晶片状态检测的制作方法

晶片状态检测
通过引用并入
1.pct申请表作为本技术的一部分与本说明书同时提交。本技术要求在同时提交的pct申请表中确定的权益或优先权的每个申请通过引用以其全文引用的方式并入本文并且用于所有目的。


背景技术：

2.在半导体制造过程中经常使用静电卡盘来夹紧或夹持正在进行制造的晶片。正在进行制造的晶片在制造过程中可能变形或弯曲。晶片弯曲可能产生不希望的制造结果。因此应该减轻晶片弯曲。在高温下或在利用等离子体的应用中检测晶片弯曲可能特别困难。
3.本文提供的背景技术描述是为了大体呈现本公开的背景。在本背景技术部分中所描述的程度上，目前具名的发明人的工作，以及在提交时可能不以其它方式作为现有技术的描述的各个方面，既没有明确地也没有隐含地被承认为针对本公开的现有技术。


技术实现要素：

4.本文公开用于晶片状态检测的设备及方法。
5.根据一些实施例，提供了一种用于晶片状态检测的设备，该设备包括：rf阻塞滤波器；dc阻塞滤波器；以及控制器，控制器经由rf阻塞滤波器和dc阻塞滤波器耦合到与静电卡盘(esc)相关联的多个电极，其中控制器被配置为：使输入信号注入与多个电极、rf阻塞滤波器和dc阻塞滤波器相关联的电路的输入侧，其中输入侧对应于多个电极中的第一电极；在电路的输出侧测量输出信号的特性，其中输出侧对应于多个电极中的第二电极；以及基于输出信号的特性计算定位在esc的台板的表面上的晶片的晶片状态特性。
6.在一些实施例中，rf阻塞滤波器、dc阻塞滤波器和控制器被包含在单个外壳中。在一些实施例中，单个外壳与esc的电源相关联。
7.在一些实施例中，rf阻塞滤波器包括一个或多个电感器。在一些实施例中，一个或多个电感器是铁氧体磁芯电感器。
8.在一些实施例中，dc阻塞滤波器包括电容器。在一些实施例中，电容器具有与各自将rf输入耦合到多个电极的多个电容器相同的数量级。
9.在一些实施例中，输入信号具有对应于与多个电极、rf阻塞滤波器和dc阻塞滤波器相关联的电路的谐振频率的载波频率，其中谐振频率是在电路的校准过程期间确定的。在一些实施例中，校准过程包括在无晶片定位在台板的表面上或平坦晶片定位在台板的表面上时确定电路的谐振频率。在一些实施例中，输出信号的特性包括输出信号的相位。在一些实施例中，计算晶片状态特性包括基于输出信号的相位相对于输入信号的差来估计晶片弯曲量。在一些实施例中，控制器还被配置为使用一个或多个最佳拟合系数基于输出信号的相位相对于输入信号的差来估计晶片弯曲量。
10.在一些实施例中，控制器还被配置为：识别与多个电极、rf阻塞滤波器dc阻塞滤波器和定位在台板的表面上的晶片相关联的电路的谐振频率；基于电路的谐振频率估计晶片
到台板的表面的电容；以及基于晶片到台板的表面的估计电容来估计晶片弯曲量。
11.在一些实施例中，控制器还被配置为生成指示晶片状态特性的警报。在一些实施例中，警报指示从台板的表面松开晶片。在一些实施例中，警报指示估计的晶片弯曲量。
12.在一些实施例中，多个电极包括三个或三个以上电极，并且控制器还配置为：使第二输入信号注入电路的第二输入侧，其中第二输入侧对应于多个电极中的第二电极；以及在电路的第二输出侧测量第二输出信号的特性，其中第二输出侧对应于多个电极中的第三电极。
13.在一些实施例中，多个电极包括三个或三个以上电极，并且控制器还被配置为在电路的两个或两个以上输出侧测量两个或两个以上输出信号，并且其中两个或两个以上输出侧对应于多个电极中除多个电极中的第一电极之外的电极。
14.根据一些实施例，提供了一种用于晶片状态检测的方法，该方法包括：使输入信号注入与esc的多个电极、与esc相关联的rf阻塞滤波器以及与esc相关联的dc阻塞滤波器相关联的电路的输入侧，其中输入侧对应于多个电极中的第一电极；在电路的输出侧测量输出信号的特性，其中输出侧对应于多个电极中的第二电极；以及基于输出信号的特性计算定位在esc的台板的表面上的晶片的晶片状态特性。
15.在一些实施例中，输入信号具有对应于电路的谐振频率的载波频率，其中谐振频率是在电路的校准过程期间确定的。在一些实施例中，谐振频率是基于esc的工作温度识别的。在一些实施例中，方法还包括计算输出信号的相位与输入信号的相位之间的差，其中晶片状态特性是基于该差计算的。在一些实施例中，计算晶片状态特性包括使用最佳拟合模型计算晶片的晶片弯曲量，最佳拟合模型将输出信号的相位与输入信号的相位之间的差与晶片弯曲量进行相关。在一些实施例中，最佳拟合模型是指数函数。
16.在一些实施例中，计算晶片状态特性包括：在晶片定位在台板的表面上时识别与多个电极、rf阻塞滤波器和dc阻塞滤波器相关联的电路的谐振频率；使用第一最佳拟合模型计算晶片到台板的表面的估计电容，第一最佳拟合模型将电路的谐振频率与晶片到台板的表面的估计电容进行相关；以及使用第二最佳拟合模型计算晶片的晶片弯曲量，第二最佳拟合模型将晶片到台板的表面的估计电容与晶片弯曲量进行相关。在一些实施例中，第二最佳拟合模型的系数基于晶片弯曲的球形模型。在一些实施例中，第二最佳拟合模型是多项式函数。
附图说明
17.图1示出了根据一些实施例的用于晶片状态检测的系统的示意图。
18.图2示出了根据一些实施例的用于计算晶片状态特性的过程的实例。
19.图3示出了根据一些实施例的用于校准用于计算晶片状态特性的系统的过程的实例。
20.图4示出了根据一些实施例的用于计算晶片状态特性的过程的一个实例。
21.图5示出了根据一些实施例的用于计算晶片状态特性的过程的另一实例。
22.图6示出了根据一些实施例的描绘从台板表面到衬底的估计电容作为晶片间隙的函数的示例性关系的示例性曲线图。
23.图7示出了根据一些实施例的绘示针对不同晶片弯曲量的输出信号相对于输入信
号的相位差的示例性曲线图。
24.图8示出了根据一些实施例的绘示静电卡盘的电极与晶片之间的电容在频率范围内稳定的示例性曲线图。
25.图9a、9b和9c示出了根据一些实施例的与估计的晶片弯曲相关的示例性示意图。
