专利名称:其上结合有薄膜电容器的多层布线基板的制造工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及以将薄膜电容器元件结合到基板上的方式构成的多层布线基板的制造工艺，在基板上借助绝缘层形成有多层导体图形。
背景技术：
对于其上安装有例如半导体元件和半导体封装等多个电子部件的布线基板，为了增强这些部件和电路的电特性，提出一种技术，通过采用叠置片的基板制造技术例如叠加法或减少法在多层布线基板上形成薄膜电容器。该技术公开在2001年4月20日出版的日本待审专利公开No.2001-110675中。该薄膜电容器如下形成。例如，Ti(钛)和Ta(钽)的薄膜连续地附加在铜基板或布线层(下电极)上，由此形成金属膜层。在适当的电解液中对该金属膜层进行阳极氧化，由此形成介质层，然后通过真空气相淀积法或溅射法在如此形成的介质层上形成Au(金)或Cu(铜)薄膜的上电极。将Ti的薄膜附加在铜基板或布线层上的原因是为了形成阻挡层，用于抑制在阳极氧化的工艺中铜离子扩散到Ta薄膜内，并且用于防止铜离子溶解到电解液溶液内，而且增强Ta薄膜相对于基板的粘结强度。
在多层布线基板的制造工艺中将薄膜电容器结合到铜基板或布线层上。因此，如果不进行构图，薄膜金属层和阳极氧化层形成在整个基板的布线层上，在多层布线基板上设计布线的自由度降低，而且还存在通过通孔实现的层间连接中布线短路的可能性。
在铜布线层上进行阳极氧化时，当在阳极氧化膜一部分中产生针孔或裂缝时，铜离子扩散到薄金属层内，氧化膜失去了绝缘特性。因此，不可能形成预定厚度的氧化膜。电容器极板的面积越大，阳极氧化膜的缺陷百分比越高。因此，成品率降低。
发明概述本发明用于解决现有技术中存在的以上问题。
本发明的一个目的是提供一种多层布线基板的制造工艺，特征在于通过在导体图形的限定区域内选择性地进行阳极氧化，同时形成多个薄膜电容器，并且缺陷百分比降低。
根据本发明，提供一种其内结合有薄膜电容器的多层布线板的制造工艺，该工艺包括以下步骤除了薄膜电容器的下电极形成区之外，用第一抗蚀剂膜覆盖形成在绝缘层上的第一导体图形；在用第一抗蚀剂膜覆盖的第一导体图形的整个表面上形成金属膜层，金属膜依次由阻挡金属层和钽金属层组成；除了下电极形成区之外，从第一导体图形的表面上除去第一抗蚀剂膜以除去金属膜层；除了第一导体图形的下电极形成区之外，用第二抗蚀剂膜覆盖第一导体图形的表面；在第二抗蚀剂膜露出的金属膜层上形成阳极氧化膜；在阳极氧化膜和导体图形上除去第二抗蚀剂膜，并依次附加粘附层和金属籽晶(seed)层；以及在阳极氧化膜上形成将成为上电极的第二导体图形。
通过将粘附层和金属籽晶层附加在阳极氧化膜上形成第二导体图形的上电极；并在金属籽晶层上形成厚镀层。
通过溅射法粘附层和金属籽晶层附加在阳极氧化膜上。
通过减少法或半相加法在金属籽晶层上形成厚镀层。
工艺还包括以下步骤在包括上电极的第二导体图形上叠置绝缘树脂层；在绝缘树脂层上钻孔形成底部位于上电极上的通路孔；电镀通路孔形成导体层，从通路孔的内壁延伸到绝缘树脂层的上表面；以及腐蚀和构图导体层形成与上电极相连的第二导体图形。
通过溅射法、化学汽相淀积(CVD)法或汽相淀积法中的任何一种形成金属膜层。
根据本发明的另一方案，提供一种其内结合有薄膜电容器的多层布线板的制造工艺，该工艺包括以下步骤在绝缘层上形成的第一导体图形上形成金属膜层，金属膜依次由阻挡金属层和钽金属层组成；用第一抗蚀剂膜覆盖附加到绝缘层的第一导体图形中薄膜电容器的下电极形成区；腐蚀没有被第一抗蚀剂膜覆盖的金属膜层；除去第一抗蚀剂膜，用第二抗蚀剂膜覆盖除了金属膜层上的区域之外的第一导体图形表面；在第二抗蚀剂膜露出的金属膜层上形成阳极氧化膜；在阳极氧化膜和第一导体图形上除去第二抗蚀剂膜，并依次附加粘附层和金属籽晶层；以及在阳极氧化膜上形成将成为上电极的第二导体图形。
