的孔在加长的方向上的长度比加长的孔的宽度长至少0.4 μm，例如长至少0.6 μm，例如长至少0.8 μm，例如长至少I μπι。在一个实施方案中，在所述加长的方向上，加长的孔的长度比加长的孔的宽度长至少0.8 μ??。
[0042]在一个实施方案中，在基板上生长第一第III族氮化物直至在沉积第一层和第二层后，上脊部的宽度等于或小于300nm。在一个实施方案中，在基板上生长第一第III族氮化物直至在沉积第一层和第二层后，上脊部的宽度等于或小于200nm，例如等于或小于150nm，例如等于或小于lOOnm。
[0043]第二层优选比单层更厚，并且薄于300nm。
[0044]在一个实施方案中，加长的孔呈由矩形连接的两个半圆的形式，其中所述矩形的宽度等于所述半圆的直径且矩形的长度(E)大于O。这可由图3中看出。描述本实施方案的一个替代方式为，加长的孔呈具有四个圆角的矩形形式，其中圆角的半径为矩形宽度的一半且矩形的长度长于两个半径。在一个实施方案中，所述加长的孔为椭圆孔。
[0045]在一个实施方案中，矩形的长度为至少0.2 μ m。在一个实施方案中，矩形的长度为至少0.4 μ m，例如至少0.6 μ m，例如至少0.8 μ m，例如至少I μ m。在一个实施方案中，矩形的长度为至少0.8 μπι。
[0046]在一个实施方案中，该方法还包括在基板上生长第一第III族氮化物的底层的步骤，在该底层上设置掩膜且在该底层上生长所述第一第III族氮化物；该步骤在基板上设置掩膜之前实施。
[0047]在包括底层的生长的一个实施方案中，其中加长的孔的纵向方向取向为所述底层的第III族氮化物的[2U0]方向，或相对于所述底层的第III族氮化物的[2U0]方向旋转30°、60°、90°、120°、150°或180°。在包括底层的生长的一个实施方案中，其中加长的孔的纵向方向取向为所述底层的第III族氮化物的
[2110]方向，或相对于所述底层的第III族氮化物的
[2110]方向旋转60°、120°或180°。
[0048]在一个实施方案中，所述第一第III族氮化物的生长为同质外延生长。
[0049]在该方法的一个实施方案中，第III族氮化物结构为根据以上所述实施方案的第III族氮化物结构，和/或包括以下所述的第III族氮化物。
[0050]第III族氮化物是第III族元素的氮化物，所述第III族元素即属于硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、铟(In)、铭(Tl)和第 113 号元素(ununtrium，Uut) —族的元素。
[0051]通过生长包括镓、铝、铟或它们的混合物的结构，所产生的结构具有可用于LED或LD的优异的半导体特性。
[0052]在一个实施方案中，该第一第III族氮化物的第III族元素是镓、铝、铟或它们的混合物。第一第III族氮化物可以是单一的III族氮化物，如氮化镓、氮化铝或氮化铟。或者，第一第III族氮化物可以是包括金属混合物(如镓和铝的组合，或者镓和铟的组合，或者镓、铝和铟的组合)的氮化物。第一第III族氮化物可以是包括镓和铝的混合物的氮化物。第一第III族氮化物可以是氮化镓、氮化铝、铝镓氮化物、铟镓氮化物或铟铝镓氮化物。
[0053]在一个实施方案中，该第二第III族氮化物的第III族元素是镓、铝、铟或它们的混合物。第二第III族氮化物可以是单一的第III族氮化物，如氮化镓、氮化铝或氮化铟。或者，第二第III族氮化物可以是包括金属混合物(如镓和铝的组合，或者镓和铟的组合，或者镓、铝和铟的组合)的氮化物。第二第III族氮化物可以是包括镓和铝的混合物的氮化物。第二第III族氮化物可以是氮化镓、氮化铝、铝镓氮化物、铟镓氮化物、铝铟氮化物或铟铝镓氮化物。
