场效应管的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件制造技术，尤其涉及一种场效应管的制造方法。
【背景技术】
[0002]场效应管是电压控制的一种放大器件，是组成数字集成电路的基本单元，通常分为互补金属氧化物半导体场效应管(Complementary Metal Oxide Semiconductor,简称CMOS)和扩散金属氧化物半导体场效应管(Double-diffused Metal OxideSemi conductor，简称DMOS )。其中，DMOS器件具有高电流驱动能力、低导通电阻以及较高的击穿电压等优点，广泛应用在集成电路领域中。
[0003]对于不同的集成电路，需要不同的DMOS器件具备相应的开启电压，而DMOS器件的开启电压是由其制造工艺决定的。调节DMOS器件开启电压的方法可以在其制造过程中，通过调节体区沟道的参杂浓度和驱入条件，或者调节沟槽的深度等方法来实现，上述方法均对开启电压有明显的调节作用，但是采用上述方法会影响DMOS器件的击穿电压和导通电阻等电性参数。按照上述方法制成的DMOS的击穿电压和导通电阻等电性参数不能满足要求，使得成品率较低，提高了制造成本。
【发明内容】
[0004]本发明提供一种场效应管的制造方法，用于解决现有的制造方法会导致场效应管的电性参数不能满足要求的问题，以提高成品率。
[0005]本发明实施例提供一种场效应管的制造方法，包括:
[0006]在表面形成有氧化层的外延层中形成体区；
[0007]削减所述体区中待形成源区部分表面的氧化层厚度；
[0008]在所述体区中形成源区。
[0009]如上所述的场效应管的制造方法，所述削减所述体区中待形成源区部分表面的氧化层厚度，包括:
[0010]对所述体区中待形成源区部分表面的氧化层进行干法刻蚀，以削减所述待形成源区部分表面的氧化层厚度。
[0011]如上所述的场效应管的制造方法，在对所述体区中待形成源区部分表面的氧化层进行干法刻蚀之前，还包括:
[0012]在所述氧化层的表面涂覆光刻胶，形成胶层；
[0013]去除所述体区中待形成源区部分上方的光刻胶，保留所述氧化层的其余部分表面的光刻胶。
[0014]如上所述的场效应管的制造方法，所述去除所述体区中待形成源区部分上方的光刻胶，包括:
[0015]对所述胶层进行曝光处理，以使所述体区中待形成源区部分上方的光刻胶受光照照射而溶于显影溶剂；
[0016]对曝光处理后的所述胶层进行显影处理，以去除所述体区中待形成源区部分上方的光刻胶。
[0017]如上所述的场效应管的制造方法，对所述体区中待形成源区部分表面的氧化层进行干法刻蚀，包括:采用等离子体对所述体区中待形成源区部分表面的氧化层进行干法去除。
[0018]如上所述的场效应管的制造方法，在削减所述体区中待形成源区部分表面的氧化层厚度之后，还包括:
[0019]去除所述氧化层表面的光刻胶。
[0020]如上所述的场效应管的制造方法，在表面形成有氧化层的外延层中形成体区之前，还包括:
[0021]在衬底上形成外延层；
[0022]在所述外延层上形成栅极沟槽；
[0023]在所述外延层和栅极沟槽的表面形成氧化层；
[0024]在所述栅极沟槽的外围形成体区。
[0025]本发明实施例提供的场效应管的制造方法通过将待形成源区部分表面的氧化层厚度进行削减，以在形成源区的注入和驱入过程中，减少穿过氧化层而造成的能量损失，以实现调节源区的深度和能量，一方面能够实现调节场效应管的开启电压，另一方面本实施例提供的技术方案不会影响场效应管中其它部分的特性，因此也不会影响场效应管的其它电性参数。因此，可采用上述技术方案来调节场效应管的开启电压，并且能够提高成品率。
【附图说明】
[0026]图1为本发明实施例提供的场效应管的制造方法；
[0027]图2为本发明实施例提供的场效应管的制造方法中形成体区的结构示意图；
[0028]图3为本发明实施例提供的场效应管的制造方法中形成胶层的结构示意图；
[0029]图4为本发明实施例提供的场效应管的制造方法中对待形成源极部分表面的胶层进行去除后的结构示意图；
[0030]图5为本发明实施例提供的场效应管的制造方法中对待形成源极部分表面的氧化层进行去除后的结构示意图；
[0031]图6为本发明实施例提供的场效应管的制造方法中形成源区的结构示意图。
[0032]附图标记:
[0033]1-衬底；2-外延层；3-体区；
[0034]4-栅极沟槽；5-氧化层；6-胶层；
[0035]7-源区；
【具体实施方式】
[0036]图1为本发明实施例提供的场效应管的制造方法。本实施例提供的制造方法可适用于DMOS器件的制造过程，还可以适用于待通过调整氧化层厚度来调整开启电压的半导体开关器件制造过程。如图1所示，本实施例提供的场效应管的制造方法，可以包括如下几个步骤:
[0037]步骤10、在表面形成有氧化层的外延层中形成体区。
[0038]外延层的表面形成有氧化层，氧化层的填充物质可以为二氧化硅。在外延层中形成体区的具体实现方式可参照现有技术中常用的方式来实现。
[0039]图2为本发明实施例提供的场效应管的制造方法中形成体区的结构示意图。如图2所示，在步骤10之前，可以根据半导体器件的结构依次形成栅极沟槽、氧化层和体区等部分，以DMOS器件为例，可先在衬底I上形成外延层2，然后在外延层2上形成栅极沟槽4，或者技术人员可直接采用现有技术中常用的外延片，该外延片包括了衬底I和外延层2。在外延层2和栅极沟槽4的表面形成氧化层5，然后在栅极沟槽4中生长多晶硅层，并完成多晶硅层的刻蚀。最后，在外延层2中形成体区3，体区3形成在栅极沟槽4的外围。上述各步骤具体的形成方法也可以参照现有技术中常用的方法来实现，本实施例对此不作限定。
[0040]在形成体区3之后，现有的制造方法都是采用注入和驱入的方式形成带负电的源区，但由于在注入的过程，形成源区的材料需穿过体区3表面的氧化层5再进入体区3，因此会损失一些形成源区的材料，或者损失一部分注入的能量，使得源区的深度较浅且可控性较差。而本实施例与现有技术不同的是，在步骤10之后，可执行如下步骤20:
[0041]步骤20、削减体区中待形成源区部