有机发光二极管显示器及其制造方法
【专利说明】有机发光二极管显示器及其制造方法
[0001]本申请要求于2013年11月20号提交到韩国知识产权局的第10_2013_0141477号韩国专利申请的权益，该专利申请的公开通过引用被全部包含于此。
技术领域
[0002]所描述的技术总体涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器以及制造该有机发光二极管显示器的方法。
【背景技术】
[0003]OLED显示器具有令人满意的特性，诸如，宽的视角、优良的对比度和快的响应速度。这些特性使得OLED显示器成为下一代显示器的候选。
[0004]OLED显示器包括形成在基底上的薄膜晶体管(TFT)和OLED。TFT向OLED供应驱动电流以发射光。这样的OLED显示器被用作用于诸如移动电话的小型移动设备的显示单元并且也被用作用于诸如电视机的较大设备的显示单元。
【发明内容】
[0005]一个发明方面是一种能够减小在不同视角处产生的色差和亮度偏差的OLED显示器以及制造该显示器的方法。
[0006]另一方面是一种OLED显示器，所述OLED显示器包括:基底；TFT，设置在基底上方；第一像素限定层，设置在TFT上方并且具有开口 ；绝缘层，设置在第一像素限定层的开口中并且具有其曲率半径一致的顶表面；以及0LED，设置在绝缘层上方。
[0007]绝缘层可以具有与圆柱形圆顶对应的形状。
[0008]基底可以具有彼此垂直交叉的长轴和短轴，绝缘层可以具有与沿着短轴延伸的圆柱体的一部分对应的形状。
[0009]绝缘层可以具有与球形圆顶对应的形状。
[0010]OLED可以包括:像素电极，设置在绝缘层上方并且电连接到TFT ;中间层，设置在像素电极上并且包括发射层；以及对电极，面对像素电极设置。从绝缘层的顶表面的曲率中心到对电极的顶表面的距离可以一致。
[0011]OLED可以包括:像素电极，设置在绝缘层上方并且电连接到TFT;中间层，设置在像素电极上并且包括发射层；以及对电极，面对像素电极设置。所述OLED还可以包括设置在第一像素限定层上方以覆盖像素电极的边缘的第二像素限定层。
[0012]另一方面是一种制造OLED显示器的方法，所述方法包括:提供基底；在基底上方形成TFT ;在TFT上方形成第一像素限定层以具有开口 ；在第一像素限定层的开口中形成绝缘层；绝缘层具有其曲率半径一致的顶表面；以及在绝缘层上方形成0LED。
[0013]形成绝缘层的步骤可以包括:通过利用溶液工艺施加用于形成绝缘层的材料；并且使用于形成绝缘层的材料干燥以形成与圆柱体的一部分对应的形状。
[0014]形成绝缘层的步骤可以包括:通过利用溶液工艺施加用于形成绝缘层的材料；并且使用于形成绝缘层的材料干燥以形成与球形的一部分对应的形状。
[0015]绝缘层的干燥步骤可以包括利用干燥机，其中，所述干燥机在绝缘层的中心部分处比在绝缘层的边缘处具有更高排放率。
[0016]形成绝缘层的步骤可以包括:以如下方式执行表面处理，即，亲水性质和疏水性质中的一种在位于由像素限定层的开口暴露的绝缘层下面的层的中心部分和边缘处不同，利用溶液工艺施加用于绝缘层的材料，并且使用于绝缘层的材料干燥。
[0017]执行表面处理的步骤可以包括:执行表面处理以使中心部分具有亲水性质。
[0018]执行表面处理的步骤可以包括:执行表面处理以使边缘具有疏水性质。
[0019]从绝缘层的顶表面的曲率中心到对电极的顶表面的距离可以一致。
[0020]另一方面是一种OLED显示器，所述OLED显示器包括:基底；TFT，形成在基底上方；第一像素限定层，形成在TFT上方并且具有开口 ；绝缘层，形成在所述开口中并且包括具有圆顶形状的顶表面；以及0LED，形成在绝缘层上方。
[0021]绝缘层具有基本上圆柱形形状。所述OLED显示器具有沿着第一方向延伸的长度和沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的高度，其中，绝缘层的圆柱形状沿着第二方向延伸。
[0022]绝缘层具有基本上球形形状。所述OLED包括:像素电极，形成在绝缘层上方并且电连接到TFT;中间层，形成在像素电极上方并且包括发射层；以及对电极，形成在中间层上方，其中，绝缘层的顶表面具有曲率中心，其中，从绝缘层的顶表面上的任意点到曲率中心的距离基本相同。像素电极包括形成在第一像素限定层上方的端部，OLED显示器还包括形成在第一像素限定层上方以覆盖像素电极的端部的第二像素限定层。
[0023]另一方面在于一种制造OLED显示器的方法，所述方法包括:提供基底；在基底上方形成TFT ;在TFT上方形成第一像素限定层；在第一像素限定层中形成开口 ；在所述开口中形成第一绝缘层，其中，第一绝缘层包括具有圆顶形状的顶表面；以及在第一绝缘层上方形成OLED。
[0024]形成第一绝缘层的步骤包括:将绝缘材料施加在开口中；以及使绝缘材料干燥以形成具有基本上圆柱形状的第一绝缘层。干燥步骤包括利用干燥机，所述干燥机在第一绝缘层的中心部分处比在第一绝缘层的边缘处具有更高排放率。形成第一绝缘层的步骤包括:将绝缘材料施加在开口中；以及使绝缘材料干燥以形成具有基本上球形形状的第一绝缘层。
