导电层32，且介质层31与导电层32一一对应；介质层31设置于电极层21与导电层32之间，和/或，介质层31设置于相邻两层导电层32之间；介质层31用于调整光线的出射路径；导电层32用于通过介质层31与电极层32形成第一电容2a，或通过介质层31与相邻的导电层32形成第二电容3a；其中，第一电容2a和第二电容3a均用于存储静电信号。
59.具体的，结合图3和图4，当防静电单元3包括单层的介质层31和单层的导电层32时，介质层31设置于电极层21与导电层32之间。结合图5和图6，当防静电单元3包括至少两层的介质层31和至少两层的导电层32时，介质层31设置于相邻两层导电层32之间。这样设置使得相邻两层导电层32与其之间的介质层31形成补偿电容3a，便于进一步为静电信号提供存储路径，并通过导电层32将存储的静电信号进行缓慢释放。这样设置进一步改善了发光面板10防静电能力，进一步延长了发光面板10的使用寿命。可选的，导电层32的材料可以包括金属氧化物、石墨烯、纳米银线等。
60.需要说明的是，图3示例性的示出发光面板10为顶发光的情况，图4实施例性的示出发光面板10为底发光的情况。发光单元2包括第一电极层211和第二电极层212。发光层22设置于第一电极层211和第二电极层212之间。参见图3，当发光面板10为顶发光器件时，介质层31设置于第二电极层212远离基板1的一侧。参见图4，当发光面板10为底发光器件时，介质层31设置于第一电极层211邻近基板1的一侧。
61.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图2b至图6，本实施例提供的发光单元2包括相对设置的出光侧和非出光侧；防静电单元3设置于发光单元2的出光侧的一侧；其中介质层31为透明介质层，导电层21为半透半反光层，防静电单元3用于防静电，且用于调节发光单元2的色偏；和/或，防静电单元3设置于发光单元2的非出光侧。
62.具体的，当防静电单元3设置于发光单元2的出光侧时，既能起防静电作用，又能对发光单元2的出射光线进行调节，以改善发光单元2的色偏。当防静电单元3设置于发光单元2的非出光侧时，防静电单元3用于起防静电作用。当发光面板10包括至少两个防静电单元3时，可以将至少一个防静电单元3设置于发光单元2的非出光侧，并将至少一个防静电单元3设置于发光单元2的出光侧。这样设置使得位于发光单元2的出光侧的防静电单元3用于防静电，且用于调节发光单元2的色偏；位于发光单元2的非出光侧的防静电单元3存储静电电荷，进一步改善发光面板10的显示效果及使用寿命。
63.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图5和图6，防静电单元3包括至少两层介质层31和至少两层导电层32，介质层31和导电层32依次交替设置。
64.具体的，图5示例性的示出防静电单元3包括两层介质层31和两层导电层32的情况。介质层31分别设置于第二电极层212与导电层32之间，以及相邻两层导电层32之间的情况，在此不作任何限定。参见图5，介质层31可以包括第一介质层311和第二介质层312，导电层32可以包括第一导电层321和第二导电层322。第一电极层211与第二电极层212以及发光层22形成第一电容2a。参见图5，第一电极层211与第一导电层321以及位于第一电极层211和第一导电层321之间的第一介质层311形成第二电容3a。第一导电层321与第二导电层322以及位于第一导电层321与第二导电层322之间的第二介质层312形成第三电容3b。作为补偿电容3a的第二电容3a和第三电容3b与第一电容2a并联连接，为发光面板10上的静电信号提供较多的存储路径，避免静电电荷在发光单元2聚集而击穿损伤发光单元2，进一步改善发光面板10的防静电能力。