[0054]在一个实施方案中，该第三第III族氮化物的第III族元素是镓、铝、铟或它们的混合物。第三第III族氮化物可以是单一的III族氮化物，如氮化镓、氮化铝或氮化铟。或者，第三第III族氮化物可以是包括金属混合物(如镓和铝的组合，或者镓和铟的组合，或者镓、铝和铟的组合)的氮化物。第三第III族氮化物可以是包括镓和铝的混合物的氮化物。第三第III族氮化物可以是氮化镓、氮化铝、氮化铟、铝镓氮化物、铟镓氮化物或铟铝镓氮化物。
[0055]在一个实施方案中，第一第III族氮化物的第III族元素是镓或包含镓的金属混合物。第一第III族氮化物可以为氮化镓或包括金属混合物的氮化物，金属混合物的其中之一是镓，如铝镓氮化物、铟镓氮化物或铟铝镓氮化物。第一第III族氮化物可以是氮化镓。
[0056]在一个实施方案中，所述第二第III族氮化物的第III族元素是包含铟和镓的金属混合物。第二第III族氮化物可以为铟镓氮化物或包括金属混合物的氮化物，金属混合物包括铟和镓，例如铟镓氮化物或铟铝镓氮化物。第一第III族氮化物可以是铟镓氮化物。
[0057]在一个实施方案中，第三第III族氮化物的第III族元素是镓或包含镓的金属混合物。第三第III族氮化物可以为氮化镓或包括金属混合物的氮化物，金属混合物的其中之一是镓，如铝镓氮化物，铟镓氮化物或铟铝镓氮化物。第三第III族氮化物可以是氮化镓。
[0058]在一个实施方案中，第一第III族氮化物是氮化镓，第二第III族氮化物是铟镓氮化物，第三第III族氮化物是氮化镓。
[0059]实验实施例
[0060]结构的完整结构通过水平低压热壁金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统生长，该系统使用三甲基镓，三甲基铟，和NH3作为前体。
[0061]InGaN量子点外延生长在由氮化镓(GaN)制成的选择性生长的不对称的三维纳米结构之上。棱锥通过30nm厚的SiN掩膜中的开口选择性地生长，该开口通过紫外光刻/反应性离子刻蚀(RIE)工艺产生。当孔利用常规的紫外光刻/RIE工艺产生时，可以在微米尺度精确控制孔的位置、密度和面积(当应用电子束光刻时可达纳米尺度)。掩模开口由半径R= 1.5 μπι(该半径等于矩形的宽度的一半)的圆角矩形的方形阵列(间距约6.3μπι米)构成。横跨基板，圆角矩形的长度以0.2 μπι的步进从3.0 μπι至4.0 μπι变化，这分别对应于结构棱锥的底部加长为0.2 μ m、0.4 μ m、0.6 μ m、0.8 μ m和1.0 μ m。
[0062]当在例如具有SiN掩膜的GaN的这样的模板上实施MOCVD生长时，生长在SiN孔中选择性地发生，其后来发展为三维GaN纳米结构。选择性生长的三维GaN纳米结构的晶体结构仿照下层的GaN模板的晶体结构，因此在SiN孔内部形成有明显{1101}小面的(0001)取向的GaN岛。(0001)和{Π01}小面之间的倾斜角度约62度，因此{1101}面会聚。在一个完美对称SiN的孔情况下，{1101}小面理想化地会聚成一个单个点。
[0063]图3中示出了从上方观察的掩膜开口以及所得到的六棱锥的图。图3还示出了掩膜开口加长的内部参数E。E = 0.0 μm对应于圆。当SiN孔的对称性被加长所打破，{1101}小面会聚成(0001)狭窄的脊部。脊部的宽度W和长度L，如图1所示，分别大约为90nm和L 2 μ m0
[0064]棱锥底部和随后的InGaN量子阱/量子点和GaN帽层分别在1030°C、800°C和800°C的生长温度下生长。在其上生长加长的棱锥的模板为在(0001)取