于0LED显示装置的阵列基板可以包括与选通线或数据线 平行的电力线，并且具有与选通线或数据线相同的层。
[0047] 在图1H中，钝化层140通过沉积诸如二氧化硅（Si02)或氮化硅（SiNx)的无机绝 缘材料而形成在TFTTr上。在另一实施方式中，第三氢吸收层可以形成在钝化层140下方 或上方。
[0048] 在图II中，在具有平顶面的平整层150通过沉积诸如感光丙稀（photoacryl)的 有机绝缘材料而形成在钝化层上之后，平整层150和钝化层140被图案化以形成暴露TFT Tr的漏电极136的漏接触孔153。
[0049] 在图1J中，在透明导电材料层（未示出）或第三金属层（未示出）通过沉积透明 导电材料或金属材料而形成在平整层150上之后，第一电极160通过经由光刻工艺使透明 导电材料层或第三金属层图案化而形成在像素区域P中。透明导电材料可以包括具有相对 高的功函数的铟锡氧化物（IT0)，并且金属材料可以包括铝（A1)、铝合金、银（Ag)、镁（Mg) 和金（Au)中的一种。第一电极160通过漏接触孔153连接至TFTTr的漏电极136。
[0050] 在图1K中，在有机绝缘材料层（未示出）通过涂覆有机绝缘材料而形成在第一电 极160上之后，堤层163通过经由光刻工艺使有机材料层图案化而形成在第一电极160和 平整层150上。有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺或树脂。堤层163可以覆盖第一电极160 的边界部分并且可以暴露第一电极160的中央部分。
[0051] 在图1L中，发射材料层165形成在通过堤层163暴露的第一电极160上。可以 通过使用阴影掩模的热蒸发方法、通过喷墨方法或者通过喷嘴涂覆方法来形成发射材料层 165。发射材料层165可以在不同的像素区域中包括不同的材料，以发射红色、绿色和蓝色 光或者红色、绿色、蓝色和白色光。
[0052] 尽管未示出，但是单层结构或多层结构的第一辅助发射层可以形成在发射材料层 165下方，并且单层结构或多层结构的第二辅助发射层可以形成在发射材料层165上方。当 第一电极160是（图1M的）发光二极管E的阳极时，第一辅助发射层可以包括顺序地形成 在第一电极160上的空穴注入层和空穴传输层，第二辅助发射层可以包括顺序地形成在发 射材料层165上的电子传输层和电子注入层。
[0053] 在另一实施方式中，第一辅助发射层可以包括空穴注入层和空穴传输层中的一 个，第二辅助发射层可以包括电子传输层和电子注入层中的一个。在另一实施方式中，第一 辅助发射层可以进一步包括电子阻挡层，第二辅助发射层可以进一步包括空穴阻挡层。另 外，当第一电极160是发光二极管E的阴极时，第一辅助发射层可以形成在发射材料层165 上方，第二辅助发射层可以形成在发射材料层165下方。
[0054] 在图1M中，在透明导电材料层（未示出）或第四金属层（未示出）通过沉积透明 导电材料或金属材料而形成在发射材料层165上之后，第二电极168通过经由光刻工艺使 透明导电材料层或第四金属层图案化而形成基板110的整个表面上。透明导电材料可以包 括具有相对高的功函数的铟锡氧化物（IT0)，金属材料可以包括铝（A1)、铝合金、银（Ag)、 镁（Mg)和金（Au)中的一种。
[0055] 第一电极160、发射材料层165和第二电极168构成发光二极管E。尽管未不出， 但是滤色器（colorfilter)层可以形成在钝化层140与平整层150之间的像素区域P中。 滤色器层可以包括顺序地且重复地布置在像素区域P中的红色、绿色和蓝色滤色器。
[0056] 当滤色器层形成在钝化层140与平整层150之间时，发射材料层165可以形成在 基板110的整个表面上以发射白色光，并且0LED显示装置可以通过使用通过红色、绿色和 蓝色滤色器的光来显示全彩色图像。在另一实施方式中，阵列基板可以具有滤色器层未形 成为显示白色的像素区域，并且0LED显示装置可以利用红色、绿色、蓝色和白色光来显示 图像，以改进对比度。
