电极Nl的n焊盘电极Nlc被露出而未覆盖保护膜Fl。 阳187] 3.用于制造半导体发光装置的方法 阳18引在实施例3中，P电极形成步骤、n侧金属层形成步骤、n电极形成步骤和P侧阻挡 金属层形成步骤与实施方案1中的不同。因此，将仅描述不同的步骤。一直到图12的绝缘 层形成步骤的各个步骤与实施方案1中的那些相同。 阳189] 3-1. P电极形成步骤和n侧金属层形成步骤
[0190]随后，如图24所示，在同一步骤中执行P电极形成步骤和n侧金属层形成步骤。 良P，在P电极形成步骤和n侧金属层形成步骤中，在绝缘层INl上形成n侧金属层N3的同 时，在透明电极TEl和绝缘层IPl上形成P电极Pl。当沉积P电极Pl和n侧金属层N3时， 按照相同的次序并且W相同的厚度形成P电极Pl和n侧金属层N3中的每个层。因此，膜 形成之后的P电极Pl和n侧金属层N3具有相同的层状结构。 阳191] 3-2. n电极形成步骤和P侧阻挡金属层形成步骤 阳192]然后，如图25所示，在同一步骤中执行n电极形成步骤和P侧阻挡金属层形成步 骤。在n电极形成步骤和P侧阻挡金属层形成步骤中，在P电极Pl上形成P侧阻挡金属层BMl的同时，在n侧金属层N3上形成n电极N1。当沉积n电极Nl和P侧阻挡金属层BMl 时，按照相同的次序并且W相同的厚度形成n电极Nl和P侧阻挡金属层BMl的每个层。膜 形成之后的n电极Nl和P侧阻挡金属层BMl具有相同的层状结构。 阳193] 实施方案4 阳194] 接下来将描述实施方案4,所述描述集中在与实施例1和实施例2的差异上。
[01巧]1.半导体发光装置 阳196] 图26是示出了根据实施方案4的发光装置400的结构的平面图。图27是示出了 图26的XXVII-XXVII截面的截面图。如图27所示，发光装置400具有衬底110、n型半导 体层120、发光层130、P型半导体层140、透明电极TE1、绝缘层IP1、保护膜F1、P侧金属层 P3和P电极P2。如图2所示，发光装置400具有绝缘层IN1、电流阻挡层CBl和n电极N1。 阳197] 2.电极附近的结构 阳198]如图27所示，在透明电极TEl上形成绝缘层IPl。在绝缘层IPl上形成P侧金属 层P3。在P侧金属层P3上形成P电极P2。在P电极P2上形成保护膜F1。即，P侧金属层 P3覆盖有绝缘层IPl和P电极P2。
[0199] 3.用于制造半导体发光装置的方法 阳200] 在实施方案4中，n电极形成步骤、P侧金属层形成步骤、P电极形成步骤和n侧阻 挡金属层形成步骤与实施方案1中的不同。因此，将仅描述不同的步骤。一直到图12的缘 层形成步骤的各个步骤与实施方案1中的那些相同。 阳201] 3-1.n电极形成步骤和P侧金属层形成步骤 阳202] 随后，如图28所示，在同一步骤中执行n电极形成步骤和P侧金属层形成步骤。 良P，在n电极形成步骤和P侧金属层形成步骤中，在绝缘层IPl上形成P侧金属层P3的同 时，在n型半导体层120和绝缘层INl上形成n电极N2。按照相同的次序并且W相同的厚 度形成n电极N2和P侧金属层P3的每个层。因此，膜形成之后的n电极N2和P侧金属层 P3具有相同的层状结构。 阳203] 3-2.P电极形成步骤和n侧阻挡金属层形成步骤 阳204] 然后，如图29所示，在同一步骤中执行P电极形成步骤和n侧阻挡金属层形成步 骤。目P，在P电极形成步骤和n侧阻挡金属层形成步骤中，在n电极N2上形成n侧阻挡金 属层BM2的同时，在P侧金属层P3上形成P电极P2。当沉积P电极P2和n侧阻挡金属层 BM2时，按照相同的次序并且W相同的厚度形成P电极P2和n侧阻挡金属层BM2的每个层。 因此，膜形成之后的P电极P2和n侧阻挡金属层BM2具有相同的层状结构。
【主权项】
1. 一种用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法，所述第III族氮化物半导体 发光装置包括第一导电型第一半导体层、发光层和第二导电型第二半导体层的，所述方法 包括： 形成电连接至所述第一半导体层的第一电极； 形成电连接至所述第二半导体层的第二电极；以及 在所述第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层；其中 所述第二电极具有包括Ag和A1中至少之一的电极层； 在形成所述第一电极以及形成所述第二电极侧阻挡金属层时，在所述第二电极上形成 所述第二电极侧阻挡金属层的同时，形成电连接至所述第一半导体层的所述第一电极；以 及 在同一层状结构中沉积所述第一电极和所述第二电极侧阻挡金属层。2. 