有机发光二极管的封装结构及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种有机发光二极管的封装结构及其制造方法，尤指一种设有缓冲 膜，可隔绝高温或是延迟温度的传递，以保护有机发光二极管，避免其因受热而损坏的有机 发光二极管的封装结构及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 请参阅图IA至图IC所示，现有发光二极管的封装结构，其主要包括一第一基板 10、一有机发光二极管兀件20、一第二基板30、一热解胶膜40以及一阻障膜50。
[0003] 第一基板10上设有有机发光二极管兀件20,第一基板10提供设置有机发光二极 管元件20的一面通常设有连接电路（图中未示出），用以与有机发光二极管元件20电性连 接，而一般来说还会有一些填充胶材或除湿材覆盖于有机发光二极管元件20上并形成一 平面11。热解胶膜40设于第二基板30的一表面，阻障膜50设于热解胶膜40相对于设有 第二基板30的表面，第二基板30设有阻障膜50的一面朝向且覆盖于第一基板10设有有 机发光二极管元件20的一面，阻障膜50覆盖于平面11上而将有机发光二极管元件20封 闭于内。
[0004] 阻障膜50的作用在于，由于有机发光二极管元件20中的金属层易和水气反应，导 致可视区出现黑点或是金属层剥落，影响有机发光二极管元件20的发光功能，因此需要用 阻障膜50保护有机发光二极管元件20,阻隔水气。
[0005] 但是，阻障膜50为软性材料，而目前有机发光二极管元件20的封装压合设备仅能 针对硬板的材料（例如，玻璃）进行封装，若要进行阻障膜50的封装，就需要将阻障膜50 粘附于第二基板30上。目前已知的技术为利用热解胶膜40将阻障膜50粘附于第二基板 30上，再进入封装设备进行封装。
[0006] -般有机发光二极管元件20的封装制程会先经过除水步骤（作业温度大于摄氏 100度），去除第二基板30内的水分，避免水气和有机发光二极管元件20接触。然而，热解 胶膜40会遇热解胶，所以为了确保热解胶膜40于除水过程中不会解胶，热解胶膜40的解 胶温度至少须与除水温度相差摄氏20度，例如：当除水温度为摄氏110度时，解胶温度至少 须为摄氏130度才能避免热解胶膜40在除水制程中解胶。
[0007] 封装结束后，为了去除支撑阻障膜50的第二基板30,会利用外加热源使热解胶膜 40解胶，去除热解胶膜40及第二基板30。
[0008] 上述现有结构及封装方法的缺失在于，有机发光二极管元件20处于高温（摄氏 120度）环境下，易使可视区产生黑点、或是使金属层剥落，导致有机发光二极管元件20失 去发光的功能。当对有机发光二极管元件20封装结构进行加热离型制程（热敏感胶解胶 制程）时，由于有机发光二极管元件20不耐高温，有机发光二极管元件20会因无法承受高 温而损坏，使有机发光二极管元件20丧失发光功能。
[0009] 因此，如何提供一种有机发光二极管的封装结构及其半成品，于封装过程中可隔 绝高温或是延迟温度的传递，以保护有机发光二极管，避免其因受热而损坏，实为当前重要 课题之一。
【发明内容】
[0010] 本发明提出一种有机发光二极管的封装结构及其制造方法，尤指一种设有缓冲 膜，可隔绝高温或是延迟温度的传递，以保护有机发光二极管，避免其因受热而损坏。
[0011] 为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
[0012] 一种有机发光二极管的封装结构，其特征在于，其包括：
[0013] -第一基板，其具有一表面；
[0014] -有机发光二极管兀件，设于该第一基板中；
[0015] -覆盖层，覆盖于该第一基板的表面并位于该有机发光二极管兀件上，且具有可 挠性，该覆盖层包括一阻障膜以及一基膜，该阻障膜连接于该第一基板的表面，该基膜位于 该阻障膜上且材质为高分子材料，该基膜厚度介于〇. 5mm~1.0 mm之间且对可见光的穿透 率不小于80%。
[0016] 其中：该第一基板还具有一可挠性基材及一封装材料层，该有机发光二极管兀件 形成于该可挠性基材上，而该封装材料层覆盖该有机发光二极管元件并形成该表面。
[0017] 其中：该基膜选自于PMMA、PET、PC、PEN或PI其中之一。
[0018] 其中：该基膜的材质为PMMA、PC、PI其中一种时，该基膜的热导系数不小于0. 2W/ mK〇
[0019] 其中：该基膜的材质为PET、PEN其中一种时，该基膜的热导系数不小于0. 15W/mK。
[0020] 为实现上述目的，本发明采用的技术方案是：
[0021] 一种有机发光二极管的封装结构的制造方法，其特征在于，其包括：
[0022] (A)将一具有可挠性的第一基板设置于一第一刚性载板上，该第一基板中设有一 有机发光二极管兀件且具有一表面；
[0023] (B)提供一封装基板，该封装基板具有依序堆迭的一第二刚性基板、一热解胶膜、 一 UV解胶膜，及一阻障膜；
[0024] (C)将该封装基板的阻障膜与该第一基板的表面相压合；
[0025] (D)以一热源面对该封装基板加热，而移除该热解胶膜与该第二刚性载板；以及
[0026] (E)在步骤（D)之后，再以一 UV光源照射该UV解胶膜而将该UV解胶膜与该阻障 膜分离；
[0027] 其中，该UV解胶膜的材质会在照射UV光后粘度减小，而该热解胶膜的材质会在加 热后解胶。
[0028] 其中：步骤（B)中的封装基板还包括形成一缓冲膜，该缓冲膜设置于该UV解胶膜 与该热解胶膜之间。
[0029] 其中：该缓冲膜选自以下材料其中之一：PET、PEN、PI、PC或多孔性薄膜。
[0030] 其中：该阻障膜的厚度不大于〇· 1mm。
[0031] 与现有技术相比较，本发明具有的有益效果是：本发明所提供的有机发光二极管 的封装结构及封装结构半成品，凭借缓冲膜的设计，可隔绝外加热源传递到有机发光二极 管元件，或是延迟、减弱传递到有机发光二极管元件的温度，因此可避免有机发光二极管元 件受高温而损坏。
【附图说明】
[0032] 图IA至图IC为现有有机发光二极管的封装结构及封装方法示意图；
[0033] 图2A及图2B为本发明的有机发光二极管的封装结构的一实施例的结构示意图；
[0034] 图3A至图3D为本发明的有机发光二极管的封装结构制造方法第一实施例的示意 图；
[0035] 图4A至图4D为本发明的有机发光二极管的封装结构制造方法第二实施例的示意 图。
[0036] 附图标记说明：
【背景技术】 [0037] ：10_第一基板；11-凹部；20-有机发光二极管元件；30-第二基板； 40-热解胶膜；5