第iii族氮化物半导体发光装置及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明的技术领域设及第III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。更具体 地，本发明设及表现出对金属迁移的抑制的第III族氮化物半导体发光装置及其制造方 法。
【背景技术】
[0002] 在第III族氮化物半导体发光装置中，P电极或n电极由金属形成。金属包括例 如引起迁移的Ag或A1。迁移指W下现象：当向金属材料施加电场时，金属材料中所含的金 属原子移动到表面或其他材料如绝缘构件的内部。因此，已开发了抑制金属迁移的技术。
[0003] 日本专利特许公开（特开）No. 2006-24750公开了具有n型层2、发光层3、p型层 4、在P型层4上由Pt形成的薄膜7曰、薄膜7a上的Ag合金层化、Ag合金层化上的阻挡金 属层7c和所述阻挡金属层7c上的P侧结合层7d的发光装置8 (参考段[0029]至段[007引 和图1)。由此，可W抑制Ag迁移（参考段[0021]至段[0023])。
[0004] 当W运种方式形成阻挡金属层时，用于制造半导体发光装置的方法具有形成阻挡 金属层的步骤。因此，对于该步骤需要多个步骤。 阳〇化]另一方面，优选地，制造方法的步骤数尽可能少。步骤数越少，周期越短。目P，通过 减少步骤数可W降低成本。
[0006] 然而，不抑制Ag原子或Al原子的迁移的发光装置使用寿命短。因此，优选地，在 抑制金属原子迁移的同时简化制造工艺。
【发明内容】
[0007] 构思了本发明来解决传统技术中设及的上述技术问题。因此，本发明的一个目的 是：提供简化制造过程同时对Ag原子和Al原子中至少之一的迁移进行抑制的第III族氮 化物半导体发光装置及其制造方法。
[0008] 在本技术的第一方面中，提供了一种用于制造包括第一导电型第一半导体层、发 光层和第二导电型第二半导体层的第III族氮化物半导体发光装置的方法，所述方法包 括：
[0009] 第一电极形成步骤：形成待电连接至第一半导体层的第一电极； 阳010] 第二电极形成步骤：形成待电连接至第二半导体层的第二电极；
[0011] 第二电极侧阻挡金属形成步骤：在所述第二电极上形成第二电极侧阻挡金属。
[0012] 第二电极具有包括Ag和Al中至少之一的电极层。在第一电极形成步骤和第二电 极侧阻挡金属形成步骤时，在第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层的同时，形成待电连 接至第一半导体层的第一电极。在同一层状结构中沉积第一电极和第二电极侧阻挡金属 层。
[0013] 在用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法中，将第一电极形成步骤和第 二电极侧阻挡金属层形成步骤组合成一个步骤。目P，通过执行同一个步骤一次，可W形成第 一电极和第二电极侧阻挡金属层两者。因此，步骤数少于当分开形成第一电极和第二电极 侧阻挡金属层时的步骤数。制造半导体发光装置的周期短。如此制造的半导体发光装置包 括具有反射膜的第二电极。因此，第二电极将从发光层发出的光朝着半导体层适当地反射。 因此，光几乎不被第二电极侧阻挡金属层或第二电极的其他层吸收。目P，半导体发光装置的 提取效率高。
[0014] 本技术的第二方面设及用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法的具体 方式，所述方法包括在第一半导体层和第一电极之间形成第一金属层的第一金属层形成步 骤。在第一金属层形成步骤和第二电极形成步骤中，在形成第二电极的同时形成第一金属 层，并且在同一层状结构中沉积一金属层和第二电极。
[0015] 本技术的第=方面设及用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法的具体 方式，其中，第一半导体层是n型半导体层，而第二半导体层是P型半导体层。第一电极是n 电极，而第二电极是P电极。第一电极形成步骤是n电极形成步骤。第二电极侧阻挡金属 层形成步骤是P侧阻挡金属层形成步骤。n电极形成步骤包括在P电极上形成P侧阻挡金 属层的P侧阻挡金属层形成步骤。P电极具有包括Ag和Al中至少之一的电极层。在n电 极形成步骤和P侧阻挡金属层形成步骤中，在P电极上形成P侧阻挡金属层的同时，在n型 半导体层上形成n电极。在同一层状结构中沉积n电极和P侧阻挡金属层。
