晶圆定位方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种晶圆定位方法。
【背景技术】
[0002]半导体功率器件(简称为功率器件，英文:PoWer MOS)是进行功率处理的，具有处理高电压、大电流能力的半导体器件，其电压处理范围可以从几十伏到几千伏，其电流处理能力最高可达几千安培。典型的功率处理包括变频处理、变压处理、变流处理、功率管理等等。早期的半导体功率器件包括大功率二极管和晶闸管等，主要用于工业和电力系统，后来，随着以功率MOSFET器件为代表的新型半导体功率器件的迅速发展，现在半导体功率器件已经非常广泛，在计算机、通行、消费电子、汽车电子为代表的4C行业(Computer、Communicat1n、Consumer Electronics、Cartronics)，半导体功率器件应用的范围越来越广，也越来越受欢迎。目前，半导体功率器件，在大多数情况下是被作为开关使用，简单的说，就是用来控制电流的通过和截断。因此，半导体功率器件的研宄和发展，就是围绕着这个目标不断前进的。现在的半导体功率器件，已经具有很好的性能了，在要求的电压电流处理范围内，可以接近一个比较理想的开关。
[0003]对于应用于汽车电子产品的半导体功率器件，为配合客户的特别要求，需要进一步的降低半导体功率器件的电阻值(Rdson)。由于该半导体功率器件的电阻值大小与制备过程与晶圆的厚度有很大的关系，也就是说，为了降低半导体功率器件的电阻值，必须进一步的减少晶圆(通常为硅片)的厚度，使晶圆减薄超过180um，减薄后的晶圆厚度小于10umo上述晶圆减薄过程需要用到Taiko工艺(一种晶圆背面磨削工艺)，因此，设置在晶圆上的对准标记会在Taiko工艺执行过程中被磨削变浅或者被消除，这就是使得后续在晶圆上形成器件时，难以对晶圆进行精确定位，导致后续工艺生产困难。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种晶圆定位方法，以解决现有技术中存在晶圆在Taiko工艺中难以定位的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本发明提供一种晶圆定位方法，包括:提供晶圆，该晶圆包括正常区域和非曝光区域，在所述正常区域和非曝光区域分别设置对准标记；执行Taiko工艺；定位晶圆，并在晶圆的正常区域上形成器件。
[0006]作为优选，器件形成后，去除所述晶圆的非曝光区域。
[0007]作为优选，通过人工识别所述非曝光区域的对准标记来定位所述晶圆。
[0008]作为优选，采用机器识别的方式识别所述非曝光区域的对准标记以定位晶圆。
[0009]作为优选，所述晶圆的正常区域包括多个具有相同结构的芯片，相邻芯片之间的区域为切割道。
[0010]作为优选，所述切割道内设置有测试键。
[0011]作为优选，采用机器与测试键配合的方式定位晶圆。
[0012]作为优选，所述非曝光区域的对准标记至少有一个。
[0013]作为优选，正常区域的对准标记至少设置有一个。
[0014]作为优选，所述对准标记通过刻蚀、印刷或者激光形成。
[0015]与现有技术相比，本发明的一种晶圆定位方法，包括:提供晶圆，该晶圆包括正常区域和非曝光区域，在所述正常区域和非曝光区域分别设置对准标记；执行Taiko工艺；定位晶圆，并在晶圆的正常区域上形成器件。本发明利用Taiko工艺中需保留晶圆外围边缘部分也就是所述非曝光区域的特性，在晶圆的正常区域和非曝光区域同时设置对准标记，当进行Taiko工艺时，由于晶圆的正常区域被磨削、减薄，正常区域的对准标记被磨平、变浅或者消失，而非曝光区域的对准标记依然保留，因此通过在非曝光区域设置对准标记，不仅可以降低应用于汽车电子产品的半导体功率器件的电阻值，并且可以确保后续器件的形成，避免因晶圆难以定位而导致半导体功率器件良率低。
【附图说明】
[0016]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明由更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0017]图1示意性示出了根据本发明的晶圆定位方法的流程图。
【具体实施方式】
[0018]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的【具体实施方式】做详细的说明。需说明的是，本发明附图均采用简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0019]如图1所示，本发明提供一种晶圆定位方法，具体包括以下步骤:
[0020]步骤1:提供晶圆，该晶圆包括正常区域和非曝光区域。其中，所述晶圆的正常区域是用于后续进行曝光、形成器件的区域；所述非曝光区域为晶圆的边缘部分，围绕所述正常区域一周设置，且其上无需形成器件。本发明中，当正常区域处形成器件后，该非曝光区域需切割去除。
[0021]步骤2:在所述晶圆的正常区域和非曝光区域分别设置对准标记。具体地，所述对准标记用于后续对晶圆进行对准，以便在晶圆的固定位置处形成器件。其中，所述对准标记的形成方式有多种，可以通过刻蚀形成，也可以通过印刷形成，还可以激光形成。当然，所述对准标记的形状也有多种，由于此为现有技术，且实现方式有多种，此处不再赘述。