26.图10示出了可用于实现本文所述的某些实施例的实例计算机系统。
具体实施方式
术语
27.在整个说明书中使用以下术语：
28.术语
″
半导体晶片
″
、
″
晶片
″
、
″
衬底
″
、
″
晶片衬底
″
和
″
部分制造的集成电路
″
可互换使用。所属领域的技术人员应了解，术语
″
部分制造的集成电路
″
可指在其上制造集成电路的许多阶段中的任一阶段期间的半导体晶片。半导体装置工业中使用的晶片或衬底的直径通常为200mm，或300mm，或450mm。除半导体晶片之外，可充分利用所公开实施例的其它工件包含各种物件，例如印刷电路板、磁记录介质、磁记录传感器、反射镜、光学元件、显示装置或组件，例如用于像素化显示装置的底板、平板显示器、微机械装置等。工件可以具有各种形状、尺寸和材料。
29.如本文中所用，
″
半导体装置制造操作
″
是在半导体装置制造期间执行的操作。通常，整个制造过程包含多个半导体装置制造操作，每个操作在其自己的半导体制造工具(例如等离子体反应器、电镀单元、化学机械平面化工具、湿法蚀刻工具等)中执行。半导体装置制造操作的类别包含消减工艺，例如蚀刻工艺和平坦化工艺，以及材料添加工艺，例如沉积工艺(例如，物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、电化学沉积、无电沉积)。在蚀刻工艺的上下文中，衬底蚀刻工艺包含蚀刻掩模层的工艺，或更一般地，蚀刻先前沉积在衬底表面上和/或以其它方式驻留在衬底表面上的任何材料层的工艺。这种蚀刻工艺可以蚀刻衬底中的叠层。
30.″
制造设备
″
是指其中进行制造过程的设备。制造设备通常具有处理室，在处理期间工件位于处理室中。通常，在使用时，制造设备执行一个或多个半导体装置制造操作。用于半导体装置制造的制造设备的实例包含沉积反应器，例如电镀单元、物理气相沉积反应器、化学气相沉积反应器和原子层沉积反应器以及消减法反应器如干蚀刻反应器(例如，化学和/或物理蚀刻反应器)、湿蚀刻反应器和灰化器。
31.如本文中所用，
″
静电卡盘
″
(esc)是指在处理期间使用静电力将晶片夹持到卡盘的卡盘。esc可以使用一个或多个电极。可以向一个或多个电极中的每一个施加电压。所施加的电压可导致电流流动，从而导致电荷迁移通过卡盘和正被处理的晶片或衬底之间的介电层。因此，在相对于晶片的电极处积累的相反电荷导致晶片被静电力夹紧或夹持到卡盘。在一些情况下，电极可以集成到esc中，或者可以与esc分离。在一些实施例中，esc可以指生成静电力的电极。
32.如本文中所用，
″
台板
″
指的是esc的顶表面，正在进行制造的晶片定位在其上。在晶片与台板表面(例如，上表面)之间可存在间隙，其在本文中通常称为
″d″
。
33.如本文中所用，
″
基座
″
可指支撑或包含台板的结构或外壳。
34.如本文中所用，
″
晶片弯曲
″
可以指晶片的变形。例如，由于在晶片衬底的有效表面
上沉积材料期间对晶片产生应力，因此在制造期间可能发生晶片弯曲。晶片弯曲可能发生在各种类型的制造期间，例如当沉积大的材料堆叠时。晶片弯曲可能导致后续处理步骤的复杂化。例如，如果弯曲量太大，晶片可能不能正确地卡盘。此外，一些处理步骤(例如，光刻)如果在过度弯曲的晶片上执行，可能产生不良结果。
35.晶片弯曲可以测量为晶片表面到参考平面的平均或中间距离的偏差。晶片的中间表面的点可以是中心点(例如，在凹形或拱形弯曲的情况下)，或晶片的边缘点和/或晶片的平均边缘点(例如，在翘曲或凸形弯曲的情况下)。
36.如本文中所用，
″
晶片松开
″
是指晶片不再被夹持到静电卡盘(esc)的台板上的状态。如本文中所用，当检测到晶片弯曲或检测到超过晶片弯曲的阈值量时，在晶片的制造或处理期间，可以认为晶片从esc松开。应注意，如本文中所用，晶片弯曲可与指示弯曲程度的数值相关联。相反，晶片松开可以是指示晶片是否被夹持到台板的二元分类。概述
37.提供了用于检测和/或量化晶片弯曲的装置、系统、方法和介质。
38.晶片可以定位在台板(例如esc的台板)上。晶片可经受翘曲、变形或弯曲。在一些实施例中，可以计算晶片状态特性，例如晶片是否弯曲和/或弯曲量。
39.在一些实施例中，晶片状态特性可以由被配置为计算晶片状态特性的控制器来计算。控制器可以包含用于接收、发送和/或处理数据的逻辑或电路。在一些实施例中，控制器可以包含数字部件，例如微控制器、嵌入式计算机等。在一些实施例中，控制器可以包含模拟部件。例如，控制器可以包含比例-积分-微分(pid)控制器以识别电路的谐振频率。在一些实施例中，pid控制器可以包含一个或多个运算放大器。在一些实施例中，控制器可以包含在esc的电源的外壳中。晶片状态特性可以指示晶片弯曲量和/或晶片是否从卡盘松开。例如，晶片弯曲量可以表示为晶片表面上的点到参考平面的平均距离或中间距离。
40.在一些实施例中，控制器可被配置为基于由晶片到台板的表面、一个或多个rf阻塞滤波器和/或一个或多个dc阻塞滤波器限定的电路的特性来确定晶片状态特性。这种电路的谐振频率可以取决于晶片和台板表面之间的间隙。例如，在一些实施例中，电路的谐振频率可取决于晶片到台板表面的电容。晶片到台板表面的电容可取决于晶片与台板表面之间的间隙，即晶片弯曲。因此，电路的谐振频率，或在电路的谐振频率处或附近工作的电路的特性可用于估计晶片弯曲。
41.例如，在一些实施例中，控制器可以基于电路的谐振频率确定晶片状态特性。作为更具体的实例，控制器可以基于谐振频率来估计晶片到台板表面的电容。继续这个更具体的实例，控制器可以基于电容估计晶片弯曲量。
42.作为另一实例，在一些实施例中，控制器可以被配置为基于电路的输出侧的输出信号的特性来计算晶片状态特性。输出信号的特性可以是输出信号与在电路的输入侧注入的输入信号之间的差(例如，相位差和/或幅度差)。在一些实施例中，输入信号可以具有对应于电路的谐振频率的载波频率(例如，使得载波频率处于或接近谐振频率)。在一些实施例中，当输入信号具有处于或接近电路的谐振频率的载波频率时，可以基于输入信号和输出信号之间的相位差和/或幅度差估计晶片弯曲量。
