被布置在所述芯片耦合区域中。在各个实施例中，所述线圈可以包括2至10个绕组(例如2至5个绕组)。在各个实施例中，所述芯片耦合区域可以具有在第一尺寸上从大约I毫米延伸到大约20毫米并且在第二尺寸上从大约I毫米延伸到大约20毫米的大小。在各个实施例中，所述增强器天线结构可以还包括:电容器，其与所述线圈电耦合。在各个实施例中，包围所述芯片耦合区域的所述线圈的部分可以被布置使得:它们准许被定向在统一方向上的电流流动，以使得通过所述线圈的这些部分的电流流动所生成的磁场彼此相加，由此在所述增强器天线结构的操作期间放大彼此。在各个实施例中，所述导体可以包括:被对应刻地蚀刻的金属层，具有在从大约50 μ m到大约250 μ m的范围中(例如在从大约150 μ m到大约250 μ m的范围中)的线宽度。在各个实施例中，所述导体可以包括:布线，具有在从60 μ m到100 μ m的范围中的直径。在各个实施例中，所述增强器天线结构可以还包括:载体，在其上布置所述线圈。在各个实施例中，所述线圈的绕组可以被布置在所述载体的一侧上。在各个实施例中，所述线圈的绕组可以被布置在所述载体的两侧上。在各个实施例中，所述电容器可以包括线电容器。在各个实施例中，所述电容器的部分可以被布置在所述载体的两侧上。
[0038]在各个实施例中，提供了芯片卡。所述芯片卡可以包括增强器天线结构。所述增强器天线结构可以包括:芯片耦合区域；线圈，具有形成多个绕组的导体；其中，所述线圈实质地完全包围所述芯片耦合区域，其中，所述导体以无交叉方式被布置在所述芯片耦合区域周围。
[0039]在各个实施例中，所述芯片耦合区域可以被配置为感应地耦合到布置在芯片封装上的线圈，其中，所述芯片封装被布置在所述芯片耦合区域中。在各个实施例中，所述线圈可以包括2至10个绕组(例如2至5个绕组)。在各个实施例中，所述芯片耦合区域可以具有在第一尺寸上从大约I毫米延伸到大约20毫米并且在第二尺寸上从大约I毫米延伸到20毫米的大小。在各个实施例中，所述芯片卡可以还包括:电容器，其与所述线圈电耦合。在各个实施例中，包围所述芯片耦合区域的所述线圈的部分可以被布置使得:它们准许被定向在统一方向上的电流流动，以使得通过所述线圈的这些部分的电流流动所生成的磁场彼此相加，由此在所述增强器天线结构的操作期间放大彼此。在各个实施例中，所述导体可以包括被对应地蚀刻的金属层，具有在从大约50 μ m到大约250 μ m的范围中(例如从大约150 μ m到大约250 μ m)的线宽度。在各个实施例中，所述导体可以包括:布线，具有在从60μπι到100 μ m的范围中的直径。在各个实施例中，所述芯片卡可以还包括:载体，在其上布置所述线圈。在各个实施例中，所述线圈的绕组可以被布置在所述载体的一侧上。在各个实施例中，所述线圈的绕组可以被布置在所述载体的两侧上。在各个实施例中，所述电容器的部分可以被布置在所述载体的两侧上。
[0040]根据各个进一步的实施例，提供了增强器天线结构，所述增强器天线结构包括:线圈，具有形成多个绕组的导体；芯片耦合区域，沿着所述芯片耦合区域的四侧被所述线圈的部分实质地完全包围，其中，所述线圈的部分以无交叉方式实质地完全包围所述芯片耦合区域，以使得在所述芯片耦合区域的至少一侧上，在所述芯片耦合区域的内部与外部之间存在通道。
[0041]虽然已经参照特定实施例特定地示出并且描述了本发明，但本领域技术人员应当理解，在不脱离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在其中作出形式和细节上的各种改变。本发明的范围因此由所附权利要求指示，并且因此意图涵盖进入权利要求的等同物的意义和范围内的所有改变。
【主权项】