65.另一种可选的实施方式，图6示例性的示出防静电单元3包括三层介质层31和三层导电层32的情况。介质层31分别设置于第二电极层212与导电层32之间，以及相邻两层导电层32之间的情况，在此不作任何限定。参见图6，介质层31可以包括第一介质层311、第二介质层312和第三介质层313，导电层32可以包括第一导电层321、第二导电层322和第三导电层323。第一电极层211与第二电极层212以及发光层22形成第一电容2a。参见图6，第一电极层211与第一导电层321以及位于第一电极层211和第一导电层321之间的第一介质层311形成第二电容3a。第一导电层321与第二导电层322以及位于第一导电层321与第二导电层322之间的第二介质层312形成第三电容3b。第二导电层322与第三导电层323以及位于第二导电层322与第三导电层323之间的第三介质层313形成第四电容3c。作为补偿电容3a的第二电容3a、第三电容3b和第四电容3c与第一电容2a并联连接，进一步增加了发光面板10上的静电信号的存储路径，较好的避免静电电荷在发光单元2聚集而击穿损伤发光单元2，进一步改善了发光面板10的防静电能力。
66.发光面板10的整体电容越大，相应的其电压就越低。补偿电容3a与第一电容2a并联后，当有静电电荷产生时，静电电荷存储于补偿电容3a中，可较好的缓解静电电荷对发光面板10本身的影响。因为静电信号不是时刻在产生的，随着时间推移，补偿电容3a中所存储的静电电荷会被慢慢释放掉。所以设置防静电单元3后，发光面板10不易被静电击穿，从而起到对发光面板10的防静电保护作用。
67.此外，还可以将介质层31与导电层32进行多次叠加，每层导电层32的厚度限制在2nm-20nm，优选为2nm-6nm。此多层结构形成的防静电单元3可起到封装层的作用，阻止水汽进入发光单元2内部，进一步延长发光面板10的使用寿命。
68.可选的，在上述实施例的基础上，参见图4至图6，本实施例提供的发光单元2，可以包括：第一电极层211、第二电极层212和设置于第一电极层211和第二电极层212之间的发光层22；第一电极层211和第二电极层212用于响应于驱动信号，驱动发光层22产生光线；防静电单元3复用发光单元2的第一电极层211和/或第二电极层212。
69.具体的，发光层22用于发射光线，第一电极层211和第二电极层212用于接入驱动信号，在驱动信号的作用下，驱动发光层22发射光线。通过设置邻近发光面板10的出光侧的电极层21为半透半反层，邻近发光面板10的非出光侧的电极层21为反射层，可以使得邻近发光面板10的非出光侧的电极层21可以将发光层22的光完全反射。设置邻近发光面板10的出光侧的电极层21为半透半反层，使得发光层22发出的光线通过半透半反层向发光面板10
的出光侧出射光。
70.一种可选的实施方式，可以设置发光单元2的第一电极层211为半透半反层且设置于发光单元2的出光侧，第二电极层212为反射层且设置于发光单元2的非出光侧。防静电单元3可以复用发光单元2的第一电极层211和/或第二电极层212。当防静电单元3复用发光单元2的第一电极层211时，防静电单元3位于发光单元2的出光侧。当防静电单元3复用发光单元2的第二电极层212时，防静电单元3位于发光单元2的非出光侧。当防静电单元3既复用发光单元2的第二电极层212，又复用第一电极层211时，发光单元2的非出光侧和出光侧均设置有防静电单元3。
71.需要说明的是，图4至图6示例性的示出发光面板10为底发光的情况，发光单元2包括第一电极层211和第二电极层212。发光层22设置于第一电极层211和第二电极层212之间。图2示例性的示出当发光面板10为底发光器件时，第一电极层211为半透半反层，第二电极层212为反射层的情况，在此不作任何限定。
72.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图3至图6，本实施例提供的介质层31为透明介质层；介质层31的介质材料的相对介电常数大于4；介质层31的厚度范围可以包括0.02um-0.65um。优选的，介质层31的厚度范围可以包括0.5-0.6um。优选的，介质层31的材料可以包括：sno2、zno、sio2、sic、sin或in2o3等中的至少一种。
73.具体的，由于电容c＝ε*s/d，ε＝εr*ε0，其中ε0为真空介电常数，其值等于8.85