43.在一些实施例中，电路的特性和/或电路输出侧的输出信号的特性可用于检测晶片弯曲和/或使用一个或多个最佳拟合模型来量化晶片弯曲。例如，在一些实施例中，电路
的谐振频率的值可用于估计晶片到台板上表面的电容。该电容又可用于例如使用最佳拟合模型来估计晶片弯曲量。作为另一实例，在一些实施例中，可使用最佳拟合模型基于输出信号与对应输入信号之间的幅度差和/或相位差来估计晶片弯曲量，其中输入信号具有对应于电路的谐振频率的载波频率。换句话说，当在处于或接近谐振频率下操作时，输出信号相对于输入信号的幅度和/或相位差可以指示晶片和台板表面之间的间隙和/或晶片弯曲量。在一些实施例中，相位差可用于使用最佳拟合模型来估计晶片弯曲。在一些实施例中，可以使用实验数据来识别最佳拟合模型的系数。识别晶片状态特性
44.在一些实施例中，使用一种设备来检测晶片弯曲和/或估计晶片弯曲量。该设备可以包含控制器，控制器可以经由rf阻塞滤波器和/或dc阻塞滤波器耦合到esc的两个或两个以上电极。控制器可以被配置为识别与包含esc、rf阻塞滤波器和dc阻塞滤波器的电路相关联的谐振频率。控制器可以被配置为使具有载波频率的输入信号注入电路的输入侧。在一些实施例中，电路的输入侧可以对应于两个或两个以上电极中的第一电极。控制器可以被配置成测量除第一电极之外的一个或多个其余电极处的输出信号。在控制器被配置为测量除输入信号所注入的第一电极之外的两个或两个以上电极处的输出信号的实施例中，所测量的输出信号可以被多路复用。控制器可以被配置为基于输出信号的特性计算定位在与esc相关联的台板上的晶片的晶片状态特性。
45.在一些实施例中，控制器可以被配置为基于测量的输出信号相对于输入信号的幅度或相位的差来计算晶片状态特性。例如，在一些实施例中，控制器可以被配置为估计台板的表面与定位在台板上的晶片之间的电容。继续该实例，控制器可以被配置为基于估计电容来估计晶片弯曲。注意，下面结合图4示出并描述用于基于估计电容来估计晶片弯曲的技术。作为另一个实例，在一些实施例中，控制器可以被配置为基于输出信号和输入信号之间的相位差来估计晶片弯曲。注意，下面结合图5示出并描述基于输出信号和输入信号之间的相位差来估计晶片弯曲的技术。
46.在一些实施例中，一旦与esc相关联的制造设备已经达到期望的工作温度，就可以确定晶片状态特性。
47.在一些实施例中，控制器、rf阻塞滤波器和dc阻塞滤波器可以容纳在一起。例如，控制器、rf阻塞滤波器和dc阻塞滤波器可以容纳在一起作为esc的电源的一部分。
48.图1示出了根据一些实施例的示例性系统的示意图100，其中晶片状态检测电路可以结合esc来实现。
49.esc可具有台板表面102。esc可具有如图1所示的n个电极(例如，描绘为电极104和106)。n可以是1、2、4、10等。电极之间的电阻被描述为电阻108。从电极到台板表面的电阻被描绘为电阻110a和110b。从电极到台板表面的电容被描绘为电容112a和112b。在一些实施例中，电容112a和112b可以在约50pf至700pf的范围内、在约150pf至500pf的范围内、在约200pf至400pf的范围内等。
50.从电极到台板的上表面的电容(例如，电容112a及112b)可在不同频率上且针对特定晶片定位状态而相对稳定。图8描绘了绘示作为输入信号载波频率的函数的电容的稳定性的曲线图。如图所示，对于给定的晶片定位状态，直到相对较高的频率(例如，10-15mhz，此时电容可能难以测量)电容都是稳定的。
51.电压可以通过相应的rf输入施加到每个电极。例如，电压通过rf输入114向电极104施加电压。rf输入可以经由耦合电容器耦合到电极。例如，rf输入114经由耦合电容器118耦合到电极104。类似地，rf输入114经由耦合电容器120耦合到电极106。在一些实施例中，可以基于系统的rf工作频率来选择耦合电容器118和/或120的值。
52.具有衬底的晶片122可在制造期间定位在台板表面上。在晶片122与台板表面102之间可存在间隙124。台板表面102和晶片122之间的电阻被描绘为电阻126a和126b。台板表面102与晶片122之间的电阻可取决于各种参数，例如温度、衬底上的传入膜或台板上的预沉积膜。
53.台板表面102与晶片122之间的电容被描绘为可变电容器128a及128b。台板表面102与晶片122之间的电容可取决于各种参数，例如晶片122的横向位置和/或晶片122的弯曲量。注意，用于估计台板表面102和晶片122之间的电容的技术在下面结合图4示出和描述。台板表面102与晶片122之间的电容在本文中有时称为cw。
54.检测电路138可以经由rf阻塞滤波器130和dc阻塞滤波器134耦合到esc。检测电路138可被配置为估计定位在台板102的表面上的晶片及/或晶片及衬底(例如，晶片122)的晶片状态特性。例如，检测电路138可以被配置为使输入信号注入到输入侧140。如图所示，输入侧140可以对应于电极104。输入信号可以具有载波频率，该载波频率是由dc阻塞滤波器134、rf阻塞滤波器130、台板以及晶片122和台板表面102之间的电容形成的电路的谐振频率。然后，检测电路138可以测量输出端142处的输出信号。如图所示，输出侧142可对应于电极106。尽管未示出，但是可以在输出负载(例如，1kω电阻器、2kω电阻器等)上测量输出信号。在一些实施例中，检测电路138可以被配置为基于输出信号的相位相对于输入信号的相位的比较来估计晶片状态特性。
55.在一些实施例中，检测电路138可以包含用于存储数据、用于执行晶片位置检测过程的程序、用于执行校准过程的程序等的控制器(例如，微控制器)和/或存储器。例如，控制器可以包含各种逻辑和/或检测电路，其被配置为接收数据、发送数据、处理数据(例如，执行各种计算、进行各种确定等)、使输入信号施加到电路、测量输出信号等。