附图简介
图1(a)到1(g)示意性地示出了多层布线基板的制造工艺的一个例子的剖面图；以及图2(a)到2(d)示意性地示出了多层布线基板的制造工艺的另一个例子的剖面图。
优选实施例的详细说明下面参考附图详细地介绍本发明的优选实施例。
在实施例中，介绍多层布线基板的制造工艺，在布线基板的一部分导体图形中形成有薄膜电容器。图1(a)到1(g)示意性地示出了多层布线基板的制造工艺的一个例子的剖面图，图2(a)到2(d)示意性地示出了多层布线基板的制造工艺的另一个例子的剖面图。
首先，简要介绍多层布线基板结构。在图1(g)中，参考数字1为将变为芯板的布线基板。在该布线基板1上，借助绝缘层叠置导体图形，例如信号层和电源层/接地层。此时，通过公知的叠加法或减少法叠置片构件。对于导体图形的层间连接，借助电镀通孔2将导体图形相互电连接。
布线基板1的一部分导体图形3用做下电极4。在该下电极4的一部分上，形成有金属膜层5，在其上依次附加有阻挡层(在本实施例中为钛的薄金属膜)和Ta(钽)的薄金属膜。在该金属膜层5上，形成有阳极氧化膜6.在该金属膜层5上形成有导体图形7。在阳极氧化膜6上，形成有导体图形8，限定了上电极。在导体图形3和7以及上电极8上，借助绝缘树脂层9形成有表面导体图形10。表面导体图形10和导体图形3、7和8借助电镀通孔11相互电连接。在借助绝缘层导体图形3、7和8形成多层的多层布线基板16上，结合有薄膜电容器元件12，包括上电极(导体图形8)、阳极氧化膜6、金属膜层5和下电极4(导体图形3的一部分)。
接下来，参考图1(a)到1(g)，具体地介绍多层布线基板的制造工艺。在图1(a)中，在定义为芯板的布线基板1上，提供导体图形3和电镀通孔2。在该布线基板1上，用第一抗蚀剂膜13覆盖除了薄膜电容器元件17的下电极形成区17之外的导体图形3的表面。具体地，以光敏抗蚀剂涂覆在导体图形3表面上或者金属掩模形成在导体图形3表面上的方式形成第一抗蚀剂膜13。就此而言，代替使用光敏抗蚀剂，可以使用干膜或粘接聚酰亚胺带。
在用第一抗蚀剂膜13覆盖的导体图形3的整个表面上，通过溅射法、化学汽相淀积(CVD法)或汽相淀积法依次附加阻挡层(例如，Ti(钛)膜)和Ta(钽)的金属膜，由此形成金属层5。就此而言，金属Ti(钛)或金属Ta(钽)可以是钛或钽的单种金属。此外，金属Ti(钛)或金属Ta(钽)是合金，它的主要成分是钛或钽。将阻挡层Ti(钛)的金属膜附加到导体图形3的原因是为了形成阻挡层，用于抑制在阳极氧化的工艺中形成导体图形的铜层铜离子扩散到Ta(钽)薄膜内，并且用于防止铜离子溶解到电解液溶液内，而且相对于基板增强Ta薄膜的粘结强度。
阻挡层可以由各种金属材料制成。具体地，优选使用不需要任何高温热处理的阀(valve)金属(具有阀作用的金属)。阀金属的例子有铝(Al)、钽(Ta)、铌(Nb)、钨(W)、钼(Mo)、钒(V)、铋(Bi)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)和硅(Si)。
然而，可以使用以上阀金属作为单金属，以上两种阀金属或不少于以上两种的阀金属可以相互结合。此外，可以化合物的形式使用以上阀金属，例如以TiN的形式使用Ti，以TaN的形式使用Ta。可以使用一种阀金属的化合物和另一种阀金属的化合物的混合物。可以使用一种阀金属的化合物和另一种阀金属的混合物。可以使用一种阀金属的化合物和其它化合物的混合物。可以使用阀金属的合金。阀金属合金的一个例子是钛合金(TiW)。
