专利名称：半导体器件接触器、采用它的检测装置和方法及清洗方法
技术领域：
本发明一般涉及用于半导体器件的接触器、使用这种接触的检测装置、使用这种接触器的检测方法和清洗这种接触器的方法，并且特别涉及用于获得与像薄片、裸芯片、BGA(球状网格阵列)、SOP(小外形组件)和QFP(四心扁平组件)之类的半导体器件电接触的接触器、使用这种接触器的检测装置和检测方法以及清洗这种接触器的方法。
近来，急需使快速和高密度半导体器件进一步小型化。所以，为了提供与这样的半导体器件相适应的端子，致力于获得在半导体器件中形成的端子的更精细间距结构。并且，为了提高半导体器件的检测效率，需要例如在薄片平面上同时接触许多半导体器件。
然而，半导体器件中的端子的高度和接触电极的高度是不相同的。所以，使接触电极与所有的精细间距的端子连接在技术上是非常困难的。
图1是说明相关技术中的用于半导体器件的接触器1(在下文称之为接触器)的截面图。如图所示，接触器1包括布线基板2、异向性导电片4、多层基板5和底座部件6。
布线基板2包括由树脂制成的基膜和在基膜上形成的布线图形。并且，一部分布线图形装有连接半导体器件8(在图中，说明把薄片作为半导体器件的一个例子)中的端子的接触电极3。接触电极3经由在基膜中形成的穿透孔或通路(未表示出)延伸到布线基板2的上表面(即，在装有接触电极3的表面对向的表面)。
多层基板5是多层布线印刷电路板，多层基板5包括由玻璃环氧树脂制成的基板，在基板上叠压许多形成有布线图形的布线基板薄层。并且，形成有布线图形的薄层通过像穿透孔之类的元件各自电连接。所以，在相关技术中，用非常硬的材料(即，具有高刚性的材料)制成多层基板5。
在图中所示的接触器1中，在布线基板2和多层基板5之间设置异向性导电片4。异向性导电片4是有弹性的并且在图中的垂直方向上是导电的，因此仅在受压的位置上形成电连接。
如果在高硬度的多层基板5上直接装布线基板2，那末克服半导体器件8中的端子或者布线基板2中的接触电极3的高度偏差是不可能的。使用异向性导电片4的目的是避免上述的缺陷而因此绝对使接触电极3与许多端子连接。并且，布线基板2、异向性导电片4和多层基板5构成整体。
底座部件6装有与半导体器件8的形状相同的凹口状的安装部分7。半导体器件8装在安装部分7中，被底座元件6固定。
为了电连接上述结构的接触器1和半导体器件8，半导体器件8装在底座部件6中的安装部分7上，然后，把布线基板2压到半导体器件8上。因此，接触电极3和半导体器件8中的端子连接从而布线基板2和半导体器件8之间形成导电是可能的。
在图1中，接触器1包括设置在布线基板2和多层基板5之间的异向性导电片4。然而，相关技术中的接触器的另一个例子可以包括设置在布线基板和半导体器件之间的异向性导电片。
并且，使接触器构成在布线基板和半导体器件之间具有较大的接触压力(附着力)。以上所述通过在安装半导体器件薄片的底座部件和布线基板之间装配密封部件来实现。在用密封部件密封的区域中建立负压以便在大气压下布线基板会贴紧半导体薄片。
为了使布线基板2与半导体器件8连接，要求有二个力。一个力是为了使装在布线基板2上的接触电极3与半导体器件8中的端子连接所要求的压力。这个力在下文称之为接触压力。另一个力是为了使布线基板2保持在相对于底座部件6的应有位置所要求的压力。这个力在下文称之为保持位置力。
由于如上所述的那样，接触压力和保持位置力具有不同的功能，所以必须使各个力调节到合乎各自功能的大小。
就是说，为了构成布线基板2中的接触电极3和半导体器件8中的端子之间良好的电连接，应该调节接触压力，由此来避免接触电极3和端子的任何损伤。并且，应该使保持位置力调整到足以防止在施加一定的外力时布线基板2和底座部件6的位置的任何偏移的大小。
所以，为了使布线基板2和半导体器件8电连接处于理想状态，通常必须使保持位置力的强度大于接触压力的强度。
然而，就相关技术中的接触器1而言，不能任意调节接触压力和保持位置力。就上述的结构来说，用上述的负压可以使布线基板和半导体器件电连接。那时，如果为了松开接触压力而解除负压，那末保持位置力也被解除。因此，有布线基板和半导体器件从预定的位置偏移的缺点。
并且，就相关技术中的接触器1来说，接触压力和保持位置力是同一个力。当试图增加保持位置力时，也会增大接触压力，因而造成半导体器件中的端子被严重损坏的危险。
此外，就相关技术中的接触器1来说，布线基板2的柔性由异向性导电片4的弹性构成因而被限定在上述的弹性内。所以，校正接触电极3和端子的高度的超过异向性导电片4的弹性变形的任何偏差是不可能的。因此，在存在精细间距端子的高度的任何偏差时，接触电极3不能够与半导体器件8中的所有端子连接。
因此，本发明总目的是提供能够解决上述问题的半导体器件接触器。本发明别的和更具体的目的是提供能使接触电极可靠地与具有精细端子的半导体器件连接并且能避免端子和接触电极被损坏的半导体器件接触器。
为了达到以上的目的，根据本发明，半导体器件接触器包括用于保持装有许多端子的半导体器件的底座部件和在与至少一些端子相对应的部位上装有接触电极的布线基板。当布线基板被吸持在底座部件上时接触电极和端子电连接。
半导体器件接触器进一步包括用于在底座部件和布线基板之间施加保持位置力的旆加保持位置力机构装置；以及用于在半导体器件和布线基板之间施加接触压力的施加接触压力机构装置。施加保持位置力机构装置和施加接触压力机构装置能以独立方式操作。
就上述的接触器来说，避免接触压力和保持位置力之间相互影响是可能的。因而，独立地施加最佳的保持位置力和最佳的接触压力是可以实现的。因此，可以获得布线基板和底座部件之间精确定位以及半导体器件和布线基板之间稳定的接触状态。
本发明的又一个目的是提供获得稳定的接触力的检测装置。
为了达到上面的目的，检测装置包括如以上所述的半导体器件接触器和用来容纳半导体器件接触器的小室。构制小室以使其内部空气可以是正压的。
就以上所述的检测装置来说，即使由负压产生的接触压力不够大，那末通过在小室的空气中加高压能够成比例地增大接触压力。因而，能获得稳定的接触压力。
本发明另外还有的目的是提供使用以上所述的半导体器件接触器检测半导体器件的方法，检测方法能够实现精确定位以及布线基板中的接触电极和半导体器件中的端子可靠的连接。
为了达到以上的目的，检测方法包括步骤a)通过识别端子和接触电极的位置以及然后计算端子和接触电极的位置之间的偏移来计算位置修正值；b)根据位置修正值使布线基板和底座部件定位；c)在步骤b)后驱动用于在布线基板和底座部件之间施加保持位置力的施加保持位置力机构装置；d)驱动用于在布线基板和半导体器件之间施加接触压力的施加接触压力机构装置；和e)检测半导体器件。
