组分的任何合金。
[0093] 按照与实施例1的P侧阻挡金属层BMl的次序相同的次序沉积实施例1的n电极 N1。n电极Nl由依次沉积在n型半导体层120上的Ti、Al合金、1曰、1'1、？*、411和41形成。 Ti的厚度为化m。Al合金的厚度为100皿。化的厚度为100皿。Ti的厚度为300皿。Pt的 厚度为100皿。Au的厚度为1500皿。Al的厚度为10皿。运些层的厚度仅仅是示例。所述 厚度不限于此。
[0094] 3-2-2.实施例 2
[0095] 在表1的实施例2中，P电极Pl与实施例1中的P电极Pl相同。
[0096]P侧阻挡金属层BMl由按照如下次序在P电极Pl上沉积的Ti、化、Ti、Au和Al形 成。Ti的厚度为化m。化的厚度为100皿。Ti的厚度为50皿。Au的厚度为1500皿。Al的 厚度为lOnm。运些层的厚度仅仅是示例。所述厚度不限于此。
[0097] 按照与实施例2的P侧阻挡金属层BMl的次序相同的次序沉积实施例2的n电极 Nlo
[0098]3-2_3.实施例 3
[0099] 在表1的实施例3中，P电极Pl由依次沉积在透明电极TEl上的化、Al合金、化 和Ti形成。与透明电极TEl接触的化的厚度为化m。Al合金的厚度为100皿。化的厚度 为lOnm。Ti的厚度为50nm。所述厚度仅仅是示例。所述厚度不限于运些。
[0100] 实施例3的P侧阻挡金属层BMl与实施例2的P侧阻挡金属层BMl相同。 阳101] 按照与实施例3的P侧阻挡金属层BMl的次序相同的次序沉积实施例3的n电极 Nlo 阳刪表1
[0104] 4.n电极和P侧阻挡金属层的效果 阳105] 因为P电极Pl覆盖有P侧阻挡金属层BM1，所W抑制了P电极Pl中的Ag合金或Al合金的迁移。Ag合金或Al合金对从发光层130朝半导体层发出的光进行反射。
[0106] 在运些实施例中，与Au接触的Al不可能发生迁移。Al接触电阻率比Al的电阻率 低的Au。因此，无电流流过与Au接触的A1。运很难引起迁移。与Au接触的Al足够薄W至于不会引起迁移。 阳107] 5.用于制造半导体发光装置的方法
[0108] 接下来将描述用于制造根据实施方案1的发光装置100的方法。在实施方案1中， 发光装置100包括第一导电类型第一半导体层、发光层和第二导电类型第二半导体层，其 中，基于金属有机化学气相沉积（MOCVD)通过外延生长形成半导体晶体层。因此，所述制造 方法包括形成电连接至第一半导体层的第一电极的第一电极形成步骤和形成电连接至第 二半导体层的第二电极的第二电极形成步骤。
[0109] 制造方法还包括在第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层的第二电极侧阻挡金 属层形成步骤。第二电极具有包括Ag和Al中至少之一的电极层。在第一电极形成步骤和 第二电极侧阻挡金属层形成步骤中，在第二电极上形成第二电极侧阻挡金属层的同时，形 成电连接至第一半导体层的第一电极。在同一层状结构中沉积第一电极和第二电极侧阻挡 金属层。
[0110] 在半导体层的生长中采用的载气的实例包括氨化2)、氮OgW及氨和氮的混合物 (H2+N2)。在后面描述的步骤中，除非另有说明，否则可W采用任何载气。氨气（N&)用作氮 源，S甲基嫁（Ga(CH3)3:"TMG")用作嫁源。S甲基铜（In(CH3)3:"TMI")用作铜源，S甲基 侣（Al(CHs) 3:"TMA")用作侣源。硅烷（SiH4)用作n型渗杂剂气体，双（环戊二締基）儀 (Mg(C^e)Z)用作P型渗杂剂气体。 阳111 ] 5-1.n型半导体层形成步骤
[0112] 首先，使用氨气对衬底110进行清洁。然后，在衬底110上形成n型半导体层120。 在形成n型半导体层120之前可W形成缓冲层。在该过程中，衬底溫度为700°C到1200°C。
[0113] 5-2.发光层形成步骤
[0114] 随后，在n型半导体层120上形成发光层130。例如，重复地沉积InGaN层、GaN层 和AlGaN层。在该过程中，衬底溫度为700°C到900°C。
[0115] 5-3.P型半导体层形成步骤
[0116] 然后，在发光层130上形成P型半导体层140。在该过程中，衬底溫度为800°C到 1200°C。P型半导体层140的最上表面为P型接触层。
[0117] 5-4.电流阻挡层形成步骤