如上所述，在图1(b)中，用金属膜层5覆盖含有布线基板1的下电极形成区17的导体图形3。金属膜层5的阻挡层的膜厚度例如为50nm到1μm。优选阻挡层的膜厚度为100nm。Ta的金属膜层的膜厚度例如为100nm到2μm。优选Ta的金属膜层的膜厚度为500nm。
接下来，在图1(c)中，剥离第一抗蚀剂膜13，从除了下电极形成区17的导体图形3的表面上除去金属膜层5(剥离法)。具体地，当第一抗蚀剂膜13由光敏抗蚀剂制成时，要剥离掉。当第一抗蚀剂膜13为金属掩模时，除去放置在布线基板1上的金属掩模。
然后，在图1(d)中，用第二抗蚀剂膜14覆盖除附加到成为下电极4的那部分的金属膜层5之外的导体图形3。具体地，将光敏抗蚀剂涂覆在布线基板1上并进行构图，除去下电极4上表面上的金属膜层5一侧。就此而言，代替使用光敏抗蚀剂，可以使用干膜或粘接聚酰亚胺带作为第二抗蚀剂。
接着，在布线基板上进行阳极氧化以在第二抗蚀剂膜14露出的金属膜层5的表面上形成阳极氧化膜(Ta2O5)。即，通过阳极氧化Ta层形成介质层。例如通过恒电流-恒电压法进行阳极氧化工艺。具体地，使用0.1％的柠檬酸钠溶液作为电解液，其上形成有金属层5的布线基板1连接阳极并通电。此时，电流强度为10mA/cm2，恒定不变，利用200V的形成电压进行阳极氧化。在该阳极氧化工艺中，Ti金属层作为阻挡层。因此，当对Ta的金属层进行阳极氧化时，该阻挡层防止基底导体图形中的铜扩散到Ta的金属层内。
代替钽(Ta)金属层，可以使用铝(Al)或钛金属层，以便在阳极氧化过程中形成Al2O3或TiO2的阳极氧化膜。
随后，在图1(e)中，剥离第二抗蚀剂膜14，在本说明书的下文中称做“粘附/籽晶层”的粘附层和籽晶层15以此顺序附加到阳极氧化膜6和金属膜层6的表面上。具体地，通过溅射法粘附层(例如，铬(Cr)层)附加到阳极氧化膜6上，由此继续附加电镀籽晶层(铜(Cu)层)。形成粘附层以增加与上部分中形成的导体图形7和8的粘附强度。
然后，在图1(f)中，通过减少法或半相加法在粘附/籽晶层15上进行电解镀铜，由此镀铜，借助腐蚀除去不需要的粘附/籽晶层15，形成将成为上电极的导体图形7和8。通过以上，薄膜电容器元件12一体地形成在布线基板1上。就此而言，在图1(f)和1(g)中，由于粘附籽晶层15与导体图形7和8一体地形成，因此在图中没有示出。
接着，绝缘树脂层(树脂膜)9叠置在形成薄膜电容器元件12的布线基板上1。接下来，通过碳酸气(CO2)激光束法或YAG激光束法在绝缘树脂层9上形成通路孔，由此形成通路孔，通路孔的底部为导体图形3、7和8。然后，进行无电镀铜和电解镀铜形成从通路孔的内壁到绝缘树脂层9表面的导体层(通路孔镀层11)。之后，在该导体层上进行构图，借助腐蚀除去不需要的铜层。由此，形成与上电极的导体图形8以及导体图形3和7电连接的表面导体图形10，如图1(g)所示。以此方式，可以制造其内形成有薄膜电容器元件12的多层布线基板16。
根据以上的多层布线基板的制造方法，薄膜电容器元件12可以选择性地仅形成在布线基板1的需要部分。因此，可以确保布线设计的自由度以实现层间连接。根据以上的多层布线基板的制造方法，通过在布线基板1的指定导体图形上进行部分阳极氧化形成介质膜。因此，可以同时形成各种容量的薄膜电容器元件12，此外可以进行阳极氧化。因此，可以减少介质膜的缺陷百分比并提高薄膜电容器元件12的成品率。
