板W上的涂布。
[0203] 控制部9以如下方式进行控制：在使喷嘴部21上升规定的高度后，如图12(f)所 示，使喷嘴部21从与卡盘部20相对的位置退避到待机位置（喷嘴退避工序S7)。喷嘴部 21从卡盘部20上退避时，卡盘部20以2000rpm的转速进行旋转驱动。需要说明的是，第1 喷嘴23和第2喷嘴26收容于在待机位置中盖部24a与主体部24b抵接而构成的收容部24 内（参照图10)。
[0204] 本实施方式中，卡盘部20例如优选从800rpm的转速在I. 0秒以内加速到2000rpm 的转速、并且在停止旋转动作时从2000rpm的转速在0. 5秒以内减速到转速Orpm。由此，能 够从整体上将扩散材料200在基板W上的涂布处理所需要的生产节拍抑制到15秒?18秒 左右。
[0205]另外，能够使形成在基板W上的扩散剂的涂膜处于半干燥状态。
[0206] 本实施方式的装置中，在卡盘部20进行旋转的同时进行从背面清洗喷嘴22a向基 板W的背面喷射作为清洗液的醇的、背面冲洗处理。清洗液的喷射从开始旋转卡盘部20起 的3秒以内开始。
[0207] 根据本实施方式的装置，背面清洗喷嘴22a如参照图9所说明的那样配置于距离 基板W的外缘端IOmm以内，因此能够使供给到基板W的背面的清洗液良好地扩展至基板W 的外缘端。因此，可防止扩散材料200绕到基板W的背面，从而无需在涂布工序之后另外进 行背面冲洗处理。因此，能够大幅缩短涂布工序的生产节拍。
[0208] 旋转动作结束后，卡盘部20通过上升而从杯部22内退避。接着，控制部9驱动第 1搬送装置6的基板支承构件62,从卡盘部20接收基板W，并将其搬送到干燥装置3内。然 后，使基板W上的扩散材料200进行干燥。
[0209] 本实施方式中，将涂布扩散材料200后的基板W从卡盘部20搬出后，控制部9将 另一基板W从搬入部1递送到涂布装置10。此时，控制部9使用第1搬送装置6的另一基 板支承构件62将基板W载置到卡盘部20。然后，在将涂布扩散材料200后的基板W搬入到 干燥装置3内的过程中，在涂布装置10内，同样地对基板W进行扩散材料200的涂布。
[0210] 接着，控制部9将基板W搬入到干燥装置3内。干燥装置3中，对于一片基板W，使 用热板3a、3b、3c在150°C下分别进行10秒干燥处理。基于这样的构成，基板处理装置100 能够每10秒将基板W搬入到干燥装置3内，通过将从涂布装置10搬出的基板W依次搬送 到干燥装置3内，能够大幅提高处理速度。
[0211] 具体而言，基板处理装置100首先将涂布扩散材料200后的基板W载置到位于最 上游的热板3a。热板3a将基板W在150°C下干燥10秒。然后，控制部9压缩柱体单元54， 使基板支承构件52的上端从热板3a的上面下降从而将基板W转移到下游的热板3b。热 板3b将基板W在150°C下干燥10秒。然后，控制部9压缩柱体单元54,使基板支承构件52 的上端从热板3b的上面下降，从而将利用热板3b干燥后的基板W转移到下游的热板3c。 热板3c将基板W在150°C下干燥10秒。由此，能够对基板W在150°C下实施30秒的干燥 处理。
[0212] 另外，也可以使热板3a、3b、3c的加热温度不同。例如，可以为：热板3a将基板W 在60°C下加热10秒、热板3b将基板W在120°C下加热10秒、热板3c将基板W在150°C下 加热10秒，从而使基板W干燥。
[0213] 本实施方式中，在将基板W从热板3a移动到热板3b的同时，第1搬送装置6的基 板支承构件62将从涂布装置10搬出的基板W载置到热板3a。另外，在将一个基板W从热 板3b移动热板3c的同时，未图示的搬出用臂从热板3c将另一基板W从基板处理装置100 内搬出。