就上述的检测方法来说，通过步骤a)和b)能够完成精确定位。并且，此后能够实现接触电极与端子的可靠连接，在定位以后，首先，通过施加保持位置力机构装置固定布线基板和底座部件，然后，通过施加接触压力机构装置在布线基板和半导体器件之间施加接触压力。
本发明此外还有一个目的是提供清洗以上所述的半导体器件接触器的方法，该方法能够去除沉积在接触电极上的有害薄层而由此获得稳定的接触状态。
为了达到以上的目的，清洗用于半导体器件的接触器，特别是清洗在接触器上装备的布线基板上设置的接触电极的方法，包括步骤
a)为了清洗接触电极把替换半导体器件的清洗元件装在底座部件上以使清洗元件与接触电极接触；b)通过驱动施加保持位置力机构装置把布线基板吸持在底座部件上；c)在布线基板被吸持在底座部件上时重复地驱动和关断施加接触压力机构装置。
根据以上所述的清洗方法，能够去除沉积在接触电极上的有害薄层，因而能够达到稳定的接触状态。
根据以下详细的描述在结合附图阅读时，本发明的其他目的和进一步的优点将是显而易见的。
附图的简略描述图1是说明相关技术中的接触的截面图。
图2A到2C是说明本发明第一实施例的接触器沿图3中线I-I的截面图。
图3是说明构成本发明第一实施例的接触器的底座部件的平面视图。
图4A和4B是说明本发明第二实施例的接触器的截面图。
图5是说明本发明第三实施例的接触器的截面图。
图6是说明本发明第四实施例的接触器的截面图。
图7A和7B是说明本发明第五实施例的接触器的截面图。
图8A和8B分别是说明本发明第六实施例的接触器的平面视图和截面图。
图9A和9A是说明本发明第七实施例的接触器的截面图。
图10是说明本发明第八实施例的接触器的截面图。
图11是说明本发明第九实施例的接触器的截面图。
第12A和12B是说明本发明第十实施例的接触器的截面图。
图13是说明本发明第十一实施例的接触器的截面图。
图14是说明本发明第十二实施例的接触器的截面图。
图15是说明本发明第十三实施例的接触器的截面图。
图16是说明本发明第十四实施例的接触器的截面图。
图17是说明本发明第十五实施例的接触器的截面图。
图18是说明本发明第十六实施例的接触器的截面图。
图19是说明本发明一个实施例的检测装置的截面图，检测装置使用接触器。
图20是说明使用本发明第一实施例的接触器的检测装置的截面图。
图21是说明使用本发明第二实施例的接触器的检测装置的截面图。
图22是本发明一个实施例的半导体器件接触器的清洗方法。
最佳实施例的详细描述在下文中，参阅附图将描述本发明的原理和实施例。
图2A到2C和图3是说明本发明第一实施例的半导体器件接触器10A(半导体器件接触器在下文简称为接触器)的截面图。
注意，以后描述的实施例中的接触器10A到10I可以应用于任何类型像薄片、裸芯片、BGA(球状网格阵列)、SOP(小外形组件)和QFP(四心扁平组件)之类的半导体芯片和半导体器件(在下文两者通称为半导体器件)。然而，在以下的描述中，作为例子，半导体器件20被描述为薄片。
接触器10A一般包括布线基板11A和底座部件12A。
布线基板11A包括在基膜13上形成的布线图形(未表示出)。基膜13例如用像聚酰亚胺(PI)之类的树脂制成并且具有约25到100微米的厚度。用像构成预定图形的铜箔或铝箔之类的导电材料制成布线图形。并且，布线图形装有可以与在半导体器件20上设置的端子21电连接的接触电极14(见图9A和9B)。
配置布线基板11A结构以使接触电极14将与半导体器件20中的端子21连接的区域是柔性的。在下文中，这个区域被称为连接区18。为了使连接区18具有柔性，可以在相应的区域上减小基膜13的厚度。并且，使布线基板11A在连接区18的周边区域上具有一定的刚性。
可以用像铝和不锈钢之类的金属或硬质树脂制成底座部件12A。底座部件12A装有能安装半导体器件20的凹进的安装部分15。底座部件12A另外装有施加接触压力机构装置16和施加保持位置力机构装置17。
施加接触压力机构装置16通常包括第一密封部件24和第一抽气管26。
第一密封部件24可以是O形密封圈。如图3所示，第一密封部件24装配在底座部件12A上并且环绕安装在安装部分15上的半导体器件20。详细地说，第一密封部件24装配在底座部件12A中形成的第一凹进部分22内并且环绕安装部分15。
并且，以第一密封部件24稍微从底座部件12A的顶表面突出的方式装配第一密封部件24。所以，如图2B和2C所示，当布线基板11A被安装在底座部件12A上时第一密封部件24以气密的方式接触布线基板11A。
换言之，当布线基板11A安装在底座部件12A上时，布线基板11A、底座部件12A和第一密封部件24包围一个密封的空间区域。在下文中，密封的空间区域将被称为第一密闭区31。确保第一密闭区31的面积至少覆盖上述的连接区18。
并且，在底座部件12A里面装备第一抽气管26。第一抽气管26的一端在安装部分15和第一密封部件24之间的部位上开口。换言之，第一抽气管26在安装半导体器件20的表面上开口。在下文中，这个开口将被称为接触压力孔28。所以，接触压力孔28开在第一密闭区31内。并且，在本实施例中，如图3所示，在第一密闭区31内装备四个接触压力孔28。
第一抽气管26的另一端伸到底座部件12A的侧表面并且与图未表示出的第一真空装置连接。所以，通过驱动第一真空装置，经由第一抽气管26，第一密闭区31被抽真空。因而，在第一密闭区31中形成负压。
注意，在安装部分15的周边位置上形成连通阶形部分30。连通阶形部分30从底座部件12A的上表面稍微凹进。因而，使安装部分15也包括在第一密闭区31内并且把负压施加到安装部分15里面。此外，通过控制第一真空装置可以使第一密闭区31和安装部分15内的负压调节到任何值。
如上所述，第一密闭区31覆盖连接区18。当驱动第一真空装置时随着布线基板11A贴紧第一密封部件24，将使第一密闭区31得到负压。布线基板11A的连接区18会压向半导体器20。所以，能够使布线基板11A中的接触电极14紧贴半导体器件20中的端子21。
在这里，由施加接触压力机构装置16施加的负压用作使布线基板11A中的接触电极14紧贴半导体器件20中的端子21的接触压力。并且，如上所述，通过控制第一真空装置能够使接触压力调节到任何值。当第一真空装置的功率恒定时，用一种能够调节接触压力孔28的数目和半径的装置可以控制接触压力。