56.rf阻塞滤波器130可以被配置为阻塞rf频率的范围。rf频率的范围可以在200khz至100mhz的范围内。在一些实施例中，rf阻塞滤波器130可以包含一个或多个电感器，例如电感器132a和132b。在一些实施例中，电感器132a和132b可以是铁氧体磁芯电感器。
57.在一些实施例中，dc阻塞滤波器134可以包含一个或多个阻塞电容器，例如阻塞电容器136a和136b。电容器136a和/或136b的值可以根据各种标准来选择。例如，可以选择电容器136a和/或136b的值，使得电容最小化，同时仍然允许dc阻塞滤波器134耦合到rf阻塞滤波器130。在一些实施例中，电容器136a和/或136b的值可以基本上类似于耦合电容器118和120的值。例如，在一些实施例中，电容器136a和/或136b的值可以具有与耦合电容器118和120相同的数量级。
58.在一些实施例中，rf阻塞滤波器130、dc阻塞滤波器134和检测电路138可以容纳在一起。例如，rf阻塞滤波器130、dc阻塞滤波器134和检测电路138可以一起容纳在esc的电源中。
59.图2示出了根据一些实施例的用于计算晶片状态特性的过程200的实例。在一些实施例中，过程200的框可以由控制器执行，例如如上结合图1所示和所述的检测电路138的控
制器。应当注意，在一些实施例中，过程200的框可以以图2中未示出的顺序来执行。在一些实施例中，过程200的两个或两个以上框可以基本上并行地执行。另外，应当注意，在一些实施例中，可以省略过程200的一个或多个框。
60.在202处，控制器可以被配置为使输入信号注入电路的输入侧。在一些实施例中，电路的输入侧可以对应于esc的两个或两个以上电极中的第一电极。
61.在204处，控制器可以被配置为在电路的输出侧测量输出信号。输出侧可以对应于除输入信号所注入的第一电极之外的esc的一个或多个电极。例如，在一些实施例中，输出侧可以是不同于第一电极的第二电极。作为另一个实例，在一些实施例中，输出侧可对应于各自不同于第一电极的两个或两个以上电极。在一些这样的实施例中，输出信号可以是多路复用信号。
62.应注意，在一些实施例中，输入信号可以具有对应于或大致接近电路的谐振频率的载波频率。在一些实施例中，可以在校准过程期间不使用晶片或使用裸硅晶片来确定谐振频率(例如，如以下结合图3所示和所述)。在一些实施例中，控制器可以被配置为在框206处基于输出信号相对于输入信号的幅度和/或相位的差来确定晶片状态特性，如下面结合图5所描述的。替换地，在一些实施例中，控制器可以多次循环通过框202和204以在晶片放置在台板上正在进行制造时识别电路的谐振频率。例如，在一些实施例中，控制器可以基于输出信号的相位和/或幅度与输入信号的相位和/或幅度的比较来识别谐振频率。在一些实施例中，控制器可以循环通过框202和204，直到识别出谐振频率。在一些这样的实施例中，晶片在台板上进行制造时的电路的谐振频率可用于估计晶片到台板表面的电容。晶片到台板表面的电容可用于在框206处估计晶片弯曲，且如下文结合图4所描述。
63.在206处，控制器可被配置为基于测量的输出信号计算晶片状态特性。
64.在一些实施例中，晶片状态特性可以包含确定检测到晶片弯曲。在一些实施例中，晶片状态特性可以附加地或可替换地包含确定例如以微米为单位的检测到的晶片弯曲量。在一些实施例中，晶片状态特性可以包含晶片的横向位置。例如，在一些实施例中，晶片的横向位置可以指示晶片表面的点相对于台板的中心点的横向偏移。
65.在一些实施例中，可以基于电路的谐振频率的值来确定晶片状态特性。例如，在一些实施例中，晶片到台板的上表面的电容可以基于电路的谐振频率来估计，如下面结合图4所示和所述。继续该实例，在一些实施例中，可以基于估计电容来估计晶片弯曲量。
66.在一些实施例中，可以基于输出信号和输入信号之间的差来确定晶片状态特性。例如，输出信号和输入信号之间的差可以包含输出信号相对于输入信号的幅度之间的差和/或输出信号相对于输入信号的相位之间的差。继续此实例，在一些实施例中，控制器可被配置为基于输出信号相对于输入信号的相位差来估计晶片弯曲量(例如，而不估计晶片到台板表面的中间电容)。
67.注意，下面结合图4和5示出和描述用于估计晶片弯曲量的技术。
68.在208处，控制器可被配置为使得呈现晶片状态特性的指示。
69.在一些实施例中，可以通过在与esc的操作相关联的显示器上呈现的消息来呈现指示。在一些这样的实施例中，控制器可以向这样的显示器发送使指示呈现在显示器上的指令。
70.在一些实施例中，晶片状态特性的指示可以指示晶片是被夹持还是被松开。举例
来说，在一些实施例中，控制器可被配置成响应于确定所估计的晶片弯曲量超过阈值弯曲量(例如，50μm、100μm等)而确定晶片被松开。继续该实例，在一些实施例中，控制器可被配置为呈现指示晶片的夹持状态为
″
夹持
″
或
″
松开
″
的消息。
71.在一些实施例中，晶片状态特性的指示可附加或替换地指示估计的晶片弯曲量(例如，50μm、100μm等)。
72.在一些实施例中，控制器可配置为使晶片夹持状态的指示呈现为默认设置。在一些这样的实施例中，这样的默认设置可以被覆盖以呈现用户估计的晶片弯曲量的指示。
73.应当注意，在一些实施例中，可以省略框208。
74.在一些实施例中，控制器可以被配置为循环回到框202并且使具有谐振频率的第二输入信号注入。在一些实施例中，第二输入信号可以注入到对应于先前在框204处用于测量输出信号的第二电极的输入侧。可替换地，在esc包含三个或三个以上电极的情况下，输入信号可以注入到对应于先前未用于注入输入信号或测量输出信号的电极的输入侧。在一些这样的情况下，来自不同电极的输出信号的比较可用于确定晶片的横向定位。在一些实施例中，控制器可以被配置为循环通过所有可用电极，使得所有可用电极用于注入输入信号。识别谐振频率
75.在一些实施例中，谐振频率可以取决于各种因素，例如工作温度、台板的材料、电极的数量等。因此，可以为特定的一件设备和特定的工作温度确定谐振频率。