[0214] 这样一来，本实施方式中，通过依次在热板3a、3b、3c间搬送各基板W，由此进行扩 散材料200的干燥处理。由此，能够在基板W的表面形成扩散膜。
[0215] 当通过上述这样的涂布装置10实施本实施方式的太阳能电池的制造方法时，涂 布装置10中的喷嘴部21具备能够从相对于基板W的中央部WC的斜上方向基板W的中央 部WC滴下预湿用组合物210的第2喷嘴26,因此使喷嘴部21移动到基板W上后，能够在 不移动第1喷嘴23和第2喷嘴26的位置的情况下在基板W上滴下预湿用组合物210和扩 散材料200。因此，能够消除将各材料200、210滴下到基板W时的各喷嘴23、26的移动时 间，因此能够缩短扩散材料200对基板W的涂布处理所需要的生产节拍。
[0216] 另外，喷嘴下降工序S3中，由于形成如下的构成，S卩，将载置有基板W的卡盘部20 从基板载置位置移动到在杯部22内进行旋转动作的旋转位置的同时使喷嘴部21下降，因 此，能够在到达旋转位置的时刻开始预湿用组合物210的滴下，从而能够缩短涂布处理中 的生产节拍。另外，由于形成如下的构成，即，在卡盘部20的旋转动作结束之前进行喷嘴上 升工序S6,因此在卡盘部20的旋转动作结束时，在卡盘部20的上方没有配置喷嘴部21，从 而可以使卡盘部20的上升速度加快来缩短涂布处理中的生产节拍。另外，通过对预湿用组 合物滴下工序S4和扩散材料滴下工序S5的时刻进行控制，作为涂布装置10,能够采用与以 往的旋涂机同样的构成。由此，能够抑制基板处理装置100的成本。
[0217] 另外，本实施方式的太阳能电池的制造方法并不限于上述装置构成，也能够用其 他装置进行实施。
[0218]例如，上述实施方式中，举出了第2喷嘴26以通过开口部26a的中心的轴线相对 于铅直方向（Z轴方向）倾斜的状态的方式保持于盖部24a的例子，但只要能够将扩散材料 200良好地滴下到基板W的中央部WC，则也可以以倾斜第1喷嘴23的状态将其保持于盖部 24a。或者，以分别倾斜第1喷嘴23和第2喷嘴26的状态将它们保持于盖部24a。
[0219] 另外，上述实施方式中，举出了如下的例子，S卩，盖部24a构成以使预湿用组合物 210的液滴滴下到基板W的中央部WC的方式限制液滴的滴落位置的限制单元，但并不限定 于此。
[0220] 例如，如图13所示，也可以构成如下的限制单元：利用通过赋予物理性外力对所 述液滴的轨道进行调整的调整装置150,以使预湿用组合物的液滴滴下到基板W的中央部 的方式限制液滴的滴落位置。作为这样的调整装置150,例如可由空气喷出装置、磁发生装 置等构成。对于由空气喷出装置构成的调整装置150而言，通过对空气的喷出量进行调整， 而能够对由第1喷嘴23和第2喷嘴26滴下的各材料200、210中的至少一者的液滴的轨道 进行调整，使液滴滴落于基板W的中央部WC。另外，对于由磁发生装置构成的调整装置150 而言，通过调整磁发生量，能够利用磁力对由第1喷嘴23和第2喷嘴26滴下的各材料200、 210中的至少一者的液滴的轨道进行调整，使液滴滴落于基板W的中央部WC。
[0221] 根据以上的太阳能电池的制造方法，能够在抑制扩散剂的使用量、并且缩短生产 节拍时间的同时，抑制扩散剂的涂膜的形成不良。
[0222] 需要说明的是，本实施方式中，虽然在基板W的一面Wa形成凹凸形状，但是并不限 定于此。即使在一面Wa没有凹凸形状，也能够利用预湿用组合物210进行预湿，由此来抑 制扩散剂的涂膜的形成不良。
[0223] 另外，本实施方式中，对在基板W的一面Wa形成凹凸形状、并使用一面Wa作为受 光面的单面发电型太阳能电池的制造方法进行了说明，但本发明的预湿用组合物也能够应 用于制造将基板的两面作为受光面使用的两面发电型太阳能电池的方法。两面发电型太阳 能电池的情况下，优选除基板W的一面Wa外，使另一面也形成凹凸形状。通过使另一面也 形成凹凸形状，入射到另一面的太阳光的利用效率高，从而得到能够高效地发电的太阳能 电池。