[0057] 当基板110是用于IXD装置的阵列基板时，堤层163、发射材料层165和第二电极 168被省略，并且第一电极160可以在没有平整层150的情况下形成在钝化层140上。另外， 绝缘层和公共电极可以顺序地形成在第一电极160上，并且公共电极可以具有各自具有条 状的多个开口。
[0058] 在根据本发明的第一实施方式的阵列基板中，具有与氢的相对高的亲和力的金属 材料的氢吸收层120和125可以形成在具有氢的无机绝缘层118和128下方或上方。氢吸 收层120和125可以包括镍（Ni)、钯（Pd)和铂（Pt)中的一种。另外，氢吸收层120和125 可以具有大约0.1A至大约9A(优选地，大约0.1A至大约5人）的厚度，以使微粒121彼此 分离。因为来自无机绝缘层118和128的氢被氢吸收层120和125吸收，所以氢从无机绝 缘层118和128到氧化物半导体层123中的渗透被抑制。结果，防止了由于氢的流入而导 致的氧化物半导体层123的劣化，并且防止了TFTTr的特性的劣化。此外，因为防止了TFT Tr的电流和电压特性的负偏移，所以防止了由于非均匀亮度而导致的显示质量的劣化。
[0059] 图2是示出了根据本发明的第一实施方式的阵列基板的氢吸收层的界面的截面 图。
[0060] 在图2中，氢吸收层可以形成在栅电极115与栅绝缘层118之间的第一界面IF1、 栅绝缘层118与氧化物半导体层123之间的第二界面IF2、氧化物半导体层123与蚀刻阻挡 层128之间的第三界面IF3、蚀刻阻挡层128与源电极133和漏电极136之间的第四界面 IF4、源电极133和漏电极136与钝化层140之间的第五界面IF5以及钝化层140与平整层 150之间的第六界面IF6中的至少一个内。因此，氢吸收层可以形成在栅绝缘层118的顶面 和底面、蚀刻阻挡层128的顶面和底面以及钝化层140的顶面和底面中的至少一个上。
[0061] 例如，氢吸收层可以形成在氧化物半导体层123下方的第一界面IF1和第二界面 IF2中的至少一个内以及氧化物半导体层123上方的第三界面IF3至第六界面IF6中的至 少一个内，使得能够阻挡来自氧化物半导体层123下方的栅绝缘层118的氢以及来自氧化 物半导体层123上方的蚀刻阻挡层128和钝化层140的氢。
[0062] 尽管在第一实施方式中氢吸收层形成在具有交错型TFTTr的基板110上，但是在 另一实施方式中氢吸收层可以形成在具有共面型TFT的基板上。
[0063] 图3是示出了根据本发明的第二实施方式的阵列基板的氢吸收层的界面的截面 图。
[0064] 在图3中，共面型薄膜晶体管（TFT)Tr形成在基板210上。TFTTr包括氧化物半 导体层213、栅绝缘层218、栅电极219、层间绝缘层221以及源电极233和漏电极236。层 间绝缘层221包括暴露氧化物半导体层213的两个端部的半导体接触孔224,并且彼此间隔 开的源电极233和漏电极236通过半导体接触孔224连接至氧化物半导体层213。
[0065] 无机绝缘材料的钝化层240形成在TFTTr上，并且平整层250、堤层263和发光 二极管E形成在钝化层240上。尽管未示出，但是无机绝缘材料的缓冲层可以形成在基板 210与氧化物半导体层213之间。
[0066] 尽管未示出，但是氢吸收层可以形成在氧化物半导体层213与栅绝缘层218之间 的第一界面IF1、栅绝缘层218与栅电极219之间的第二界面IF2、栅电极219与层间绝缘 层221之间的第三界面IF3、层间绝缘层221与源电极233和漏电极236之间的第四界面 IF4、源电极233和漏电极236与钝化层240之间的第五界面IF5以及钝化层240与平整层 250之间的第六界面IF6中的至少一个内。因此，氢吸收层可以形成在栅绝缘层218的顶面 和底面、层间绝缘层221的顶面和底面以及钝化层240的顶面和底面中的至少一个上。
[0067] 例如，氢吸收层可以形成在氧化物半导体层213上方的第一界面IF1至第六界面 IF6中的至少一个内，使得能够阻挡来自氧化物半导体层213上方的栅绝缘层218、层间绝 缘层221和钝化层240的氢。
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