76.在一些实施例中，可以使用校准过程来识别谐振频率。在一些实施例中，可以使用该件设备并且在谐振频率适用的工作温度下执行校准过程。
77.在一些实施例中，可以用定位在esc的台板上的裸晶片(例如，裸硅(si)晶片)和/或平坦晶片(例如，已知被适当地夹持到台板上)来执行校准过程。应当注意，平坦晶片可以是裸晶片，也可以不是裸晶片。例如，在一些实施例中，平坦晶片可能已经经历一些处理(例如，掩模、光刻、沉积、蚀刻等)。该处理可以产生部分制造的集成电路。
78.在一些实施例中，可以在首次启动一件设备时或者在重新启动该件设备时执行校准过程。
79.图3示出了根据一些实施例的用于识别与esc相关联的电路的谐振频率的过程300的实例。在一些实施例中，过程300的框可以由控制器来执行，例如上面结合图1所示和描述的检测电路的控制器。应当注意，在一些实施例中，过程300的框可以以图3中未示出的各种顺序来执行。另外，应当注意，在一些实施例中，可以省略过程300的一个或多个框。
80.在302处，控制器可以被配置为对于特定的载波频率，使具有载波频率和输入幅度的输入信号注入到电路的输入侧。在一些实施例中，载波频率可以是被识别为接近电路的预测的或可能的谐振频率的载波频率。例如，载波频率可以是低于预测或可能的谐振频率的预定量(例如，1khz、2khz等)的频率。
81.在304处，控制器可以被配置为在电路的输出侧测量输出信号。在一些实施例中，可以在除用于注入输入信号的电极之外的一个或多个电极处测量输出信号。在一些实施例中，可以相对于耦合到电极的负载(例如，1kω电阻器、2kω电阻器等)来测量输出信号。
82.在306处，控制器可以被配置为测量输出信号相对于接收到的响应的幅度和/或相位。
83.然后，过程300可以循环回到302。控制器可以使具有不同载波频率的输入信号注入电路的输入侧。在一些实施例中，过程300可以循环通过框302至306，使各自对应于一系列载波频率中的一个载波频率的一系列输入信号注入。在一些实施例中，选择一系列载波频率以涵盖要识别的可能的谐振频率。例如，在可能的谐振频率约为13khz的情况下，过程300可以循环通过涵盖13khz的一系列载波频率，例如从约12khz到14khz的范围、从约12.5khz到13.5khz的范围等。在一些实施例中，一系列载波频率中的每个频率可以由频率步长分开。这样的频率步长可以是100hz、500hz等。
84.在308处，控制器可以被配置为基于作为输入信号的载波频率的函数的每个输出信号的所计算的幅度和/或相位来识别电路的谐振频率。例如，在一些实施例中，控制器可以被配置为将电路的谐振频率识别为输出信号幅度最大时的载波频率。附加地或可替换地，在一些实施例中，控制器可以被配置为将电路的谐振频率识别为输入信号和相应输出信号之间的相位差最小时的载波频率。估计晶片弯曲
85.可以基于包含台板上的晶片、一个或多个rf阻塞滤波器和/或一个或多个dc阻塞滤波器的电路的特性来检测和/或估计晶片弯曲。例如，在一些实施例中，可以基于电路的谐振频率来检测和/或估计晶片弯曲。作为更具体的实例，在一些实施例中，可以基于晶片到台板表面的估计电容来检测和/或估计晶片弯曲，其中基于电路的谐振频率来估计电容。然后可以基于晶片到台板表面的估计电容来估计晶片弯曲。
86.作为另一实例，在一些实施例中，可基于从具有对应于电路的谐振频率的载波频率的注入的输入信号产生的输出信号的特性来检测和/或估计晶片弯曲。作为更具体的实例，在一些实施例中，可以基于响应于注入电路的输入侧的输入信号而在电路的输出侧测量的输出信号之间的幅度差和/或相位差来检测和/或量化晶片弯曲，其中输入信号具有对应于电路的谐振频率的载波频率。也就是说，输出信号和输入信号之间的相位差可以指示晶片弯曲量。
87.图7示出了可以响应于具有与电路的谐振频率相对应的载波频率的输入信号的注入而测量输出信号的实例。在图7的实例中，曲线702表示在无晶片的情况下测量的输出信号，曲线704表示在平坦晶片的情况下测量的输出信号，曲线706表示在弯曲晶片的情况下测量的输出信号。如图7所示，在曲线706和曲线704之间存在相位差。在一些实施例中，该相位差可用于估计晶片弯曲。
88.在一些实施例中，可以使用一个或多个最佳拟合模型来估计晶片弯曲。例如，在一些实施例中，最佳拟合模型可以将晶片和台板之间的估计电容与估计的晶片弯曲量进行相关。作为另一个实例，在一些实施例中，最佳拟合模型可以将输出信号和输入信号之间的测量幅度和/或相位差与估计的晶片弯曲量进行相关。
89.在一些实施例中，用于估计晶片弯曲的任何最佳拟合模型可以特定于特定环境或设备。例如，最佳拟合模型可以专用于esc的特定模型或专用于esc的特定组件。作为另一实例，最佳拟合模型可以特定于特定工作温度。作为更具体的实例，第一最佳拟合模型可以在450℃下适用，并且第二最佳拟合模型可以在650℃下适用。在一些实施例中，可以在估计晶片弯曲之前识别一个或多个可应用的最佳拟合模型。例如，可以识别适用于特定工作温度的一个或多个最佳拟合模型。
90.应注意，最佳拟合模型可与任何合适类型的函数相关联，例如线性函数、多项式函数(例如，2阶、3阶、4阶、5阶等)、指数函数等。
91.在一些实施例中，可使用晶片弯曲的球形模型(例如，如以下结合图9a、9b和9c所示和所述)来计算使晶片与台板表面之间的估计电容与晶片弯曲量相关联的最佳拟合模型的系数。在一些实施例中，弯曲的球形模型可用于生成一系列(电容、晶片弯曲)对，从这些对可以生成最佳拟合模型。图6示出了实例性曲线图，其示出了晶片和台板之间的估计电容与晶片弯曲量之间的关系，该关系可用于计算最佳拟合模型的系数。
92.在一些实施例中，可以使用实验数据来计算将输出信号相对于输入信号的测量幅度和/或相位差与估计的晶片弯曲进行相关的最佳拟合模型的系数。这样的实验数据可以包含一组实验晶片，每个实验晶片具有不同的弯曲量和相关联的幅度和/或相位差。然后可以基于实验数据计算最佳拟合模型的系数。