本实施例的施加保持位置力机构装置17一般包括第二密封部件25和第二抽气管27。第二密封部件可以是O型密封圈。如图3所示，第二密封部件25装配在底座部件12A上并且环绕第一密封部件24。详细地说，第二密封部件25装配在底座部件12A中形成并且环绕第一密封部件24的第二凹进部分23内。
同样，以第二密封部件25稍微从底座部件12A的顶表面突出的方式装配第二密封部件25。大体上使第二密封部件25突出与第一密封部件24的突出量相同的量。所以，如图2B和2C所示，当布线基板11A安装在底座部件12A上时，第一和第二密封部件以气密的方式接触布线基板11A。
换言之，当布线基板11A安装在底座部件12A上时由布线基板11A、底座部件12A、第一密封部件24和第二密封部件25建立密封的空间区域。在下文中，该密封的空间区域将被称为第二密闭区32。由于第二密闭区32依靠第一密封部件24与第一密闭区31气密隔离，所以第二密闭区32是完全独立的区域。
并且，第二抽气管27装置在底座部件12A里面。第二抽气管27的一端在第一密封部件24和第二密封部件25之间的部位处开口。在下文中把这样的开口称之为保持位置力孔29。所以，保持位置力孔29开在第二密闭区32内。并且，在本实施例中，如图3所示，在第二密闭区32内装配八个保持位置力孔29。
第二抽气管27的另一端延伸到底座部件12A的侧表面并且与图中未表示出的第二真空装置连接。所以，通过驱动第二真空装置，经由第二抽气管27，使第二密闭区32抽真空。因而，在第二密闭区32内建立负压。
可以把第一和第二真空装置合成单一装置，但是必须使第一抽气管26和第二抽气管27能够独立地调节到其各自的真空度。
在以上所述的构造中，当驱动第二真空装置随着布线基板11A被紧贴在第一和第二密封部件24、25上时，第二密闭区32将得到负压。布线基板11A将压向底座部件12A。所以，布线基板11A能够被吸持(固定)在底座部件12A上。
在这里，由施加保持位置力机构装置17施加的负压用作使布线基板11A可靠地吸持在底座部件12A上的接触压力。并且，如以上所述，通过控制第二真空装置能够使保持位置力调节到任何值。此外，由于如上所述那样使第一和第二密闭区31、32气密地分定界限，所以独立地调节施加在第一密闭区31内的接触压力和施加在第二密闭区32内的保持位置力是可以实现的。当第二真空装置的功率恒定时，用一种能够调节保持位置力孔29的数目和半径的装置可以控制接触压力。
为了使用接触器10A实现半导体器件20的接触过程，首先，把半导体器件安装在底座部件12A的安装部分15上。然后，以布线基板11A相对于半导体器件20定位的方式把布线基板11A置于底座部件12A上。在这样的状态下，第一和第二密封部件24、25与布线基板11A接触。
接着，驱动第二真空装置以致在第二密闭区32内产生保持位置力。使保持位置力调节到足以满足把布线基板11A牢固地吸持在底座部件12A上的值。
因而，布线基板11A能被牢牢地吸持在底座部件12A上。但是，没有接触压力(负压)施加于第一密闭区31。并且，由于第一密闭区31完全与第二密闭区32无关，所以布线基板11A中的连接区18将与半导体器件20分开。
然后，为了使布线基板11A中的接触电极14和半导全器件20中的端子21连接，驱动第一真空装置以使在第一密闭区31内产生接触压力(负压)。把接触压力调节到适合于连接接触电极14和端子21的值。因此，可以在接触电极14和端子21之间达到良好的接触状态。并且，在连接过程期间不会损坏接触电极14和端子21。
进一步，在本实施例中，装有接触电极14的连接区18具有比其他部分大的柔性。所以，当施加接触压力时，连接区18会均匀地与半导体器件20中的所有端子21连接。因此，即使像在本实施例中那样，用薄片作半导体器件20因而有大量端子，布线基板11A中的接触电极14也绝对能够与所有的端子21分别连接。
如以上所述，在本实施例的接触器10中，分别装备施加接触压力机构装置16和施加保持位置力机构装置17。注意，施加接触压力装置16产生半导体器件20和布线基板11A之间的接触压力而施加保持位置力机构装置17产生底座部件12A和布线基板11A之间的保持位置力。所以，能够分别控制(操纵)保持位置力和接触压力。
避免接触压力和保持位置力互相干扰。所以，能够分别产生用于把布线基板11A吸持在底座部件12A上的最佳保持位置力和用于半导体器件20与布线基板11A连接的最佳接触压力。从而，达到布线基板11A和底座部件12A之间的精确定位是可以实现的。并且，使半导体器件20和布线基板11A保持牢固而稳定的接触状态是可以实现的。
并且，在本实施例中，用负压作半导体器件20和布线基板11A之间的接触压力。所以，布线基板11A能够与半导体器件20均匀地连接。就是说，第一密闭区31中的接触压力(即负压)均匀地施加于第一密闭区31的内壁。
因而，由于使均匀的接触压力(负压)施加于布线基板11A的整体表面，所以布线基板11A能够均匀地与半导体器件20连接。因此，即使半导体器件20装有大量端子，所有的端子21也能够分别与接触电极14牢固地连接。
同样，在本实施例中，也用负压作保持位置力，因此保持位置力(负压)均匀地施加于第二密闭区32的整体内表面。所以，能够用均匀的保持位置力把布线基板11A吸持在底座部件12A上。因此，在安装期间能避免布线基板11A倾斜，这也就能达到稳定的接触状态。
在上述的实施例中，用单一的薄片作半导体器件20。然而，在安装部分15上安装许多上述的半导体器件并且布线基板与许多半导体器件全部同时连接也是可以实现的。因而，在用上述的结构检测半导体器件20时，可以提高检测效率。
在下文中，参阅图4A和4B将描述本发明第二实施例的接触器。
图4A和4B是说明有关本发明第二实施例的接触器10B的截面图。在图4A和4B中，将用相同标记数词表示与图2A到2C和图3中对第一实施例的接触器10A描述的结构相同的结构并且省略对其详细描述。以上所述也适用于下面描述的各个实施例。
如描述过的那样，在上述的第一实施例接触器10A的情况中，直接把布线基板11A安装(用吸力)在底座部件上12A上。相反，第二实施例接触器10B的特点在于设置用于固定布线基板11B的盖板35A。
为了使热膨胀的影响减至最低程度，用与底座部件12A的材料相同的材料制成盖板35A。并且，盖板孔36以与布线基板11B的连接区18相同的面积设置在底座部件12A的中心部分。
此外，本实施例的布线基板11B与第一实施例中使用的布线基板11A不同在于布线基板11B整个是柔性的。因而，由于布线基板11B具有完全均匀的结构，所以与布线基板11A相比，可以降低成本。例如用粘合剂把布线基板11B固定在盖板35A的下表面(与底座部件12A相对的表面)上。