[0022]步骤3:执行Taiko工艺。具体地，所述Taiko工艺为一种晶圆背面磨削技术，该项技术和以往的背面研削不同，其在对晶圆进行研削时，将保留晶片外围的边缘3?5mm，即只对晶圆的正常区域进行研削薄型化。通过执行所述Taiko工艺，不仅可以是晶圆减薄至汽车电子产品要求的厚度，同时可以实现降低薄型晶片的搬运风险和减少翘曲的作用。具体地，Taiko工艺通过在晶片外围留边，减少晶圆翘曲，提高晶圆强度，晶圆使用更方便，薄型化后的通孔插装，配置接线头等加工更方便。此外，晶圆薄型化后进行高温工序(镀金属等)时，没有脱气现象发生，因为是一体构造，形状单一，可降低颗粒带入现象，无需使用硬基体等，仅凭借晶圆自身即可维持构造(形状)；研削时具有不在外围区域负重的优点，无需研削外围区域，因此Taiko工艺相较于其它工艺更方便，Taiko工艺后晶圆的崩角现象为零。
[0023]步骤4:定位晶圆，并在晶圆的正常区域上形成器件。
[0024]定位晶圆的方式有多种，一种方式为:通过人工识别所述晶圆上的对准标记(主要为非曝光区域的对准标记)，从而定位晶圆。
[0025]另一种方式是通过机器识别所述非曝光区域的对准标记，以识别晶圆。
[0026]进一步的，当非曝光区域与正常区域相比，亮度或者说对比度相差较大时，机器难以识别非曝光区域上的对准标记时，可以采用测试键对晶圆定位。具体地，由于所述晶圆的正常区域包括多个具有相同结构的芯片，而相邻的两两芯片之间的区域为切割道，所述切割道内设置有测试键。由于不同芯片之间的测试键的作用不同，因此，机器可以通过识别正常区域的测试键来定位晶圆。
[0027]也就是说，晶圆定位有三种方式，一种是通过人工定位，一种是单纯的机器定位晶圆，还有一种是机器与测试键配合的方式定位晶圆。
[0028]步骤5:器件形成后，去除所述晶圆的非曝光区域，也就是说，切割去除晶圆边缘的非曝光区域。
[0029]作为优选，所述非曝光区域和正常区域的对准标记设置至少有一个，以便于识别对准标记，实现宽度定位晶圆。
[0030]综上所述，本发明提供一种晶圆定位方法，包括:提供晶圆，该晶圆包括正常区域和非曝光区域，在所述正常区域和非曝光区域分别设置对准标记；执行Taiko工艺；定位晶圆，并在晶圆的正常区域上形成器件。本发明利用Taiko工艺中需保留晶圆外围边缘部分也就是所述非曝光区域的特性，在晶圆的正常区域和非曝光区域同时设置对准标记，当进行Taiko工艺时，由于晶圆的正常区域被磨削、减薄，正常区域的对准标记被磨平、变浅或者消失，而非曝光区域的对准标记依然保留，因此通过在非曝光区域设置对准标记，不仅可以降低应用于汽车电子产品的半导体功率器件的电阻值，并且可以确保后续器件的形成，避免因晶圆难以定位而导致半导体功率器件良率低，从而可以提高半导体功率器件的良率，进而降低生产成本。
[0031]此外，需要说明的是，除非特别说明或指出，否则说明书中的术语“第一”“第二”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或顺序关系等。
[0032]显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种晶圆定位方法，其特征在于，包括:提供晶圆，该晶圆包括正常区域和非曝光区域，在所述正常区域和非曝光区域分别设置对准标记；执行Taik0工艺；定位晶圆，并在晶圆的正常区域上形成器件。
2.如权利要求1所述的晶圆定位方法，其特征在于，器件形成后，去除所述晶圆的非曝光区域。
3.如权利要求1所述的晶圆定位方法，其特征在于，通过人工识别所述非曝光区域的对准标记来定位所述晶圆。
4.如权利要求1所述的晶圆定位方法，其特征在于，采用机器识别的方式识别所述非曝光区域的对准标记以定位晶圆。
5.如权利要求1所述的晶圆定位方法，其特征在于，所述晶圆的正常区域包括多个具有相同结构的芯片，相邻芯片之间的区域为切割道。
6.如权利要求5所述的晶圆定位方法，其特征在于，所述切割道内设置有测试键。
7.如权利要求6所述的晶圆定位方法，其特征在于，采用机器与测试键配合的方式定位晶圆。
8.如权利要求1所述的晶圆定位方法，其特征在于，所述非曝光区域的对准标记至少有一个。
9.如权利要求1所述的晶圆定位方法，其特征在于，正常区域的对准标记至少设置有—个°
10.如权利要求1所述的晶圆定位方法，其特征在于，所述对准标记通过刻蚀、印刷或者激光形成。
【专利摘要】本发明公开了一种晶圆定位方法，包括：提供晶圆，该晶圆包括正常区域和非曝光区域，在所述正常区域和非曝光区域分别设置对准标记；执行Taiko工艺；定位晶圆，并在晶圆的正常区域上形成器件。本发明利用Taiko工艺中需保留晶圆外围边缘部分也就是所述非曝光区域的特性，在晶圆的正常区域和非曝光区域同时设置对准标记，当进行Taiko工艺时，由于晶圆的正常区域被磨削、减薄，正常区域的对准标记被磨平、变浅或者消失，而非曝光区域的对准标记依然保留，因此通过在非曝光区域设置对准标记，不仅可以降低应用于汽车电子产品的半导体功率器件的电阻值，并且可以确保后续器件的形成，避免因晶圆难以定位而导致半导体功率器件良率低。
【IPC分类】H01L21-02, H01L23-544
【公开号】CN104795317
【申请号】CN201510189321
【发明人】王鹏, 刘宇, 李秀莹
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年4月17日