93.在一些实施例中，控制器(例如，如图1所示的检测电路138的控制器)可以被配置为检测和/或估计晶片弯曲。在一些实施例中，控制器可被配置为检测和/或估计特定温度下的晶片弯曲。例如，控制器可以被配置为响应于确定已经达到工艺温度而检测和/或估计晶片弯曲。在一些实施例中，控制器可以被配置为例如通过从与控制器相关联的存储器检索对应于工艺温度的谐振频率来识别对应于工艺温度的电路的谐振频率。
94.图4示出了根据一些实施例的用于基于晶片到台板表面的估计电容来计算晶片状态特性的过程400的实例。在一些实施例中，过程400的框可以由与esc相关联的控制器(例如，图1的检测电路138的控制器)来执行。应当注意，在一些实施例中，过程400的框可以以图4中未示出的顺序来执行。在一些实施例中，可以基本上并行地执行两个或两个以上框或过程400。附加地或可替换地，在一些实施例中，可以省略过程400的一个或多个框。
95.在402处，控制器可以被配置为识别或估计电路的谐振频率。应当注意，谐振频率对应于包含与esc相关联的一个或多个电极、rf阻塞滤波器、dc阻塞滤波器和正在进行制造的晶片的电路的谐振频率。
96.可以基于在电路的输出侧测量的输出信号相对于在电路的输入侧注入的输入信号的特性来识别或估计谐振频率。在一些实施例中，可以在对应于esc的电极组中的第一电极的输入侧注入输入信号。在一些实施例中，可以在对应于电极组中除第一电极之外的一个或多个电极的输出侧测量输出信号。输入信号具有可以接近电路的可能的谐振频率的载波频率。
97.在一些实施例中，可以基于输出信号和输入信号之间的幅度差和/或相位差来识别或估计谐振频率。在一些实施例中，可以将幅度差计算为输出信号的幅度与输入信号的幅度的比率。在一些实施例中，相位差可以被计算为输出信号的相位相对于输入信号的相位的差。在一些实施例中，谐振频率被识别或估计为生成相对于输入信号具有最高幅度和/或相对于输入信号具有最小相位差的输出信号的输入信号载波频率。
98.在404处，控制器可以被配置为计算晶片和晶片定位在其上的台板之间的估计电容。注意，晶片和台板之间的电容的实例在图1中示为可变电容128a和128b。
99.在一些实施例中，晶片和台板之间的电容可基于谐振频率f0来计算，其中其中lf表示rf阻塞滤波器的电感，c
rf
表示rf输入到夹持电极(例如，
图1的电容器118及/或120)的电容，且cw表示晶片到电极(晶片到台板表面及台板表面到电极)的总串联电容(例如，图1的电容128a及/或128b)。在一些这样的实施例中，可以求解cw以估计晶片和台板之间的电容。
100.在406处，控制器可被配置为基于估计电容计算晶片状态特性。例如，在一些实施例中，控制器可以基于估计电容计算估计的晶片弯曲量。作为另一实例，在一些实施例中，控制器可以被配置为基于对估计的晶片弯曲量超过阈值的确定来确定晶片被松开。
101.在一些实施例中，可使用最佳拟合模型来计算晶片状态特性，最佳拟合模型将估计电容(例如，上文实例中的cw)与晶片弯曲量进行相关。在一些实施例中，最佳拟合模型可以是n阶多项式(例如，三阶、四阶、五阶、六阶等)。在一些实施例中，这种最佳拟合模型的系数可以基于实验数据来确定。附加地或可替换地，在一些实施例中，这种最佳拟合模型的系数可以基于晶片弯曲的球形模型来确定。
102.将晶片到台板表面的估计电容(cw)与估计的晶片弯曲量(d)进行相关的最佳拟合模型的一个特定实例是：d≈coeff1*c
w3
+coeff2*c
w2
+coeff3*cw+coeff4，其中coeff1、coeff2、coeff3和coeff4表示可基于实验数据和/或基于晶片弯曲的球形模型确定的系数，且其中d表示晶片中心或边缘在台板表面上方的近似距离。因此，d表示估计的晶片弯曲量。
103.将晶片到台板表面的估计电容(cw)与晶片隆起(h)进行相关的最佳拟合模型的另一特定实例为：cw≈coeff1*h5+coeff2*h4+coeff3*h3+coeff4*h2+coeff5*h+coeff6，其却coeff1、coeff2、coeff3、coeff4、coeff5和coeff6表示可基于实验数据和/或基于晶片弯曲的球形模型确定的系数。在上面给出的具体实例中，h可以表示对应于晶片弯曲量的晶片隆起。例如，在凸形弯曲(在此通常称为
″
翘曲
″
)的情况下，h可以对应于晶片边缘在平面上方的距离，该平面对应于平坦晶片的位置，如果这样的平坦晶片定位在台板上的话。相反，在凹形弯曲的情况下，h可以对应于晶片中心在平面上方的距离，该平面对应于平坦晶片的位置，如果这样的平坦晶片定位在台板上的话。
104.图5示出了根据一些实施例的用于基于输出信号相对于输入信号的幅度和/或相位的差来计算晶片状态特性的过程500的实例。更具体地，过程500示出了用于估计晶片弯曲而不估计晶片到台板表面的中间电容的过程的实例(例如，如以上图4所示)。在一些实施例中，过程500的框可以由与esc相关联的控制器(例如，图1的检测电路138的控制器)来执行。在一些实施例中，过程500的两个或两个以上框可以基本上并行地执行。应当注意，在一些实施例中，过程500的框可以以图5中未示出的顺序来执行。
105.在502处，控制器可以被配置为识别输出信号和输入信号之间的幅度和/或相位差，其中输入信号具有与电路的谐振频率相对应的载波频率。在一些实施例中，电路的谐振频率可以对应于无晶片、具有裸硅晶片和/或平坦晶片(例如，已知被适当夹持的晶片)的电路的谐振频率。例如，可以在如上结合图3所示和所述的校准过程期间识别电路的谐振频率。
106.在一些实施例中，可以在对应于esc的电极组中的第一电极的输入侧注入输入信号。在一些实施例中，可以在对应于电极组中除第一电极之外的一个或多个电极的输出侧测量输出信号。
107.在一些实施例中，可以将幅度计算为输出信号的幅度与输入信号的幅度的比率。在一些实施例中，相位差可以被计算为输出信号的相位相对于输入信号的相位的差。