接着，下面参考图2(a)到2(d)介绍多层布线基板的制造方法的另一实施例。在下面的介绍中，类似的参考标号表示图1和图2(a)到2(d)中类似的部分。由于图1(d)到1(g)中所示的制造工艺相同，因此这里的介绍也相同。
在图2(a)中，在成为芯板的布线基板1上形成导体图形3和通孔镀层2。在布线基板1的导体图形3上，通过依次附加阻挡层和钽的金属层形成金属膜层5，金属膜层5包括薄膜电容器元件12的下电极形成区17。具体地，在导体图形3的整个表面上，通过溅射法、化学汽相淀积(CVD)法或汽相淀积法依次附加阻挡层(例如，Ti(钛)的金属膜)和Ta(钽)的金属层。由此，在图2(b)中，用金属膜层5覆盖布线基板1上包括下电极形成区17的导体图形3。金属膜层5上阻挡层的膜厚度例如为50nm到1μm。优选阻挡层的膜厚度为100nm。Ta的金属膜层的膜厚度例如为100nm到2μm。优选Ta的金属膜层的膜厚度为500nm。
接下来，在图2(c)中，用第一抗蚀剂膜13覆盖附加到导体图形3的金属膜层5上的下电极形成区17。具体地，以光敏抗蚀剂涂覆在布线基板1上并进行构图的方式形成第一抗蚀剂膜13。然后借助腐蚀除去没有被第一抗蚀剂膜13覆盖的那部分金属膜层5。通过公知的腐蚀液或通过干腐蚀法进行腐蚀除去金属膜层5。之后，剥离第一抗蚀剂膜13。
由此，如图2(d)所示，在布线基板1的导体图形3上，形成导体图形，在其上金属膜层5附加在包括对应于下电极4部分的下电极形成区17中。
接下来，通过与图1(d)到1(g)中所示的相同制造工艺形成多层基板16。除了金属膜层5之外，用第二抗蚀剂膜14覆盖导体图形3的表面。然后，对布线基板1进行阳极氧化，由此阳极氧化膜(Ta2O5)6形成在由第二抗蚀剂膜14露出的金属膜层5的表面上，如图1(d)所示。剥离第二抗蚀剂膜14，粘附/籽晶层15附加到阳极氧化膜6和金属膜层5的表面上，如图1(e)所示。通过减少法或半相加法在粘附/籽晶层15上进行电解镀铜，由此提供了厚镀铜层，借助腐蚀除去粘附/籽晶层15的不需要部分。以此方式，形成将成为上电极的导体图形8，并形成导体图形7。由此，薄膜电容器元件12一体地形成在布线基板1上，如图1(f)所示。
最后，绝缘树脂层(树脂膜)9叠置在布线基板上1，通过加工形成通路孔，进行无电镀铜和电解镀铜形成从通路孔的内壁到绝缘树脂层9表面的导体层(通路孔镀层11)。之后，在该导体层上进行构图，借助腐蚀除去不需要的铜层。由此，形成与上电极的导体图形8以及导体图形3和7电连接的表面导体图形10，如图所示1(g)。
以上介绍了本发明的优选实施例。然而，应该注意本发明不限于以上的特定实施例。例如，成为芯板的布线基板1可以是普通的印刷电路板或组合布线板，薄膜电容器元件12可以用做连接端，即，本领域中的技术人员可以不脱离本发明的精神和范围进行变形。
根据本发明的多层布线基板的制造方法，薄膜电容器元件可以选择性地仅形成在布线基板的需要部分上。因此，可以确保布线设计的自由度以实现层间连接。根据以上提到的多层布线基板的制造方法，对布线基板上的特定导体图形进行部分阳极氧化形成介质膜。因此，可以同时形成各种容量的薄膜电容器元件12，此外可以进行阳极氧化。由此，可以减少介质膜的缺陷百分比并提高薄膜电容器元件12的成品率。
本领域中的技术人员应该理解以上说明仅涉及公开发明的一些优选实施例，可以不脱离本发明的精神和范围对本发明进行各种修改和改动。
权利要求