在尝试不用盖板35A在底座部件12A上安装完全柔性的布线基板11B时，由于特别是在第二密闭区32中很大的保持位置力会使布线基板11B严重变形。因此，连接区18也会变形以致不可能达到良好的连接。为此，使在第一实施例中使用的布线基板11A配置成连接区18的周边部分是刚性的。
在本实施例中，在盖板35上设置完全柔性的布线基板11B。所以，以预定的接触压力使布线基板11B与半导体器件20连接是可以实现的。并且，由于盖板35A在相应于连接区18的位置上装有盖板孔36，所以在连接区18内布线基板11B保持柔性状态。
因而，当布线基板11B固定在盖板35A上时，布线基板11B中的接触电极14肯定能够与半导体器件20中的所有端子21连接。进一步，如图4B所示，施加保持位置力的第二密闭区32与盖板35A的下表面相对。所以，即使增大保持位置力，也不会在布线基板11B中引起变形。因此，布线基板11B肯定能够被吸持在底座部件12A上。
在下文中，参阅图5将描述本发明第三实施例的接触器。
图5是说明第三实施例的接触器10C的截面图。
就第一和第二实施例的接触器10A和10B来说，负压是供施加保持位置力机构装置17用的。第三实施例的接触器10C的特点在于用紧固机构装置替换施加保持位置力机构装置17。
在这里，紧固机构装置的定义是靠机构上产生的力把布线基板固定在底座部件上的机构装置。虽然有各种类型的紧固机构装置，但是在本实施例中用螺栓37来实现紧固机构装置。这些螺栓在下文中将被称之为施加保持位置力螺栓。
把施加保持位置力螺栓37穿入在盖板35B内装配的穿透孔。并且，底座部件12 B装有可以拧紧施加保持位置力螺栓37的螺纹孔。然而，在使布线基板11B与半导体器件20定位的情况下把盖板35B安装在底座部件12B上，并且紧固施加保持位置力螺栓37。从而，盖板35B(布线基板11B)会被固定在底座部件12B上。并且，通过拧动施加保持位置力螺栓37能够调节保持位置力。
在本实施例中，由施加保持位置力螺栓37产生的紧固力用作布线基板11B和底座部件12B之间的保持位置力。因而，能够获得比较简单而成本有效的结构的施加保持位置力机构装置17。
在下文中，参阅图6将描述本发明第四实施例的接触器。
图6是表示本发明第四实施例的接触器10D的截面图。本实施例的特点在于把使用负压的第一和第二实施例的施加保持位置力机构装置和使用紧固机构装置的第三实施例的施加保持位置力机构装置合并。
如本实施例所说明的那样，可以把使用负压的第一和第二实施例的施加保持位置力机构装置和使用紧固机构装置的第三实施例的施加保持位置力机构装置适当地组合。没有必要一个一个单独地构成施加保持位置力机构装置。
在下文中，参阅图7A和7B将描述本发明第五实施例的接触器。
图7A和7B是表示第五实施例的接触器10E的截面图。本实施例的接触器10E的特点在于施加接触压力机构装置16可作为升降机构装置使用。
在这里，升降机构装置被定义为通过向布线基板11B移动安装在安装部分15中的半导体器件20来施加接触压力的机构装置。在本实施例中，用升降元件38例如用电可以改变厚度的压电元件来获得升降装置。
升降机构装置设置在底座部件12D中安装部分15的下面部分。因而，当把电压加于升降元件38时，放在升降元件38上面的半导体器件20会向上移动。并且，通过中断施加电压，半导体器件20会向下移动。
然后，在半导体器件20压向由施加保持位置力机构装置17吸持的布线基板11B时，这样的压力用作接触压力。注意，施加保持位置力机构装置17包括第一和第二密封部件24、25、第二抽气管27以及保持位置力孔29。
所以，用升降元件38(升降机构装置)能够在半导体器件20和布线基板11B之间施加接触压力。并且，通过使用与本实施例中一样的升降机构装置的施加接触压力机构装置16，可以用简单的结构产生半导体器件20和布线基板11B之间的接触压力。注意，通过控制施加于升降元件38的电压能够调节接触压力。
在下文中，参阅图8A和8B将描述本发明第六实施例的接触器。
图8A和8B是表示在第六实施例的接触器上设置的布线基板11C的简图。图8A是说明构成布线基板11C的盖板35A中的盖板孔36的周围部分的平面放大图。图8A是说明构成布线基板11C的盖板35A的截面图。
本实施例的特点在于在布线基板11C中的连接区18的周边部分上设置可变形部分40。并且，连接区18是接触电极14与半导体器件20中的端子21连接的区域。在本实施例中，用沿连接区18的外围设置的许多小孔41构成可变形部分40。
可以用包括蚀刻、冲孔和激光加工的各种方法形成小孔41。在本实施例中，为防止由于小孔41造成负压的损失，在布线基板11C的背表面上装配垫片39A。
因而，就用小孔41制成的可变形部分40来说，布线基板11C的周边部分将是更柔软的。因此，使与半导体器件20的接触更稳定是可能的。注意到可变形部分40的位置不局限于连接区18的周边部分，而是也可以在与没有形成半导体器件20中的端子21的区域相对的部位。并且，可变形部分40不局限于使用小孔41的结构，而是可以通过用例如蚀刻法减小基膜13的厚度获得可变形部分40。
在下文中，参阅图9A和9B将描述本发明第七实施例的接触器。
图9A和9B是说明在第七实施例的接触器上设置的布线基板11D的放大截面图。图9A是说明设置布线基板11D的盖板35A中的盖板孔36的周围部分的放大图。图9B是说明处于与半导体器件20中的端子21连接状态的布线基板11D的放大图。
在本实施例中，布线基板11D包括许多叠层构造的布线薄层。在图中，说明二层布线薄层42A、42B。布线薄层42A、42B装有与半导体器件20中的端子21选择连接的接触电极14A、14B。接触电极14A、14B装在各自的基膜13A、13B上。并且，在本实施例中使半导体器件20中的端子21的外形成凸形。
布线基板11D装有在与半导体器件20中的端子21连接的预定部位上设置的嵌入孔43。使与对应于嵌入孔位置的端子21连接的接触电极14A、14B装配成伸入嵌入孔43内。所以，在布线基板11D与半导体器件20电连接时，制成凸形的端子21将插入嵌入孔43内。由此端子21将与预定的接触电极14A、14B连接，从而实现导电。
所以，根据本实施例的结构，与单层布线基板相比能够提供数量增多的接触电极14A、14B。因此，对于具有数量增多的端子的高密度半导体器件20仍能够使用这种接触器。
在下文中，参阅图10将描述本发明第八实施例的接触器。
