基板处理方法与流程

本发明构思总体上涉及一种基板处理方法。

背景技术：

1、当代且新兴的半导体装置的特点在于集成密度增加。因此，构成的元件和组件的物理尺寸已减小。考虑到越来越小的元件和组件尺寸，不断增加的小的缺陷往往会使半导体装置的性能越来越劣化。

技术实现思路

1、在一个方面，本发明构思的实施例提供了一种改进硅膜的稳定性的基板处理方法。

2、在一些实施例中，本发明构思提供了一种基板处理方法，包括：

3、在基板上形成硅膜；将形成有硅膜的基板浸泡在液态重水中；以及在基板浸泡在液态重水中的同时利用微波照射硅膜。

4、在一些实施例中，本发明构思提供了一种基板处理方法，包括：

5、在基板上形成硅膜；利用微波照射硅膜；以及将硅膜浸泡在液态重水中。

6、在一些实施例中，本发明构思提供了一种基板处理方法，包括：

7、在基板上形成第一材料层；以及通过利用微波照射第一材料层并将第一材料层浸泡在液态重水(d2o)中来从第一材料层形成第二材料层，其中，第一材料层包括sixoyhz的第一化合物，其中，x、y和z中的每一个是大于或等于0且小于1的实数，使得(x+y+z＝1)，并且第二材料层包括siaobhcdd的第二化合物，其中，a、b、c、d中的每一个是大于或等于0且小于1的实数，使得(a+b+c+d＝1)。

1.一种基板处理方法，包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述硅膜是多晶硅膜。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，利用微波照射所述硅膜包括：

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，所述第一时间段在10秒至20秒的范围内，并且

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，利用微波照射所述硅膜包括循环照射所述硅膜介于1次和15次之间。

6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在利用微波照射所述硅膜期间，所述液态重水具有320k至373k范围内的温度。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在所述基板上形成所述硅膜在第一处理室中执行；并且

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，在所述基板浸泡在所述液态重水中的同时利用微波照射所述硅膜在所述第二处理室中执行。

9.一种基板处理方法，包括以下操作：

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，在利用微波照射所述硅膜之后执行将所述硅膜浸泡在液态重水中。

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，在利用微波照射所述硅膜期间，所述硅膜具有423k至443k范围内的温度。

12.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，利用微波照射所述硅膜包括：

13.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，利用微波照射所述硅膜循环执行介于1次和15次之间。

14.一种基板处理方法，包括：

15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，满足z>c。

16.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，满足z＝(c+d)；x＝a；以及y＝b中的每一个。

17.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，所述第一材料层包括si-h官能团和o-h官能团，并且

18.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，在从所述第一材料层形成所述第二材料层期间，在所述第一材料层浸泡在所述液态重水中的同时利用微波照射所述第一材料层。

19.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，在从所述第一材料层形成所述第二材料层期间，根据照射循环次数来执行利用微波照射所述第一材料层。

20.根据权利要求14所述的基板处理方法，其中，所述第一材料层是多晶硅。