×
10^-12
f/m，εr为介质材料的相对介电常数，s为介质层的面积，d为介质层的厚度。对于一个确定的发光面板10来说，介质层31的面积s为定值，ε越大，介质层31的厚度d越小，介质层31所能承受的电容c的上限也就越大。发光面板10的发光单元2也就越不易被静电击穿。为了提高发光面板10的发光单元2的稳定性，设置介质层31的相对介电常数εr＞4。优选的，介质层31的相对介电常数εr＞8，可以使得发光面板10的介质层31所能承受的补偿电容3a的上限也就越大，发光面板10的发光单元2也就越不易被静电击穿，进一步改善发光面板10的防静电能力。
74.示例性的，由于pi薄膜的相对介电常数εr＝3.9、sno2的相对介电常数εr＝14、zno的相对介电常数εr＝8.3、sio2的相对介电常数εr＝4.2、sic的相对介电常数εr＝10、sin的相对介电常数εr＝8、环氧树脂的相对介电常数εr＝7.1、in2o3的相对介电常数εr＝10左右，因此设置介质层的材料包括：sno2、zno、sio2、sic、sin或in2o3中的至少一种，可以使得介质层31的相对介电常数εr较大，进一步增大补偿电容3a的存储容量，改善发光面板10的防静电能力。
75.另一方面，电极层21与位于两层电极层21之间的发光层22可以形成第一微腔结构，用于将发光层22发出的光线从发光面板10的出光层出射。防静电单元3的介质层31与导电层32以及发光单元2的电极层21之间可以形成第二微腔结构。防静电单元3的介质层31为透明介质层，便于将光出射，避免影响发光面板10的出光效率。由于光线的光程s＝d*n，其中，d为介质层31的厚度，n为介质层31的折射率。介质层31的厚度过大会影响出光效果，介质层31的厚度过小会影响介质层31的微腔反射效果。根据需要设置介质层31的厚度范围包括0.02um-0.65um，使得发光面板10既能较高效的输出光线，又能改善大视角下的色偏问题，进而改善发光面板10的发光效果。
76.需要说明的是，当防静电单元3包括多层介质层31和多层导电层32时，各介质层31
的厚度之和的范围包括0.4um-0.65um。这样设置既能较好的防静电，又有利于提高发光面板10的光出射率，还能较好的改善发光面板10在大视角下的色偏，改善发光面板10的发光效果。
77.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图3至图6，本实施例提供的导电层32为半透半反光层。优选的，导电层32的材料包括ag、au、cu、al或mg中的至少一种；优选的，每层导电层32的厚度限制在2nm-6nm。
78.具体的，设置导电层32为半透半反光层，一方面，使得发光单元2发出的光线可以通过半透半反光层将光线出射至发光面板10的出光侧，使得发光面板10可以发光画面。另一方面，导电层32可以反射部分光线至发光单元2的一侧，使得光线的光程增长，增加反射光线与出射光线之间的干涉，导电层32可以与发光单元2的电极层21之间形成第二微腔结构，从而增大光线的出射角度，改善发光面板10的大视角下的色偏问题。
79.导电层32的材料可以包括ag、au、cu、al或mg中的至少一种时，由于导电层32与发光单元2的电极层21之间还设置有介质层31，使得导电层32与发光单元2的电极层21之间可以形成补偿电容3a。所以设置防静电单元3的导电层32的材料可以包括ag、au、cu、al或mg中的至少一种时，补偿电容3a可以存储静电电荷，使得发光面板10不易被静电击穿，从而起到对发光面板10的防静电保护作用。
80.设置每层导电层32的厚度限制在2nm-6nm，使得导电层32可以做得很薄。导电层32可以作为半透半反光层，使得导电层32既能将部分光线反射回电极层21，增大光线的光程。这样设置使得反射回去的光与出射方向的光线发生干涉，从而使得导电层32与电极层21形成补偿微腔结构，从而对大视角下的出射光线进行补偿，改善发光面板10的大视角下的色偏问题。
81.可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图3至图6，本实施例提供的防静电单元3，还可以包括：润湿层(图中未示出)，润湿层设于导电层32邻近基板1的一侧；润湿层起平坦化作用，便于导电层32成膜。
82.具体的，由于导电层32需要透光，因此需要将导电层32设置得足够薄。通过在导电层32邻近基板1的一侧设置润湿层，使得润湿层起平坦化作用，便于导电层32成膜，使得导电层32可以做得足够薄。这样设置既能实现透光又能实现反射部分光线至电极层21，保证了导电层32与电极层21，以及导电层32与电极层21之间的介质层31之间较好的形成第二微腔结构，改善防静电单元3的光调节能力，进而进一步改善发光面板10的大视角下的色偏问题。
83.此外，设置润湿层起平坦化作用，便于导电层32成膜，使得导电层32与发光单元2的电极层21以及介质层31可以可靠形成补偿电容3a。补偿电容3a可以存储静电电荷，使得发光面板10不易被静电击穿，进一步提高防静电单元3对发光面板10的防静电保护作用。
84.可选的，在上述实施例的基础上，继续结合图4至图6，本发明实施例提供的发光面板10，还可以包括：封装层7，封装层7设置于发光单元2远离基板1的一侧。防静电单元3可以设置于发光单元2邻近封装层7的一侧，防静电单元3用于防静电，且用于防水氧入侵。
85.具体的，封装层7起到阻隔水氧传输，并避免发光面板10因水氧侵袭而失效老化。封装层7可以包括无机-有机-无机交替的结构。封装层7设置于发光单元2远离基板1的一侧，可以阻隔水氧传输，改善发光面板10的使用寿命。
86.此外，由于防静电单元3对发光面板10的出射光有一定的调节作用，因此通过设置防静电单元3设置于基板1与封装层7之间，且位于发光单元2邻近发光面板10的出光侧的一侧，使得防静电单元3可以较好的对发光单元2的出射光线进行光程调整和出射角度调节，从而增大发光面板10的光线的出射角度，改善发光面板10在大视角的发光画面的色偏，提升发光面板10的发光效果。
87.防静电单元3设置于发光单元2邻近封装层7的一侧，防静电单元3既用于防静电，且起到封装的作用，用于防水氧入侵。防静电单元3的多层介质层31与导电层32的叠加可以形成多电容并联，可容纳更多的电荷量，防静电能力将增强。由于静电产生的电压很高，防静电单元3还可以分担电压，防止静电电荷对发光单元2有击穿风险。另一方面，多层介质层31与导电层32的叠加可以形成多电容并联，使得防静电单元3阻挡水氧能力也会加强。当防静电单元3设置于发光单元2的出光侧时，由于多层介质层31与导电层32的叠加增长了光线的传输路径，对于色偏调节的精细度也有益。
88.可选的，防静电单元3的多层介质层31与导电层32的叠加时，导电层32的材料可以包括ag、au、cu、al或mg中的至少一种，每层导电层32的厚度限制在2nm-6nm。各层介质层31的总厚度范围可以包括0.4um-0.65um。介质层31的材料可以包括环氧树脂、sno2、zno、sio2、sic、sin或in2o3中的至少一种。防静电单元3的水氧透过率参数(wvtr)可以设置为小于1*10-4
g/m2/day。
89.可选的，防静电单元3的介质层31在基板1的正投影覆盖导电层32在基板1的正投影；防静电单元3的介质层31的覆盖面积大于导电层32的覆盖面积。
90.具体的，通过设置介质层31在基板1的正投影覆盖导电层32在基板1的正投影，介质层31的覆盖面积大于导电层32的覆盖面积，可防止导电层32被水氧侵蚀或由此形成水氧侵蚀的路径，这样设置可以阻隔水氧传输，进一步改善发光面板10的使用寿命。
91.图7是本发明实施例提供的一种发光装置的结构示意图。在上述实施例的基础上，参见图7，本发明实施例提供的发光装置20包括上述任意实施例提出的发光面板10，具有上述任意实施例提出的发光面板10的有益效果，在此不再赘述。本发明实施例提供的发光装置20可以包括手机、电脑、可穿戴设备等终端。
92.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。