[0025]绝缘材料的干燥步骤包括利用干燥机，所述干燥机在第一绝缘层的中心部分处比在第一绝缘层的边缘处具有更高排放率。所述方法还包括在像素限定层和TFT之间形成第二绝缘层，其中，形成第一绝缘层的步骤包括:在由像素限定层中的开口暴露的第二绝缘层上执行表面处理，使得第二绝缘层的亲水性质和疏水性质中所选择的性质在开口的中心部分处不同于开口的边缘处；将绝缘材料施加在开口中；以及使绝缘材料干燥以形成第一绝缘层。
[0026]第二绝缘层的亲水性质或疏水性质在开口的中心部分处不同于开口的边缘处。形成OLED的步骤包括:在第一绝缘层上方形成像素电极使其电连接到TFT ;在像素电极上方形成包括发射层的中间层；以及在中间层上方形成对电极，其中，第一绝缘层的顶表面具有曲率中心，以及其中，从第一绝缘层的顶表面上的任意点到曲率中心的距离基本相同。
[0027]另一方面是一种OLED显示器，所述OLED显示器包括:基底；多个像素，形成在基底上方，其中，每个像素包括=TFT ;像素限定层，形成在TFT上方，其中，开口被限定在像素限定层中；绝缘层，形成在所述开口中并且包括顶表面，其中，顶表面具有曲率半径基本一致的圆顶形状；以及0LED，形成在绝缘层上方并且电连接到TFT。
[0028]绝缘层的侧部接触开口的侧部，其中，绝缘层的侧部的高度低于开口的侧部的高度。绝缘层的顶表面的圆顶形状具有曲率中心，其中，OLED具有与绝缘层的曲率中心基本相同的曲率中心。绝缘层具有基本上圆柱形状或球形形状。绝缘层具有第一厚度和第二厚度，其中，第一厚度大于像素限定层的厚度，其中，第二厚度小于像素限定层的厚度。第一厚度是绝缘层的最大厚度，第二厚度是绝缘层的最小厚度。
【附图说明】
[0029]图1是示出根据实施例的OLED显示器的示意性剖视图。
[0030]图2是示出图1的OLED显示器的示意性剖视图。
[0031]图3是示出图1的OLED显示器的示意性剖视图。
[0032]图4至图7是示出制造图1的OLED显示器的方法的剖视图。
【具体实施方式】
[0033]标准的有机发光二极管(OLED)显示器和制造该有机发光二极管显示器的方法具有如下限制，即，在不从正常角度(即，垂直于显示器的平面)观看时，在显示的图像中发生颜色偏差(尤其是在相对大的OLED显示器上)。
[0034]现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指示同样的元件。在这个方面，实施例可以具有不同的形式并且不应该被解释为受限于在此阐述的描述。因此，实施例仅通过参照附图在下面被描述以解释所描述的技术的方面。
[0035]在下文中，将参照附图详细地描述所描述技术的实施例。然而，由于所描述的技术不限于下面公开的实施例，而是可以实施为各种不同的形式，所以提供下面的实施例以充分地公开所描述的技术并且将所描述技术的范围充分地传达给普通技术人员。另外，为了便于描述，在附图中，可以夸大或缩小元件的尺寸。例如，由于附图中组件的尺寸和厚度可以被夸大以便于解释，所以下面的实施例不限于此。
[0036]在下面的实施例中，X轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴并且可以以更宽泛的意义来解释。例如，X轴、y轴和Z轴可以彼此垂直或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
[0037]另一方面，将理解的是，当层、区域或组件被称作“形成在”另一层、区域或组件“上”时，其可以直接或间接形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，也可以存在中间层、区域或组件。
[0038]图1是示出根据实施例的OLED显示器的示意性剖视图。
[0039]参照图1，OLED显示器包括基底100、薄膜晶体管(TFT)、第一像素限定层120、绝缘层150和OLED 200。绝缘层150被称作第三绝缘层150以将第三绝缘层150与其它绝缘层区分开来。
[0040]基底100可以由诸如包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺等的塑料基底或玻璃基底的透明基底形成。基底100不限于用于OLED显示器的底发射的透明基底。因此，如果需要，基底100可以由金属材料形成。
[0041]TFT形成在基底100上方。TFT包括具有非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的半导体层103、栅电极105以及源电极和漏电极107。在下文中，将详细描述TFT的普通构造。
[0042]为了使基底100的表面平坦和/或为了防止杂质渗透到半导体层103中，由氧化硅或氮化硅形成的缓冲层102形成在基底100上，并且半导体层103形成在缓冲层102上。
[0043]栅电极105形成在半导体层103上方。当信号被施加到栅电极105时，源电极和漏电极107电连接。考虑到与相邻层的粘结