1.一种半导体封装件，其特征在于，所述半导体封装件包括半导体芯片、铜箔和电路基板，所述半导体芯片和电路基板的至少部分表面上设有镀层，所述半导体芯片的镀层中含过渡金属，所述电路基板的镀层中含有金属和/或金属氧化物；
2.如权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述电路基板选自衬底、有源器件或无缘器件。
3.一种半导体封装件的生产方法，其特征在于，所述生产方法包括：
4.如权利要求3所述的生产方法，其特征在于，步骤s1中，所述溶剂包括多元醇、聚乙二醇、松油醇、多元醇醚、多元醇胺和酰胺的至少一种。
5. 如权利要求3所述的生产方法，其特征在于，步骤s1所述溶液中，助剂的浓度为1-100 mg/ml。
6.如权利要求3所述的生产方法，其特征在于，步骤s1所述溶液中，还含有还原剂；
7.如权利要求6所述的生产方法，其特征在于，步骤s1中，所述还原剂包括抗坏血酸、抗坏血酸盐、柠檬酸、柠檬酸盐、次亚磷酸、次亚磷酸盐和葡萄糖的至少一种；
8.如权利要求3所述的生产方法，其特征在于，步骤s2中，所述铜箔的厚度为10-1000μm；
9.如权利要求3所述的生产方法，其特征在于，步骤s3中，所述保护气体包括氮气、氩气、氦气和氖气中的至少一种。
10.如权利要求3所述的生产方法，其特征在于，步骤s3中，所述保温的温度为180-320℃，保压的压力1-20mpa，保温保压处理的时长为1-60min。