[0118] 接下来，如图9所示，在P型半导体层140的一部分140a上形成至少一个电流阻 挡层CBl。所述部分140a具有点状形状，并且被布置在P电极Pl与透明电极TEl接触的区 域的正下方。出于该目的，通过光刻法在除了形成电流阻挡层CBl的区域W外的区域上形 成掩膜。通过气相沉积形成电流阻挡层CB1。然后，移除掩膜。因此，如图9所示，形成电流 阻挡层CBl。
[0119] 5-5.透明电极形成步骤
[0120] 如图10所示，在P型半导体层140的剩余部分14化和电流阻挡层CBl上W平面 形状形成透明电极TEl。首先，通过在P型半导体层140的漏出部分和电流阻挡层CBl上瓣 射IZO而均匀地形成由IZO形成的透明电极TE1。随后，通过光刻法执行图案化。通过湿 法蚀刻移除用于露出透明电极的n型半导体层120的区域。此后，优选地，执行热处理。因 此，如图10所示，在P型半导体层140的剩余部分14化和电流阻挡层CBl上形成透明电极 TEl。 阳121] 5-6.n型半导体层露出步骤
[0122] 如图11所示，通过从P型半导体层140移除所述半导体层的一部分W露出n型半 导体层120的一部分120a。可W采用激光来代替干法蚀刻。因此，如图11所示，n型半导 体层120的一部分120a被露出。
[0123] 5-7.绝缘层形成步骤
[0124] 如图12所示，在透明电极TEl的一部分和n型半导体层120的一部分上形成光致 抗蚀剂图案。通过气相沉积在未覆盖光致抗蚀剂的区域上形成绝缘层IPl和绝缘层IN1。 然后，去除光致抗蚀剂。W-组多个短带形状形成绝缘层IPl和绝缘层IN1，从而生成相邻 短带之间的未形成绝缘层的接触间隙10和接触间隙11。因此，在透明电极TEl上形成绝缘 层IP1，在n型半导体层120上形成绝缘层INl。 阳1巧]5-8.P电极形成步骤
[01%] 如图13所示，在透明电极TEl和绝缘层IPl上W带状形成P电极Pl。出于该目 的，设置光致抗蚀剂。通过瓣射形成P电极P1。例如，按照如下次序在透明电极TEl上形成 厚度为5皿的a-IZ0、厚度为100皿的Ag合金、厚度为100皿的化、厚度为50皿的Ti。P 电极Pl在绝缘层IPl上W带状延伸。P电极Pl通过接触间隙10电连接至透明电极TE1。 阳127] 5-9.n电极形成步骤和P侧阻挡金属层形成步骤
[0128] 如图14所示，在同一步骤中执行n电极形成步骤和P侧阻挡金属层形成步骤。即， 在n电极形成步骤和P侧阻挡金属层形成步骤中，在P电极Pl上形成P侧阻挡金属层BMl 的同时，在n型半导体层120上形成n电极Nl。n电极Nl在绝缘层INl上W带状延伸。n 电极NI通过接触间隙11电连接至n型半导体层120。在同一层状结构中沉积n电极NI和P侧阻挡金属层BM1。因此，所述形成之后的n电极Nl和P侧阻挡金属层BMl具有相同的 层状结构。所述相同的层状结构表示如下结构：按照相同的次序沉积多个层并且每个层的 厚度相同。 阳129] 出于该目的，首先，在除了形成n电极Nl和P侧阻挡金属层BMl的区域W外的区 域上形成光致抗蚀剂。通过瓣射形成与n电极Nl和P侧阻挡金属层BMl相对应的膜。例 如，依次沉积厚度为2nm的Ti、厚度为IOOnm的Al合金、厚度为IOOnm的化、厚度为300nm 的Ti、厚度为100皿的Pt、厚度为1500皿的Au和厚度为10皿的A1。然后，移除光致抗蚀 剂。因此，如图14所示形成n电极Nl和P侧阻挡金属层BM1。
[0130] 5-10.保护膜形成步骤
[0131] 接下来，形成保护膜F1。通过CVD在n电极N1、P侧阻挡金属层BMl和其他层上 形成均匀的膜。通过干法蚀刻使P焊盘电极BMlc和n焊盘电极Nlc露出。由此形成保护 膜F1。 阳132] 5-11.其他步骤 阳133] 除了上述步骤W外，可W执行另外的步骤如热处理。W运种方式制造图1中的发 光装置100。 阳134] 6.实施方案1的效果
[0135] 在用于制造根据实施方案1的发光装置100的方法中，将n电极形成步骤和P侧 阻挡金属层形成步骤组合成一个步骤。目P，通过执行同一步骤一次就可W形成n电极Nl和 P侧阻挡金属层BMl两者。因此，步骤数少于当分开形成n电极Nl和P侧阻挡金属层BMl 时的步骤数。目P，制造发光装置100的周期短。
[0136] 此外，通过用于制造根据实施方案1的半导体发光装置的方法制造的发光装置 100具有还用作反射膜的P电极Pl。因此，P电极Pl将来自发光层130的光朝半导体层反 射。因此，P侧阻挡金属层BMl几乎不吸收光。
[0137] 7.变化方案