108.在504处，控制器可被配置为基于幅度和/或相位差计算晶片状态特性。例如，在一些实施例中，控制器可以基于估计电容计算估计的晶片弯曲量。作为另一实例，在一些实施例中，控制器可以被配置为基于对估计的晶片弯曲量超过阈值的确定来确定晶片是否被松开。
109.在一些实施例中，可以使用将幅度和/或相位差与估计的晶片弯曲量进行相关的最佳拟合模型来计算晶片状态特性。
110.将输出信号和输入信号之间的相位差与估计的晶片弯曲进行相关的最佳拟合模型的具体实例是：在该实例中，prc是相位电阻系数，其可以表示相位值的斜率的线性近似，并且fsr是相位差的满标度范围。在该实例中，可以基于最大可能相位差来计算prc。计算prc的等式的实例为：prc＝coeff*((浮动)max_phase_delta)，其中max_phase_delta指示输出信号与输入信号之间的最大可能相位差，并且其中coeff是缩放系数。coeff的实例值可以是0.03、0.04、0.05等。
111.应当注意，在一些实施例中，可以使用将输出信号和输入信号之间的幅度差与估计的晶片弯曲进行相关的最佳拟合模型来估计晶片弯曲量。在一些实施例中，最佳拟合模型可以是n阶多项式、指数函数等。
112.图9a、9b和9c示出了根据一些实施例的可用于将晶片和台板表面之间的估计电容与晶片弯曲量进行相关的示意图。更具体地，图9a、9b和9c示出了晶片到台板表面的电容与晶片和台板表面之间的间隙之间的关系。在一些实施例中，电容与间隙的关系可用于生成最佳拟合模型的系数，最佳拟合模型将晶片的电容与台板表面和所估计的晶片弯曲进行相关。
113.图9a示出了定位在台板表面904上的平坦晶片902。在图9a的实例中，平坦晶片902具有面积a。在图9a的实例中，在平坦晶片902与台板表面904之间存在间隙906(本文中表示为
″d″
)。在一些实施例中，平坦晶片902到台板表面904的电容可表示为平行板电容器表达式。例如，电容cw可以表示为：其中a是平坦晶片902的面积，d对应于间隙906，并且ε0是介电常数。
114.图9b示出了定位在台板表面904上的凸晶片922。凸度或翘曲度可以由边缘隆起930(在图9b中表示为
″h″
)限定，边缘隆起930表示凸晶片922的边缘在平面926上方的距离，其中平面926对应于平坦晶片的位置，如果这样的平坦晶片定位在台板表面904上的话。也就是说，平面926与台板表面904之间的间隙为d，如结合图9a所示和上文描述的实例中。翘曲的或凸起弯曲的晶片可以被建模为具有半径932(这里表示为
″r″
)的球体的一部分。角度934(表示为θ1)表示半径932和凸晶片922的中线之间的角度。在一些实施例中，凸晶片922到台板表面904的电容可表示为并联电容器的总和。
115.图9c示出了定位在台板表面904上的凹晶片942。弯曲度可以由中心隆起950(在图9c中表示为
″h″
)限定，中心隆起950表示凹晶片942的中心在平面926上方的距离，其中平面926对应于平坦晶片的位置，如果这样的平坦晶片定位在台板表面904上的话。也就是说，平面926与台板表面904之间的间隙为d，如结合图9a所示和上文描述的实例中。凹晶片可以被建模为具有半径952(这里表示为
″r″
)的球体的一部分。角度954(表示为θ1)表示半径952和
凹晶片942的中线之间的角度。在一些实施例中，凹晶片942对台板表面904的电容可表示为并联电容器的总和。应用
116.本文所述的设备、系统、方法及/或介质可用于在处理期间检测晶片弯曲或晶片从台板松开。特别地，可以基于在电路的输出端测量的输出信号和在电路的输入端注入的输入信号之间的差来检测和/或量化晶片弯曲。通过在电路的谐振频率下操作，可以结合利用等离子体和/或在相对高的温度(例如，高于400摄氏度、高于500摄氏度、高于600摄氏度等)下操作的处理室和操作来检测和/或量化晶片弯曲。换句话说，使用即使在高温下和/或在使用等离子体的情况下也可以测量的特性，可以检测和/或量化晶片弯曲。用于所公开的计算实施例的上下文
117.本文所公开的某些实施例涉及用于检测晶片弯曲的计算系统。
118.具有各种计算机体系结构中的任一种的许多类型的计算系统可被用作所公开的用于实现如本文所述的算法的系统。例如，系统可以包含在一个或多个通用处理器或诸如专用集成电路(asic)或可编程逻辑装置(例如，现场可编程门阵列(fpga))的专门设计的处理器上执行的软件组件。此外，该系统可以在单个装置上实现或分布在多个装置上。计算元件的功能可以彼此合并或进一步分成多个子模块。
119.在一些实施例中，在用于检测适当编程的系统上的晶片弯曲的技术的生成或执行期间执行的代码可以以软件元件的形式实施，软件元件可以存储在非易失性存储介质(例如光盘、闪存装置、移动硬盘等)中，包含用于制造计算机装置(例如个人计算机、服务器、网络设备等)的多个指令。
120.在一个级别上，软件单元被实现为由程序员/开发者准备的一组命令。然而，可由计算机硬件执行的模块软件是使用从设计到硬件处理器中的特定机器语言指令集或
″
本机指令
″
中选择的
″
机器代码
″
提交到存储器的可执行代码。机器语言指令集或本机指令集对于硬件处理器是已知的，并且基本上内置于硬件处理器中。这是系统和应用软件与硬件处理器通信的
″
语言
″
。每一本机指令是由处理架构识别且可指定用于算术、寻址或控制功能的特定寄存器的离散代码；特定存储位置或偏移量；以及用于解释操作数的特定寻址模式。通过组合这些简单的本机指令来建立更复杂的操作，这些简单的本机指令被顺序地执行，或者如控制流指令所指示的那样被执行。
121.可执行软件指令和硬件处理器之间的相互关系是结构性的。换句话说，指令本身是一系列符号或数值。它们不固有地传送任何信息。处理器通过设计被预先配置为解释符号/数值，这将含义赋予指令。
122.本文所使用的方法和技术可被配置为在单个位置处的单个机器上、在单个位置处的多个机器上或在多个位置处的多个机器上执行。当采用多个机器时，各个机器可针对其特定任务进行定制。例如，需要大块代码和/或显著处理能力的操作可以在大型和/或固定机器上实现。
