068] 氢吸收层可以包括诸如镍（Ni)、钯（Pd)和铂（Pt)的金属材料并且可以具有大约 0.1A至大约9A(优选地，大约0.1A至大约5人）的厚度，使得氢吸收层具有彼此分离的金属 材料的微粒121。
[0069] 在根据本发明的第二实施方式的阵列基板中，具有与氢的相对高的亲和力的金属 材料的氢吸收层可以形成在具有氢的无机绝缘层218、221和240下方或上方。氢吸收层可 以包括镍（Ni)、钯（Pd)和铂（Pt)中的一种。另外，氢吸收层可以具有大约0.1A至大约9A (优选地，大约0.1A.至大约5A)的厚度，以使微粒彼此分离。因为来自无机绝缘层218、221 和240的氢被氢吸收层吸收，所以氢从无机绝缘层218、221和240到氧化物半导体层213 中的渗透被抑制。结果，防止了由于氢的流入而导致的氧化物半导体层213的劣化，并且防 止了TFTTr的特性的劣化。此外，因为防止了TFTTr的电流和电压特性的负偏移，所以防 止了由于非均匀亮度而导致的显示质量的劣化。
[0070] 以上已经描述了许多示例。然而，应当理解，可以做出各种修改。例如，如果以不同 的顺序执行所描述的技术以及/或者如果描述的系统、架构、装置或电路中的部件被以不 同的方式组合和/或被其它部件或它们的等同物代替或补充，则可以实现适合的结果。因 此，其它实现在以下权利要求的范围内。
[0071] 相关申请的交叉引用
[0072] 本申请要求于2013年11月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请 No. 10-2013-0143736的权益，通过引用将其全部内容并入本文。
【主权项】
1. 一种阵列基板，该阵列基板包括： 包括像素区域的基板； 所述像素区域中的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及彼此 间隔开的源电极和漏电极，其中，无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述 氧化物半导体层之间，并且其中，无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体 层与所述源电极和所述漏电极之间； 所述薄膜晶体管上的钝化层，该钝化层具有暴露所述漏电极的漏接触孔； 所述像素区域中的所述钝化层上的第一电极，该第一电极通过所述漏接触孔连接至所 述漏电极；以及 第一氢吸收层，该第一氢吸收层位于所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层 的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上，该第一氢吸收层包括彼此间 隔开的多个微粒，所述多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
2. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一氢吸收层吸收从所述第一绝缘层、 所述第二绝缘层和所述钝化层扩散的氢，以构成存储所述氢的间隙化合物。
3. 根据权利要求2所述的阵列基板，其中，所述间隙化合物具有绝缘特性。
4. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述薄膜晶体管还包括作为所述第一绝缘 层位于所述栅电极与所述氧化物半导体层之间的栅绝缘层和作为所述第二绝缘层位于所 述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间的蚀刻阻挡层。
5. 根据权利要求4所述的阵列基板，其中，所述蚀刻阻挡层具有覆盖所述氧化物半导 体层的中央部分的岛状和覆盖具有所述氧化物半导体层的所述基板的整个表面并且半导 体接触孔暴露所述氧化物半导体层的端部的板状中的一个。
6. 根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述薄膜晶体管还包括作为所述第一绝缘 层位于所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅绝缘层和作为所述第二绝缘层位于所 述栅电极与所述源电极和所述漏电极之间的层间绝缘层。
7. 根据权利要求6所述的阵列基板，该阵列基板还包括所述基板与所述氧化物半导体 层之间的无机绝缘材料的缓冲层。
8. 根据权利要求7所述的阵列基板，该阵列基板还包括所述缓冲层的顶面和底面中的 一个上的第二氢吸收层，其中，该第二氢吸收层包括彼此间隔开的多个微粒，并且所述多个 微粒包括镍、钯和铂中的一种。
9. 根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括： 所述第一电极上的堤层，该堤层覆盖所述第一电极的边界部分； 所述第一电极上的发射材料层；以及 所述发射材料层上的第二电极。
10. 根据权利要求9所述的阵列基板，该阵列基板还包括所述钝化层上的平整层，其 中，所述平整层和所述钝化层具有所述漏接触孔，并且所述第一电极被布置在所述平整层 上。
11. 根据权利要求10所述的阵列基板，该阵列基板还包括所述钝化层与所述平整层之 间的滤色器层。
12. -种制造阵列基板的方法，该方法包括以下步骤： 在基板上的像素区域中形成薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层 以及彼此间隔开的源电极和漏电极，其中，无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电 极与所述氧化物半导体层之间，并且其中，无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化 物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间； 在所述薄膜晶体管上形成钝化层，该钝化层具有暴露所述漏电极的漏接触孔； 在所述像素区域中的所述钝化层上形成第一电极，该第一电极通过所述漏接触孔连接 至所述漏电极；以及 在所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的 顶面和底面中的至少一个上形成第一氢吸收层，该第一氢吸收层包括彼此间隔开的多个微 粒，所述多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
13. 根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一氢吸收层的步骤包括以下步骤： 沉积包括镍、钯和铂中的一种的金属材料，使得所述第一氢吸收层具有大约0.1A至大约 9A的厚度。
14. 根据权利要求12所述的方法，其中，所述薄膜晶体管还包括作为所述第一绝缘层 位于所述栅电极与所述氧化物半导体层之间的栅绝缘层和作为所述第二绝缘层位于所述 氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间的蚀刻阻挡层。
15. 根据权利要求12所述的方法，其中，所述薄膜晶体管还包括作为所述第一绝缘层 位于所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅绝缘层和作为所述第二绝缘层位于所述 栅电极与所述源电极和所述漏电极之间的层间绝缘层。
16. 根据权利要求15所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述基板与所述氧化物 半导体层之间形成无机绝缘材料的缓冲层。
17. 根据权利要求16所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成被布置在所述缓冲层 的顶面和底面中的一个上的第二氢吸收层，其中，该第二氢吸收层包括彼此间隔开的多个 微粒，并且所述多个微粒包括镍、钯和铂中的一种。
18. 根据权利要求12所述的方法，该方法还包括以下步骤： 在所述第一电极上形成堤层，该堤层覆盖所述第一电极的边界部分； 在所述第一电极上形成发射材料层；以及 在所述发射材料层上形成第二电极。
19. 根据权利要求18所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述钝化层上形成平整 层，其中，所述平整层和所述钝化层具有所述漏接触孔，并且所述第一电极被布置在所述平 整层上。
20. 根据权利要求19所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述钝化层与所述平整 层之间形成滤色器层。
【专利摘要】阵列基板和制造该阵列基板的方法。一种阵列基板包括：基板；薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅电极、氧化物半导体层以及源电极和漏电极，其中，无机绝缘材料的第一绝缘层被布置在所述栅电极与所述氧化物半导体层之间，并且其中，无机绝缘材料的第二绝缘层被布置在所述氧化物半导体层与所述源电极和所述漏电极之间；所述薄膜晶体管上的钝化层；所述像素区域中的所述钝化层上的第一电极；以及第一氢吸收层，该第一氢吸收层在所述第一绝缘层的顶面和底面、所述第二绝缘层的顶面和底面以及所述钝化层的顶面和底面中的至少一个上，该第一氢吸收层包括多个微粒，所述多个微粒彼此间隔开并且包括镍、钯和铂中的一种。
【IPC分类】H01L51-56, H01L51-50, H01L27-32, H01L51-52
【公开号】CN104659060
【申请号】CN201410648693
【发明人】徐铉植, 徐景韩
【申请人】乐金显示有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2014年11月14日
【公告号】US20150144943