此外，既可如时间tc那样，跨越关闭脉冲阀8时的前后进行设定，也可如时间td那样，在关闭脉冲阀8后进行设定。控制电路21在设定的时间tb、tc或td中产生阻挡放电。在阻挡放电中，在对配置于电介质容器I外侧的两个阻挡放电电极2从阻挡放电用交流电源6施加几kV、几MHz的交流电压时，在阻挡放电部10产生阻挡放电。通过该阻挡放电部10的大气内的水分(H2O)和氧气分子(O2)通过阻挡放电而变为H3O+和O 2_等反应离子，并向配置了试样4的试样容器29移动(反应离子的气流24) ο
[0055]此外，如图2(c)所示，控制电路21监控真空计15，在真空舱17内的压力充分地下降而达到0.1Pa以后开始质量分析，从而实现适当的质量分析。
[0056]图3表示的是与本发明的第一实施方式的质量分析装置100的质量分析方法(电压扫描方式)的时序(离子积蓄-排气等待时间-离子选择-离子离解-质量扫描)对应的各图，图3(a)表示的是脉冲阀的开闭，图3(b)表示的是阻挡放电部的压力，图3(c)表示的是质量分析部的压力，图3(d)表示的是阻挡放电电极的交流电压，图3(e)表示的是节流DC电压，图3(f)表示的是内盖电极DC电压，图3(g)表示的是端盖电极DC电压，图3(h)表示的是陷波RF电压，图3 (i)表示的是辅助交流电压，图3 (j)表示的是离子检测器的通/断。如图3所示，质量分析时序包括离子积蓄、排气等待(时间)、离子选择、离子离解、质量扫描这五个步骤。再有，离子积蓄步骤和排气等待(时间)步骤可如图2中所说明的那样同时进行，且在时间上重叠。
[0057]首先，说明离子积蓄步骤。
[0058]首先，如图3(a)所示，打开脉冲阀8。于是，如图3(b)和图3(c)所示，阻挡放电部10 (电介质容器I)的压力和质量分析部102的压力上升。如图3(d)所示，与阻挡放电部10 (电介质容器I)的压力上升到适当的值的定时一致地，从阻挡放电用交流电源6向阻挡放电电极2施加几kV、几MHz的交流电压，从而产生阻挡放电。与脉冲阀8的打开同时地，如图3(e)和图3(f)所示，向节流孔5和内盖电极19施加适当的偏压(例如，20V(参照图
3(e))和50V (参照图3 (f)))，将已产生的试样分子离子导向质量分析部102内。在图3 (e)和图3(f)中，假设所测定的试样分子离子是负离子，则向节流孔5施加20V，向内盖电极19施加50V。此外，如图3(g)和图3(h)所示，利用向端盖电极20施加一 50V而产生的静电场和向线性离子阱电极18a、18b、18c、18d施加几MHz的RF电压而产生的高频电场，将导向质量分析部102内的试样分子离子直线地捕集(积蓄)到质量分析部102的中央部。
[0059]在可捕集足够量的试样分子离子的定时，如图3(d)所示，从阻挡放电用交流电源6施加电压也停止，从而停止阻挡放电。此外，如图3(f)所示，切换内盖电极19的电压的正负(从50V到一 50V)，而使在质量分析部102捕集的试样分子离子不会逃到内盖电极19侦U。再有，在如图3(d)所示停止阻挡放电的定时，可如图3(a)所示那样关闭脉冲阀8，但不必如图2说明的那样必须一致。即，如图3的虚线箭头所示，离子积蓄步骤可与排气等待步骤重叠。
[0060]其次，说明排气等待步骤。
[0061]在排气等待步骤，脉冲阀8处于关闭状态，等到真空舱17的压力达到可进行质量分析的0.1Pa以下。等待I?3秒左右直到真空舱17内的压力下降到0.1Pa以下。真空舱17内的压力由真空计15监控。
[0062]接着，说明离子选择步骤。
[0063]在离子选择步骤中，为了选择捕集的离子中的、特定范围的m/z值的试样分子离子(目标离子)，如图3 (i)所示向线性离子阱电极18a和18b施加辅助交流电压，如图3 (h)所示陷讲RF电压也高，通过过滤噪声场(FNF-filtered noise field)处理从陷讲区域排出要测定的范围的m/z值之外的试样分子离子。再有，在对全部捕集的试样分子离子进行质量分离的情况下，省略该FNF处理。
[0064]下面，说明离子离解步骤。
[0065]在离子离解步骤中，对试样分子离子进行碰致离解(CID—Collis1n InducedDissociat1n)处理而产生产物粒子。如图3(i)所示，对线性离子讲电极18a和18b施加与成为CID的标的的先驱离子(目标离子)的m/z值一致的辅助交流电压，使先驱离子与位于质量分析部102的中性分子(队和O 2)碰撞而形成碎片(离解)(生成碎片离子)。先驱离子与辅助交流电压共振，在陷阱内与中性分子(缓冲气体)多次碰撞而分解，生成碎片离子。作为缓冲气体的压力，0.0l?IPa左右的压力是适当的。再有，在不需要对产物离子进行质量分离的情况下，可省略该CID处理。