[0224] 以上参照附图对本发明所涉及的优选的实施方式例进行了说明，但本发明当然不 受所述例子的限定。上述的例中示出的各构成构件的各形状、组合等为一例，在不脱离本发 明的主旨的范围内，能够基于设计要求等进行各种变更。
[0225] 例如，上述实施方式中，对使用n型基板的太阳能电池的制造方法进行了说明，因 此使用13族元素硼化合物作为扩散剂，但本发明也能够应用于使用p型基板的太阳能电池 的制造方法。此时，准备使用含有上述的15族元素的化合物作为扩散剂的扩散材料，将基 板的表面预湿后，旋涂扩散材料，由此能够适宜地形成扩散剂的涂膜。另外，也能够应用于 在P型基板中在与涂布了包含15族元素的化合物的面（一面）相反的面（另一面）涂布 硼系扩散材料的情况。
[0226] 需要说明的是，作为p型基板，除通过使用上述的CZ法（切克劳斯基法）、FZ法 (悬浮区熔法）等制造的单晶硅外，也可以使用多晶硅。
[0227][实施例]
[0228] 以下通过实施例进一步对本发明进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
[0229][实施例1] PGME和H2O的双组分系预湿用组合物
[0230] 以下述表1所示的共6种质量比率（PGME/H20 = 90/10?30/70的范围）制备由 丙二醇单甲基醚（PGME)(沸点120°C)和H2O的双组分构成的预湿用组合物。需要说明的 是，以下，H20使用DIW。
[0231]【表1】
[0232]
【主权项】
1. 一种预湿用组合物，其为太阳能电池的制造方法中使用的预湿用组合物，所述太阳 能电池的制造方法包括： 第1涂布工序，在半导体制造用基板的一面旋涂预湿用组合物； 第2涂布工序，在旋涂了所述预湿用组合物的所述一面旋涂包含具有第1杂质元素的 扩散剂和溶剂的扩散材料，形成所述扩散剂的涂膜；和 第1杂质层形成工序，对形成了所述涂膜的所述半导体制造用基板进行热处理，形成 使所述扩散剂所具有的杂质元素扩散后的第1杂质层， 所述预湿用组合物含有质子性的极性溶剂和水。
2. 如权利要求1所述的预湿用组合物，其中， 所述质子性的极性溶剂为选自下述成分（a)?（C)中的至少一种： (a)下述式（I)所示的化合物、 化）下述式（II)所示的化合物、 (C)碳原子数1?4的烧基醇 於-0-(C2H4-0)n-H... (I) 於-0-(C3He-0)"-H…（II) 式中，於表示碳原子数1?4的直链状或支链状的烧基，n为1或2的整数。
3. 如权利要求1或2所述的预湿用组合物，其中， 所述质子性的极性溶剂与所述水的质量比W质子性极性溶剂/水计为90/10?30/70。
【专利摘要】一种预湿用组合物，其为太阳能电池的制造方法中使用的预湿用组合物，所述预湿用组合物含有质子性的极性溶剂和水，其中所述太阳能电池的制造方法包括：第1涂布工序，在半导体制造用基板的一面旋涂预湿用组合物；第2涂布工序，在旋涂了所述预湿用组合物的所述一面旋涂包含具有第1杂质元素的扩散剂和溶剂的扩散材料，形成所述扩散剂的涂膜；和第1杂质层形成工序，对形成了所述涂膜的所述半导体制造用基板进行热处理，形成使所述扩散剂所具有的杂质元素扩散后的第1杂质层。
【IPC分类】C09D5-00, H01L21-22, H01L31-04, H01L31-18
【公开号】CN104600151
【申请号】CN201410586962
【发明人】谷津克也, 大石诚士
【申请人】东京应化工业株式会社
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2014年10月28日