图10是说明在第八实施例的接触器上设置的布线基板11E的放大截面图。在本实施例中，布线基板11E装有用作导电部分的穿透孔44。布线基板11E的连接半导体器件20的表面将被称之为连接表面11E-1。与连接表面11E-1相反的表面将被称之为对向表面11E-2。本实施例的特点在于通过穿透孔44使连接表面11E-1与对向表面11E-2电连接。
就具有在布线基板11E内形成的穿透孔44的上述结构来说，从布线基板11E的对向表面11E-2，即通过盖板35A中的盖板孔36形成与半导体器件20的电连接是可能的。因而，从布线基板11E的对向表面11E-2实现对半导体器件20的检测是可能的。
在下文中，参阅图11将描述本发明第九实施例的接触器。
图11是说明在第九实施例的接触器上设置的布线基板11E的放大截面图。本实施例的特点在于第八实施例中采用的布线基板11E与安装在对向表面11E-2上的电子元件45一起使用。在这里，电子元件45可以是像电容器、电阻、保险丝和自预烧电路之类的元件。
因而，通过在对向表面11E-2上安装电子元件45，布线基片本身具有执行对半导体器件20检测的功能。因此，实现附加的多功能半导体器件检测是可能的。
在下文中，参阅图12A和12B将描述本发明第十实施例的接触器。
图12A和12B是说明在第十实施例的接触器上设置的布线基板11B的放大截面图。本实施例的特点在于为在布线基板11B上施加预定的张力F而提供施加张力机构装置46。
施加张力机构装置46包括斜表面47、调节凹槽48和有突出部的构件49。在盖板35C相对底座部件12A(在图12A和12B中未表示出)的表面上形成斜表面47。在部分斜表面47上形成调节凹槽48。有突出部的构件49具有装配到调节凹槽48内的突出部49A。
在图12A中在调节凹槽48中还没有装配有突出部的构件49，在这种情况下，在布线基板11B和斜表面47之间形成间隙。
并且，当把有突出部的构件49中的突出部49A装配到处于图12A所示的情况的调节凹槽48内时，如图12B所示，一部分布线基板11B与突出部49A一起被嵌入到调节凹槽48里。因此，在布线基板11B中产生张力F，那时，张力F能够使在布线基板11B中产生的任何松驰拉紧。所以可以实现布线基板11B对半导体器20的稳定定位。
在下文中，参阅图13将描述本发明第十一实施例的接触器。
图13是说明第十一实施例的接触器10F的截面图。为方便起见，从图中省去施加接触压力机构装置16和施加保持位置力机构装置17。
本实施例的特点在于底座部件12E具有散热功能。用具有良好的热导率的材料制成底座部件12E并且装有散热片元件50。就这样的结构来说，在使用接触器10F检测半导体器件20时，在半导体器件20中产生的任何热量能够很快地散失。
在下文中，参阅图14将描述第十二实施例的接触器。
图14是说明第十二实施例的接触器10G的截面图。为了方便起见，从图中省去施加接触压力机构装置16和施加保持位置力机构装置17。
本实施例的特点在于底座部件12G装有温度控制器51。温度控制器51内部至少包括加温装置、吸热装置和测定温度装置中的一个装置。
因此，就在底座部件12G中设置的温度控制器51来说，能够使半导体器件20在检测期间的温度调节到适当的温度。并且，调整由于底座部件12G的热膨胀造成的任何定位偏移。加温装置可以是电加热器而吸热装置可以是例如珀尔帖元件。
在下文中，参阅图15将描述本发明第十三实施例的接触器。
图15是说明第十三实施例的接触器10H的截面图。本实施例的接触器10H的特点在于底座部件12G装有用于迫使半导体器件20吸在安装部分15上的吸持机构装置52。
在本实施例中，通过在底座部件12G中设置吸持抽气管53构成吸持机构装置52。吸持抽气管53的一端在安装部分15内开口。在下文中，该开口将被称之为半导体器件吸持孔53A。在底座部件12G的侧表面上抽出吸持抽气管53的另一端并且与在图中没有表示出的第三真空装置连接。
所以，安装在安装部分15上的半导体器件20被真空吸在半导体器件吸持孔53A上。因此，半导体器件20被吸持在底座部件12G上。
因此，通过设置吸持机构装置52，在使布线基板11B(盖板35A)和底座部件12G定位之前，能够把半导体器件20固定到底座部位12G上。此后，防止半导体器件20在安装部分15中移动，以便能够得到精确定位(注意，为了便于半导体器件20的固定和卸除，在安装部分15和半导体器件20之间有小空隙)。
并且，如在本实施例中那样，在薄片用作半导体器件20时，在薄片中会有翘曲。为了对付上述的情况，可以在安装部分中形成许多半导体器件吸持孔53A。因此，安装的薄片(半导体器件20)的背表面可以全部被真空均匀地吸住以致校正薄片(半导体器件20)的翘曲。
在下文中，参阅图16将描述本发明第十四实施例的接触器。
图16是说明第十四实施例的接触器10I的截面图。本实施例的接触器10I的特点在于为了增加在布线基板11B(盖板35A)和底座部件12A之间产生的磨擦力，至少布线基板11B、盖板35A和底座部件12A其中之一装有增大磨擦力配件。
在本实施例中，增大磨擦力配件是在表面上具有比较高的磨擦系数(例如橡胶)的增大磨擦力片54。并且，把增大磨擦力片54装配在布线基板11B周围。
在本实施例中，增大磨擦力片54用作增大磨擦力配件。然而，不限于增大磨擦力配件，而是可以通过在盖板和底座部件上直接形成粗糙表面来增大磨擦力。
在下文中，参阅图17将描述本发明第十五实施例的接触器。
图17是说明在第十五实施例的接触器上设置的布线基板11B的放大图。
本发明的接触器10I装有在布线基板11B和盖板35A之间的第三密封部件55以及装配在底座部件12H中的第四密封部件56。当布线基板11B被吸持在底座部件12H上时，布线基板11B被夹持在第三和第四密封部件55、56之间。
第三密封部件55是片状密封部件，可以用例如硅类或氟类树脂制成。第四密封部件56例如是球状的，可以用硅类或氟类树脂制成。
在本实施例中，把第四密封部件56装配在第一抽气管26的接触压力孔28内。然而，由于第四密封部件56是球状的，所以接触压力孔28经由连通分段部分30与安装部分15连通。因此，当在第一密闭区31内施加接触压力时，第四密封部件56不会成为障碍。
因而，就被夹持在第三和第四密封部件55、56之间的布线基板11B来说，改进布线基板11B和盖板35A之间的密封性能是可能的。所以，在第一密闭区31内肯定能够产生接触压力，因此布线基板11B可以牢固地与半导体器件20连接。
在下文中，参阅图18将描述本发明第十六实施例的接触器。
图18是说明在第十六实施例的接触器上设置的布线基板11B的周围部分的放大图。本实施例的特点在于在布线基板11B的对向表面(与连接于半导体器件20的表面反向的表面)上装配具有凸部和凹部的垫片39B。