[0066]最后，说明质量扫描步骤。
[0067]最后，如图3(h)和图3(i)所示，对陷阱RF电压和辅助交流电压的电压值(波高值)进行扫描，从m/z值小的离子依次从线性离子阱电极18a的狭缝18e向离子检测器16的方向排出。因m/z值的不同而产生的由离子检测器16的检测定时的不同成为质量分析的MS谱而被记录。即，可从检测到的离子的质量数及其信号量得到质量分析谱。在质量扫描步骤中，如图3(j)所示，需要接通离子检测器16的电压。再有，离子检测器16的电压使用稳定化需要时间的高电压，因此可在离子选择步骤和离子离解步骤之间预先接通。这是因为，作为离子检测器16，假设是在电子倍增管等的压力高的区域不能施加高电压的检测器，从而在离子检测器16使用光电倍增管或半导体检测器等的情况下，可使离子检测器16的电压在装置工作中总为接通(常开)，可省去开关的通/断动作。
[0068]在以上的离子积蓄、排气等待、离子选择、离子离解、质量扫描的五个步骤中，虽进行MS/MS测定，但如果是通常的MS测定，则可省去选择步骤和离解步骤。此外，在进行多次MS/MS分析(MSn)的情况下，可重复进行多次选择步骤和离解步骤。
[0069]第一实施方式的变形例
[0070]图4是与本发明的第一实施方式的变形例的质量分析装置100的质量分析方法(频率扫描方式)的时序对应的各图，图4(a)表示的是脉冲阀的开闭，图4(b)表示的是阻挡放电部的压力，图4(c)表示的是质量分析部的压力，图4(d)表示的是阻挡放电电极的交流电压，图4(e)表示的是节流DC电压，图4(f)表示的是内盖电极DC电压，图4(g)表示的是端盖电极DC电压，图4(h)表示的是陷波RF电压，图4(i)表示的是辅助交流电压，图
4(j)表示的是离子检测器的通/断。第一实施方式的变形例与第一实施方式不同的是质量扫描步骤。在第一实施方式中，如图3(h)和图3(i)所示，对陷波RF电压和辅助交流电压的电压值(波高值)进行扫描，但在变形例中，如图4(i)所示，对辅助交流电压的频率进行扫描，如图4(h)所示，陷波RF电压的电压值和频率都保持为一定。在变形例的频率扫描方式中，从m/z值小的离子依次从线性离子阱电极18a的狭缝18e向离子检测器16的方向排出呙子。
[0071]图5表示在本发明的第一实施方式的质量分析装置100中实施的质量分析方法的流程图。
[0072]首先，操作者在质量分析装置100中安装加入了试样4的试样容器29(步骤SI)。然后，质量分析装置100的控制电路21判断是否安装有试样容器29。在判断为安装有试样容器29时进到步骤S2，但在判断为安装有试样容器29之前不进到步骤S2。
[0073]其次，控制电路21将脉冲阀8关闭(步骤S2)。然后，控制电路21将滑阀11打开(步骤S3)。这样，成为阻挡放电区域的电介质容器I和试样容器29经节流孔5来进行差动排气(步骤S4)。控制电路21通过真空计15来监控真空舱17内的真空度(变化)，判断阻挡放电部10是否充分排气(步骤S5)。具体地，判断真空舱17内的真空度是否达到预定的真空度以下。然后，在判断为真空舱17内的真空度达到预定的真空度以下时进到步骤S6，但在判断为达到之前不进到步骤S6。
[0074]其次，为了开始测定，打开脉冲阀8(步骤S6)。从步骤S6向步骤S7和S9前进。在经过分别确定的预定时间后，进到步骤S7和S9。在步骤S7中，控制电路21在电介质容器I中产生阻挡放电，生成反应离子，在试样容器29中，引起离子分子反应，产生试样分子离子。控制电路21将产生的试样分子离子经节流孔5和内盖电极19导入到质量分析部102的中央部，由质量分析部102捕集(步骤S8)。以将试样分子离子充分地捕集的预定的时间来实施步骤S7，与步骤S7同步地实施步骤S8。
[0075]在步骤S9中，控制电路21在步骤S6中从打开脉冲阀8开始经过预定时间后，关闭脉冲阀8。控制电路21在质量分析部102的压力充分地下降之前等待I?3秒(步骤S10)。具体地，控制电路21通过真空计15来监控真空舱17内的真空度(变化)，判断真空舱17内的真空度是否达到预定的真空度以下。然后，在判断为真空舱17内的真空度(压力)达到预定的真空度以下时进到步骤S11，但在判断为达到之前不进到步骤S11。
[0076]在步骤Sll中，控制电路21实施离子选择、离子离解、质量扫描，并储存测定结果。
[0077]在步骤S12中，根据来自操作者的输入等，判断是否结束同一试样4的测定。在未结束同一试样4的测定而在用同一试样4继续进行其它测定的情况下，返回到将脉冲阀8打开的步骤(步骤S6)，再次实施测定。这样，可对试样4反复进行质量分析。在结束测定的情况下，进到步骤S13，将滑阀11关闭。控制电路21将脉冲阀8打开(步骤S14)，使试样容器29内的