>[0138] 7-1.分布式布拉格反射器值BR)
[0139] 根据实施方案1的绝缘层IPl和绝缘层INl中的至少之一可W是分布式布拉格反 射器值BR)。在那种情况下，绝缘层IPl和绝缘层INl中的至少之一对朝着P电极Pl和n 电极Nl中的至少之一前进的光进行反射。不用说，绝缘层IPl和绝缘层INl两者都可W是 分布式布拉格反射器值BR)。出于此目的，例如，交替地形成Si〇2膜和Ti〇2膜。不用说，可 W采用其他材料。 阳140] 7-2.倒装忍片型和剥离型 阳141] 实施方案1适用于面朝上型的发光装置100。然而，实施方案1还可W应用于其他 半导体发光装置。不用说，实施方案1还可W应用于例如具有衬底侧上的光提取表面的倒 装忍片型半导体发光装置或者通过剥离工艺移除生长衬底的半导体发光装置。 阳142] 7-3.透明电极的材料
[0143] 在实施方案1中，透明电极TEl由IZO形成。然而，可W采用透明导电氧化物如 口0、ICO、化0、Ti〇2、NbTi〇2和hTiO2来代替IZ0。 阳144] 7-4.导电类型
[0145] 在实施方案I中，第一导电型是n型，而第二导电型是P型。然而，导电类型可W 相反。在实施方案2中将描述当第一导电型是P型并且第二导电型是n型时的情况。 阳146] 8.实施方案1的概要 阳147] 如在上文中所述，在用于制造发光装置100的方法中，将n电极形成步骤和P侧阻 挡金属层形成步骤组合成一个步骤。目P，通过执行所述同一步骤一次来形成n电极Nl和P侧阻挡金属层BMl两者。因此，步骤数少于当分开形成n电极Nl和P侧阻挡金属层BMl时 的步骤数。制造发光装置100的周期短。
[0148] 通过用于制造根据实施方案1的半导体发光装置的方法制造的发光装置100具有 还用作反射膜的P电极Pl。因此，P电极Pl将来自发光层130的光朝半导体层反射。因 此，P侧阻挡金属层BMl几乎不吸收光。目P，半导体发光装置具有高的提取率。
[0149] 上述实施方案仅仅是示例。因此，应当理解，只要那些对本发明技术的各种修改方 案和变化方案落在本发明技术的范围内，本领域的技术人员就可W提供对所述技术的各种 修改方案和变化方案。分层体的层状结构不应该只限于如所说明的那些层状结构，并且可 W任意选择层状结构、厚度和其他因素。半导体层生长技术不限于金属有机化学气相沉积 (MOCVD)，还可W采用其他气相外延技术和其他液相外延技术。 阳150] 实施方案2 阳151] 接下来将描述实施方案2。在实施方案1中，在同一步骤中形成n电极Nl和P侧 阻挡金属层BMl。另一方面，在实施方案2中，在同一步骤中形成P电极Pl和n侧阻挡金属 层BM2。 阳152] 1.半导体发光装置 阳153] 图15是示出了根据实施方案2的发光装置200的平面图。如图2所示，除了衬底 110、n型半导体层120、发光层130、p型半导体层140、绝缘层INl、电流阻挡层CBl、透明电 极TE1、绝缘层IP1、保护膜FlW外，发光装置200还包括后面将描述的n电极N2 (参照图 16)、n侧阻挡金属层BM2 (参照图16)和P电极P2 (参照图17)。 阳154] 2.电极附近的结构 阳155] 2-1.n电极附近的结构 阳156]图16是示出了图15的XVI-XVI截面的截面图。如图16所示，在n型半导体层 120的一部分120a上形成n电极N2。在n电极N2上形成n侧阻挡金属层BM2。n侧阻挡 金属层BM2完全覆盖n电极N2的表面。即，n侧阻挡金属层BM2和n型半导体层120完全 覆盖n电极N2。在n侧阻挡金属层BM2和n型半导体层120的剩余部分12化上形成保护 膜F1。后面将描述n电极N2的材料。保护膜Fl由例如Si化形成。保护膜Fl可W由代替 Si〇2的其他绝缘透明膜形成。
[0157] n电极N2具有包括Ag和Al中至少之一的电极层。该电极层是厚度为50皿W上 的反射电极层，并且由Ag或Al或者运些材料的合金形成。反射电极层是反射光的层。优 选地，反射电极层的厚度为50皿W适当地反射光。 阳158] 2-2.P电极附近的结构 阳159] 图17是示出了图15的XVII-XVII截面的截面图。如图17所示，在P型半导体层 140的一部分140a上设置电流阻挡层CBl。在电流阻挡层CBl和P型半导体层140的剩余 部分14化上布置透明电极TEl。在透明电极TEl上布置P电极P2。当将P电极P2投影在 P型半导体层140的表面上时，其投影区域包括在形成电流阻挡层CBl的区域中。 阳160] 3. n侧阻挡金属层和P电极 阳161] 3-1. P电极和n侧阻挡金属层的层状结构 阳16引如图16和图17的阴影部分所示，图16的n侧阻挡金属层BM2的层状结构与图17 的P电极P2的层状结构相同。如后面所述，n侧阻挡金属层BM2和P电极P2在同一步骤 中形成。因此，在n侧阻挡金属层BM2和P电极P2中，从较低的层按照相同的次序依次形 成所述各层，并且在膜形成误差范围内，沉积的每个层的厚度也相同。 阳163] 3-2.P电极和n侧阻挡金属层的材料