1.一种增强器天线结构，包括: 芯片耦合区域； 线圈，具有形成多个绕组的导体； 其中，所述线圈实质地完全包围所述芯片耦合区域，其中，所述导体以无交叉方式被布置在所述芯片耦合区域周围。
2.如权利要求1所述的增强器天线结构， 其中，所述芯片耦合区域被配置为感应地耦合到布置在芯片封装上的线圈，其中，所述芯片封装被布置在所述芯片耦合区域中。
3.如权利要求1所述的增强器天线结构， 其中，所述芯片耦合区域具有在第一尺寸上从I毫米延伸到20毫米并且在第二尺寸上从I毫米延伸到20毫米的大小。
4.如权利要求1所述的增强器天线结构，还包括: 电容器，其与所述线圈电耦合。
5.如权利要求1所述的增强器天线结构， 其中，包围所述芯片耦合区域的所述线圈的部分被布置为使得:它们准许被定向在统一方向上的电流流动，以使得通过所述线圈的这些部分的电流流动所生成的磁场彼此相力口，由此在所述增强器天线结构的操作期间放大彼此。
6.如权利要求4所述的增强器天线结构，还包括: 载体，在其上布置所述线圈。
7.如权利要求6所述的增强器天线结构， 其中，所述线圈的绕组被布置在所述载体的一侧上。
8.如权利要求6所述的增强器天线结构， 其中，所述线圈的绕组被布置在所述载体的两侧上。
9.如权利要求6所述的增强器天线结构， 其中，所述电容器包括线电容器。
10.如权利要求6所述的增强器天线结构， 其中，所述电容器的部分被布置在所述载体的两侧上。
11.一种芯片卡，包括: 增强器天线结构，包括: 芯片耦合区域； 线圈，具有形成多个绕组的导体； 其中，所述线圈实质地完全包围所述芯片耦合区域，其中，所述导体以无交叉方式被布置在所述芯片耦合区域周围。
12.如权利要求11所述的芯片卡， 其中，所述芯片耦合区域被配置为感应地耦合到布置在芯片封装上的线圈，其中，所述芯片封装被布置在所述芯片耦合区域中。
13.如权利要求11所述的芯片卡， 其中，所述芯片耦合区域具有在第一尺寸上从I毫米延伸到20毫米并且在第二尺寸上从I毫米延伸到20毫米的大小。
14.如权利要求11所述的芯片卡，还包括: 电容器，其与所述线圈电耦合。
15.如权利要求11所述的芯片卡， 其中，包围所述芯片耦合区域的所述线圈的部分被布置使得:它们准许被定向在统一方向上的电流流动，以使得通过所述线圈的这些部分的电流流动所生成的磁场彼此相加，由此在所述增强器天线结构的操作期间放大彼此。
16.如权利要求14所述的芯片卡，还包括: 载体，在其上布置所述线圈。
17.如权利要求16所述的芯片卡， 其中，所述线圈的绕组被布置在所述载体的一侧上。
18.如权利要求16所述的芯片卡， 其中，所述线圈的绕组被布置在所述载体的两侧上。
19.如权利要求16所述的芯片卡， 其中，所述电容器的部分被布置在所述载体的两侧上。
20.一种增强器天线结构，包括: 线圈，具有形成多个绕组的导体； 芯片耦合区域，沿着所述芯片耦合区域的四侧被所述线圈的部分实质地完全包围；其中，所述线圈的部分以无交叉方式实质地完全包围所述芯片耦合区域，以使得在所述芯片耦合区域的至少一侧上，在所述芯片耦合区域的内部与外部之间存在通道。
【专利摘要】公开了一种增强器天线结构。在各个实施例中，提供了增强器天线结构，增强器天线结构包括：芯片耦合区域；线圈，具有形成多个绕组的导体，其中，所述线圈实质地完全包围所述芯片耦合区域，其中，所述导体以无交叉方式被布置在所述芯片耦合区域周围。
【IPC分类】H01Q23-00, H01Q7-00
【公开号】CN104577342
【申请号】CN201410526244
【发明人】S.兰佩茨赖特, A.维尔勒
【申请人】英飞凌科技股份有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2014年10月9日
【公告号】DE102014114570A1, US20150097040