专利名称：半导体陶瓷电容器的基片生产工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体陶瓷电容器基片的生产工艺。
半导体陶瓷电容器由于其体积小，比容大的特点，对优化电子线路，改善整机性能，促进小型化，轻量化，具有重要的作用。然而，目前我国所使用的半导体电容器基片均依赖进口，而国外却无这方面的资料可供查询。
本发明的目的在于提供一种半导体陶瓷电容器基片的生产工艺。
本发明采用氨分解的混合气氛下，在组合炉内连续自动进行半导化处理，适合大规模生产的要求，大大降低了成本，它与国外目前普遍采用在纯H2、纯N2气氛条件下，在间歇式电炉或者虽在传送式气氛炉内进行半导化处理，产量大大提高，无疑是技术上的一大进步。
下面结合附图对本发明进一步说明附
图1为本发明的半导化处理温度曲线图附图2为本发明的排胶、烧成温度曲线图附图3为表面型及晶粒边界型半导体基片生产工艺流程图见附图1，L1—表面型半导体基片的排胶、烧成的生产工艺，工艺为排胶区炉温从室温升至于1200℃至1400℃，基片在炉体内的移动距离为5．4米，时速为每小时0．3米至0．6米；烧成区炉温恒定于1200℃至1400℃，基片在炉体内移动的距离为1．4米，时速为每小时0．3米至0．6米；降温区炉温从1200℃至1400℃降至200℃至300℃，基片在炉体内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；L2—晶粒边界型基片的排胶生产工艺，工艺为升温区炉温从室温升至1000℃至1200℃，基片在炉体内移动5．65米，时速为每小时0．4米至0．6米；排胶区炉温恒定于1000℃至1200℃，基片在炉体内移动1米，时速为每小时0．4米至0．6米；降温区炉温从1000℃至1200℃降至200℃至300℃，基片在炉体内移动2．35米，时速为每小时0．4米至0．6米；见附图2，L3—表面型半导体基片的半导化生产工艺，工艺为加温区炉温从200℃升至400℃，基片在炉体内移动距离为3．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；升温区炉温从400℃升至900℃至1200℃，基片在炉体内移动距离为2．8米，时速为每小时0．3米至0．6米；半导化处理区炉温恒定于900℃至1200℃，基片在炉体内移动距离为0．8米，时速为每小时0．3米至0．6米；降温区炉温度从900℃至1200℃降至200℃，基片在炉体内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；L4-晶粒边界型基片的半导化生产工艺，工艺为加温区炉温从200℃升至400℃，基片在炉体移动的距离为3米，时速为0．4米至0．6米；升温区炉温从400℃升至1300℃至1500℃，基片在炉体内移动的距离为2．5米，时速为每小时0．4米至0．6米；烧成及半导化处理区炉温恒定于1300℃至1500℃，基片在炉体内移动的距离为1．5米，时速为每小时0．4米至0．6米；降温区炉温从1300℃至1500℃降至200℃，基片在炉体内移动2米，时速为每小时0．4米至0．6米；表面型半导体基片在通过A炉完成半导化处理后，在氧化气氛的条件下，在900℃至1000℃温度下经过1至2小时在炉内进行半导化瓷片表面绝缘处理。
晶粒边界型半导体基片在A炉完成半导化处理后，在基片晶粒表面形成金属氧化物。
权利要求
1．半导体陶瓷电容器的基片生产工艺，包括表面型半导体电容器基片生产工艺品流程为将配合好的坯料经搅拌机辗轧机进行捏合、辗轧后，在冰冻条件下处理，然后，再经过辗轧机进行辗轧，辗轧完毕后，在挤膜机上挤出带状膜片，带状膜片经过冲膜机后，冲击所需直径的膜片，进行混粉工序后，装入钵体内，由传送带送入排胶、烧成炉内进行排胶、烧成过程，经过该工序后，再由传送带送入混合气氛状况下的半导化处理炉中进行再氧化处理，经过此工序后，坯料则变成半导体陶瓷基片成品；晶粒边界型半导体电容器基片生产工艺流程为将配合好的坯料经搅拌机、辗轧机进行捏合、辗压后，在冰冻条件下处理，然后，再经辗轧机进行辗轧，辗轧完毕后，在挤膜机上挤出带状膜片，带状膜片经冲膜机后，冲出所需直径的膜片，进行混粉工序后，装入钵体内，由传送带送入排胶炉内进行排胶过程，经过该工序后，再由传送带送入混合气氛状况下的烧成及半导化处理炉中进行晶粒表面金属氧化膜形成的处理，经过此工序后，坯料则变成半导体陶瓷基片成品，其特征在于a、表面型半导体基片的排胶、烧成的生产工艺为排胶区炉温从室温升至于1200℃至1400℃，基片在炉体内的移动距离为5．4米，时速为每小时0．3至0．6米；烧成区炉温恒定于1200℃至1400℃，基片在炉体内移动的距离为1．4米，时速为每小时0．3米至0．6米；降温区炉温从1200℃至1400℃降至200℃至300℃，基片在炉体内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；b、晶粒边界型基片的排胶生产工艺为升温区炉温从室温升至1000℃至1200℃，基片在炉体内移动的距离为5．65米，时速为每小时0．4米至0．6米；排胶区炉温恒定于1000℃至1200℃，基片在炉体内移动1米，时速为每小时0．4米至0．6米；降温区炉温从10000℃至1200℃降至200℃至300℃，基片在炉体内移动2．35米，时速为每小时0．4米至0．6米；c．表面型半导体基片的半导化生产工艺为加温区炉温从200℃升至400℃，基片在炉体内的移动距离为3．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；升温区炉温从400℃升至900℃至1200℃，基片在炉体内移动距离为2．8米，时速为每小时0．3米至0．6米；半导化处理区炉温恒定于900℃至1200℃，基片在炉体内移动距离为0．8米，时速为每小时0．3米至0．6米；降温区炉温从900℃至1200℃降至200℃，基片在炉体内移动距离为2．2米，时速为每小时0．3米至0．6米；d．晶粒边界型基片的半导化生产工艺为加温区炉温从200℃升至400℃，基片在炉体内移动的距离为3米，时速为0．4米至0．6米；升温区炉温从400℃升至1300℃至1500℃，基片在炉体内移动的距离为2．5米，时速为每小时0．4米至0．6米；烧成及半导化处理区炉温恒定于1300℃至1500℃，基片在炉体内移动的距离为1．5米，时速为每小时0．4米至0．6米，降温区炉温从1300℃至1500℃降至200℃，基片在炉体内移动的距离为2米，时速为每小时0．4米至0．6米。
全文摘要
半导体陶瓷电容器的基片生产工艺,涉及一种半导体陶瓷电容器基片的生产工艺,主要通过排胶、烧成,混合气氛中半导化处理等步骤烧制而成,本发明因采用氨分解的混合气氛条件下,在组合炉内连续自动化进行半导化处理,适合大规模生产的要求,它与国外目前普遍采用在纯H
文档编号H01G4/00GK1279489SQ99116249
公开日2001年1月10日 申请日期1999年6月24日 优先权日1999年6月24日
发明者章士瀛, 赵俊斌, 陈荣春 申请人:东莞宏明南方电子陶瓷有限公司