一种阵列基板及其制作方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
【背景技术】
[0002] 薄膜晶体管液晶显示器（TFT-IXD)在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合 性能上都优于阴极射线管（CathodeRayTube，CRT)的显示器件，其发展多年来一直受到人 们的广泛关注，同时，人们对TFT-LCD的性能也提出了越来越高的要求。目前高分辨率、低 功耗的TFT-LCD产品成为发展的重点和研发的热点。
[0003] 所述高分辨率和低功耗的要求的TFT-LCD，离不开低介电常数的非感光树脂结构 的应用，本发明中所述阵列基板中设有非感光树脂结构，所述阵列基板的剖面结构如图1 所示，分为像素区域和阵列基板行驱动（G0A)区域，分别位于图中虚线的左侧和右侧，两部 分由多次构图工艺同时形成，所述阵列基板包括：形成于基板1显示区域上的栅极2和栅 线，以及G0A区域的栅线引线；形成于栅极2和栅线上方覆盖整个基板1的栅绝缘层3 ;形 成于栅绝缘层3上方的有源层4 ;形成于有源层4上方的欧姆接触层5 ;形成于欧姆接触层 5和栅绝缘层3上的源/漏极7,同时在所述G0A区域形成的源/漏极7的同层金属，用于 通过栅绝缘层3上的过孔与栅极2相连；形成于源/漏极7及其同层金属上方和栅绝缘层 3上的平坦化层9 ;形成于平坦化层9上通过平坦化层9上的过孔与源/漏极7相连的像素 电极10 ;形成于平坦化层9和像素电极10上的第一钝化层11 ;形成于第一钝化层11上的 公共电极12,以及在G0A区域通过钝化层过孔和平坦化层过孔与源/漏极7的同层金属相 连的公共电极的同层电极。
[0004]目前，由于所述阵列基板中包括平坦化层的制备，所应用到的掩膜版的数量较多， 通常如图1中所示的结构的制备共需要进行八次掩膜工艺，即：形成栅极2、栅线和栅线引 线的第一掩膜版、形成栅绝缘层3的第二掩膜版、形成有源层4和欧姆接触层5的第三掩膜 版、形成源/漏极7及其同层金属的第四掩膜版、形成平坦化层9的第五掩膜版、形成像素 电极10的第六掩膜版、形成第一钝化层11的第七掩膜版、形成公共电极12及其同层电极 的第八掩膜版。可见，现有含有树脂的氧化物薄膜晶体管的工艺所使用的掩膜版数量较多， 制备流程较复杂，产能较低。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置， 可减少制备过程中掩膜版的数量，提高生产效率。
[0006] 为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
[0007] -种阵列基板的制作方法，包括：在基板上形成包括栅极的图案、栅绝缘层的图 案、有源层的图案、包括源漏极的图案、平坦化层的图案、包括像素电极的图案；其中，所述 包括栅极的图案和有源层的图案通过一次掩膜工艺形成。
[0008] 进一步的，该方法具体包括：
[0009] 采用半色调掩膜工艺和离地剥离工艺形成所述包括栅极的图案和有源层的图案。
[0010] 进一步的，所述采用半色调掩膜工艺和离地剥离工艺形成所述包括栅极的图案和 有源层的图案，具体包括：
[0011] 在基板上顺序形成栅金属层薄膜、栅绝缘层薄膜、以及有源层薄膜，并在所述有源 层薄膜上涂覆感光材料；
[0012] 利用半色调掩膜版对所述感光材料进行曝光显影，在对应有源层图案的区域形成 感光材料完全保留区，在对应包括栅极的图案的区域形成感光材料半保留区，其余区域形 成感光材料完全去除区；
[0013] 通过第一次刻蚀去除感光材料完全去除区的有源层薄膜、栅绝缘层薄膜以及栅金 属层薄膜；
[0014] 进行感光材料的灰化处理，去除感光材料半保留区的感光材料，并通过第二次刻 蚀，去除感光材料半保留区的有源层薄膜和栅绝缘层薄膜，得到包括栅极的图案；
[0015] 再形成一层覆盖整个基板的栅绝缘层薄膜，并采用离地剥离工艺去除所述感光材 料完全保留区上的栅绝缘层薄膜和感光材料，得到有源层的图案。
[0016] 进一步的，该方法还包括：在形成有源层的图案之后，形成欧姆接触层的图案。
[0017] 进一步的，所述包括栅极的图案和有源层的图案通过一次掩膜工艺形成，具体包 括：