123.此外，某些实施例涉及包含用于执行各种计算机实现的操作的程序指令和/或数据(包含数据结构)的有形和/或非暂时性计算机可读介质或计算机程序产品。计算机可读介质的实例包含但不限于：半导体存储器装置、相变装置、诸如磁盘驱动器的磁介质、磁带、诸如cd的光学介质、磁光介质、以及被专门配置为存储和执行程序指令的硬件装置，诸如只
读存储器装置(rom)和随机存取存储器(ram)。计算机可读介质可以由终端用户直接控制，或者介质可以由终端用户间接控制。直接控制的介质的实例包含位于用户设施处的介质和/或不与其它实体共享的介质。间接控制的介质的实例包含用户可经由外部网络和/或经由提供诸如
″
云
″
的共享资源的服务间接访问的介质。程序指令的实例包含诸如由编译器产生的机器代码，以及包含可由计算机使用解释器执行的更高级代码的文件。
124.在各种实施例中，所公开的方法和设备中采用的数据或信息以电子格式提供。这样的数据或信息可以包含在计算等中使用的各种系数。如本文中所使用的，以电子格式提供的数据或其它信息可用于机器上的存储和机器之间的传输。传统上，电子格式的数据是以数字形式提供的，并且可以作为位和/或字节存储在各种数据结构、列表、数据库等中。数据可以以电子方式、光学方式等实现。
125.系统软件通常与计算机硬件和相关联的存储器接口。在一些实施例中，系统软件包含操作系统软件和/或固件，以及安装在系统中的任何中间件和驱动器。系统软件提供计算机的基本非特定任务功能。相反，模块和其它应用软件用于完成特定任务。用于模块的每一本机指令存储在存储器装置中且由数值表示。
126.图10中描绘了示例性计算机系统1000。如图所示，计算机系统1000包含输入/输出子系统1002，输入/输出子系统1002可以根据应用程序实现与人类用户和/或其它计算机系统交互的接口。本公开的实施例可以在具有i/o子系统1002的系统1000上的程序代码中实现，i/o子系统1002用于从人类用户接收输入程序语句和/或数据(例如，经由gui或键盘)并将它们显示回给用户。i/o子系统1002可以包含例如键盘、鼠标、图形用户界面、触摸屏或用于输入的其它接口，以及例如led或其它平面屏幕显示器或用于输出的其它接口。
127.通信接口1007可以包含用于使用任何合适的通信网络(例如，因特网、内联网、广域网(wan)、局域网(lan)、无线网络，虚拟专用网(vpn)和/或任何其它合适类型的通信网络)进行通信的任何合适的组件或电路。例如，通信接口1007可以包含网络接口卡电路、无线通信电路等。
128.程序代码可以存储在诸如辅助存储器1010或存储器1008或两者的非瞬态介质中。在一些实施例中，辅助存储器1010可以是持久性存储装置。一个或多个处理器1004从一个或多个非暂时性介质读取程序代码并执行所述代码以使计算机系统能够实现由本文中的实施例执行的方法，例如与如本文中所描述的检测晶片弯曲有关的方法。本领域技术人员将理解，处理器可以接受源代码，例如用于执行训练和/或建模操作的语句，并且将源代码解释或编译为在处理器的硬件门级可以理解的机器代码。总线1005耦合i/o子系统1002、处理器1004、外围装置1006、通信接口1007、存储器1008和辅助存储器1010。结论
129.在说明书中，阐述了许多具体细节以便提供对所呈现的实施例的透彻理解。可在没有这些具体细节中的一些或全部的情况下实践所公开的实施例。在其它情况下，没有详细描述公知的过程操作，以免不必要地模糊所公开的实施例。虽然结合特定实施例描述了所公开的实施例，但是应当理解，特定实施例并非旨在限制所公开的实施例。
130.除非另外指明，否则本文所公开的方法操作和装置特征涉及在计量学、半导体装置制造技术、软件设计和编程以及统计中常用的技术和设备，其在所属领域的技术内。
131.除非本文另有定义，本文使用的所有技术和科学术语具有与本领域普通技术人员
通常理解的相同含义。包含本文包含的术语的各种科学词典是本领域技术人员公知的和可获得的。尽管与本文所述的那些类似或等同的任何方法和材料可用于实践或测试本文公开的实施方案，但描述了一些方法和材料。
132.数字范围包括定义该范围的数字。本说明书通篇给出的每个最大数值限度旨在包含每个较低的数值限度，就像这样的较低的数值限度在本文中被明确地写出一样。贯穿本说明书给出的每个最小数值限制将包含每个较高的数值限制，就像这样的较高的数值限制在本文中被明确地写出一样。本说明书通篇给出的每个数值范围将包含落入该较宽数值范围内的每个较窄数值范围，如同该较窄数值范围在本文中全部明确写出一样。
133.本文提供的标题不旨在限制本公开。
134.如本文所用，单数术语
″
一个
″
、
″
一种
″
和
″
该
″
包含复数指代，除非上下文另外明确指出。除非另有说明，本文所用的术语
″
或
″
是指非排他性的或。
135.包含处理器、存储器、指令、例程、模型或其它组件的各种计算元件可被描述或声明为
″
被配置为
″
执行一个或多个任务。在此类上下文中，短语
″
被配置为
″
用于通过指示组件包含在操作期间执行一个或多个任务的结构(例如，所存储的指令，电路等)来暗示该构。照此，单元/电路/组件可以被说成被配置为甚至在指定的组件当前不一定是可操作的(例如，不是打开的)时也执行该任务。
136.与
″
配置为
″
语言一起使用的组件可以指硬件，例如，电路、存储可执行以实现操作的程序指令的存储器等。另外，
″
被配置为
″
可以指由软件和/或固件(例如，fpga或执行软件的通用处理器)操纵以能够执行所述任务的方式操作的通用结构(例如，通用电路)。另外，
″
被配置为
″
可以指存储用于执行所述任务的计算机可执行指令的一个或多个存储器或存储器元件。这种存储器元件可以包含具有处理逻辑的计算机芯片上的存储器。在一些上下文中，
″
被配置为
″
还可以包含使制造工艺(例如，半导体制造设施)适于制造适于实现或执行一个或多个任务的装置(例如，集成电路)。