一种基板及其制备方法、显示面板和显示装置与流程

本公开涉及显示，尤其涉及一种基板及其制备方法、显示面板和显示装置。

背景技术：

1、现有技术中，基板在采用顶栅型薄膜晶体管(tft)时，膜层较多，导致顶栅型tft的基板结构复杂、成本高。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板和显示装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、作为本公开实施例的第一个方面，本公开实施例提供一种基板，包括：

3、衬底；

4、第一金属层，位于衬底的一侧，包括信号线；

5、第一绝缘层，位于第一金属层的背离衬底的一侧；

6、有源层，位于第一绝缘层的背离衬底的一侧；

7、第二绝缘层，位于有源层的背离衬底的一侧，第二绝缘层设置有第一过孔，第一过孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，第一子孔贯穿第二绝缘层而暴露有源层的部分表面，第二子孔贯穿第二绝缘层和第一绝缘层而暴露信号线的部分表面；

8、第二金属层，位于第二绝缘层的背离衬底的一侧，第二金属层包括第一极，第一极通过第一子孔与有源层的暴露表面的一部分搭接连接，第一极通过第二子孔与信号线连接。

9、在一些实施例中，有源层的与第一极搭接的部分为第一搭接部，第一搭接部的至少部分被导体化，第一极通过第一搭接部的导体化区域与有源层电连接。

10、在一些实施例中，第一搭接部在第一方向上的尺寸为0.3μm～2μm，第一极通过第一子孔与有源层搭接的外边界包括第一边界，第一方向为垂直于第一边界的方向。

11、在一些实施例中，第二子孔在衬底上的正投影位于第一极在衬底上的正投影内，第二子孔在第一方向上的尺寸为0.5μm～2μm，第一极通过第一子孔与有源层搭接的外边界包括第一边界，第一方向为垂直于第一边界的方向。

12、在一些实施例中，第一过孔在第一方向上的尺寸为1μm～5μm，第一极通过第一子孔与有源层搭接的外边界包括第一边界，第一方向为垂直于第一边界的方向。

13、在一些实施例中，第一过孔在第一方向上的尺寸大于在第二方向上的尺寸，第一极通过第一子孔与有源层搭接的外边界包括第一边界，第一方向与第一边界的延伸方向垂直，第二方向与第一边界的延伸方向平行。

14、在一些实施例中，第一极在第二方向上的尺寸大于第一过孔在第二方向上的尺寸，第一极通过第一子孔与有源层搭接的外边界包括第一边界，第二方向与第一边界的延伸方向平行。

15、在一些实施例中，位于第二金属层之外的第二绝缘层被去除，使得第二绝缘层包括被第二金属层覆盖的被覆盖部以及沿被覆盖部边界的外延尾部，外延尾部的横截面呈三角形。

16、在一些实施例中，还包括第三绝缘层，第三绝缘层位于第二金属层的背离衬底的一侧，第一极的一条边界与第一过孔的边界相交的位置为相交部，第三绝缘层在相交部对应的外延尾部的背离衬底的一侧形成有鼓包。

17、在一些实施例中，第一金属层还包括遮挡部，第二绝缘层还设置有第二过孔，第二过孔贯穿第二绝缘层而暴露有源层的部分表面，第二金属层还包括栅极和第二极，栅极位于第一过孔和第二过孔之间，栅极在衬底上的正投影与有源层在衬底上的正投影存在第一交叠区域，第一交叠区域在衬底上的正投影位于遮挡部在衬底上的正投影内，第二极通过第二过孔与有源层的暴露表面的一部分搭接连接。

18、在一些实施例中，第二过孔沿第一方向设置在第一过孔的远离第二子孔的一侧，有源层的与第二极搭接的部分为第二搭接部，第二搭接部的宽度尺寸为0.3μm～2μm，第二极通过第二过孔与有源层搭接的外边界包括第二边界，第二搭接部的宽度为第二搭接部在垂直于第二边界方向上的尺寸。

19、在一些实施例中，还包括依次设置在第二金属层的背离衬底一侧的第三绝缘层、平坦层和电极层，电极层与第二极连接。

20、作为本公开实施例的第二方面，本公开实施例提供一种基板的制备方法，包括：

21、在衬底的一侧形成第一金属层，第一金属层包括信号线；

22、在第一金属层的背离衬底的一侧形成第一绝缘层；

23、在第一绝缘层的背离衬底的一侧形成有源层；

24、在有源层的背离衬底的一侧沉积第二绝缘层，对第二绝缘层进行刻蚀形成第一过孔，第一过孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，第一子孔贯穿第二绝缘层而暴露有源层的部分表面，第二子孔贯穿第二绝缘层和第一绝缘层而暴露信号线的部分表面；

25、在第二绝缘层的背离衬底的一侧形成第二金属层，第二金属层包括第一极，第一极通过第一子孔与有源层的暴露表面的一部分搭接连接，第一极通过第二子孔与信号线连接。

26、作为本公开实施例的第三方面，本公开实施例提供一种显示面板，包括本公开任一实施例中的基板。

27、作为本公开实施例的第四方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括本公开实施例中的基板或显示面板。

