阵列基板和制造该阵列基板的方法
【技术领域】
[0001] 本公开涉及阵列基板，并且更具体地，涉及一种通过阻止氢流入到薄膜晶体管的 氧化物半导体层中来防止氧化物半导体层的劣化的阵列基板和一种制造该阵列基板的方 法。
【背景技术】
[0002] 最近，随着信息社会进步，处理和显示大量信息的显示装置迅速地发展，并且已开 发了各种平板显示器（FPD)。具体地，在薄外形、轻重量和低功耗方面具有优良性能的诸如 液晶显示器（LCD)装置、等离子体显示面板（PDP)装置、有机发光二极管（OLED)显示装置 和场发射显示器（FED)装置的FPD已取代阴极射线管（CRT)。
[0003] 在各种FH)当中，具有高对比度、显示运动图像方面的优点和低功耗的LCD装置已 用在诸如笔记本、监视器和电视机的各种领域中。LCD装置使用液晶分子的光学各向异性和 极化特性。因为液晶分子具有长且薄的外形，所以液晶分子具有布置定向的光学各向异性 和极化，使得液晶分子的布置方向根据电场的强度而改变。
[0004] 另外，OLED显示装置具有诸如高亮度和由低电压驱动的能力的优良特性。因为 OLED显示装置具有发射类型，所以OLED显示装置具有高对比度和薄外形。OLED显示装置 由于数微秒（Usec)的短响应时间而在显示运动图像方面具有优点。OLED显示装置对视角 没有限制，并且即便在低温度下也是稳定的。因为OLED显示装置由直流（DC)的5V至15V 的低电压驱动，所以易于制造和设计驱动电路。
[0005] IXD装置和OLED显示装置包括具有用于接通和断开像素区域的薄膜晶体管（TFT) 的阵列基板。彼此交叉以限定像素区域的选通线和数据线形成在阵列基板上。另外，至少 一个TFT形成在像素区域中。TFT当作用于接通和断开像素区域的开关元件并且当作用于 驱动像素区域以显示图像的驱动元件。具体地，至少两个TFT形成在用于OLED显示装置的 阵列基板的像素区域中。
[0006] 像素区域中的TFT具有根据用于半导体层的材料的各种结构。半导体层可以包括 非晶硅、氧化物半导体材料和多晶硅中的一种，并且阵列基板包括根据用于半导体层的材 料而具有顶栅结构或底栅结构的TFT。
[0007] 在具有各种材料的半导体层的TFT当中，具有氧化物半导体材料的氧化物半导体 层的TFT是最近研宄的主题。
[0008] 具有氧化物半导体层的TFT的载流子的导电性优于具有非晶硅的半导体层的 TFT。另外，具有氧化物半导体层的TFT与具有要求掺杂有杂质的多晶硅半导体层的TFT相 比具有简化的制造工艺。
[0009] 然而，具有氧化物TFT的阵列基板包括在氧化物半导体层上方或下方的有机材料 或无机材料的多个绝缘层，诸如栅绝缘层、蚀刻阻挡层（etchstopper)和钝化层。另外，用 于OLED显示装置的阵列基板还包括平整层（planarizationlayer)和堤层（banklayer)。
[0010] 该多个绝缘层（具体地，氮化硅的绝缘层）具有大量氢，并且该多个绝缘层的氢扩 散到氧化物半导体层中。结果，氧化物半导体层由于氢而劣化并且氧化物半导体层的使用 寿命降低。另外，因为氢将氧化物半导体层改变为导体，所以氧化物半导体层不充当半导体 层。结果，具有氧化物半导体层的TFT的特性劣化。
[0011] 此外，TFT的电流和电压特性沿着负方向偏移（负阈值电压偏移）。当TFT的电流 和电压特性沿着负方向偏移时，使用TFT作为驱动元件的发光二极管根据OLED显示装置中 的位置而具有不同的发射亮度特性，并且OLED显示装置的显示质量由于亮度的非均匀性 而劣化。
【发明内容】
[0012] 本发明的实施方式涉及一种阵列基板和制造该阵列基板的方法。因此，一个示例 性实施方式致力于一种基本上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或更多个 问题的阵列基板。
[0013] 一个示例性实施方式是一种阵列基板以及制造该阵列基板的方法，在该阵列基板 中，氢从绝缘层到氧化物半导体层中的扩散被抑制，使得能够防止氧化物半导体层的劣化 并且能够防止薄膜晶体管的特性的劣化。
[0014] 另外，一个示例性实施方式是一种阵列基板以及制造该阵列基板的方法，在该阵 列基板中，氢从绝缘层到氧化物半导体层中的扩散被抑制，使得能够防止薄膜晶体管的电 流和电压特性的负偏移。
[0015] 本公开的优点和特征将在以下的说明书中部分地阐述，并且部分地对于研宄了下 文的本领域普通技术人员而言将变得显而易见，或者可以从本发明的实践中学习到。本文 的实施方式的其它优点和特征可以由在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中所特 别指出的结构来实现和获得。
