一种贴片型电磁部件的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电磁部件，更确切地说，是一种贴片型电磁部件。
【背景技术】
[0002]电磁，物理概念之一，是物质所表现的电性和磁性的统称。如电磁感应、电磁波等等。电磁是法拉第发现的。电磁现象产生的原因在于电荷运动产生波动，形成磁场，因此所有的电磁现象都离不开磁场。
[0003]在电路中经常需要接入电磁部件，但是主要是接线型，不适用于现在的SMT的大量生产。
【发明内容】
[0004]本发明主要是解决现有技术所存在的技术问题，从而提供一种适用于SMT大量生产的贴片型电磁部件。
[0005]本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的:
一种贴片型电磁部件，包含一底座，在所述的底座上固定连接一缠绕柱，在所述的缠绕柱的顶部固定连接一电磁头，在所述的底座的底部固定贴附一对电极，在所述的电极之间设有一段连接线，所述的连接线呈螺旋状缠绕在所述的缠绕柱的外围。
[0006]作为本发明较佳的实施例，所述的连接线为表面设有绝缘膜的铜线。
[0007]作为本发明较佳的实施例，所述的电极的表面镀有一层金。
[0008]由于本发明的贴片型电磁部件将电磁部件集成在一个具有两个焊接电极的本体上，在焊接电极之间设置了螺旋状连接线，并将线体缠绕在电磁部件本体上，结构得到了简化并设置了适于SMT组装的焊接电极，从而让电磁部件实现了 SMT大量生产。
[0009]
【附图说明】
[0010]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0011]图1为本发明的贴片型电磁部件的立体结构示意图；
图2为图1中的贴片型电磁部件的立体结构示意图，此时为另一视角。
[0012]
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0014]本发明提供了一种适用于SMT大量生产的贴片型电磁部件。
[0015]如图1、图2所示，一种贴片型电磁部件1，包含一底座21，在所述的底座21上固定连接一缠绕柱22，在所述的缠绕柱22的顶部固定连接一电磁头23，在所述的底座21的底部固定贴附一对电极3，在所述的电极3之间设有一段连接线4，所述的连接线4呈螺旋状缠绕在所述的缠绕柱22的外围。
[0016]如图1、图2所示，所述的连接线4为表面设有绝缘膜的铜线。
[0017]如图1、图2所示，所述的电极3的表面镀有一层金。
[0018]该发明的贴片型电磁部件将电磁部件集成在一个具有两个焊接电极的本体上，在焊接电极之间设置了螺旋状连接线，并将线体缠绕在电磁部件本体上，结构得到了简化并设置了适于SMT组装的焊接电极，从而让电磁部件实现了 SMT大量生产。
[0019]以上仅仅以一个实施方式来说明本发明的设计思路，在系统允许的情况下，本发明可以扩展为同时外接更多的功能模块，从而最大限度扩展其功能。
[0020]以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何不经过创造性劳动想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
【主权项】
1.一种贴片型电磁部件(1)，包含一底座(21)，在所述的底座(21)上固定连接一缠绕柱(22)，在所述的缠绕柱(22)的顶部固定连接一电磁头(23)，其特征在于，在所述的底座(21)的底部固定贴附一对电极(3)，在所述的电极(3)之间设有一段连接线(4)，所述的连接线(4)呈螺旋状缠绕在所述的缠绕柱(22)的外围。
2.根据权利要求1所述的贴片型电磁部件，其特征在于，所述的连接线(4)为表面设有绝缘膜的铜线。
3.根据权利要求2所述的贴片型电磁部件，其特征在于，所述的电极(3)的表面镀有一层金。
【专利摘要】本发明公开了一种贴片型电磁部件，包含一底座，在所述的底座上固定连接一缠绕柱，在所述的缠绕柱的顶部固定连接一电磁头，在所述的底座的底部固定贴附一对电极，在所述的电极之间设有一段连接线，所述的连接线呈螺旋状缠绕在所述的缠绕柱的外围，所述的连接线为表面设有绝缘膜的铜线,所述的电极的表面镀有一层金。由于发明的贴片型电磁部件将电磁部件集成在一个具有两个焊接电极的体上，在焊接电极之间设置了螺旋状连接线，并将线体缠绕在电磁部件体上，结构得到了简化并设置了适于SMT组装的焊接电极，从而让电磁部件实现了SMT大量生产。
【IPC分类】H01F17-00
【公开号】CN104575939
【申请号】CN201510060088
【发明人】禹伟
【申请人】禹伟
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年2月5日