28、本公开实施例的技术方案，将信号线设置在第一金属层，将第一极设置在第二金属层，相比于相关技术，减少了基板的膜层数量，减少了基板的制备工艺步骤，降低了成本。并且，本公开实施例的基板中，通过第一过孔151同时实现了第一极与有源层的搭接连接以及第一极与信号线的连接，实现了在较小区域内的有源层、第一极和信号线三个可导电膜层的搭接连接，有利于减小tft的面积，增加基板的空间利用率，提升显示产品的开口率。

29、上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本公开进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

技术特征：

1.一种基板，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述有源层的与所述第一极搭接的部分为第一搭接部，所述第一搭接部的至少部分被导体化，所述第一极通过所述第一搭接部的导体化区域与所述有源层电连接。

3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述第一搭接部在第一方向上的尺寸为0.3μm～2μm，所述第一极通过所述第一子孔与所述有源层搭接的外边界包括第一边界，所述第一方向为垂直于所述第一边界的方向。

4.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第二子孔在所述衬底上的正投影位于所述第一极在所述衬底上的正投影内，所述第二子孔在第一方向上的尺寸为0.5μm～2μm，所述第一极通过所述第一子孔与所述有源层搭接的外边界包括第一边界，所述第一方向为垂直于所述第一边界的方向。

5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一过孔在第一方向上的尺寸为1μm～5μm，所述第一极通过所述第一子孔与所述有源层搭接的外边界包括第一边界，所述第一方向为垂直于所述第一边界的方向。

6.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一过孔在第一方向上的尺寸大于在第二方向上的尺寸，所述第一极通过所述第一子孔与所述有源层搭接的外边界包括第一边界，所述第一方向与所述第一边界的延伸方向垂直，所述第二方向与所述第一边界的延伸方向平行。

7.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述第一极在第二方向上的尺寸大于所述第一过孔在所述第二方向上的尺寸，所述第一极通过所述第一子孔与所述有源层搭接的外边界包括第一边界，所述第二方向与所述第一边界的延伸方向平行。

8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，位于所述第二金属层之外的第二绝缘层被去除，使得所述第二绝缘层包括被所述第二金属层覆盖的被覆盖部以及沿所述被覆盖部边界的外延尾部，所述外延尾部的横截面呈三角形。

9.根据权利要求8所述的基板，其特征在于，还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二金属层的背离所述衬底的一侧，所述第一极的一条边界与所述第一过孔的边界相交的位置为相交部，所述第三绝缘层在所述相交部对应的外延尾部的背离衬底的一侧形成有鼓包。

10.根据权利要求1-7中任一项所述的基板，其特征在于，所述第一金属层还包括遮挡部，所述第二绝缘层还设置有第二过孔，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层而暴露所述有源层的部分表面，所述第二金属层还包括栅极和第二极，所述栅极位于所述第一过孔和所述第二过孔之间，所述栅极在所述衬底上的正投影与所述有源层在所述衬底上的正投影存在第一交叠区域，所述第一交叠区域在所述衬底上的正投影位于所述遮挡部在所述衬底上的正投影内，所述第二极通过所述第二过孔与所述有源层的暴露表面的一部分搭接连接。

11.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，所述第二过孔沿第一方向设置在所述第一过孔的远离所述第二子孔的一侧，所述有源层的与所述第二极搭接的部分为第二搭接部，所述第二搭接部的宽度尺寸为0.3μm～2μm，所述第二极通过所述第二过孔与所述有源层搭接的外边界包括第二边界，所述第二搭接部的宽度为所述第二搭接部在垂直于所述第二边界方向上的尺寸。

12.根据权利要求10所述的基板，其特征在于，还包括依次设置在所述第二金属层的背离所述衬底一侧的第三绝缘层、平坦层和电极层，所述电极层与所述第二极连接。

13.一种基板的制备方法，其特征在于，包括：

14.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-12中任一项所述的基板。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-12中任一项所述的基板或者权利要求14所述的显示面板。

技术总结
本公开实施例提供一种基板及其制备方法、显示面板和显示装置。基板包括依次设置在衬底上的第一金属层、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层和第二金属层，第一金属层包括信号线，第二绝缘层设置有第一过孔，第一过孔包括相互连通的第一子孔和第二子孔，第一子孔贯穿第二绝缘层而暴露有源层的部分表面，第二子孔贯穿第二绝缘层和第一绝缘层而暴露信号线的部分表面，第二金属层包括第一极，第一极通过第一子孔与有源层的暴露表面的一部分搭接连接，第一极通过第二子孔与信号线连接。本公开的技术方案，减少了基板的膜层数量，降低了成本，实现了在较小区域内三个膜层的搭接连接，有利于减小TFT的面积，增加基板的空间利用率。

技术研发人员：孙宏达,刘凤娟,王东方,卢昱行
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13