[0016] 本技术的第四方面设及用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法的具体 方式，其中，第一半导体层是P型半导体层，而第二半导体层是n型半导体层。第一电极是P 电极，而第二电极是n电极。第一电极形成步骤是P电极形成步骤。第二电极侧阻挡金属 层形成步骤是n侧阻挡金属层形成步骤。P电极形成步骤包括在n电极上形成n侧阻挡金 属层的n侧阻挡金属层形成步骤。n电极具有包括Ag和Al中至少之一的电极层。在P电 极形成步骤和n侧阻挡金属层形成步骤中，在n电极上形成n侧阻挡金属层的同时，在P型 半导体层或P型半导体层上的透明电极上形成P电极。在同一层状结构中沉积P电极和n 侧阻挡金属层。
[0017] 本技术的第五方面设及用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法的具体 方式，所述方法包括在P型半导体层上形成透明电极的透明电极形成步骤。
[0018] 本技术的第六方面设及用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法的具体 方式，所述方法包括在透明电极上形成绝缘层的绝缘层形成步骤和在P型半导体层的部分 上形成至少一个电流阻挡层的电流阻挡层形成步骤，其中，P电极形成在绝缘层上并且通过 接触间隙接触透明电极，所述形成电流阻挡层的部分在接触间隙下方。
[0019] 本技术的第屯方面设及用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法的具体 方式，所述方法包括在n型半导体层上形成具有另外的接触间隙的另外的绝缘层，其中，n 电极形成在绝缘层上并且通过接触间隙接触n型半导体层。
[0020] 本技术的第八方面设及用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法的具体 方式，其中，绝缘层形成步骤是形成分布式布拉格反射器作为绝缘层的步骤。
[0021] 本技术的第九方面设及用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法的具体 方式，其中，第二电极侧阻挡金属层包括选自W下集合中的至少一个集合：依次沉积在P电 极上的Ti、Al合金、Ta、Ti、Pt、Au和Al的集合W及依次沉积在P电极上的Ti、化、Ti、Au 和Al的集合。
[0022] 本技术的第十方面设及用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法的具体 方式，其中，第二电极侧阻挡金属层包括依次沉积在n电极上的Ti、化、Ti、Au、Al的集合。
[0023] 在本技术的第十一方面中，提供了第III族氮化物半导体发光装置，所述装置包 括：
[0024] 第一导电型第一半导体层；
[00巧]第一半导体层上的发光层；
[00%] 发光层上的第二导电型第二半导体层；
[0027] 电连接至第一半导体层的第一电极；W及
[0028] 电连接至第二半导体层的第二电极。
[0029] 发光装置具有第二电极上的第二电极侧阻挡金属层。第二电极具有包括Ag和Al 中至少之一的电极层。第二电极侧阻挡金属层具有与第一电极的层状结构相同的层状结 构。
[0030] 在本技术的第十二方面中，提供了第III族氮化物半导体发光装置，其中，第一电 极具有第一焊盘电极，第二电极侧阻挡金属层具有第二焊盘电极。
[0031] 本说明书提供了一种第III族氮化物半导体发光装置及其制造方法，其中，在对 Ag原子和Al原子中至少之一的迁移进行抑制的同时简化了所述制造方法。
【附图说明】
[0032] 因为当结合附图考虑时，参照下面对优选实施方案的详细描述，本发明的各种其 他目标、特征和许多伴随的优点变得更好理解，所W将很容易理解本发明的各种其他目标、 特征和许多伴随的优点，在附图中：
[0033] 图1是示出了根据实施方案1的发光装置的结构的平面图；
[0034] 图2是示出了图1的II-II截面的截面图；
[0035] 图3是示出了图1的III-III截面的截面图；
[0036] 图4是示出了图1的IV-IV截面的截面图；
[0037] 图5是示出了图1的V-V截面的截面图；
[0038] 图6是示出了图1的VI-VI截面的截面图；
[0039] 图7是示出了图1的VII-VII截面的截面图；
[0040] 图8是示出了图1的VIII-VIII截面的截面图；
[0041] 图9是示出了用于制造根据实施方案1的发光装置的方法的视图（部分1);
[0042] 图10是示出了用于制造根据实施方案1的发光装置的方法的视图（部分2);
[0043] 图11是示出了用于制造根据实施方案1的发光装置的方法的视图（部分3);
[0044] 图12是示出了用于制造根据实施方案1的发光装置的方法的视图（部分4); W45] 图13是示出了用于制造根据实施方案1的发光装置的方法的视图（部分W;
[0046] 图14是示出了用于制造根据实施方案1的发光装置的方法的视图（部分6);
[0047