用弹性材料例如硅像胶制成垫片39B并且在相对于接触电极14的位置上装有凸部。就具有一定弹性的垫片39B来说，半导体器件20中的端子21的高度之间或者布线基板11B中的接触电极14的高度之间的任何差异将通过垫片39B的变形来补偿。并且，垫片39B通过被端子21压缩会产生弹性恢复力。所以，这种弹性恢复力起接触压力作用。因而，在本实施例中，由于接触压力也在垫片39B中产生，所以实现更稳定的连接是可能的。
在下文中，将描述使用本发明一个实施例的接触器的检测装置。图19是本发明一个实施例的检测装置60的示意图。
检测装置60包括接触器10B、检测装置室61和压缩空气产生器62。接触器10B是以上参阅图4描述的第二实施例的接触器。可以用于检测装置的接触器不限于第二实施例的接触器10B，而是可以是以上所述的任何一种接触器。
检测装置室61是一种气密容器并且在其内安装接触器10B。就安装在检测装置室61的接触器10B来说，第一和第二抽气管26、27伸到检测装置60外面并且与第一和第二真空装置连接。在图中，接触器10B被安装在底座台63上。
压缩空气产生器62包括压缩泵，并且能够把压缩空气输入检测装置室61。所以，通过驱动压缩空气器62，检测装置室61内的压力会成正压。
本实施例的检测装置60包括具有通过在其上装备的压缩空气产生器62产生正压的内部空气的检测装置室61和安装在检测装置室61内的接触器10B。所以，甚至在由于第一密闭区31中产生的负压引起的接触压力不够时接触电极14与端子21牢固连接是可能的。
就是说，当用压缩空气产生器62在检测装置室61中产生正压时，这样的正压引起在第一密闭区31中产生比较大的正压。注意到由对第一密闭区31外部的空气压力和第一真空装置产生的负压决定接触压力。所以，当使检测装置室61内的空气提高到较高压力时，接触压力会相应地增大。因此，获得足以使接触电极14和半导体器件20中的端子21连接的接触压力是可以实现的。
在下文中，将描述使用本发明第一实施例的接触器的检测方法。在下文中，将描述使用在图4A和4B说明的第二实施例的接触器10B来检测半导体器件20的方法。然而，本发明的方法不局限于第二实施例的接触器10B，而是能使用上述的实施例的接触器中的任一接触器。
为了使用接触器10B来检测半导体器件20，首先，在底座部件12A上安装半导体器件20。然后，如图20所示，用CCD摄像机65A实现半导体器件20中的端子21和布线基板11B中的接触电极14的位置识别过程。在这里，图中没有表示出端子21和接触电极14。
并且，本实施例的CCD摄像机65能够作在其上面和下面两个方向的像。因此，由于可以同时完成端子21和接触电极14的识别过程，所以减少识别过程需要的时间。
在端子21和接触电极14的位置识别过程以后，根据位置识别过程的结果，测定端子21和接触电极14之间的位置偏移并且根据测定的位置偏移计算位置修正值。
然后，根据位置修正值完成布线基板11B和底座部件12A的定位。当完成定位时，驱动施加保持位置力机构装置17，以使在第二密闭区32内产生负压。因而，在布线基板11B(盖板35A)和底座部件12A之间产生保持位置力。因此，将使布线基板11B和半导体器件20保持定位状态。
然后，在保持产生保持位置力的状态时，驱动施加接触压力机构装置16以致在第一密闭区31内产生负压。因而，在布线基板11B和半导体器件20之间施加接触压力。由此，布线基板11B会与半导体器件20连接以便能够执行预定的检测。
如上所述，实现接触电极14和半导体器件20中的端子21的位置识别过程。然后，根据从位置识别过程获得的位置修正值使布线基板11B和半导体器件20(底座部件12A)定位。
并且，在完成定位的情况中，首先，驱动施加保持位置力机构装置17以便施加在布线基板11B和底座部件12A之间的保持位置力。因而，在保持布线基板11B和半导体器件20定位状态时在施加接触压力以前把布线基板11B固定到底座部件12A上是可能的。
所以，当用施加接触压力机构装置16在布线基板11B和半导体器件20之间施加接触压力时，布线基板11B和半导体器件20之间不会有位置偏移。因而，使半导体器件20中的端子21和布线基板11B中的接触电极14能牢固地连接。
在下文中，所描述使用本发明第二实施例的接触器的检测方法。在本实施例的描述中，将省略与第一实施例中的内容相同的内容，并且将只描述说明特点的内容。
在第一实施例的检测方法中，使用能够作在其上面和下面两个方向的像的CCD摄像机65A。通过在布线基板11B和半导体器件20之间移动上述的CCD摄像机65A来执行识别过程。然而，能够作在其上面和下面两个方向的像的CCD摄像机65A是昂贵的。并且，在识别过程期间当在布线基板11B和半导体器件20之间移动CCD摄像机65A时操作性能不是特别好。
所以，如图21所示，本实施例的特点在于CCD摄像机放在盖板35A上方。因而，在执行位置识别过程期间，通过从上面透过布线基板11B观察，能够使半导体器件20定位。
为了这个目的，透明PI带可以作布线基板11B用以便能够透过布线基板11B看到半导体器件20。并且，CCD摄像机65B由于不需要像第一实施例的方法要求那样的上下摄像所以可以是一种只能作一个方向像的简单而廉价的结构。因而，按照本实施例的方法，在执行半导体器件20和布线基板11B的位置识别过程时透过布线基板11B能够看到半导体器件20。所以，位置识别变得更为方便。
在下文中，参阅图22将描述清洗本发明一个实施例的接触器的方法。按照本实施例的清洗方法可以适用于上述的实施例的接触器10A到10I中任一接触器。本实施例的方法是为了实现在相应的接触器10A到10I上设置的布线基板11A到11E中的接触电极14的清洗处理。在下文中，将通过例子描述实现第二实施例接触器10B清洗处理的方法。
为了执行对布线基板11B的接触电极14清洗处理，首先，换下半导体器件20，把清洗元件70安装在底座部件12A中设置的安装部分上，清洗元件70可以具有精细的凸部和凹部71的凹凸片。
当清洗元件70安装在底座部件12A中的安装部分15上时，接着就驱动施加保持位置力机构装置17。因此，布线基板11B(盖板35A)被吸持在底座部件12A上。
然后，在保持布线基板11B(盖板35A)被吸持在底座部件12A上的状态时，重复地驱动和关断施加接触压力机构装置16。由此，使第一密闭区31重复交替地处于施加接触压力的状态和没有施加接触压力的状态。换言之，布线基板11B将在图中用箭头H表示的方向上振动。