[0016] 为了依照根据本发明的一个方面的目的实现其它优点和特征，一个示例性实施方 式是一种阵列基板，该阵列基板包括：包括像素区域的基板；所述像素区域中的薄膜晶体 管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及彼此间隔开的源电极和漏电极，其中， 无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，并且其中， 无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之 间；所述薄膜晶体管上的钝化层，该钝化层具有暴露所述漏电极的漏接触孔；所述像素区 域中的所述钝化层上的第一电极，该第一电极通过所述漏接触孔连接至所述漏电极；以及 第一氢吸收层，该第一氢吸收层在所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面 和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上，该第一氢吸收层包括彼此间隔开的 多个微粒，该多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
[0017] 在另一方面中，一个示例性实施方式是一种制造阵列基板的方法，该方法包括以 下步骤：在基板上的像素区域中形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体 层以及彼此间隔开的源电极和漏电极，其中，无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅 电极与所述氧化物半导体层之间，并且其中，无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧 化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间；在所述薄膜晶体管上形成钝化层，该钝化 层具有暴露所述漏电极的漏接触孔；在所述像素区域中的所述钝化层上形成第一电极，该 第一电极通过所述漏接触孔连接至所述漏电极；以及在所述第一绝缘层的顶面和底面、所 述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上形成第一氢吸 收层，该第一氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒，该多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
[0018] 应当理解，以上总体描述和以下详细描述这二者都是示例性的和说明性的，并且 旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
【附图说明】
[0019] 附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书 的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本描述一起用来说明本发明的原理。
[0020] 图1A至图1M是示出了制造根据本发明的第一实施方式的阵列基板的方法的截面 图。
[0021] 图2是示出了根据本发明的第一实施方式的阵列基板的氢吸收层的界面的截面 图。
[0022] 图3是示出了根据本发明的第二实施方式的阵列基板的氢吸收层的界面的截面 图。
【具体实施方式】
[0023] 现在将详细地参照本发明的实施方式，其示例被例示在附图中。在以下描述中，当 确定与本文献有关的公知的功能或配置的详细描述会不必要地使本发明的要点变得不清 楚时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的进度是示例；然而，除了必须以 特定顺序发生的步骤和/或操作之外，步骤和/或操作的顺序不限于本文所阐述的顺序，并 且可以如本领域公知的那样改变。相同的附图标记始终标明相同的元件。仅为了撰写本说 明书的方便而选择以下说明中使用的相应元件的名称，进而这些名称可以与实际产品中使 用的那些名称不同。
[0024] 图1A至图1M是示出了制造根据本发明的第一实施方式的阵列基板的方法的截面 图。
[0025] 在图1A中，在第一金属层（未示出）通过沉积金属材料被形成在基板110上之后， 选通线（未示出）和连接至该选通线的栅电极115通过经由光刻工艺使第一金属层图案化 而形成在基板1