[0164] 3-2-1.实施例 4 阳1化]接下来将描述n电极N2、n侧阻挡金属层BM2和P电极P2的材料。在表2的实 施例4中，n电极N2由依次沉积在n型半导体层120上的Ti、Ag合金、化和Ti形成。与 n型半导体层120接触的Ti的厚度为2皿。Ag合金的厚度为100皿。化的厚度为100皿。 Ti的厚度为50nm。运些层的厚度仅仅是示例，并且可W使用其他厚度。
[0166] n侧阻挡金属层BM2由依次沉积在n电极N2上的Ti、化、Ti、Au、Al形成。Ti的 厚度为化m。化的厚度为100皿。Ti的厚度为50皿。Au的厚度为1500皿。Al的厚度为 10皿。运些层的厚度仅仅是示例，还可W使用其他厚度。 阳167] 按照与实施例4的n侧阻挡金属层BM2的层的次序相同的次序沉积实施例4的P 电极P2的层。P电极P2由依次沉积在透明电极TEl上的Ti、化、Ti、Au和Al形成。Ti的 厚度为化m。化的厚度为100皿。Ti的厚度为50皿。Au的厚度为1500皿。Al的厚度为 10皿。运些层的厚度仅仅是示例，还可W使用其他厚度。
[0168] 3-2-2.实施例5 阳169] 在表2的实施例5中，n电极N2由依次沉积在n型半导体层120上的Ti、Al、Ta 和Ti形成。与n型半导体层120接触的Ti的厚度为2皿。Al的厚度为100皿。化的厚度 为lOOnm。Ti的厚度为50nm。运些层的厚度仅仅是示例，还可W使用其他厚度。 阳170] 实施例5的n侧阻挡金属层BM2与实施例4的n侧阻挡金属层BM2相同。 阳17U 按照与实施例5的n侧阻挡金属层BM2的层的次序相同的次序沉积实施例5的P 电极P2的层。 阳17引表2
阳174] 4.用于制造半导体发光装置的方法
[0175] 在实施方案2中，n电极形成步骤、P电极形成步骤和n侧阻挡金属层形成步骤与 实施方案I中的不同。因此，仅描述不同的步骤。一直到图12的绝缘层形成步骤的各个步 骤与实施方案1中的相同。 阳176] 4-1. n电极形成步骤 阳177] 如图18所示，在n型半导体层120和绝缘层INl上形成n电极N2。例如，在n型半 导体层120上如实施例5所示依次沉积厚度为2nm的Ti、厚度为IOOnm的Al、厚度为IOOnm 的化、厚度为50皿的Ti。
[0178] 4-2.P电极形成步骤和n侧阻挡金属层形成步骤
[0179] 随后，如图19所示，在同一步骤中执行P电极形成步骤和n侧阻挡金属层形成步 骤。目P，在P电极形成步骤和n侧阻挡金属层形成步骤中，在N电极N2上形成n侧阻挡金 属层BM2的同时，在透明电极TEl上形成P电极P2。当沉积P电极P2和n侧阻挡金属层 BM2时，按照相同的次序并且W相同的厚度形成P电极P2和n侧阻挡金属层BM2的每个层。 因此，膜形成之后的P电极P2和n侧阻挡金属层BM2具有相同的层状结构。 阳180]实施方案3 阳181] 接下来将描述实施方案3,所述描述集中在与实施例1和实施例2的差异上。 阳182] 1.半导体发光装置 阳183]图20是示出了根据实施方案3的发光装置300的结构的平面图。图21是示出了 图20的XXI-XXI截面的截面图。如图21所示，发光装置300具有衬底110、n型半导体层 120、发光层130、P型半导体层140、绝缘体INl、电流阻挡层CB1、透明电极TE1、绝缘层IP1、 n侧金属层N3、n电极Nl、P电极PU P侧阻挡金属层BMl和保护膜Fl。 阳184] 2.电极附近的结构 阳化5] 图22是示出了图20的XXII-XXII截面的截面图。如图22所示，在n型半导体层 120上形成绝缘层INl。在绝缘层INl上形成n侧金属层N3。在n侧金属层N3上形成覆盖 其表面的n电极Nl。在n电极Nl上形成保护膜Fl。目P，n侧金属层N3覆盖有绝缘层INl 和n电极N1。
[0186]图23是示出了图20的XXIII-XXIII截面的截面图。如图22所示，在n型半导体 层120上形成绝缘层INl。在绝缘层INl上形成n侧金属层N3。在n侧金属层N3上形成 n电极Nl。n