[0018] 在基板上顺序形成栅金属层薄膜、栅绝缘层薄膜、有源层薄膜以及欧姆接触层薄 膜，并在所述欧姆接触层薄膜上涂覆感光材料；
[0019] 利用半色调掩膜版对所述感光材料进行曝光显影，在对应有源层图案和欧姆接触 层图案的区域形成感光材料完全保留区，在对应包括栅极的图案的区域形成感光材料半保 留区，其余区域形成感光材料完全去除区；
[0020] 通过第一次刻蚀去除感光材料完全去除区的欧姆接触层薄膜、有源层薄膜、栅绝 缘层薄膜以及栅金属层薄膜；
[0021] 进行感光材料的灰化处理,去除感光材料半保留区的感光材料，并通过第二次刻 蚀，去除感光材料半保留区的欧姆接触层薄膜、有源层薄膜和栅绝缘层薄膜，得到包括栅极 的图案；
[0022] 再形成一层覆盖整个基板的栅绝缘层薄膜，并采用离地剥离工艺去除所述感光材 料完全保留区上的栅绝缘层薄膜和感光材料，得到有源层的图案。
[0023] 进一步的，所述感光材料为：光刻胶或感光树脂。
[0024] 进一步的，该方法具体包括：
[0025] 通过第一次掩膜工艺在基板上形成包括栅极的图案和有源层的图案；
[0026] 通过第二次掩膜工艺形成栅绝缘层的图案；
[0027] 通过第三次掩膜工艺形成包括源漏极的图案；
[0028] 通过第四次掩膜工艺形成平坦化层的图案；
[0029] 通过第五次掩膜工艺形成包括像素电极的图案。
[0030] 进一步的，该方法还包括：
[0031] 在形成有源层的图案之后，形成欧姆接触层的图案；
[0032] 所述通过第三次掩膜工艺形成包括源漏极的图案，具体包括：
[0033] 通过第三次掩膜工艺形成欧姆接触层的图案以及包括源漏极的图案。
[0034] 进一步的，该方法还包括：
[0035] 在形成所述包括源漏极的图案之后，形成第一钝化层的图案；
[0036] 所述通过第四次掩膜工艺形成平坦化层的图案，具体包括：
[0037] 通过第四次掩膜工艺同时形成所述第一钝化层的图案以及所述平坦化层的图案。
[0038] 进一步的，该方法还包括：
[0039] 通过第六次掩膜工艺形成第二钝化层的图案；以及
[0040] 通过第七次掩膜工艺形成包括公共电极的图案。
[0041] 一种阵列基板，包括基板以及在基板上形成的包括栅极的图案、栅绝缘层的图案、 有源层的图案、包括源漏极的图案、平坦化层的图案、包括像素电极的图案；其中，所述包括 栅极的图案和有源层的图案是由一次掩膜工艺形成的。
[0042] 进一步的，所述阵列基板还包括：形成在有源层的图案上方以及包括源漏极的图 案下方的欧姆接触层的图案。
[0043] 进一步的，所述阵列基板还包括：形成在包括源漏极的图案上方以及平坦化层的 下方形成的第一钝化层的图案。
[0044] 进一步的，所述阵列基板还包括：形成在包括像素电极的图案上方的第二钝化层 的图案以及形成在第二钝化层的图案上方的包括公共电极的图案。
[0045] 一种显示装置，包括上述任一项所述的阵列基板。
[0046] 本发明提供的阵列基板及其制作方法和显示装置，所述栅极和有源层通过一次半 色调掩膜工艺在基板上形成。与现有技术相比，现有技术方案中栅极和有源层的制备均各 需要一块掩膜版，而本发明中所述栅极和有源层的制备仅需要一块掩膜版，较少了掩膜工 艺的次数，有效节省了成本，提高了生产效率。
【附图说明】
[0047] 图1为现有含有树脂的阵列基板的剖面结构示意图；
[0048] 图2为本发明实施例所述阵列基板的制作方法流程示意图；
[0049]图3为本发明实施例所述基板上沉积栅极金属薄膜、栅绝缘层材料薄膜，以及有 源层材料薄膜后的结构图；
[0050] 图4为本发明实施例采用半色调掩膜版对感光材料进行曝光显影后的结构图；
[0051] 图5为本发明实施例形成栅极后的结构图；
[0052] 图6为本发明实施例对感光材料灰化处理后的结构图；
[0053] 图7为本发明实施例灰化处理后进行刻蚀得到的阵列基板的结构图；
[0054] 图8为本发明实施例再次沉积栅绝缘层材料薄膜后的结构图；
[0055] 图9为本发明实施例形成有源层后的结构图；
[0056] 图10为本发明实施例形成栅绝缘层后的结构图；
[0057] 图11为本发明实施例形成源漏极和沟道后的结构图；
[0058] 图12为本发明实施例形成平坦化层后的结构图；
[0059] 图13为本发明实施例形成像素电极后的结构图；
[0060] 图14为本发明实施例所