一种显示面板及其制作方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。
【背景技术】
[0002]有源矩阵驱动有机发光二极管（ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode， 简称AMOLED)显示器具有反应快速、对比度高、轻薄方便、工作范围广等诸多优点，已成 为显示行业的新起之星。由于目前AM0LED显示器常用的低温多晶娃（low-temperature polysilicon，简称LTPS)背板存在工艺复杂、成本高、大面积化困难等限制，金属氧化物薄 膜晶体管（thin-filmtransistor，简称TFT)背板已成为AMOLED研宄和生产的重点关注方 向。
[0003] 对于底发射式AMOLED显示器，可以包括具有彩色膜层的阵列基板和0LED显示结 构，0LED显示器件需要通过紫外光的激发光源照射才可以产生出白光，进而照射到彩膜基 板，使得AMOLED显示器显示出不同色彩的图像。采用紫外光作为激发光源时，紫外光会直 接照射到TFT上。由于金属氧化物TFT的光稳定性较差，被光线照射后对金属氧化物TFT 的输出/转移能力、信赖性等性能产生不利影响。尤其紫外光的波长较短，则TFT被紫外光 照射后TFT的特性漂移越显著，同时开关比变小，漏电流增大，直接影响显示产品的显示性 能。
【发明内容】
[0004] 本发明的实施例提供一种显示面板及其制作方法和显示装置，解决了紫外光照射 到薄膜晶体管上影响晶体管性能的问题，降低了薄膜晶体管的特性漂移，增大了薄膜晶体 管的开关比，进而可以提高薄膜晶体管的性能。
[0005] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0006] 第一方面，提供一种显示面板，包括具有多个亚像素的阵列基板，所述阵列基板包 括：薄膜晶体管、设置在所述薄膜晶体管上的钝化层、设置在所述钝化层上的彩色滤光层， 所述阵列基板还包括：保护层，其中：
[0007] 所述保护层设置在所述彩色滤光层上；
[0008] 所述保护层的材料为金属氧化物与树脂材料的混合物。
[0009] 可选的，所述显示面板还包括位于所述阵列基板表面的像素界定层，以及位于所 述像素界定层表面与所述亚像素一一对应的0LED显示结构，所述0LED显示结构为底发光 结构，其中：
[0010] 所述像素界定层的材料为金属氧化物与树脂材料的混合物。
[0011] 可选的，所述彩色滤光层的材料为金属氧化物与树脂材料的混合物；
[0012] 其中，所述彩色滤光层包括多个不同颜色的彩色单元，所述彩色单元与所述亚像 素-对应。
[0013] 可选的，所述金属氧化物为纳米金属氧化物。
[0014] 可选的，所述纳米金属氧化物包括：纳米二氧化钛、纳米二氧化猛、纳米氧化铁、纳 米氧化镁中的至少一种。
[0015] 可选的，所述金属氧化物在混合物中所占的质量比为5~15%。
[0016] 可选的，所述保护层的厚度为1~4 ym。
[0017] 可选的，所述像素界定层的厚度为1~4ym。
[0018] 可选的，所述彩色滤光层的厚度为1~4ym。
[0019] 第二方面，提供一种显示面板的制作方法，所述方法包括：
[0020] 在衬底基板上形成薄膜晶体管；
[0021] 在所述薄膜晶体管上形成钝化层；
[0022] 在所述钝化层上形成彩色滤光层；
[0023] 采用金属氧化物材料和树脂材料的混合物在所述彩色滤光层上形成保护层。
[0024] 可选的，所述方法还包括：
[0025] 采用金属氧化物材料和树脂材料的混合物在所述保护层上形成像素界定层；
[0026] 在所述像素界定层的上形成OLED显示结构；其中，所述OLED显示结构为底发光结 构。
[0027] 可选的，所述在所述钝化层上形成彩色滤光层，包括：
[0028] 采用金属氧化物材料和树脂材料的混合物在所述钝化层上形成彩色滤光层。
[0029] 第三方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括第一方面所述的任一显示面板。
[0030] 本发明的实施例提供的显示面板及其制作方法和显示装置，通过采用金属氧化物 材料和树脂材料的混合物在显示面板的彩色滤光层上形成保护层，由于金属氧化物材料对 紫外光的透过率为零，因此金属氧化物与树脂材料混合后的材料可以遮挡紫外光，当采用 紫外光作为激发光源进行照射时，保护层可以阻挡紫外光照射到薄膜晶体管上，解决了紫 外光照射到薄膜晶体管上影响晶体管性能的问题，降低了薄膜晶体管的特性漂移，增大了 薄膜晶体管的开关比，进而可以提高薄膜晶体管的性能。
【附图说明】
[0031] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0032] 图1为本发明的实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0033] 图2为现有技术中的一种阵列基板的俯视结构示意图；
[0034] 图3为本发明的实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
[0035] 图4为本发明的实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
[0036] 图5为本发明的实施例提供的一种显示面板的制作方法的流程示意图；
[0037] 图6为本发明的实施例提供的另一种显示面板的制作方法的流程示意图。
[0038] 附图标记：1_阵列基板；11-薄膜晶体管；111-栅极；112-漏极；113-源极； 114-栅绝缘层；115-有源层；12-纯化层；13-彩色滤光层；14-保护层；15-亚像素；16-像 素电极层；17-衬底基板；2-像素界定层；3-OLED显示结构；31-第一电极；32-有机材料功 能层；33-第二电极。
【具体实施方式】
[0039] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0040] 本发明的实施例提供一种显示面板，参照图1所示，该显示面板包括：有多个亚像 素的阵列基板1，阵列基板1包括：薄膜晶体管11、设置在薄膜晶体管11上的钝化层12、设 置在钝化层12上的彩色滤光层13和保护层14,其中：
[0041] 保护层14设置在彩色滤光层13上。
[0042] 保护层14的材料为金属氧化物与树脂材料的混合物。
[0043] 需要说明的是，阵列基板1 (俯视图如图2所示）由多条横纵交叉的栅线Gate和数 据线Date界定形成多个亚像素15。每个亚像素15中设置有一个薄膜晶体管11(Thin Film Transistor，简称TFT)。薄膜晶体管11是一种具有开关特性的半导体单元，其可以是顶栅 型，也可以是底栅型，在此不作限定。如图1中所示，阵列基板还可以包括像素电极层16。 [0044] 其中，顶栅、底栅是栅极111与漏极112和源极113相对于衬底基板的位置而定义 的。例如，当栅极111相对于漏极112和源极113而言，更靠近阵列基板的衬底基板17时， 为底栅型薄膜晶体管11。当漏极112和源极113相对于栅极111而言，更靠近阵列基板的 衬底基板17时，为顶栅型薄膜晶体管11。本发明的实施例中，是以底栅型薄膜晶体管11为 例进行的说明。薄膜晶体管11中还包括栅绝缘层114和有源层115。