1.一种其内结合有薄膜电容器的多层布线板的制造工艺，该工艺包括以下步骤除了薄膜电容器的下电极形成区之外，用第一抗蚀剂膜覆盖形成在绝缘层上的第一导体图形；在用第一抗蚀剂膜覆盖的第一导体图形的整个表面上形成金属膜层，金属膜依次由阻挡金属层和钽金属层组成；除了下电极形成区之外，从第一导体图形的表面上除去第一抗蚀剂膜以除去金属膜层；除了第一导体图形的下电极形成区之外，用第二抗蚀剂膜覆盖第一导体图形的表面；在第二抗蚀剂膜露出的金属膜层上形成阳极氧化膜；在阳极氧化膜和导体图形上除去第二抗蚀剂膜和依次附加粘附层和金属籽晶层；以及在阳极氧化膜上形成将成为上电极的第二导体图形。
2.根据权利要求
1的工艺，其中通过将粘附层和金属籽晶层附加在阳极氧化膜上；并在金属籽晶层上形成厚镀层形成第二导体图形的上电极。
3.根据权利要求
2的工艺，其中通过溅射法将粘附层和金属籽晶层附加在阳极氧化膜上。
4.根据权利要求
2的工艺，其中通过减去法或半相加法在金属籽晶层上形成厚镀层。
5.根据权利要求
1的工艺，工艺还包括以下步骤在包括上电极的第二导体图形上叠置绝缘树脂层；在绝缘树脂层上钻孔形成底部位于上电极上的通路孔；电镀通路孔形成导体层，从通路孔的内壁延伸到绝缘树脂层的上表面；以及腐蚀和构图导体层形成与上电极相连的第二导体图形。
6.根据权利要求
1的工艺，其中通过溅射法、化学汽相淀积(CVD)法或汽相淀积法中的任何一种形成金属膜层。
7.一种其内结合有薄膜电容器的多层布线板的制造工艺，该工艺包括以下步骤在绝缘层上形成的第一导体图形上形成金属膜层，金属膜依次由阻挡金属层和钽金属层组成；用第一抗蚀剂膜覆盖附加到绝缘层的第一导体图形中薄膜电容器的下电极形成区；腐蚀没有被第一抗蚀剂膜覆盖的金属膜层；除去第一抗蚀剂膜，用第二抗蚀剂膜覆盖除了金属膜层上的区域之外的第一导体图形表面；在第二抗蚀剂膜露出的金属膜层上形成阳极氧化膜；在阳极氧化膜和第一导体图形上除去第二抗蚀剂膜，并依次附加粘附层和金属籽晶层；以及在阳极氧化膜上形成将成为上电极的第二导体图形。
8.根据权利要求
7的工艺，其中通过将粘附层和金属籽晶层附加在阳极氧化膜上；并在金属籽晶层上形成厚镀层形成导体图形的上电极。
9.根据权利要求
8的工艺，其中通过溅射法将粘附层和金属籽晶层附加在阳极氧化膜上。
10.根据权利要求
8的工艺，其中通过减少法或半相加法在金属籽晶层上形成厚镀层。
11.根据权利要求
7的工艺，工艺还包括以下步骤在包括上电极的第二导体图形上叠置绝缘树脂层；在绝缘树脂层上钻孔形成底部位于上电极上的通路孔；电镀通路孔形成导体层，从通路孔的内壁延伸到绝缘树脂层的上表面；以及腐蚀和构图导体层形成与上电极相连的第二导体图形。
12.根据权利要求
7的工艺，其中通过溅射法、化学汽相淀积(CVD)法或汽相淀积法中的任何一种形成金属膜层。
专利摘要
一种其内结合有薄膜电容器的多层布线板的制造工艺，该工艺包括以下步骤除了薄膜电容器的下电极形成区之外，用第一抗蚀剂膜覆盖形成在绝缘层上的第一导体图形；在用第一抗蚀剂膜覆盖的第一导体图形的整个表面上形成金属膜层，金属膜依次由阻挡金属层和钽金属层组成；除了下电极形成区之外，从第一导体图形的表面上除去第一抗蚀剂膜以除去金属膜层；除了第一导体图形的下电极形成区之外，用第二抗蚀剂膜覆盖第一导体图形的表面；在第二抗蚀剂膜露出的金属膜层上形成阳极氧化膜；在阳极氧化膜和导体图形上除去第二抗蚀剂膜，并依次附加粘附层和金属籽晶层；以及在阳极氧化膜上形成将成为上电极的第二导体图形。
文档编号H05K3/04GKCN1278399SQ02149282
公开日2006年10月4日 申请日期2002年11月12日
发明者高野昭仁, 藤沢晃, 六川昭雄 申请人:新光电气工业株式会社导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan