1.一种用于形成集成电路或在其形成过程中的中间体的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述两个晶体管结构(3a，3b)是两个纳米片晶体管结构(3a，3b)，其中第一掺杂类型的pmos侧(5p)和第二掺杂类型的nmos侧(5n)由介电壁(6)分隔开，每一侧(5p，5n)包括多个在垂直上堆叠的纳米片，所述多个形成沟道结构、源极部分和漏极部分，所述源极部分和所述漏极部分被所述沟道结构在水平上分隔开，每一纳米片有一侧接触所述介电壁(6)。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，步骤a包括以下步骤：
4.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，存在步骤b，并且所述保护(11)是介电保护(11)。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，存在步骤b，并且所述介电保护(11)是tio2。
6.根据权利要求1至5中的任一项所述的方法，其特征在于，步骤b存在，并且包括将所述第一导电线(m0b)部分地开槽的步骤b1，以及以使所述保护(11)的顶表面与所述第一介电层(8)顶表面共面的方式在所述凹槽(24)中提供所述保护(11)的步骤b2。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述间隔物(13)由氮化硅、氮化硅碳、氮氧化硅碳或碳氧化硅制成。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述间隔物(13)的厚度是3至9nm，优选地4至8nm，更优选地5至7nm。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括在步骤m之后，用介电材料(27)填充所述第一中断(30)和所述第二中断(31)的步骤n。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，还包括在步骤m或步骤n之后的形成如下的步骤o：
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的方法，其用于形成所述集成电路的标准单元。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在引用权利要求11时，所述标准单元包括四个第二导电线(mintl)和四个以上第三导电线(m1l)。
14.一种集成电路或在集成电路的制造过程中的中间体(15)，包括：
15.根据权利要求14所述的集成电路或在集成电路的制造过程中的中间体(15)，其特征在于：