由此，清洗元件70将重复地与在布线基板11B上设置的接触电极14接触、滑过或碰撞。因而，用清洗元件70可以去除不需要的薄层，例如沉积在接触电极14上的氧化层。因此，使接触电极14始终能保持在良好的状态，并且改进布线基板11B与半导体器件20电连接的可靠性是可以实现的。
此外，本发明不局限于这些实施例，在没有脱离本发明范围的情况下可以进行变化和变换。
本申请是基于1998.12.18归档的日本在先申请No，10-361618，因此其完整内容编入参考文献。
权利要求
1.用于半导体器件(20)的接触器(10A)，上述的接触器(10A)包括用于保持带有许多端子(21)的半导体器件(20)的底座部件(12A)和在与至少一些上述的端子(21)对应的位置上装有接触电极(14)的布线基板(11A)，上述的布线基板(11A)被吸持在上述的底座部件(12A)上时上述的接触电极(14)和上述的端子(21)被电连接。上述的接触器(10A)的特点在于进一步包括用于在上述的底座部件(12A)和上述的布线基板(11A)之间施加保持位置力的施加保持位置力机构装置(17)；和用于在上述的半导体器件(20)和上述的布线基板(11A)之间施加接触压力的施加接触压力机构装置(16)，其中上述的施加保持位置力机构装置(17)和上述的施加接触压力机构装置(16)是能以独立方式操作的。
2.如权利要求1所要求的接触器(10A)，其特征在于至少在上述的接触电极(14)与上述的端子(21)连接的连接区(18)上的上述的布线基板(11A)是柔性的。
3.如权利要求1所要求的接触器(10B)，其特征在于进一步包括用于固定上述的布线基板(11B)并且在上述的连接区(18)上方有孔(36)的盖板(35A)。
4.如权利要求1所要求的接触器(10A)，其特征在于上述的布线基板(11A)可以与上述的半导体器件(20)之一连接或者与许多上述的半导体器件(20)同时连接。
5.如权利要求1所要求的接触器(10A)，其特征在于上述布线基板(11A)是薄片。
6.如权利要求1所要求的接触器(10A)，其特征在于上述的施加接触压力机构装置(16)包括在环绕在上述的底座部件(12A)上安装的上述的半导体器件(20)的部位处的上述的底座部件(12A)上装配的第一密封部件(24)，在上述的布线基板(11A)置于上述的底座部件(12A)时上述的第一密封部件(24)与上述的布线基板(11A)气密接触；和具有在上述的第一密封部件(24)和上述的半导体器件(20)的安装部位之间开口的一端的第一抽气管(26)，在执行抽气过程期间，上述的第一抽气管(26)能够用于在由上述的底座部件(12A)、上述的布线基板(11A)和上述的第一密封部件(24)密封的第一密闭区(31)内施加负压，由上述的第一抽气管(26)施加的上述的负压用作上述的半导体器件(20)和上述的布线基板(11A)之间的接触压力。
7.如权利要求1所要求的接触器(10E)，其特征在于上述的施加接触压力机构装置(16)是设置在安装在上述的底座部件(12A)上的上述的半导体器件(20)底下的升降机构装置(38)以使上述的半导体器件(20)相对于上述的布线基板(11B)往上和往下移动。
8.如权利要求1所要求的接触器(10A)，其特征在于在除上述的连接区(18)以外的部位上设置上述的施加保持位置力机构装置(17)，上述的施加保持位置力机构装置(17)包括在上述的底座部件(12A)的环绕上述的第一密封部件(24)的部位上装配的第二密封部件(25)，上述的第二密封部件(25)在上述的布线基板(11A)置于上述的底座部件(12A)上时与上述的布线基板(11A)气密接触；和具有在上述的第一密封部件(24)和上述的第二密封部件(25)之间开口的一端的第二抽气管(27)，在执行抽气过程期间，上述的第二抽气管(27)能够用于在由上述的底座部件(12A)、上述的布线基板(11A)、上述的第一密封部件(24)和上述的第二密封部件(25)密封的第二密闭区(32)中施加负压。由上述的第二抽气管(27)施加的上述的负压用作上述的布线基板(11A)和上述的底座部件(12A)之间的保持位置力。
9.如权利要求1所要求的接触器(10C、10D)，其特征在于施加保持位置力机构装置(17)是施加起上述的布线基板(11B)和上述的底座部件(12B、12C)之间保持位置力作用的紧固力的紧固机构装置(37)。
10.如权利要求1所要求的接触器(10A)，其特征在于上述的布线基板(11)装有在连接区(18)的周边部分上形成的可变形部分(40)。
11.如权利要求1所要求的接触器(10A)，其特征在于上述的布线基板(11D)包括许多层叠的布线薄层(42B)，并且在上述的布线薄层上设置的上述的接触电极(14)有选择地与上述的端子(21)电连接。
12.如权利要求1所要求的接触器(10A)，其特征在于上述的布线基板(11E)具有连接上述的半导体器件(20)的连接表面(11E-1)和在上述的连接表面(11E-1)的对向侧上的对向表面(11E-2)，通过导电部分(44)电连接上述的连接表面(11E-1)和上述的对向表面(11E-2)。
13.如权利要求12所要求的接触器(10A)，其特征在于上述的对向表面(11E-2)装有在其上安装的至少一个电子元件(45)。
14.如权利要求1所要求的接触器(10A)，其特征在于进一步包括用于在布线基板(11B)上施加预定的张力(F)的施加张力机构装置(46)。
15.如权利要求1所要求的接触器(10F)，其特征在于上述的底座部件(12E)装有散热功能元件(50)。
16.如权利要求1所要求的接触器(10G)，其特征在于上述的底座部件(12F)装有加温装置(51)、吸热装置(51)和测定温度装置(51)中的一个装置。
17.如权利要求1所要求的接触器(10H)，其特征在于上述的底座部件(12G)装有用于把半导体器件(20)强制吸持在上述的底座部件(12G)上的吸持机构装置(53)。
18.如权利要求1所要求的接触器(10I)，其特征在于上述的布线基板和/或上述的底座部件装有用于增大在上述的布线基板(11B)和上述的底座部件(12A)之间形成的磨擦力的增大磨擦力配件(54)。
19.如权利要求1所要求的接触器(10A)，其特征在于进一步包括在上述的布线基板(11B)和上述的盖板(35A)之间装配的第三密封部件(55)；和在上述的底座部件(12H)上装配的并且在上述的布线基板(11B)置于上述的底座部件(12H)时与上述的布线基板(11B)气密接触的第四密封部件(56)，在那里当上述的布线基板(11B)置于上述的底座部件(12H)时上述的布线基板(11B)被夹持在上述的第三和第四密封部件(55、56)之间。