根据权利要求1所述的用于形成所述第III族氮化物半导体发光装置的方法，所述 方法包括： 在所述第一半导体层和所述第一电极之间形成第一金属层；其中， 在形成所述第一金属层和形成所述第二电极时，在形成所述第二电极的同时形成所述 第一金属层；以及 在所述同一层状结构中沉积所述第一金属层和所述第二电极。3. 根据权利要求1所述的用于制造所述第III族氮化物半导体发光装置的方法，其中， 所述第一半导体层是η型半导体层，所述第二半导体层是p型半导体层，所述第一电极是η 电极，所述第二电极是Ρ电极。4. 根据权利要求1所述的用于制造第III族氮化物半导体发光装置的方法，其中，所 述第一半导体层是Ρ型半导体层，所述第二半导体层是η型半导体层，所述第一电极是ρ电 极，所述第二电极是η电极。5. 根据权利要求3所述的用于制造所述第III族氮化物半导体发光装置的方法，所述 方法包括： 在所述Ρ型半导体层上形成透明电极。6. 根据权利要求4所述的用于制造所述第III族氮化物半导体发光装置的方法，所述 方法包括： 在所述Ρ型半导体层上形成透明电极。7. 根据权利要求5所述的用于形成所述第III族氮化物半导体发光装置的方法，所述 方法包括： 在所述透明电极上形成具有接触间隙的绝缘层；以及 在所述Ρ型半导体层的部分上形成至少一个电流阻挡层； 其中，所述Ρ电极形成在所述绝缘层上并且通过所述接触间隙接触所述透明电极，形 成所述电流阻挡层的所述部分位于所述接触间隙下方。8. 根据权利要求6所述的用于形成所述第III族氮化物半导体发光装置的方法，所述 方法包括： 在所述透明电极上形成具有接触间隙的绝缘层；以及 在所述Ρ型半导体层的部分上形成至少一个电流阻挡层； 其中，所述P电极形成在所述绝缘层上并且通过所述接触间隙接触所述透明电极，形 成所述电流阻挡层的所述部分位于所述接触间隙下方。9. 根据权利要求7所述的用于形成所述第III族氮化物半导体发光装置的方法，所述 方法包括： 在所述η型半导体层上形成具有另外的接触间隙的另外的绝缘层，其中，所述η电极形 成在所述绝缘层上并且通过所述接触间隙接触所述η型半导体层。10. 根据权利要求8所述的用于形成所述第III族氮化物半导体发光装置的方法，所述 方法包括： 在所述η型半导体层上形成具有另外的接触间隙的另外的绝缘层，其中，所述η电极形 成在所述绝缘层上并且通过所述接触间隙接触所述η型半导体层。11. 根据权利要求9或10所述的用于形成所述第III族氮化物半导体发光装置的方 法，其中，在形成所述绝缘层中，形成分布式布拉格反射器膜作为绝缘层。12. 根据权利要求3所述的用于形成所述第III族氮化物半导体发光装置的方法，其 中，所述第二电极侧阻挡金属层包括选自以下集合中的至少一个集合：依次沉积在所述Ρ 电极上的Ti、Al合金、了&、11、？丨、411和41的集合，以及依次沉积在所述？电极上的11、他、 Ti、Au和A1的集合。13. 根据权利要求4所述的用于形成所述第III族氮化物半导体发光装置的方法，其 中，所述第二电极侧阻挡金属层包括依次沉积在所述η电极上的Ti、Rh、Ti、Au、A1的集合。14. 一种第III族氮化物半导体发光装置，所述装置包括： 第一导电型第一半导体层； 发光层； 第二导电型第二半导体层； 电连接至所述第一半导体层的第一电极；以及 电连接至所述第二半导体层的第二电极； 其中，在所述第二电极上形成有第二电极侧阻挡金属层； 所述第二电极具有包括Ag和A1中至少之一的电极层；以及 所述第二电极侧阻挡金属层具有与所述第一电极的层状结构相同的层状结构。15. 根据权利要求14所述的第III族氮化物半导体发光装置，其中，所述第一电极具有 第一焊盘电极，所述第二电极侧阻挡金属层具有第二焊盘电极。
【专利摘要】本发明提供了第III族氮化物半导体发光装置及其制造方法，其中，在对Ag原子和Al原子中至少之一的迁移进行抑制的同时简化了所述制造方法。所述制造方法包括以下步骤：形成第一电极，形成第二电极，以及在所述第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层。此外，所述第二电极具有包括Ag和Al中至少之一的电极层。在形成第一电极和第二电极侧阻挡金属层时，在第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层的同时，形成电连接至第一半导体层的第一电极。在同一层状结构中沉积第一电极和第二电极侧阻挡金属层。
【IPC分类】H01L33/40
【公开号】CN105428491
【申请号】CN201510543323
【发明人】户谷真悟
【申请人】丰田合成株式会社
【公开日】2016年3月23日
【申请日】2015年8月28日
【公告号】US20160079467