专利名称：微型贴片二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种微型贴片二极管。
背景技术：
微型贴片二极管，它是普通二极管封装的发展趋势，尺寸更小、厚度更薄的微型贴片二极管才能满足市场对电子设备不断小型化的需求。安森美作为半导体行业内的龙头之一，率先开发出了 S0D123-FL封装的微型贴片二极管，并处于领先地位。国内仅有绍兴旭昌等几家开发出了类似的产品。比较而言， S0D123-FL封装的瓦特/mm2热性能比S0D-123提高达149%，比SMA提高达90. 5 %，比 PowerMite提高达26. 5%0 S0D123-FL厚度(最大为I. 3mm)与标准S0D-123封装相当，非常适宜讲究电路板空间的便携应用。传统的铜框架引线结构如图I所示，芯片本体I的上表面和下表面均设有焊锡层 2，正极引脚3的一端与焊锡层2焊接后经多次折弯后引出到塑封体5的外部，负极引脚4从芯片本体I中部引出，折弯后包裹至本体底部，厚度较大。S0D123-FL的微型贴片二极管封装，采用金丝球焊接工艺，封装体积小、厚度薄，但其对设备要求很高，设备投资大。而且，由于其采用的金丝直径仅有数十微米，抗正向浪涌能力差，散热效果不佳。芯片厚度方面，目前国内二极管业界普遍采用厚度260微米左右的芯片，太厚会增加单颗芯粒成本；厚度太薄，封装过程中芯粒容易受应力挤压而破碎。焊锡层厚度方面，预焊工艺受焊接效果影响， 焊锡量较难控制，焊锡层厚度离散性大，在封装过程中容易产生破管。
发明内容针对上述问题，本实用新型的目的是提供一种体积小、厚度薄的微型贴片二极管。实现本实用新型的技术方案如下微型贴片二极管，包括芯片、焊锡层、正极引脚、负极引脚以及塑封体，所述正极引脚的一端与位于芯片上表面的焊锡层焊接，正极引脚经过第一次转折和第二次转折后延伸到塑封体的外部，负极引脚的一端与位于芯片下表面的焊锡层焊接，负极引脚的另一端经两次转折后延伸到塑封体的外部。所述芯片的厚度为180-220微米。采用了上述方案，该微型贴片二极管以独有的引脚结构以及最佳功效的线夹设计，允许低正向电压。附带线夹的内部设计比引线粘结封装具有更优秀的浪涌电流能力，成为瞬态电压抑制应用的理想封装选择。在新型封装内采用低泄漏电流硅技术，可以更好地节省能量。并以环保、无铅的封装平台提供更佳性能。微型贴片二极管，它是普通二极管封装的发展趋势，尺寸更小、厚度更薄的微型贴片二极管才能满足市场对电子设备不断小型化的需求。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步说明。
图1为现有贴片二极管的结构示意图；图2为本实用新型的贴片二极管的结构示意图；图中，10为芯片，20为焊锡层，30为正极引脚，40为负极引脚，50为塑封体。
具体实施方式
参照图2，本实用新型的微型贴片二极管，包括芯片10、焊锡层20、正极引脚30、负极引脚40以及塑封体50。芯片10的厚度为180-220微米，优选为200微米。正极引脚30 呈Z字型，正极引脚30的一端与位于芯片10上表面的焊锡层20焊接，正极引脚经过第一次转折和第二次转折后延伸到塑封体的外部。负极引脚呈Z字型，负极引脚40的一端与位于芯片下表面的焊锡层焊接，负极引脚40的另一端经两次转折后延伸到塑封体的外部。
权利要求1.微型贴片二极管，包括芯片、焊锡层、正极引脚、负极引脚以及塑封体，其特征在于 所述正极引脚的一端与位于芯片上表面的焊锡层焊接，正极引脚经过第一次转折和第二次转折后延伸到塑封体的外部，负极引脚的一端与位于芯片下表面的焊锡层焊接，负极引脚的另一端经两次转折后延伸到塑封体的外部。
2.根据权利要求I所述的微型贴片二极管，其特征在于所述芯片的厚度为180-220 微米。
3.根据权利要求I所述的微型贴片二极管，其特征在于所述负极引脚呈Z字型。
专利摘要本实用新型涉及一种微型贴片二极管，包括芯片、焊锡层、正极引脚、负极引脚以及塑封体，所述正极引脚的一端与位于芯片上表面的焊锡层焊接，正极引脚经过第一次转折和第二次转折后延伸到塑封体的外部，负极引脚的一端与位于芯片下表面的焊锡层焊接，负极引脚的另一端经两次转折后延伸到塑封体的外部。本实用新型具有体积小、厚度薄的优点。
文档编号H01L29/861GK202352653SQ201120488440
公开日2012年7月25日 申请日期2011年11月30日 优先权日2011年11月30日
发明者梁枫 申请人:常州星海电子有限公司