20.如权利要求12所要求的接触器(10A)，其特征在于上述的布线基板(11B)在上述的对向表面上装有具有凸部和凹部的垫片(39B)。
21.一种检测装置(60)，其特征在于包括用于半导体器件(20)的接触器(10B)；和用于容纳上述的接触器的小室(61)，构制上述的小室(61)以使其内部气压可以是正压的，上述的接触器(10B)包括用于吸持装有许多端子(21)的半导体器件(20)的底座部件(12A)和装有在与至少一些上述的端子(21)相对应的位置上的接触电极(14)的布线基板(11B)，在上述的布线基板(11B)被吸持在上述的底座部件(12A)上时上述的接触电极(14)和上述的端子(21)被电连接，上述的接触器进一步包括用于施加上述的底座部件(12A)和上述的布线基板(11B)之间的保持位置力的施加保持位置力机构装置(17)；和用于施加上述的半导体器件(20)和上述的布线基板(11B)之间的接触压力的施加接触压力机构装置(16)，在那里上述的施加保持位置力机构装置(17)和上述的施加接触压力机构装置(16)是能以独立方式操作的。
22.如权利要求21所要求的检测装置(60)，其特征在于上述的施加接触压力机构装置(16)包括在环绕在上述的底座部件(12A)上安装的上述的半导体器件(20)的部位处的上述的底座部件(12A)上装配的第一密封部件(24)，在上述的布线基板(11B)置于上述的底座部件(12A)时上述的第一密封部件(24)与上述的布线基板(11B)气密接触；和具有在上述的第一密封部件(24)和上述的半导体器件(20)的安装部位之间开口的一端的第一抽气管(26)，在执行抽气过程期间，上述的第一抽气管(26)能够用于在由上述的底座部件(12A)、上述的布线基板(11B)和上述的第一密封部件(24)密封的第一密封区(31)内施加负压，由上述的第一抽气管(26)施加的上述的负压用作上述的半导体器件(20)和上述的布线基板(11B)之间的接触压力。
23.如权利要求21所要求的检测装置(60)，其特征在于在除上述的连接区(18)以外的部位上设置的上述的保持位置力机构装置(17)包括在上述的底座部件(12A)的环绕上述的第一密封部件(24)的部位上装配的第二密封部件(25)，上述的第二密封部件(25)在上述的布线基板(11B)置于上述的底座部件(12A)上时与上述的布线基板(11B)气密接触；和具有在上述的第一密封部件(24)和上述的第二密封部件(25)之间开口的一端的第二抽气管(27)，在执行抽气过程期间，上述的第二抽气管(27)能够用于在由上述的底座部件(12A)、上述的布线基板(11B)、上述的第一密封部件(24)和上述的第二密封部件(25)密封的第二密闭区(32)中施加负压。由上述的第二抽气管(27)施加的上述的负压用作上述的布线基板(11B)和上述的底座部件(12A)之间的保持位置力。
24.使用用于半导体器件(20)的接触器(10B)检测半导体器件(20)的方法，上述的接触器(10B)包括用于保持带有许多端子(21)的半导体器件(20)的底座部件(12A)和在与至少一些上述的端子(21)对应的位置上装有接触电极(14)的布线基板(11B)，上述的布线基板(11B)被吸持在上述的底座部件(12A)上时上述的接触电极(14)和上述的端子(21)被电连接，上述的接触器(10B)进一步包括用于在上述的底座部件(12A)和上述的布线基板(11B)之间施加保持位置力的施加保持位置力机构装置(17)；和用于在上述的半导体器件(20)和上述的布线基板(11B)之间施加接触压力的施加接触压力机构装置(16)，在那里上述的施加保持位置力机构装置(17)和上述的施加接触压力机构装置(16)是能以独立方式操作的，上述的检测方法的特点在于包括步骤a)通过识别端子(21)和接触电极(14)的位置以及然后计算端子(21)和接触电极(14)的位置之间的偏移来计算位置修正值；b)根据上述的位置修正值使上述的布线基板(11B)与上述的底座部件(12A)定位；c)在步骤b)后驱动用于在上述的布线基板(11B)和上述的底座部件(12A)之间施加保持位置力的上述的施加保持位置力机构装置(17)；d)驱动用于在上述的布线基板(11B)和上述的半导体器件(20)之间施加接触压力的上述的施加接触压力机构装置(16)；和e)检测上述的半导体器件(20)。
25.如权利要求24所要求的检测方法，其特征在于进一步包括步骤f)通过透过上述的布线基板(11B)朝上述的半导体器件(20)的上面观察来定位。
26.一种清洗用于半导体器件(20)的接触器(10B)、特别是清洗设置在上述的接触器(10B)上装备的布线基板(11B)上的接触电极(14)的方法，上述的接触器(10B)包括用于安装半导体器件(20)的底座部件(12A)和装有接触电极(14)的布线基板(11B)，上述的接触器(10B)进一步包括用于在上述的底座部件(12A)和上述的布线基板(11B)之间施加保持位置力的施加保持位置力机构装置(17)；和用于在上述的半导体器件(20)和上述的布线基板(11B)之间施加接触压力的施加接触压力机构装置(16)，在那里上述的施加保持位置力机构装置(17)和上述的施加接触压力机构装置(16)是能以独立方式操作的，上述的清洗方法的特点在于包括步骤a)为了清洗上述的接触电极(14)把替换上述的半导体器件(20)的清洗元件(71)装置在上述的底座部件(12A)上以使上述的清洗元件(71)与上述的接触电极(14)接触；b)通过驱动上述的施加保持位置力机构装置(17)把上述的布线基板(11B)吸持在上述的底座部件(12A)上。c)在布线基板(11B)被吸持在上述的底座部件(12A)上时重复地驱动或中断上述的施加接触压力机构装置(16)。
全文摘要
半导体器件(20)的接触器(10A),包括用于保持带有许多端子(21)的半导体器件的底座部件(12A)和带有至少与一些端子对应的接触电极(14)的布线基板(11A)。在布线基板被吸在底座部件上时接触电极和端子电连接。在底座部件和布线基板之间还设有施加保持位置力机构装置(17)及在半导体器件和布线基板之间设有施加接触压力机构装置(16)。机构装置(16)可以独立方式操作的。
文档编号H01L21/00GK1258096SQ99118308
公开日2000年6月28日 申请日期1999年8月26日 优先权日1998年12月18日
发明者丸山茂幸, 深谷太, 长谷山诚 申请人:富士通株式会社